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1、光敏二极管结构光敏二极管结构光敏二极管与普通二极管一样有一个光敏二极管与普通二极管一样有一个PN结，属于结，属于单向导电性的非线形元件。外形不同之处是在光电单向导电性的非线形元件。外形不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换。实现光电转换。为了获得尽可能大的光生电流，需要较大的工作面，为了获得尽可能大的光生电流，需要较大的工作面，即即PN结面积比普通二极管大得多，以扩散层作为结面积比普通二极管大得多，以扩散层作为它的受光面。它的受光面。为了提高光电转换能力为了提高光电转换能力，PN结的深度较普通二极结的深度较普通二
2、极管管浅。浅。光电二极管（光敏二极管）光电二极管（光敏二极管）光敏二极管符号光敏二极管符号 光敏二极管接法光敏二极管接法 外加反向偏压外加反向偏压可以不加偏压，与光电池不同，光敏二极管一可以不加偏压，与光电池不同，光敏二极管一般在负偏压情况下使用般在负偏压情况下使用大反偏压的施加，增加了耗尽层的宽度和结电大反偏压的施加，增加了耗尽层的宽度和结电场，电子场，电子空穴在耗尽层复合机会少，提高光空穴在耗尽层复合机会少，提高光敏二极管的灵敏度。敏二极管的灵敏度。增加了耗尽层的宽度，结电容减小，提高器件增加了耗尽层的宽度，结电容减小，提高器件的频响特性。的频响特性。但是，为了提高灵敏度及频响特性，却不能
3、无但是，为了提高灵敏度及频响特性，却不能无限地加大反向偏压，因为它还受到限地加大反向偏压，因为它还受到PN结反向结反向击穿电压等因素的限制。击穿电压等因素的限制。光敏二极管体积小，灵敏度高，响应时间短，光敏二极管体积小，灵敏度高，响应时间短，光谱响应在可见到近红外区中，光电检测中应光谱响应在可见到近红外区中，光电检测中应用多。用多。选择一定厚度选择一定厚度的的i层，具有高速响应特性。层，具有高速响应特性。i层所起的作用层所起的作用:(1)为了取得较大为了取得较大的的PN结击穿电压，必须选择结击穿电压，必须选择高电阻率的基体材料，这样势必增加了串联电阻，使时间常数高电阻率的基体材料，这样势必增加
4、了串联电阻，使时间常数增大，影响管子的频率响应。增大，影响管子的频率响应。而而i层的存在，使击穿电压不再受到基体材料的限制，从而可层的存在，使击穿电压不再受到基体材料的限制，从而可选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压，还减少选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压，还减少了串联电阻和时间常数。了串联电阻和时间常数。(2)反偏下，耗尽层反偏下，耗尽层较无较无i层时要大得多，从而使结电容下降，层时要大得多，从而使结电容下降，提高了频率响应提高了频率响应。PIN管的最大特点是管的最大特点是频带宽，可达频带宽，可达40GHz。另一特点是线性输出范围宽。另一特点是线性输出范围宽。缺点缺点
5、:由于由于I层的层的存在存在，管子的输出电流小，一般多为零点管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。几微安至数微安。雪崩光敏二极管雪崩光敏二极管由于存在因碰撞电离引起的内增益机理，雪崩管由于存在因碰撞电离引起的内增益机理，雪崩管具有高的增益带宽乘积和极快的时间响应特性。具有高的增益带宽乘积和极快的时间响应特性。通过一定的工艺可以通过一定的工艺可以使它在使它在1.06微米波长处的量微米波长处的量子效率达到子效率达到30，非常适于可见光及近红外区域，非常适于可见光及近红外区域的应用。的应用。当光敏二极管当光敏二极管的的PN结上加相当大的反向偏压时，结上加相当大的反向偏压时，在结区产生一个很高
6、的电场，使进入场区的光生在结区产生一个很高的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，通过碰撞使晶格原子电载流子获得足够的能量，通过碰撞使晶格原子电离，而产生新的电子离，而产生新的电子空穴对。空穴对。新的电子新的电子空穴对在强电场的作用下分别向相反空穴对在强电场的作用下分别向相反方向运动在运动过程中，又有可能与原子碰撞方向运动在运动过程中，又有可能与原子碰撞再一次产生电子再一次产生电子空穴对。空穴对。只要电场足够强，此过程就将继续下去，达到载只要电场足够强，此过程就将继续下去，达到载流子的雪崩倍增。通常，雪崩光敏二极管的反向流子的雪崩倍增。通常，雪崩光敏二极管的反向工作偏压略低于击穿电压。工
7、作偏压略低于击穿电压。雪崩光电二极管的雪崩光电二极管的倍增电流、噪声与偏压的关系曲线倍增电流、噪声与偏压的关系曲线在偏置电压较低在偏置电压较低时的时的A点以左，不发生雪崩过程；随着偏压的逐点以左，不发生雪崩过程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流逐渐增加渐升高，倍增电流逐渐增加从从B点到点到c点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发生雪崩击穿；同时噪声生雪崩击穿；同时噪声也显著增加，如也显著增加，如图中图中c点以右边的区域。因此，最佳的偏压工作点以右边的区域。因此，最佳的偏压工作区区是是c点以左，否则进入雪崩击穿区烧坏管子。点以左，否则进入雪崩
8、击穿区烧坏管子。由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温度变化相应调整工由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温度变化相应调整工作电压作电压。雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达应快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光是目前响应最快的一种光敏二极管。敏二极管。不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。射信号的探测方向被广泛地应用。在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这
9、就需要选择无缺陷的材料，必须保区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。持更高的工艺和保证结面的平整。其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响大。大。雪崩光电二极管与光电倍增管比较雪崩光电二极管与光电倍增管比较体积小结构紧凑工作电压低使用方便但其暗电流比光电倍增管的暗电流大，相应的噪声也较大故光电倍增管更适宜于弱光探测2.42.4 CCD CCDCCD是一种电荷耦合器件(Charge Coupled Device)CCD的突出特点：是以电荷作为信号，而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。CCD的基本功能是电荷的存
10、储和电荷的耦合。CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。CCDCCD的结构的结构MOS 光敏元：光敏元：构成构成CCD的基本单元是的基本单元是MOS(金金属属氧化物氧化物半导体半导体)结构。结构。（型层）（型层）电极电极在栅极加正偏压之前在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。加正偏压后，空穴被排斥而产生耗尽区，偏压增加，耗尽区向内延伸。加正偏压后，空穴被排斥而产生耗尽区，偏压增加，耗尽区向内延伸。当当UG Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致
11、于将半导体内的电子体内的电子(少子少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。反型层电荷的存在表明了反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。结构存储电荷的功能。一、电荷存储一、电荷存储表面势与栅极正偏压的关系 表面势 0.1um 0.2um 0.4um 0.6um 栅极正偏压栅极正偏压表面势与反型层电荷密度的关系 表面势 反型层电荷密度二、电荷的耦合电荷的耦合第一个电极保持10V，第二个电极上的电压由2V变到10V，因这两个电极靠得很紧(间隔只有几微米)，它们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第一个电极下的电荷变为这两个电极下势
12、阱所共有。若此后第一个电极电压由10V变为2V，第二个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移到第二个电极下的势阱中。这样，深势阱及电荷包向右移动了一个位置。CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地自一个电极转移到相邻电极。对绝大多数CCD，1m的间隙长度是足够了。主要由三部分组成：信号输入、电荷、信号输出。输入部分：将信号电荷引入到的第一个转移栅极下的势阱中，称为电荷注入。电荷注入的方法主要有两类：光注入和电注入电注入：用于滤波、延迟线和存储器等。通过输入二极管给输入栅极施加电压。光注入：用于摄像机。用光敏元件代替输入二极管。当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电子空穴对，其多数载
13、流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。的工作原理的工作原理P-Si输入栅输入二极管输出二极管输出栅SiO2在栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值的电压，则在半导体表面形成不同深浅的势阱。势阱用于存储信号电荷，其深度同步于信号电压变化，使阱内信号电荷沿半导体表面传输，最后从输出二极管送出视频信号。为了实现电荷的定向转移，在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的循环结构。一位CCD中含的MOS个数即为CCD的像数。以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道CCD，简称为N型CCD。而以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟道CCD，简称为P型CCD。由于电子的迁移率远
14、大于空穴的迁移率，因此N型CCD比P型CCD的工作频率高得多。的工作原理的工作原理CCD的特点体积小，功耗低，可靠性高，寿命长。空间分辨率高，可以获得很高的定位精度和测量精度。光电灵敏度高，动态范围大，红外敏感性强，信噪比高。高速扫描，基本上不保留残象(电子束摄象管有1520的残象)集成度高可用于非接触精密尺寸测量系统。无像元烧伤、扭曲，不受电磁干扰。有数字扫描能力。象元的位置可由数字代码确定，便于与计算机结合接口。CCDCCD的特性参数的特性参数像素数量，CCD尺寸，最低照度，信噪比等像素数是指CCD上感光元件的数量。4444万（万（768*576768*576）、）、100100万（万（1
15、024*1024*10241024）、）、200200万（万（1600*12001600*1200）、）、600600万万（2832*21282832*2128）信噪比：典型值为典型值为46分贝分贝感光范围感光范围 可见光、红外可见光、红外 CCD按电荷存储的位置分有两种基本类型1、电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输 表面沟道CCD(简称SCCD)。2、电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向传输，体沟道或埋沟道器件(简称BCCD)。的类型的类型线阵：光敏元排列为一行的称为线阵，象元数从128位至5000位以至7000位不等，由于生产厂家象元数的不同，市
16、场上有数十种型号的器件可供选用。面阵CCD：器件象元排列为一平面，它包含若干行和列的结合。目前达到实用阶段的象元数由25万至数百万个不等，按照片子的尺寸不同有13英寸、l2英寸、23英寸以至1英寸之分。线阵线阵CCD：一行，扫描；一行，扫描；体积小，价格低；体积小，价格低；面面阵阵CCD:整幅图像；直观；价格高，体积大；整幅图像；直观；价格高，体积大；面阵面阵CCDCCD芯片芯片CCDCCD在检测方面的应用在检测方面的应用几何量测量自动步枪激光模拟射击系统。光谱测量光谱仪输出信号测量。习题1、据雪崩光电二极管的雪崩光电二极管的倍增电流、噪声与偏压的关系曲线说明它为何又一个倍增电流、噪声与偏压的
17、关系曲线说明它为何又一个最佳工作电压。最佳工作电压。2、什么是CCD器件?构成CCD器件的基本结构单元是什么，试述CCD器件的电荷存储原理。第五章第五章 光电检测系统光电检测系统光电检测系统分类主动系统/被动系统(按信息光源分)红外系统/可见光系统(按光源波长分)红外系统多用于军事,有大气窗口,需要特种探测器可见光系统多用于民用点探测/面探测系统(按接受系统分)用单元探测器接受目标的总辐射功率用面接受元件测量目标的光强分布模拟系统/数字系统(按调制和信号处理方式分)直接检测/相干检测系统(按光波对信号的携带方式分)主动系统通过信息调制光源,或者光源发射的光受被测物体调制.返回返回被动系统光信号
18、来自被测物体的自发辐射返回返回直接检测/相干检测直接检测:无论是相干或非相干光源，都是利用光源发射的光强携带信息。光电探测器直接把接受到的光强的变化转换为电信号的变化，然后，用解调电路检出所携带的信息。相干检测:利用光波的振幅、频率、相位携带信息，而不是光强。因为用光波的相干原理，只能用相干光。类似于无线电外茶检测，故又称光外差检测。光电检测系统的信噪比信噪比：与灵敏度相关误码率：“0”和“1”出现错误的概率 直接检测系统的基本工作原直接检测系统的基本工作原理理将待测光信号直接入射到光探测器光敏面，光探测器响应于光辐射强度输出相应的电流或电压。光探测器的平方律特性光电流正比于光电场振幅的平方光
19、电流正比于光电场振幅的平方输出的电功率正比于入射光功率的平方输出的电功率正比于入射光功率的平方系统的基本特性信噪比：表征检测系统的灵敏度 PS:输入信号光功率,Pn:噪声功率 检测距离：是系统灵敏度的另外一种评价指标，与发射和接收系统的大气特性以及目标的反射特性有关直接检测系统的视场角表征系统能“观察”到的空间范围系统的视场角越大越好但是增大检测器面积使系统的噪声增大；减小焦距使系统的相对孔径加大系统的通频带宽度检测系统要求f保持原由信号的调制信息确定系统频带宽度的几种方法：等效矩形带宽频谱曲线下降dB的带宽包含能量的带宽频带宽度越宽，通过信号的能量越大，系统的噪声功率也越大fS 为信号光波，
20、fL为本机振荡光波，这两束相干光入射到探测器表面进行混频，形成相干光场。经探测器变换后，输出信号中包含 的差频信号，故又称相干探测。光外差检测光外差检测设入射到探测器上的信号光场为：本机振荡光场为：入射到探测器上的总光场为：基本原理 ；:量子效率；:光子能量；:差频。式中第一、二项为余弦函数平方的平均值，等于12。第三项（和频项）是余弦函数的平均值为零。而第四项（差频项）相对光频而言，频率要低得多。当差频 低于光探测器的截止频率时，光探测器就有频率为 的光电流输出。光探测器输出的光电流光外差检测的特性 可获得全部信息：不仅可探测振幅和强度调制的光信号，还可探测频率调制及相位调制的光信号，即在光
21、探测器输出电流中包含有信号光的振幅、频率和相位等全部信息；转换效率高：转换增益可高达，对微弱信号的探测有利光外差检测的特性 可获得全部信息：不仅可探测振幅和强度调制的光信号，还可探测频率调制及相位调制的光信号，即在光探测器输出电流中包含有信号光的振幅、频率和相位等全部信息。转换效率高：转换增益可高达，对微弱信号的探测有利。差频信号是由具有恒定频率（近于单频）和恒定相位的相干光混频得到的，只有激光才能实现外差探测。光外差检测的特性良好的滤波性能取差频信号为信息处理器的通频带，可以过滤频带外的杂散光；而直接探测中，所有的杂散光都被接收信噪比损失小检测灵敏度高例如：量子效率为，f为Hz，则外差检测的
22、灵敏度极限为个光子系统对探测器性能的要求光外差检测对探测器的要求比直接检测高响应频带宽均匀性好工作温度高 光电检测系统的类型直接检测光外差检测(相干检测)典型的光电检测系统第五章第五章 光电检测系统光电检测系统光电检测系统分类主动系统/被动系统(按信息光源分)红外系统/可见光系统(按光源波长分)点探测/面探测系统？(按接受系统分)模拟系统/数字系统(按调制和信号处理方式分)直接检测？/光外差检测系统？(按光波对信号的携带方式分)直接检测的基本原理直接检测(非相干检测):都是利用光源发射的光强携带信息,直接把接受到的光强变化转换为电信号的变化。直接检测的基本特性光探测器的平方律特性光电流正比于光
23、电场振幅的平方输出的电功率正比于入射光功率的平方信噪比：表征检测系统的灵敏度视场角:表征系统能“观察”到的空间范围通频带宽度:频带宽度越宽，通过信号的能量越大，系统的噪声功率也越大检测距离：是系统灵敏度的另外一种评价指标返回返回光外差检测的基本原理利用光波的振幅、频率、相位携带信息，而不是光强。两束相干光入射到探测器表面进行混频，形成相干光场,又称相干检测。只有激光才能进行相干检测。输出信号中包含 的差频信号,因此称光外差检测输出的中频功率正比于信号光和本振光功率的乘积。光外差检测的特性光探测器的输出包含有信号光的全部信息：振幅、频率和相位等；转换效率高，检测灵敏度高（比直接检测高数量级），对微弱信号的探测有利（尽管信号光功率小，但是本振光功率大）良好的滤波性能信噪比损失小检测灵敏度高检测距离远对探测器的要求比直接检测高光外差检测的空间和频率条件空间条件空间条件：:两束光的夹角，l：检测器光敏面线度波长越短或口经越大，要求相位差角越小，越难满足要求频率条件频率条件：要求信号光和本振光具有高度的单色性和频率稳定性。如何获得单频光和稳频光？信号光与本振光并非平行而成一夹角5.3 5.3 典型的光电检测系统典型的光电检测系统你所知道的光电检测系统?你能讲一讲光电检测系统?你能评一评光电检测系统?