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1、专业英语课程教学大纲一、课程简介课程中文名专业英语课程英文名Professional English课程代码083W41B课程学分2总学时数34课程类别口通识课程 口学科基础课 W专业课 口实验实践课 口其他课程性质口必修 回选修 口其他课程形态口浅I： 也线下 口线上线下混 合口其他考核方式向闭卷口开卷口一页开卷口面试口试口答辩口论文口报告大型作业课程作品口其他开课学院物理科学与技术学院开课基层教 学组织微电子科学与工程系面向专业微电子科学与工程开课学期2.1课程负责人审核人先修课程“大学物理“大学英语“半导体物理后续课程无课程网址无课程简介专业英语是微电子学专业的专业选修课，适用于微电子科
2、学与工程专 业、综合班工学物理方向的本科生。该课程在主修大学英语、半导体器件 物理、半导体物理以及电子技术等课程基础之上。通过本课程学习，使学 生能用英文阅读半导体物理基础知识，包括晶格结构、能带结构、载流子 浓度和输运等；半导体器件物理基础理论，包括pn结、肖特基二极管、异 质结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管；半导体集成电路的制造工艺。 并且具备用英文进行相关的写作与交流的能力。（英文）二、课程目标专业英语是微电子学专业的专业选修课，适用于微电子学专业、综合 班工学物理方向的本科生。该课程在主修大学英语、半导体器件物理、半导体物 理以及电子技术等课程基础之上，系统地介绍微电子学专业的基础
3、知识。通过本 课程掌握400左右半导体物理，半导体器件物理，集成电路等方面的专业英语词 汇，了解专业英语的构词方法、语法特定，具备一定的专业知识的外语交流能力； 学生具有有关微电子专业阅读、写作以及国际交流的能力。表1课程目标三、课程目标与毕业要求对应关系本课程的课程目标对微电子科学与工程专业毕业要求指标点的支撑情况如表2所示: 表2课程目标与毕业要求对应关系序号具体课程目标课程目标1建立核心价值观，坚定勤奋学习、求真学问、科技报国的理想信念。具备初步 的科学思维能力与科学伦理，热爱科学探索，立志成为有理想信念和人文情怀 的科技人才。课程目标2掌握400左右半导体物理，半导体器件物理，集成电路
4、等方面的专业英语词汇 了解专业英语的构词方法、语法特定，具备一定的专业知识的外语交流能力。课程目标3能够利用半导体物理，半导体器件物理，集成电路等方面的专业英语词汇开展 相关外文专业基础课学习以及追踪微电子科学的前沿发展。课程目标4学生具有有关微电子专业阅读、写作以及国际交流的能力。课程目标5课程目标6毕业要求指标点课程目标毕业要求1：8、职业规范：8-1.通过思政、人文、社科、体质训练、军训等课程的 学习，理解世界观、人生观和价值观的基本意义及其影 响。8-2.理解微电子科学与工程专业的社会价值，遵守微电 子工程师职业道德和行为规范，具有社会责任感，能够 履行责任。1, 2毕业要求2：10、
5、沟通：10-2.通过阅读技术文献、参加学术讲座、学生互访等 环节，理解不同文化、技术行为之间的差异，能够在跨 文化背景下进行沟通和交流，具有一定的国际视野。2, 3, 4毕业要求3： 3、 研发解决方案3-1.能针对当前业界使用的最先进微电子工艺的特定 需求，完成相应设计与实现。3-2.能针对微电子特种元器件的特定需求，完成相应设 计与实现。2, 3, 4毕业要求4：毕业要求5：四、 课程目标与教学内容和方法的对应关系表3课程目标与教学内容、教学方法的对应关系教学内容详细内容与要求教学方法课 程目标1.专业英语的 基本知识（1）教学内容：（1）专业英语的修辞特定，（2）Symbol and F
6、ormula：小数，分数，百分数；哥（power）根（root） 的读法。专业英语语法特点：广泛使用被动语态；广 泛使用非谓语形式；省略句使用频繁；It句型和祈使 句使用频繁；复杂长句使用频繁；后置形容词短语作 定语多。专业英语的构词方法：合成法、派生法、词汇 缩略。（2）教学重点：专业英语的构词法、复杂长句。（3）教学难点：被动语态；广泛使用非谓语形式：省 略句使用频繁；复杂长句的主谓宾分析。（4）教学要求：能够根据现有英语知识知道专也英语 构词法，能否分析复杂长句的成分以及含义。课堂讲 授、课后 自学、文 献查阅1,2,3,42.专业英语的 翻译基本技巧（1）教学内容：专业英语的翻译基本技
7、巧：句了成分 的转换；词义的选择和引申、词量的增减、词性的转 换。（2）教学重点：词义的选择和引申，词性的转换，句 子成分的转换。（3）教学难点：词性和句子成分的转换。（4）教学要求：能够根据句子的成分选择词性，并对 词义进行引申。课堂讲 授、视频 学习、提 问、课后 自学2,3,43. Introduction to Semiconductors（1）教学内容：半导体发展简史，我国科学家在半导 体发展中的贡献，半导体的定义，半导体的分类（2）教学重点：elemental semiconductor :元素半导 体,compound semiconductor：化合物半导体（3）教学难点：半导
8、体的定义,The classification of semiconductor（4）教学要求：能够拒绝能隙特点判断哪些是半导体 哪些不是。思政融合点1：思政拓展1:讲解半导体发展简史中，介绍我国物理学课堂讲 授、视频 学习、课 后自学2,3,4家黄昆在半导体物理中的贡献，激发学生的爱国热情， 引导学生热爱所学的专业，树立正确的人生观、价值 观类；思政拓展2:通过半导体的发展简史讲述科学研究、工 程设计中的实事求是，大国工匠精神，科学发展中的 人文文化。思政拓展3:通过介绍我国芯片发展过程中的现状，让 学生更加坚定共产党的领导，热爱自己的国家。4.CrystalStructure(1)教学内容
9、：(2)教学重点：(3)教学难点：(4)教学要求：了解：primitive cell, lattice constant, diamonds (金刚石) or zincblende (闪星矿)lattice structures 熟悉： face-centered cubic (fee) lattices, body-centered cubic. 掌握：Brillouin zone, Atomic Bonding.课堂讲 授、提问、 课后自 学、2,3,45. Band Model(1)教学内容：Introduction to Quantum Mechanics, energy quanta
10、, the wave-particle duality principle, and the uncertainty principle,Schrodingers Wave Equation, probability, Bloch theorem,conduction bands; the lower bands, valance bands, Effective Mass Theory。(2)教学重点：the wave-particle duality principle, and the uncertainty principle,Schrodingers Wave Equation(3)
11、教学难点：the lower bands, valance bands, Effective Mass Theory(4)教学要求：能够利用量子力学分析半导体物理中 的行为，能够画出半导体的能带图。课堂讲 授、提问、 课后自学1,2,3,46.TheSemiconductorin Equilibrium(1)教学 内容：the electron, the hole, Intrinsic Semiconductor, Extrinsic semiconductor donor; acceptor the thermal-equilibrium concentration, the effecti
12、ve density of states function, Fermi distribution(2)教学重点：the hole, the thermal-equilibrium concentration, the effective density of states function, Fermi distribution(3)教学难点：the effective density of states function, Fermi distribution(4)教学要求：能判断不同条件下density of states function, Fermi distribution 的变化
13、课堂讲 授、视频 学习、提 问、课后 自学1,2,3,47.CarrierTransport(1)教学内容：Fixed and mobile charges, Trap states; Mobility, ionized impurity scattering, Microscopic Scattering Processes , High Field Transport, spatial derivative, Diffusion Current,(2)教学重点：Microscopic Scattering Processes, High Field Transport, spatial d
14、erivative, Diffusion Current。课堂讲 授、视频 学习、提 问、课后 自学2,3,4(3)教学难点：spatial derivative, Diffusion Current(4)教学要求：通过扩散电流公式的推到，明确影响 扩散电流的因素。8.Nonequilibrium Excess Carriers inSemiconductor(1)教学内容：ambipolar transport, Band to Band Recombination, Free-ExcitonRecombination, excess carriers, Auger Recombinatio
15、n, Band-Impurity Recombination, Surface Recombination, Minority Carrier Lifetime(2)教学重点：不同复合过程机理，Minority Carrier Lifetime(3)教学难点：Minority Carrier Lifetime(4)教学要求：判断Minority Carrier Lifetime的因素课堂讲 授、视频 学习、提 问、课后 自学、文 献查阅2,3,49. pn Junction(1)教学内容：The current-voltage characteristic, Characteristics o
16、f a Practical Diode, The breakdown mechanism. Ideal-diode equation, Basic Structure of the pn Junction, Energy Bands for a pn Junction, Ideal Current-Voltage Relationship.(2)教学重点：Basic Structure of the pn Junction, Energy Bands for a pn Junction, Ideal Current-Voltage Relationship.(3)教学难点：Basic Stru
17、cture of the pn Junction, Energy Bands for a pn Junction, Ideal Current-Voltage Relationship.(4)教学要求：能够画出不同外电场下Energy Bands for a pn Junction课堂讲 授、视频 学习、提 问、课后 自学、文 献查阅2,3,410. Introduction totheSemiconductor Technology 1(1)教学内容：The Development of Semiconductor Technology, Wafer Fabrication, Photoma
18、sking, Etching, Diffusion, Ionic Implantation, Metal Deposition, Passivation, Back-lap, Oxidation, Diffusion Ion Implantation(2)教学重点：The Development of Semiconductor Technology, Wafer Fabrication, Photomasking, Etching, Diffusion, Ionic Implantation, Metal Deposition, Passivation, Back-lap, Oxidatio
19、n, Diffusion Ion Implantation的工艺过程(3 )教学难点： 这些 The Development of Semiconductor Technology, Wafer Fabrication, Photomasking, Etching, Diffusion, Ionic Implantation, Metal Deposition, Passivation, Back-lap, Oxidation, Diffusion Ion Implantation 工艺的原理(4)教学要求：能够根据微电子芯片的加工的原理， 设计出5-6道工序的芯片的加工顺序。课堂讲 授、视频
20、 学习、提 问、课后 自学、文 献查阅1,2,3,411. Introductiontothe(1)教学内容：Assembly, the separation of the silicon chips, Metrology, the Measurement of resistivity, The课堂讲 授、视频2,3,4五、实践环节及要求SemiconductorTechnology IIHall effect(2)教学重点：Assembly, the separation of the silicon chips, Metrology的工艺过程(3)教学难点：Assembly, the se
21、paration of the silicon chips, Metrology工艺的原理(4 )教学要求：能够设计the Measurement of resistivity, The Hall effect 的测量方法。学习、提 问、课后 自学、文 献查阅无。六、学时分配各章节的学时分配如表4所示。表4学时分配表总计课内34学时+课外自学68学时七、课程学生成绩评定方法教学内容课数一靠验数 实时实践 学时内机数 课上时外机数 课上时自学时数习题 课讨论 时数1.专业英语的基本 知识482.专业英语的翻译 基本技巧6123. Introduction toSemiconductors2414
22、. Crystal Structure245. Band Model366. The Semiconductor in Equilibrium247. Carrier Transport248. NonequilibriumExcess Carriers in Semiconductor369. pn Junction4810. Introduction to theSemiconductorTechnology 148111. Introduction to the Semiconductor Technology II24合计1.课程考核与成绩评定方法各部分的具体评价环节、关联课程目标、评
23、价依据及方法和在总成绩中的占 比，如表5所示。表5课程考核与成绩评定方法2.各个考核项目的详细评分标准重修或因其它原因申请自学+辅导的学生，平时成绩可以申请不考核而取80分。成绩 构成考核项目考核关联的 课程目标考核依据与方法占总评成 绩的比重平 时成 绩课程 思政实践1根据教学思政元素，通过讨论、课堂 小组讨论、报告等多种形式，考查学生的 核心价值观状况等进行考核（五级制）。5%学习2, 3, 4在课程网站完成规定的自学任务和 测验（五级制）。占比不超过5%。共计 占比35%课后 作业2, 3, 4每次作业单独评分，根据作业质量给 出批阅成绩（五级制），折算为百分制后， 计算平均得分；占比不
24、超过5%。出勤1无故旷课者，每旷一次课扣20%的出 勤成绩，扣完为止。占比10%。申请自学 +辅导免于考勤。平时 测验2, 3, 4根据情况，进行不少于2次的平时测 验。取平均分。占比10%o课堂 综合表现1, 2, 3, 4主要包括上课状态、互动交流、课堂 练习等；占比5%期 末考 试闭卷 考试1, 2, 3,4考试成绩60%总评成绩1, 2, 3, 4=平时成绩*40%+考试成绩*60%100%表6各个考核项目的详细评分标准八、教学资源考核项目优(91-100)良(81-90 )中(71-80 )及格(61-70)不及格（0-60）课程思政实 践认真完成思 政任务，表现 积极，知行合比较认
25、真完 成思政任务， 表现积极，无 不良表现能够完成思 政任务，表现 较积极，无不 良表现基本完成思 政任务，无不 良表现不能完成思 政任务，有不 良行为表现学习认真完成学 习任务（2 90%）,表现优认真完成学 习任务（2 80%）,表现积基本完成学 习任务（2 70%）,表现较部分完成学 习任务（2 50%）部分完成学 习任务（ 50%）秀极积极课后作业完成作业，多 次为A （24 次），作业有 认真订正缺作业不多 于1次，较多 A （22 次）， 作业有订正缺作业不多 于3次，基本 为B及以上半数以上交 作业，基本为 C及以上交作业少于 半数，多为C 及以下出勤100%缺课1次（迟 到2次
26、计缺 课1次）缺课2次缺课3次缺课4次平时测验按卷面成绩按卷面成绩按卷面成绩按卷面成绩按卷面成绩课堂综合表 现认真听课，积 极参与课堂 活动认真听课，部 分参与课堂 活动较认真听课基本能够听 课，效果较差较少听课，有 其它违规行 为表6课程的基本教学资源九、课程目标达成情况评价资源类型资源教材微电子专业英语参考书籍或文 献书籍课程网址课程分目标达成度计算公式如下（参照教学计划，本课程分目标一共有4个）：6i=ai*A/100+Xi*B/100(i=l-4)其中：A、B分别对应平时考核和期末考核的平均成绩（百分计）；各考核环节分 目标权重系数如下表：分目标序号平时考核分目标权重系数a期末考核分目
27、标权重系 数为目标1（思政）0.90.1目标2 （知识）0.40.6目标3（能力）0.50.5目标4（素质）0.70.3注：平时考核、期末考核分别占40%和60%。课程总目标达成度计算公式如下：3= E 6=21*61+82*32其中，本课程支撑的分目标权重系数&如下表：分目标目标1目标2目标3目标4Ei0.10.50.30.1注：支撑课程目标考核材料清单：平时成绩记录表1份（包括：出勤和课堂表现情况、课后作业情况、平时测验成绩、学习成绩等）；试卷n份； 期末总评成绩单2份；成绩分析报告1份（试卷分析；题型；课程目标；权重系数）;期末空白A、B卷及答案2份；课程目标达成度评价表1份。十、说明本课程大纲自2020级开始执行，生效之日原先版本均不再使用。