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1、R=11980依） R = 100KT2暗亮1 1：G=0.08pSG=10pS暗/?亮R暗亮:G =G -G =9.92（jS光亮暗又,.S =光一=6 10-6 S 1?（g E9 92x10-6 S , 1.65lx6 xlO-6 S lx4、已知CdS光敏电阻的最大功耗为40mW,光电导灵敏度S =0.5X 10/仅暗电导g =0,若给其加偏置电压20V,此 go时入射到光敏电阻上的极限照度为多少？解：负载电阻为。时，光敏电阻流过的电流为最大。g = 0 p = 4 OmW U =2 0V 0max:工=J= 4 0x10-3 =2 xl0.3（A）=2mAPmax U2 0U20：R
2、= 10x103 2 = 10KC2Pmin I2 X10-3Pmax1:G = 10-4S = 0 . ImSPmax R Pmin5. S Pmaxg E max G10-4:E = = 2 0 0 lxmax S 0.5 Xl 0-6 g习题15设计一套测量材料透过率的光电测试自动装置，要求消除光源的不稳定性因素的影响。 绘出工作原理图。绘出原理框图。说明工作原理。答：工作原理图原理框图说明工作原理：在装上被测样品4之前，光屏处于最大吸收位置，并使二通道的输出光通量相等，处于平衡状态。当插入被测样品之后，测量通道的光通量减少。此时若挪移光屏改变透过率值使光屏上透过增大恰好等于被测样 品的
3、吸收值，这就可以使二个通道重新达到平衡。光屏的挪移由与之相连的指针机构9显示，指针的位置和不同被测样品的透过率相对应。这样，光屏或者指针的位置就是被测透过率的量度值，并在二通道的输出光通量相等时读出。习题16设计一台有合作目标的光电测距装置。说明工作原理。答：半导体激光器作辐射源A,若在激光器供电电路中外加谐波电压U0就能得到接近正弦的辐射光波，其初始相位和 激励电压U0相同。设辐射光波的调制频率为则波长为、c c入=.T =n n. f光波从4点传播到B点的相移Q可表示为：Q=2几 m+献=2 几+强？| = 2 几（m+编 m）（2几）m- 01.2,.若光波从A点传播到8点所用时间为七则
4、4和8之间的距离L为Z.J f=C Q 二 C Q（巾 + 编曲n n2 几f n. f 2 几在B点设置一个反射器（即协作靶），使从测距仪发出的光波经靶标反射在返回到测距仪，由测距仪的测相系统对 光波往返一次的相位变化进行测量。2L=入.（m +编m）亭 L =.（m + 编 m）= L （m + 编 m）相位测量技术只能测量出不足2TT的相位尾数（/）,即只能确定余数Am ,因此当L大于LS时，用一把光尺是无法 测定距离的。当距离小于LS时，即时，可确定距离为：L = A（m +编m）= L fem）=2ss（ 271 ）习题171、光学目标是什么？答：不考虑被测对象的物理本质，只把它们看
5、做是与背景间有一定光学反差的儿何形体或者图形景物。2、简述黑白激光打印机的工作过程。打印机接收到计算机命令和打印数据后（如要求打印字母“ B”），在打印控制器或者PC处理器的作用下将待打印 文本/图形转换为光栅位图数据，同时生成控制激光扫描器动作的脉冲电信号。在脉冲电信号的控制下，激光扫描器向感光鼓表面的指定位置发射激光，激光束定位工作由发射棱镜的转动来辅 助完成。感光鼓表面受到照射的区域，因光敏材料电阻发生变化，导致原有的正电荷消失。这样，感光鼓表面剩下 的正电荷就会形成“文字潜影”。在转动过程中，碳粉盒的墨粉被吸附到电荷潜影区域。因墨粉带有负电，在静电吸引力下就会被附着在感光鼓的 潜影区域
6、，形成墨粉构成的影像。送纸机构将打印纸送入，在这个过程中打印纸会带上很强的正电荷。打印纸与感光鼓墨粉影像区域接触后，墨粉 会在更强的静电作用力下转移到纸张上面，形成打印影像。之后，感光鼓继续转动，表面残存墨粉会被一个清洁器 清除干净。当感光鼓转动一个周期之后，又会进入到下一个打印循环中去。热转印单元加热纸张，墨粉被熔化永久性固定，完成一个扫描行的打印。由于工作时感光鼓不断转动、墨粉连续 被吸附、纸张持续被送入，最终完成整幅图象的打印工作。1、禁带、导带、价带：禁带：晶体中允许被电子占领的能带称为允许带，允许带之间的范围是不允许电子占领的，此范围称为禁带。导带：价带以上能量最低的允许带称为导带。
7、价带：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。2、热平衡状态：在一定温度下，激发和复合两种过程形成平衡，称为热平衡状态，此时载流子浓度即为某一稳定值。3、强光注入、弱光注入：强光注入：满足n p n p =n Xn n n p =n n n n = p条件的注入称为弱光注入。 n n no nO /x / nO n n4、非平衡载流子寿命T :非平衡载流子从产生到复合之前的平均存在时间。三、简答题1、掺杂对半导体导电性能的影响是什么？答：半导体中不同的掺杂或者缺陷都能在禁带中产生附加的能级，价带中的电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁 到导带中去，要比电子直接从价带跃迁到
8、导带容易得多。因此虽然惟独少量杂质，却会明显地改变导带中的电子 和价 带中的空穴数目，从而显著地影响半导体的电导率。2、为什么空穴的迁移率比电子的迁移率小？答：迁移率与载流子的有效质量和平均自由时间有关。由于空穴的有效质量比电子的有效质量大，所以空穴的迁移 率比电子的迁移率小。3、产生本征吸收的条件是什么？答：入射光子的能量Sv)至少要等于材料的禁带宽度。即入1.24四、计算题1、本征半导体材料Ge在297K下其禁带宽度=0.67(eV),现将其掺入杂质Hg,错掺入汞后其成为电离能=0.09(eV) gi的非本征半导体。试计算本征半导体Ge和非本征半导体错汞所制成的光电导探测器的截止波长。入=
9、二f4(向=L24(豌)=1.851 (pm)oi E0.67解：g入=J4qm)=l24Qm)=i3.778(M02 E0.09i2、某种光电材料的逸出功为lEv,试计算该材料的红限波长。(普朗克常数h = 6.626X 10-34(j.s),光速c = 2.998X 108(m/s),电子电量 e = 1.6X10-19库仑)解,入=。=就=l.24Qm)=l.24Qm)=i.24Qm)o B 901000习题03一、概念题1、光电效应：当光照射到物体上使物体发射电子、或者导电率发生变化，或者产生光电动势等，这种因光照而引起 物体电学特性的改变统称为光电效应。2、光电发射第一定律：也称斯托
10、列托夫定律。当入射光线的频谱成份不变时，光电阴极的饱和光电发射电流/K与被 阴极所吸收的光通量0 K成正比。3、光电发射第二定律：也称爱因斯坦定律。发射出光电子的最大动能随入射光频率的增高而线性地增大，而与入射 光的光强无关。二、简答题外光电效应和内光电效应的区别是什么？答：外光电效应是物质受到光照后向外发射电子的现象，而内光电效应是物质在受到光照后产生的光电子只在物质 内部运动而不会逸出物质外部。习题04一、概念题1、光电探测器的响应度（或者灵敏度）：光电探测器的输出电压1/或者输出电流/与入射光功率P之比。OO2、热噪声：载流子无规则的热运动造成的噪声，又称为约翰逊噪声。3、信噪比：在负载
11、电阻上产生的信号功率与噪声功率之比。4、量子效率：在某一特定波长上每秒钟内产生的光电子数与入射光量子数之比。二、简答题热电检测器件和光电检测器件的特点是什么？答：热电检测器件特点：响应波长无选择性，它对从可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感。响应慢，吸 收辐射产生信号需要的时间长，普通在几毫秒以上。光电检测器件特点：响应波长有选择性，存在某一截止波长yo,超过此波长，器件没有响应。（y =10220hm）响应快，普通在纳秒到几百微秒。习题05一、简答题1、光电倍增管的基本结构与工作原理是什么？答：光电倍增管由光入射窗、光电阴极，电子光学输入系统（光电阴极到第一倍增极D1之间的系统）、二次发射
12、倍增 系统及阳极等构成。工作原理：光子透过入射窗入射到光电阴极K上。此时光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中。光电 子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极D1上，倍增极发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射 电子经N级倍增后，光电子就放大N次。经过倍增后的二次电子由阳极a采集起来，形成阳极光电流，在负载R 产生信号电压。2、光电倍增管的供电电路注意哪些问题？答：倍增管各电极要求直流供电，从阴极开始至各级的电压要挨次升高，常多采用电阻链分压办法供电。流过电 阻链的电流/至少要比阳极最大的平均电流/大10倍以上。Ram供电电源电压稳定性要求较高。为了不使阳极脉动电流引起极间电
13、压发生大的变化，常在最后几级的分压电阻上并联电容器。倍增管供电电路与其后续信号处理电路必须要有一个共用的参考电位，即接地点。二、计算题 现有GDB-423光电倍增管的阴极有效面积为2cm2，阴极灵敏度为25h A/lm ,倍增系统的放大倍数105,阳极额定 电流为20hA,求允许的最大照度。解：M =105i =20pA a1:i =-a- = 2 k MX10-4 LIA习题060.041X一、分析题红外报警电路如图所示，分析它的工作原理？答：当光信号被阻挡时, 光敏三极管处于截止状态，光敏三极管的集电极其高电平，即三极管基极其高电平，三极 管饱和导通，三极管的集电极其低电平，驱动继电器J工
14、作，使开关闭合，电路形成回路，晶闸管控制端有效，晶闸 管导通，报警器正常工作。S为复位键。当有光信号时，光敏三极管处于导通状态，光敏三极管的集电极其低电平，即三极管基极其低电平，三极管截止， 三极管的集电极其高电平，驱动继电器不工作，开关保持断开状态，晶闸管控制端无效，报警器不工作。二、画图解释题用PN结简图表示出光生电压的极性和光生电流的方向。光生电流PN+光生电压-习题07一、填空题热电探测器是将辐射能转换为（热）能，然后再把它转换为（电）能的器件。二、简答题1、热电探测器与光电探测器比较，在原理上有何区别？答：热电探测器件是利用热敏材料吸收入射辐射的总功率产生温升来工作的，而不是利用某一
15、部份光子的能量，所 以各种波长的辐射对于响应都有贡献。因此，热电探测器件的突出特点是，光谱响应范围特殊宽，从紫外到红外几 乎都有相同的响应，光谱特性曲线近似为一条平线。2、热电探测器与普通温度计有何区别？答：相同点：二者都有随温度变化的性能。不同点：温度计要与外界有尽量好的热接触，必须达到热平衡。热电探测器要与入射辐射有最佳的相互作用，同时 又要尽量少的与外界发生热接触。3、简述辐射热电偶的使用注意事项。答：由半导体材料制成的温差电堆，普通都很脆弱，容易破碎，使用时应避免振动。额定功率小，入射辐射不 能很强，它允许的最大辐射通量为几十微瓦，所以通常都用来测量微瓦以下的辐射通量。应避免通过较大的
16、电流， 流过热电偶的电流普通在1微安以下，决不能超过100微安，于是千万不能用万用表来检测热电偶的好坏，否则会 烧坏金箔，损坏热电偶。保存时不要使输出端短路，以防因电火花等电磁干扰产生的感应电流烧毁元件。工作 时环境温度不宜超过60o习题08一、概念题1、电极化：电介质的内部没有载流子，所以没有导电能力。但是它也是由带电粒子一一电子和原子核组成的。在外 电场的作用下，带电的粒子也要受到电场力的作用，它们的运动也会发生一些变化。例如，加之电压后，正电荷平 均讲来总是趋向阴极，而负电荷趋向阳极。虽然其挪移距离很小，但电介质的一个表面带正电，另一表面带负电。 称这种现象为电极化。2、居里温度：铁电体
17、的极化强度与温度有关，温度升高，极化强度减低。升高到一定温度，自发极化就蓦地消失， 这个温度称为居里温度（或者居里点）。二、简答题1、为什么由半导体材料制成的热敏电阻温度系数是负的，由金属材料制成的热敏电阻温度系数是正的？答：半导体材料制成的热敏电阻吸收辐射后，材料中电子的动能和晶格的振动能都有增加。因此，其中部份电子 能够从价带跃迁到导带成为自由电子，从而使电阻减小，电阻温度系数是负的。金属材料制成的热敏电阻，因其 内部有大量的自由电子，在能带结构上无禁带，吸收辐射产生温升后，自由电子浓度的增加是微不足道的。相反， 因晶格振动的加剧，却妨碍了电子的自由运动，从而电阻温度系数是正的，而且其绝对
18、值比半导体的小。2、简述热释电探测器的工作原理。答：当红外辐射照射到已经极化了的铁电薄片时，引起薄片的温度升高。于是表面电荷减少，这就“释放” 了一部 分电荷。释放的电荷通过放大器转换成输出电信号。如果红外辐射继续照射，使铁电薄片的温度升高到新的平衡值， 表面电荷也达到新的平衡，再也不释放电荷。也就没有输出信号。而在稳定状态下，输出信号下降到零，惟独在薄 片温度有变化时才有输出信号。三、计算题1、可见光的波长、频率和光子的能量范围（给出计算公式）各是多少？答：可见光的波长：0.38微米0.78微米频率：3.85X 1*HZ、7.89Xa=Av10Mz【利用公式 n光子能量：2.55北-19:5
19、.23x10T9 J 利用公距二加5】2、一块半导体样品，有光照时电阻为50Q,无光照时为5000Q,求样品的光电导。答：有光照时的电导为：GF、=-02S无光照时的电导为：G=弓而6=02s 故：该样品的光电导为6=3 -G2=00198S习题09一、填空题发光二极管的发光亮度，基本上是正比于（电流密度）。2、氢就激光器以（直流）电源驱动。从结构上分（全内腔）（全外腔）（半内腔）激光器。3、发光二极管是（注入式电致发光器件）器件，它能将（电）能转变为（光）能。二、简答题1、半导体发光二极管的发光原理答：半导体发光二极管的材料是重掺杂的，热平衡状态下的N区有不少迁移率很高的电子，P区有较多的迁
20、移率较 低的空穴。由于PN结阻挡层的限制，在常态下，二者不能发生自然复合。而当给PN结加以正向电压时，沟区导带 中的电子则可逃过PN结的势垒进入到P区一侧。于是在PN结附近稍偏于P区一边的地方，处于高能态的电子与空 穴相遇时，便产生发光复合。这种发光复合所发出的光属于自发辐射，辐射光的波长决定于材料的禁带宽度E ,即9入 _ i.24m.eU_ E92、应用发光二极管时注意哪些要点？答：开启电压： 发光二极管的电特性和温度特性都与普通的硅、错二极管类似。只是正向开启电压普通都比普通 的硅、错二极管大些，而且因品种而异。温度特性：利用发光二极管和硅的受光器件进行组合使用时，应注意到二者的温度特性
21、是相反的。温度升高时， 发光二极管的电光转换效率变小，亮度减弱。而硅的受光器件，光电转换效率却是增加的。所以使用时，应把二者 放到一起考虑，注意其组合后的整体温度特性。方向特性：发光二极管普通都带有圆顶的玻璃窗，当利用它和受光器件组合时，应注意到这一结构上的特点。发 光管与受光管二者对得不许时，效果会变得很差。3、激光的产生有哪些条件？答：需要泵源,把处于较低能态的电子激发或者泵浦到较高能态上去。介质必须能发生粒子数反转,使受激辐射足 以克服损耗。必须要有一个共振腔提供正反馈及增益，以维持受激辐射的持续振。4、简述注入式半导体激光器的 发光过程。答：注入式半导体激光器的工作过程是，加外电源使P
22、N结进行正偏置。正向电流达到一定程度时，PN结区即发生 导带对于价带的粒子数反转。这时，导带中的电子会有一部份发生辐射跃迁，同时产生自发辐射。自发辐射出来的 光，是无方向性的。但其中总会有一部份光是沿着谐振腔腔轴方向传播的，往返于半导体之间。通过这种光子的诱 导，即可使导带中的电子产生受激辐射（光放大）。受激辐射出来的光子又会进一步去诱导导带中的其它电子产生受 激辐射。如此下去，在谐振腔中即形成为了光振荡，从谐振腔两端发射出激光。只要外电源不断的向PN结注入电子, 导带对于价带的粒子数反转就会继续下去，受激辐射即可不停地发生，这就是注入式半导体激光器的发光过程。5、光器和发光二极管的时间响应如
23、何？使用时以什么方式（连续或者脉冲）驱动为宜？答：发光二极管：发光二极管的响应时间很短，普通惟独几纳秒至几十纳秒。采用脉冲驱动的情况下，获得很高的 亮度，但应考虑到脉冲宽度、占空度比与响应时间的关系。半导体激光器：响应时间很短。半导体激光器的阈值电流都比较高，由于激光器工作时需要的电流很大，电流通过 结和串联电阻时，将使结的温度上升，这又导致阈值电流上升。所以阈值电流很高的激光器，通常用脉冲电流来激 励，以降低平均热损耗。习题10一、填空题光电耦合器是由（发光）器件与（光敏）器件组成的（电）一（光）一（电）器件。这种器件在信息传输过程中 是用（光）作为媒介把输入边和输出边的电信号耦合在一起的。
24、二、简答题1、简述光电耦合器件的电流传输比6与晶体管的电流放大倍数。的区别？答：晶体管的集电极电流远远大于基极电流，即。大；光电耦合器件的基区内，从发射区发射过来的电子是与光激发出的空穴相复合而成为光复和电流，可用表示， a为光激发效率（它是发光二极管的发光效率、光敏三极管的光敏效率及二者之间距离有关的系数）。普通光激发效 率比较低，所以/大于/。即光电耦合器件在不加复合放大三极管时，0小于loF C2、简述光电耦合器件的特点。答：具有电隔离的作用。它的输入、输出信号彻底没有电路联系，所以输入和输出回路的电平零电位可以任意选 择。绝缘电阻高达1010Q 1012Q ,击穿电压高达10025KV
25、,耦合电容小到零点几皮法。信号传输是单向性的，不论脉冲、直流都可以使用。合用于摹拟信号和数字信号。具有抗干扰和噪声的能力。它作为继电器和变压器使用时，可以使路线板上看不到磁性元件。它不受外界电磁干 扰、电源干扰和杂光影响。响应速度快。普通可达微秒数量级，甚至纳秒数量级。它可传输的信号频率在直流和10MHz之间。使用方便，具有普通固体器件的可靠性，体积小，分量轻，抗震，密封防水，性能稳定，耗电省，成本低，工作 温度范围在一55“ + 100之间。三、分析题光电耦合器件测试电路如图所示，分析它的工作原理。S1开关接通后：S2开关没有接通，正常情况下LED是不发光的。如果它是发光的，则说明光电耦合器
26、的接收端已经短路。S2开关接通，正常情况下LED发光，它的发光强度可以用电位器RP来调节。如果LED没有发光，则说明光电耦合 器是坏的。习题11一、填空题1、光电成像器件包括（扫描成像器件）（非扫描成像器件）。2、扫描型光电成像器件又称（摄像器件）。光电摄象器件应具有三种基本功能（光电变换）（光电信号存储）（扫描 输出）O3、分辨率是用来表示能够分辨图象中明暗细节的能力。分辨率常用两种方式来描述（极限）分辨率和（调制传递） 函数。习题12一、概念题1、转移效率：电荷包从一个势阱向另一个势阱中转移，不是即将的和全部的，而是有一个过程。在一定的时钟脉冲 驱动下，设电荷包的原电量为Q（0）,在时间t
27、时，大多数电荷在电场的作用下向下一个电极转移，但总有一小部份电 荷某种原因留在该电极下，若被留下来的电荷为Q（t）,则转移效率（定义为转移的电量与原电量之比，即Q（o）- 0（0Q（o）2、转移损失率：电荷包从一个势阱向另一个势阱中转移，不是即将的和全部的，而是有一个过程。在一定的时钟脉冲驱动下，设电荷包的原电量Q（为0）,在时间t时，大多数电荷在电场的作用下向下一个电极转移， 但总有一小部份电荷某种原因留在该电极下，若被留下来的电荷为Q（t）,则转移损失率定义为残留于原势阱中的电量与原电量之比，即V= Q（o）二、简答题1、为什么CCD必须在动态下工作？其驱动脉冲的上、下限频率受哪些条件限制
28、，应如何估算？答：CCD是利用极板下半导体表面势阱的变化来储存和转移信息电荷的，所以它必须工作于非热平衡态。时钟频率 过低，热生载流子就会混入到信息电荷包中去而引起失真。时钟频率过高，电荷包来不及彻底转移，势阱形状就变 了，这样，残留于原势阱中的电荷就必然多，损耗率就必然大。因此，使用时，对时种频率的上、下限要有一个大 致的估计。为了避免由于热平衡载流子的干扰，注入电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t必须小于少数载流子的平均 寿命。当时钟频率过高时，若电荷本身从一个电极转移到另一个电极所需的时间t大于时钟脉冲使其转移的时间T/3, 那末，信号电荷跟不上驱动脉冲的变化，转移效率大大下降。f
29、上决定于电荷包转移的损耗率 ,就是说，电荷包 的转移要有足够的时间，电荷包转移所需的时间应使之小于所允许的值。三、分析题 分析浮置扩散放大器输出的工作原理。答：V为复位管，R为限流电阻，V为输出管，R为负载电阻，C为等效电容。电荷包输出前，要先给1/的栅极加1 1一窄的复位脉冲W ,这时，R变为低电平以后，丫截止,1/的源极电压也尾庙下降,1L11/导通，C被充电到电源电压，1/管的源极S的电压也尾随上升接近于电源电压。（P122R但V在栅极电压的控制下仍为导通状态。当电荷包经过输出栅0G流过来时，C被放电，2下降的程度则正比于电荷包所携带的电量，即构成输出信号。2习题13一、填空题1、变像管
30、还是像增强管取决于（阴极材料）。如果对（红外或者紫外）光线敏感，则它就是变像管；如果它只对（ 微弱的可见）光敏感，则它就是像增强管。2、变像管和像增强管都具有图象增强的作用，实现图象增强普通有两种方法：增强（电子图象密度）和增强（增强 电子的动能）。3、增强电子图象密度，普通利用（二次电子发射）来实现； 增强电子动能，用增强（增强电场或者磁场的）的方法。二、简答题1、变像管？像增强管？像管和摄像管的区别?答：变象管是指能够把不可见光图象变为可见光图象的真空光电管。象墉踏是指能够把亮度很低的光学图象变 为有足够亮度图象的真空光电管。2、简述像管的工作原理。答：目标物所发出的某波长范围的辐射通过物
31、镜在半透明光电阴极上形成目标的像，引 起光电发射。阴极面每一点发射的电子数密度正比于该点的辐射照度。这样，光阴极将光学图象转变为电子数密度 图象。加有正高压的阳极形成很强的静电场，合理的安排阳极的位置和形状，让它对电子密度图象起到电子透镜的作用， 使阴极发出的光电子聚焦成像在荧光屏上。它还使光电阴极发射出来的光电子图象，在保持相对分布不变的情况下 进行加速。荧光屏在一定速度的电子轰击下发出可见的荧光，这样，在荧光屏上便可得到目标物的可见图象。习题141、已知硅光电二极管2DU2的灵敏度S =0.55p A/p W ,结间漏置电导G=0.02p S ,转折点电压U =13V ,入射光功率 iM从
32、二15pW变到 =35p W ,供电偏电压为U =55Vo minmaxb求：取得最大线性输出电压下最佳负载R输出电压AU。（3）输出电流A/。解:.工2入给1.5山513c GU + SC心 SC八八。：G = 6 r max = G + / max = 0 . 02 +o u u00又GU = (u - U)G00 b 0 L：G = /且当口0.464山S l S U I 55-13b 0:R=如 2.i6MLkL GL(2) .G(U-U)=GU +SI)L。/ maxmax z min :.U =(GU -S4)VG +G)= 35.7 V maxL b i min L AU= U
33、- U = 227 V max 0(3) A/=/ -/ =GA(/= 0.464 22.710.5|.l4max min L2、己知硅光电池2CR32的受光面积为5X10mm2,在室温30,人射光照度为lOOOW/m?的条件下，U =0.55V, I =12 ocscX10-3Ao求能在200700W/m2照度范围内,求：取得最大线性输出电压下最佳负载R输出电压AU o输出电流A解： 二1000卬 m2时/ = 12x10-34 u =0.551/1 SCOC：,S= sc =12x10-6 A m2,；W/ EiErE = 7001V 62时的U = U + U In一 = 0.54 Vm
34、ax,OC OC T E“ia-rb c 0.71/0.71/0.7 x 0.54(1)从经验公式可知R = OC = oc = 45QM / SE 12x10-6 X 700 P/ MAX(2)A(/=H A/ =R S(E -E )= 45x12 10-6 x 500 = 0.27V M P M 7 max min(3)R=2 =0 27= 0.0064= 6m4R 45 M3、光敏电阻R与R=20kQ的负载电阻串联后接于U =12V的直流电源上，无光照时负载上的输出电压为U =20mV,Lb1有光照时负载上的输出电压为U =2V,求光敏电阻的暗电阻和亮电阻值若光敏电阻的光电导灵敏度5 =6X10 2g-6S/X,求光敏电阻所受的照度。解：光敏电阻的暗电阻和亮电阻值的计算D/ U=_IUl R R b LUR = b R RU人 心 L暗态时 U= 12 VR =20Kf1 U =20mVbLLu R = bR -R =11980K2 = 11.98/MK2暗 U L t亮态时U =12Vbu/. R = t-R R凫U L LLR =202 L= 100KCU =21/L光敏电阻所受的照度