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1、教学课件第教学课件第6章章 半导体存储器半导体存储器6.1存储器概述存储器概述半导体存储器是一种由半导体器件构成的能够半导体存储器是一种由半导体器件构成的能够存存储数据储数据、运算结果运算结果、操作指令操作指令的逻辑部件。的逻辑部件。主要用于计算机的内存储器。主要用于计算机的内存储器。第第6章章 半导体存储器半导体存储器6.1存储器概述存储器概述 半导体存储器的特点及分类半导体存储器的特点及分类按制造工艺的不同按制造工艺的不同TTL型型MOS型型按存储原理的不同按存储原理的不同静态存储器静态存储器动态存储器动态存储器触发器 速度快电容 速度慢需要刷新速度快集成度高掩模掩模ROM可编程可编程RO
2、M（PROM）可擦除可编程可擦除可编程ROM（EPROM）随机存储器随机存储器RAM静态存储器静态存储器SRAM动态存储器动态存储器DRAM按按存存取取方方式式的的不不同同UVEPROME2PROM只读存储器只读存储器ROMFlash Memory电可擦除电可擦除紫外线擦除紫外线擦除快闪存储器快闪存储器第6章 半导体存储器6.1存储器概述存储器概述6.1存储器概述存储器概述只只读读存存储储器器（ROM）是是一一种种存存储储固固定定信信息息的的存存储储器器，当当信信息息被被加加工工时时或或被被编编程程时时，信信息息被被存存储储在在ROM中。中。特点特点：只能读出，不能写入；只能读出，不能写入；属
3、于组合电路，电路简单，集成度高；属于组合电路，电路简单，集成度高；具有信息的不易失性；具有信息的不易失性；存取时间在存取时间在20ns50ns。缺点：缺点：只适应存储固定数据的场合。只适应存储固定数据的场合。6.1存储器概述存储器概述随机存取存储器（随机存取存储器（RAM）是可以从任意选定的单元读）是可以从任意选定的单元读出数据，或将数据写入任意选定的存储单元。出数据，或将数据写入任意选定的存储单元。在计算机中，在计算机中，RAM用作内存储器和高速缓冲存储器。用作内存储器和高速缓冲存储器。优点：快速读写，使用灵活。优点：快速读写，使用灵活。缺点：掉电丢失信息。缺点：掉电丢失信息。6.1存储器概
4、述存储器概述半导体存储器的技术指标半导体存储器的技术指标存取容量存取容量：表示存储器存放二进制信息的多少。：表示存储器存放二进制信息的多少。是是存储单元个数的总和存储单元个数的总和(bit)。存储单元存储单元是指存放一位是指存放一位0、1的物理器件。的物理器件。公式：字数公式：字数位数。位数。1K bit=1024 bit=210 bit字：一个独立的信息单元，有独立统一的地址。字：一个独立的信息单元，有独立统一的地址。字数字数=2n(n：地址码的位数地址码的位数)。位数：一个信息单元的二进制长度。位数：一个信息单元的二进制长度。6.1 存储器概述存储器概述半导体存储器的技术指标半导体存储器的
5、技术指标存取周期存取周期：存储器的性能取决于存储器的存取速：存储器的性能取决于存储器的存取速度。存取速度用存取周期或读写周期来表征。度。存取速度用存取周期或读写周期来表征。把连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为把连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存存取周期取周期。6.2 只读存储器只读存储器ROM可分为可分为:掩膜只读存储器（掩膜只读存储器（Mask Read Only Memory，简称，简称MROM）可编程只读存储器可编程只读存储器(Programmable Read Only Memory，简称，简称PROM)紫外线可擦除可编程只读存储器紫外线可擦除可编程只读存储器(Erasabl
6、e Programmable Read Only Memory，简称，简称EPROM)电擦除可编程只读存储器（电擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，简称，简称EEPROM）Flash存储器存储器(也称快闪存储器也称快闪存储器)固固定定ROM，厂厂家家在在制制造造时时根根据据特特定定的的要要求求做做成成固固定的存储内容，出厂后，用户无法更改，只能读出。定的存储内容，出厂后，用户无法更改，只能读出。6.2.1 固定只读存储器（固定只读存储器（ROM）ROM主要由主要由存储矩阵存储矩阵地址译码器地址译码器输出和
7、控制电路输出和控制电路组成组成6.2.1 固定只读存储器固定只读存储器ROM地地 址址 译译 码码 器器地地 址址 输输 入入W0WN-1存储矩阵存储矩阵 NM 输出及控制电路输出及控制电路D0DM-1 数据输出数据输出图图6-1 ROM结构图结构图字线（选择线）：字线（选择线）：N条条位线（数据线）：位线（数据线）：M条条存储矩阵：由存储单元存储矩阵：由存储单元排列而成，每个存储单排列而成，每个存储单元能存放一位二值代码，元能存放一位二值代码，每一组存储单元有一个每一组存储单元有一个对应的地址代码。对应的地址代码。每字有每字有M位位容量：容量：N个个字（字（N=2n）共共NM位（位（bit）
8、6.2.1 固定只读存储器固定只读存储器ROM地地 址址 译译 码码 器器地地 址址 输输 入入W0WN-1存储矩阵存储矩阵 NM 输出及控制电路输出及控制电路D0DM-1 数据输出数据输出图图6-1 ROM结构图结构图地址译码器地址译码器对应于对应于N条字线，地址译码器条字线，地址译码器必须有必须有n条地址线输入：且条地址线输入：且N=2n一个地址码对应一条字线，当一个地址码对应一条字线，当某条字线被选中时，与该字线某条字线被选中时，与该字线联系的一组存储单元（字）就联系的一组存储单元（字）就与数据线相通，进行读操作。与数据线相通，进行读操作。6.2.1 固定只读存储器固定只读存储器ROM地
9、地 址址 译译 码码 器器地地 址址 输输 入入W0WN-1存储矩阵存储矩阵 NM 输出及控制电路输出及控制电路D0DM-1 数据输出数据输出图图6-1 ROM结构图结构图输出及控制电路输出及控制电路选中的字经选中的字经输出及控制电路输出及控制电路输出：输出：提高带负载能力；由三态控制信提高带负载能力；由三态控制信号决定数据输出的时刻。号决定数据输出的时刻。ROM的工作原理的工作原理地址译码器根据地址码选中地址译码器根据地址码选中一条字线（只有一条！）一条字线（只有一条！）字线对应的存储单元的各位字线对应的存储单元的各位数码经位线输出数码经位线输出6.2.1 固定只读存储器固定只读存储器ROM
10、图图6-2是一个是一个44位的位的NMOS固定固定ROM。图图6-2 NMOS固定固定ROMA0A1W0W1W2W3+VDDD3D2D1D0D3D2D1D011&1111存储存储矩阵矩阵输出电输出电路路地址译码地址译码字线字线位线位线6.2.1 固定只读存储器固定只读存储器ROMD3D2D1D0W3W2W1W0图图6-3 ROM的点阵图的点阵图表表6-1 ROM中的信息表中的信息表 地地 址址 内内 容容A1 A0D3D2D1D00 00 11 01 10101101101011100存储矩阵的输出和输入是或的关系，这种存储矩阵存储矩阵的输出和输入是或的关系，这种存储矩阵是或矩阵。是或矩阵。地
11、址译码器的输出和输入是与的关系，因此地址译码器的输出和输入是与的关系，因此ROM是一个多输入变量（地址）和多输出变量（数据）是一个多输入变量（地址）和多输出变量（数据）的与或逻辑阵列。的与或逻辑阵列。6.2.1 固定只读存储器固定只读存储器ROMD3D2D1D0W3W2W1W0图图6-3 ROM的点阵图的点阵图表表6-1 ROM中的信息表中的信息表 地地 址址 内内 容容A1 A0D3D2D1D00 00 11 01 10101101101011100位线与字线之间逻辑关系为：位线与字线之间逻辑关系为：D0=W0+W1 D1=W1+W3 D2=W0+W2+W3 D3=W1+W36.2.2 可编
12、程只读存储器可编程只读存储器(PROM)在出厂时存储全部为在出厂时存储全部为“1”或或“0”，用户可根据，用户可根据需要将某些单元改写为需要将某些单元改写为“0”或或“1”，然而，然而只能只能改写一次改写一次。PROM和和 ROM的的 区区 别别：ROM由由 厂厂 家家 编编 程程，PROM由用户编程。由用户编程。6.2.2 可编程只读存储器可编程只读存储器(PROM)图图6-4为为一一种种PROM的的结结构构图图，存存储储矩矩阵阵的的存存储储单元由双极型三极管和熔断丝组成。单元由双极型三极管和熔断丝组成。存储容量存储容量为为328位，位，存储矩阵是存储矩阵是32行行8列；列；6.2.2 可编
13、程只读存储器可编程只读存储器(PROM)出厂时每个出厂时每个发射极的熔断发射极的熔断丝都是连通的，丝都是连通的，这种电路存储这种电路存储内容全部为内容全部为0。如果想使某如果想使某单元改写为单元改写为1，需要使熔断，需要使熔断丝通过大电流，丝通过大电流，使它烧断。一使它烧断。一经烧断，再不经烧断，再不能恢复。能恢复。6.2.2 可编程只读存储器可编程只读存储器(PROM)在在写写入入时时，VCC接接+12V电源。电源。写写入入1时时，该该数数据据线线为为1，T2导导通通，选选中中单元的熔断丝烧断；单元的熔断丝烧断；若若输输入入数数据据为为0，对对应应的的T2管管不不导导通通，熔熔断断丝丝仍仍为
14、为连连通通状状态态，存存储储的的0信信息息不不变。变。6.2.2 可编程只读存储器可编程只读存储器(PROM)读读出出时时，VCC接接+5V电源。电源。低低于于稳稳压压管管的的击击穿穿电压，电压，T2管截止。管截止。如如被被选选中中的的某某位位熔熔断断丝丝是是连连通通的的，T1管管导导通通，输输出出为为0；如如果果熔熔断断丝丝是是断断开开的的，T1截截止止，读出读出1信号。信号。6.2.3 可擦可编程只读存储器可擦可编程只读存储器EPROM的存储内容可以改变；的存储内容可以改变；EPROM所存内容的擦去需要专门的擦抹器。所存内容的擦去需要专门的擦抹器。EPROM所存内容的改写，需要专门的编程器
15、实现。所存内容的改写，需要专门的编程器实现。在工作时，只能读出。在工作时，只能读出。6.2.3 可擦可编程只读存储器可擦可编程只读存储器可擦除可编程存储器又可以分为：可擦除可编程存储器又可以分为：光可擦除光可擦除可编程存储器可编程存储器UVEPROM 电可擦除电可擦除可编程存储器可编程存储器E2PROM 电可擦除电可擦除快闪存储器快闪存储器(Flash Memory)等。等。电擦除，一般芯片内部带有升压电路，可以直接电擦除，一般芯片内部带有升压电路，可以直接 读写读写E E2 2PROMPROM，擦除时间较短，可对擦除时间较短，可对单个单个存储单元擦除。存储单元擦除。读出：读出：5V5V；擦除
16、：；擦除：20V20V；写入：；写入：20V20V。EPROMEPROM：光擦除可编程：光擦除可编程ROMROM（UVEPROMUVEPROM）E E2 2PROMPROM：电擦除可编程：电擦除可编程ROMROMFLASH ROMFLASH ROM：电擦除可编程：电擦除可编程ROMROM紫外线照射擦除，时间长紫外线照射擦除，时间长20203030分钟分钟整片整片擦除擦除写入一般需要专门的工具写入一般需要专门的工具结合结合EPROMEPROM和和E E2 2PROMPROM的特点，构成的电路形式简的特点，构成的电路形式简 单，集成度高，可靠性好。单，集成度高，可靠性好。擦除时间短擦除时间短(ms
17、(ms级级)，整片整片擦除、或擦除、或分块分块擦除。擦除。读出：读出：5V5V；写入：；写入：12V12V；擦除：；擦除：12V(12V(整块擦除整块擦除)第6章 半导体存储器 1光可擦除可编程存储器光可擦除可编程存储器EPROM光光可可擦擦除除可可编编程程存存储储器器EPROM是是采采用用浮浮栅栅技技术术生生产产的的可可编编程程存存储储器器。总总体体结结构构与与PROM一一样样，不同之处在于不同之处在于存储单元。存储单元。它的存储单元多采用它的存储单元多采用N沟道叠栅沟道叠栅MOS管。管。图图6-5叠栅叠栅MOS管的结构和符号管的结构和符号控制栅控制栅浮置栅浮置栅原理：原理：浮置栅若没有注入
18、负电荷，正常高电平导通，状态浮置栅若没有注入负电荷，正常高电平导通，状态0 0。浮置栅若注入了负电荷，正常高电平不导通，状态浮置栅若注入了负电荷，正常高电平不导通，状态1 1。D-SD-S间加高电压（间加高电压（20V-25V20V-25V）时发生雪崩击穿；若同时）时发生雪崩击穿；若同时GcGc加高压加高压脉冲（脉冲（25V25V）浮置栅俘获电荷，相当于写入）浮置栅俘获电荷，相当于写入1 1。在紫外线的照射下，在紫外线的照射下，浮置栅上的电荷放掉，恢复为浮置栅上的电荷放掉，恢复为0。EPROM举例举例27642、E2 PROM第6章 半导体存储器特点：特点：l用电气方法在线擦除和编程的只读存储
19、器。用电气方法在线擦除和编程的只读存储器。l存储单元采用浮栅隧道氧化层存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管。管。l写入的数据在常温下可以保存十年以上，擦除写入的数据在常温下可以保存十年以上，擦除/写入次数为写入次数为 1万次万次 10万次。万次。l因擦除改写时间较长，一般作为只读存储器用。因擦除改写时间较长，一般作为只读存储器用。图图6-6 浮栅隧道氧化层浮栅隧道氧化层MOS管结构及符号管结构及符号氧化层极薄氧化层极薄的隧道区，的隧道区，存在电容。存在电容。2、E2 PROM当当GC与与D之间加高压时之间加高压时(可正可负可正可负)，薄氧化层被击穿，形成导电隧道，漏区电子，薄氧化层被击穿，形成导
20、电隧道，漏区电子可以到达浮栅可以到达浮栅(GCD间加正电压间加正电压)，浮栅电子也可以到达漏区，浮栅电子也可以到达漏区(GCD间负电压间负电压)，因此，因此写入和擦除都可以通过电信号来实现。写入和擦除都可以通过电信号来实现。图图6-7 存储单元存储单元根据浮置栅上是否有电根据浮置栅上是否有电荷来区分荷来区分1和和0。2、E2 PROM3快闪存储器快闪存储器(Flash Memory)采用与采用与EPROM中的叠栅中的叠栅MOS管相似的结构，管相似的结构，同时保留了同时保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性。用隧道效应擦除的快捷特性。理论上属于理论上属于ROM型存储器；功能上相当于型存储器；
21、功能上相当于RAM。擦除和改写电压较擦除和改写电压较E2PROM小，且擦除时间短。小，且擦除时间短。集成度高、容量大、成本高、使用方便，应用广泛。集成度高、容量大、成本高、使用方便，应用广泛。3快闪存储器快闪存储器(Flash Memory)浮浮栅栅与与源源区区的的重重叠叠部部分分面面积积极极小小，形形成成隧隧道道区区的的电电容容也也很很小小，所所以以，当当控控制制栅栅和和源源极极之之间间加加电电压压时时，大大部部分分电电压压将将降降落落在在浮浮栅与源极之间的电容上。栅与源极之间的电容上。用用ROM实现组合逻辑实现组合逻辑观察数据表，可发现此表与真值表相似。观察数据表，可发现此表与真值表相似。
22、地址相当于输地址相当于输 入，数据相当于输出；入，数据相当于输出；且表中列出了输入变量的所有组合方式。且表中列出了输入变量的所有组合方式。0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 例例6-1试用试用ROM设计一个能实现函数设计一个能实现函数y=x2的运算表电路，的运算表电路，x的取值范围为的取值范围为015的正整数。的正整数。解：因为自变量解：因为自变量x的取值范围为的取值范围为015的正整数，所的正整数，所以用以用4位二进制数表示，用位二进制数表示，用B=B3B2B1B0表示，而表示，而 y的的最大值是最大值是225，可以用，可以用8位二
23、进制数位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。表示。根据根据y=x2的关系可列出的关系可列出Y7、Y6、Y5、Y4、Y3、Y2、Y1、Y0与与B3、B2、B1、B0之间的关系如表之间的关系如表6-2所示。所示。例例6-1例例6-16.3 随机存取存储器随机存取存储器随机存取存储器（随机存取存储器（RAM）是可以从任意选定的单元读是可以从任意选定的单元读出数据，或将数据写入任意选定的存储单元出数据，或将数据写入任意选定的存储单元。RAM分为静态分为静态RAM和动态和动态RAM；静态静态RAM又分为双极型和又分为双极型和MOS型。型。6.3 随机存取存储器随机存取存储器RAM结构框图结
24、构框图输入：地址输入、控制输入、数据输入输入：地址输入、控制输入、数据输入输出：数据输出输出：数据输出集成集成RAM简介简介 Intel公司的公司的MOS型静态型静态2114（10244位）位）的结构图。的结构图。行地行地址译址译码器码器 6464 存储矩阵存储矩阵 I/O电路电路列地址译码器列地址译码器读写控制读写控制A6A7A8A9A0A1A2A3A4A5X0X63B0B63Y0Y15CS R/WD0D1D2D3执行写操作执行写操作执行读操作执行读操作1.静态静态RAM存储单元存储单元 设设T1导通、导通、T2截止，则截止，则Q=0，Q=1且由反馈线互相维持状态且由反馈线互相维持状态数据存
25、于数据存于Q、Q处处 T1截止、截止、T2导通，则导通，则Q=1，Q=0且由反馈线互相维持状态且由反馈线互相维持状态T1、T2交叉反馈连接构成锁存器交叉反馈连接构成锁存器0V1.4V1.4V字线发射极有电流流出字线发射极有电流流出位线发射极无电流位线发射极无电流存储单元与位线隔离存储单元与位线隔离字线接字线接0V，位线接，位线接1.4V以以Q=1，Q=0为例为例T2导导通通，T1截截止止，电电流流经经T2发射极发射极(字线字线)流出流出存储状态（保持状态，不读不写时）存储状态（保持状态，不读不写时）读操作读操作3V1.4V1.4V字线无电流字线无电流流出电流经读出放大器放大，变成高低电平电压信
26、号流出电流经读出放大器放大，变成高低电平电压信号字线接字线接3V，位线接，位线接1.4V若若Q=1，Q=0，则，则T2导导通，通，T1截止，位线截止，位线D有有电流流出电流流出若若Q=0，Q=1，则，则T1导导通，通，T2截止，位线截止，位线D有电流流出有电流流出 写操作写操作3V“1”“0”“1”“0”以写1为例0V1.4V1.4V10字线接3V，位线D接1，D接0写入脉冲过后锁存锁存器维持状态不变，T2导通，T1截止，电流从字线流出T2导通，T1截止，锁存锁存器置1，Q=1 2.动态动态RAM存储单元存储单元静态静态RAM的缺点：的缺点：管子多，功耗大，集成度低管子多，功耗大，集成度低 优
27、点：优点：速度快，使用方便（不用刷新）速度快，使用方便（不用刷新）动态动态RAM利用利用MOS管栅极电容的管栅极电容的电荷存储效应电荷存储效应存储存储信息，需要定期给电容补充电荷，即信息，需要定期给电容补充电荷，即刷新刷新。动态动态MOS存储单元电路主要是三管和单管结构。存储单元电路主要是三管和单管结构。以三管电路为例介绍以三管电路为例介绍三管动态三管动态MOS存储单元如存储单元如图所示。图所示。T2为存储管，为存储管，T3为读门控为读门控管，管，T1为写门控管为写门控管T4为同一列公用的预充电管。为同一列公用的预充电管。数码以电荷的形式存储在数码以电荷的形式存储在T2管的栅极电容管的栅极电容
28、C中，中，C上的上的电压控制电压控制T2管的状态。管的状态。VDDT4预充预充T3读选择线读选择线T2读读数数据据线线写写数数据据线线T1CDC写选择线写选择线图图6-12 三管动态三管动态MOS存储单元存储单元VDDT4预充预充T3读选择线读选择线T2读读数数据据线线写写数数据据线线T1CDC写选择线写选择线图图6-12 三管动态三管动态2.动态动态RAM存储单元存储单元读出数据：读出数据：输入预充电脉冲，输入预充电脉冲，T4通，通，CD充电到充电到VDD，读数据线置，读数据线置1。当读选择线置当读选择线置1时时 若若C上原来有电荷，上原来有电荷，T2、T3通，通，CD放放电，读数据线为电，
29、读数据线为0，反码输出。，反码输出。若若C上没电荷，上没电荷，T2止，止，CD无放电回路，无放电回路，读数据线为读数据线为1。经读放大器放大并反相经读放大器放大并反相后输出即为读出数据。后输出即为读出数据。VDDT4预充预充T3读选择线读选择线T2读读数数据据线线写写数数据据线线T1CDC写选择线写选择线图图6-12 三管动态三管动态MOS存储单元存储单元VDDT4预充预充T3读选择线读选择线T2读读数数据据线线写写数数据据线线T1CDC写选择线写选择线图图6-12 三管动态三管动态MOS存储单元存储单元2.动态动态RAM存储单元存储单元写入数据：写入数据：令写选择线为令写选择线为高电平，高电
30、平，T1导通；导通；当写入当写入1时，数据线为高时，数据线为高电平，通过电平，通过T1对对C充电，充电，1信号便存到信号便存到C上。上。VDDT4预充预充T3读选择线读选择线T2读读数数据据线线写写数数据据线线T1CDC写选择线写选择线VDDT4预充预充T3读选择线读选择线T2读读数数据据线线写写数数据据线线T1CDC写选择线写选择线2.动态动态RAM存储单元存储单元三管电路的读、写选择线三管电路的读、写选择线和数据线是分开的，和数据线是分开的，刷新操作需要通过外围电刷新操作需要通过外围电路控制，所以电路比较复路控制，所以电路比较复杂，存储单元与外围电路杂，存储单元与外围电路的连线也较多。的连
31、线也较多。VDDT4预充预充T3读选择线读选择线T2读读数数据据线线写写数数据据线线T1CDC写选择线写选择线VDDT4预充预充T3读选择线读选择线T2读读数数据据线线写写数数据据线线T1CDC写选择线写选择线2.动态动态RAM存储单元存储单元6.4 RAM的扩展的扩展 RAM的的种种类类很很多多，存存储储容容量量有有大大有有小小。当当一一片片RAM不不能能满满足足存存储储容容量量需需要要时时，就就需需要要将将若若干干片片RAM组合起来，构成满足存储容量要求的存储器。组合起来，构成满足存储容量要求的存储器。RAM的扩展分为的扩展分为位扩展位扩展和和字扩展字扩展两种。两种。6.4 RAM的扩展的
32、扩展 位扩展位扩展 字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。实现位扩展的原则是：实现位扩展的原则是：多个单片多个单片RAM的的I/O端并行输出。端并行输出。多多个个RAM的的CS接接到到一一起起，作作为为RAM的的片片选选端端（同同时时被被选中）；选中）；地址端对应接到一起，作为地址端对应接到一起，作为RAM的地址输入端。的地址输入端。多多个个单单片片RAM的的R/W端端接接到到一一起起，作作为为RAM的的读读/写写控控制端（读制端（读/写控制端只能有一个）；写控制端只能有一个）；6.4 RAM的扩展的扩展 位扩展位扩展 图图6-15 RAM位扩展接
33、线图位扩展接线图CSR/WA0A1A7I/O1I/O2I/O3I/O4CS2561位位RAM (1)A0 A1A7R/WCS2561位位RAM(2)A0 A1A7R/WCS2561位位RAM (3)A0 A1A7R/W2561位位RAM(4)A0 A1A7R/WCS6.4 RAM的扩展的扩展 字扩展字扩展在在RAM的的数数据据位位的的位位数数足足够够，而而字字数数达达不不到要求时，需要进行字扩展。到要求时，需要进行字扩展。字数增加，地址线数相应增加。字数增加，地址线数相应增加。例：例：2568位位RAM扩展成扩展成10248位位RAM。6.4 RAM的扩展的扩展 实现字扩展的原则是：实现字扩展
34、的原则是：多个单片多个单片RAM的的I/O端并接，作为端并接，作为RAM的的I/O端端 多多片片构构成成字字扩扩展展之之后后，每每次次访访问问只只能能选选中中一一片片，选选中中哪哪一一片片，由由字字扩扩展展后后多多出出的的地地址址线线决决定定。多多出出的的地地址址线线经经输输出出低低有效的译码器译码，接至各片有效的译码器译码，接至各片RAM的的CS端；端；地址端对应接到一起，作为低位地址输入端。地址端对应接到一起，作为低位地址输入端。R/W端端接接到到一一起起作作为为RAM的的读读/写写控控制制端端（读读写写控控制制端端只只能有一个）；能有一个）；6.4 RAM的扩展的扩展 R/WA0A1A7
35、2568位位RAM (1)A0 A1A7R/WCSI/O1I/O8I/O42568位位RAM (2)A0 A1A7R/WCSI/O1I/O8I/O42568位位RAM (3)A0 A1A7R/WCSI/O1I/O8I/O42568位位RAM (4)A0 A1A7R/WCSI/O1I/O8I/O4A8A9F0F1F2F32线线-4线线译码器译码器例例6-2试用试用10244位位RAM实现实现40968位存储器。位存储器。解：解：40968位存储器需位存储器需10244位位RAM的芯片数的芯片数根根据据2n=字字数数，求求得得4096个个字字的的地地址址线线数数n=12，两两片片10244位位RAM并联实现了位扩展，达到并联实现了位扩展，达到8位的要求。位的要求。地地址址线线A11、A10接接译译码码器器输输入入端端，译译码码器器的的每每一一条条输输出出线线对对应接到应接到2片片10244位位RAM的的CS端。连接方式见图所示。端。连接方式见图所示。例例6-2