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1、第四章了解内存复习：复习：1、CPU的作用是什么？的作用是什么？2、CPU的内部组成有哪几部分？的内部组成有哪几部分？3、主频、外频、倍频系数的关系。、主频、外频、倍频系数的关系。4、CPU超频应注意什么超频应注意什么?5、Socke423和和Socket478的区别的区别?6、CPU风扇的散热过程和原理是什么？风扇的散热过程和原理是什么？7、CPU有哪些品牌？有哪些品牌？本讲内容：本讲内容：1.1.内存的概述内存的概述2.2.内存的分类内存的分类3.3.内存的性能指标内存的性能指标(重点和难点重点和难点)4.4.内存厂商与识别内存厂商与识别5.5.内存选购指南内存选购指南第四章了解内存一、概
2、述一、概述1、内存一般是指随机存储器，简称、内存一般是指随机存储器，简称RAM。Cache为静态内存为静态内存（SRAM）而我们经常提到的电脑内存指的是动态内存即而我们经常提到的电脑内存指的是动态内存即DRAM。2、作用：内存是、作用：内存是CPU唯一可直接存取的存储设备，它暂时存储唯一可直接存取的存储设备，它暂时存储程序运行时需要的使用的数据或信息。断电数据会丢失。程序运行时需要的使用的数据或信息。断电数据会丢失。3、动态内存、动态内存DRAM的存储原理：电容的充放电。的存储原理：电容的充放电。二、内存的分类二、内存的分类见下图：见下图：第四章了解内存内存内存只读存储器（只读存储器（ROM）
3、EPROM：可擦式可编程只读存储器可擦式可编程只读存储器（紫外线）（紫外线）EEPROM：电可擦式可编程只读存储器电可擦式可编程只读存储器FlashRom：块闪式只读存储器（是一个快块闪式只读存储器（是一个快速度写的速度写的EEPROM）随机存储器（随机存储器（RAM）静态随机存储器（静态随机存储器（SRAM），），主要指主要指Cache。动态随机存储器（动态随机存储器（DRAM），），主要指内存条。主要指内存条。第四章了解内存（一）、（一）、ROM和和RAM的区别的区别ROM 只读存取只读存取 断电后信息不丢失断电后信息不丢失容量小容量小RAM 可读可写可读可写 断电后信息丢失断电后信息丢失
4、容量大容量大（二）、（二）、DRAM的分类的分类1、按工作原理分、按工作原理分FPMRAM：快页内存：快页内存EDORAM：扩展数据输出内存：扩展数据输出内存SDRAM：同步动态随机存储器：同步动态随机存储器DDRSDRAM：双数据率：双数据率SDRAMRDRAM（RambusDRAM）：存储总线式：存储总线式DRAM第四章了解内存内存工作原理：内存工作原理：每个内存单元是由一个短暂存储电荷的电容器构成的，这电荷表示每个内存单元是由一个短暂存储电荷的电容器构成的，这电荷表示内存单元所存储的信息，代表什么含义，如果电容器所存储的电荷量超过内存单元所存储的信息，代表什么含义，如果电容器所存储的电荷
5、量超过一半，那表示值为一半，那表示值为1，如所储电荷少于一半，或没电荷则电容器值为，如所储电荷少于一半，或没电荷则电容器值为0，电，电容器丢失电荷的速度非常快，因此容器丢失电荷的速度非常快，因此DRAM必须包括一个刷新电路，此电路必须包括一个刷新电路，此电路能检查每一个内存单元，然后需要时就刷新其中的电荷，以便其值保持不能检查每一个内存单元，然后需要时就刷新其中的电荷，以便其值保持不变变第四章了解内存（1）FPMRAM是是FastPageMode（快页内存）（快页内存）流行于流行于386时代，按页存储，每发送一次数据占时代，按页存储，每发送一次数据占3个时钟，速度个时钟，速度慢，都在慢，都在6
6、0ns以上。以上。（2）EDORAM是是ExtendedDataOut（扩展数据输出）的简称（扩展数据输出）的简称它取消了它取消了主板主板与与内存内存两个两个存储存储周期之间的时间间隔，每隔周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30，达到，达到60ns。EDO内存内存主要用于主要用于72线的线的SIMM内存条，以及采用内存条，以及采用EDO内存芯片的内存芯片的PCI显示卡。这种内存流显示卡。这种内存流行在行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有以及早期的奔腾计算机系统中，它有7
7、2线和线和168线之分，采用线之分，采用5V工作电压，工作电压，带宽带宽32bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至甚至430TX芯芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。流行于流行于486和早期和早期Pentium机器上，每传送一次数据需两个时钟，速度已达到机器上，每传送一次数据需两个时钟，速度已达到60ns，72线或线或168线，线，32位总线，位总线，5v电压。电压。（3）SDRAM（同步动态随机存储器）（同步动态随机存储器）SDRAM是是Synchr
8、onousDynamicRandomAccessMemory（同步动态随（同步动态随机机存储存储器）的简称，是前几年普遍使用的器）的简称，是前几年普遍使用的内存内存形式。形式。SDRAM采用采用3.3v工作电压，工作电压，带宽带宽64位，位，SDRAM将将CPU与与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与EDO内存相比速度能内存相比速度能提高提高50。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一从一
9、个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，曾经是长时间使用的主流内存，从从430TX芯片组到芯片组到845芯片组都支持芯片组都支持SDRAM。但随着。但随着DDRSDRAM的普及，的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。也正在慢慢退出主流市场。RDRAM是是R
10、ambusDynamicRandomAccessMemory（存储存储器总线式器总线式动态随机存储器）的简称，是动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的片接口设计的内存内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔的是英特尔820芯片组，后来又有芯片组，后来又有840，850芯片组等等。芯片组等等。RDRAM最初
11、得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDRSDRAM迅速取代，市场份额很小。迅速取代，市场份额很小。其必须成对安装，且插槽需插满（空其必须成对安装，且插槽需插满（空余的可用阻隔板或空模块）代替。余的可用阻隔板或空模块）代替。（4）RDRAM（RambusDRAM）DDRSDRAM是是DoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAccessMemo
12、ry（双数据率同步（双数据率同步动态随机随机存存储器）的器）的简称，是由称，是由VIA等公司等公司为了与了与RDRAM相抗衡而提出的相抗衡而提出的内存内存标准。准。DDRSDRAM是是SDRAM的更新的更新换代代产品，采用品，采用2.5v工作工作电压，它允，它允许在在时钟脉冲的上升沿和下降沿脉冲的上升沿和下降沿传输数据，数据，这样不需要提高不需要提高时钟的的频率就能加倍提高率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比的速度，并具有比SDRAM多一倍的多一倍的传输速率和内存速率和内存带宽，例如，例如DDR266与与PC133SDRAM相比，工作相比，工作频率同率同样是是133MHz，但内存，但内存带
13、宽达到了达到了2.12GB/s，比，比PC133SDRAM高一高一倍。目前主流的芯片倍。目前主流的芯片组都支持都支持DDRSDRAM，是目前最常用的内存，是目前最常用的内存类型。型。（5）DDRSDRAM内存内存（6）DDR2DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存内存技术标准，它技术标准，它与上一代与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下下降延同时进行数据传输的基本方式，但降延同时进行数据传
14、输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代内存却拥有两倍于上一代DDR内存内存预读取能力（即：预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以内存每个时钟能够以4倍倍外部总线的速度读外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。倍的速度运行。DDR2内存的频率内存的频率DDR2还引入了三项新的技术，它们是还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT、postcas。OCD（Off-ChipDriver）：也就是所谓的离线驱动调整，）：也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过通过OCD可以提高信号
15、的完整性。可以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉（通过调整上拉（pull-up）/下拉（下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少通过减少DQ-DQS的倾斜来提的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。第四章了解内存DDR2采用的新技术：采用的新技术：ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAM的的主板主板上面为了上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实防止数据线终端反射信号需要大
16、量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据
17、自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。不能比拟的。第四章了解内存第四章了解内存2、按用途分、按用途分主存主存Cache显存显存主要讲一下显存主要讲一下显存PostCAS：它是为了提高：它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中，操作中，CAS信号（读写信号（读写/命令）能够被插到命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，信
18、号后面的一个时钟周期，CAS命令可命令可以在附加延迟（以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效。原来的）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到到CAS和延迟）被和延迟）被AL（AdditiveLatency）所取代，）所取代，AL可以在可以在0，1，2，3，4中进行中进行设置。由于设置。由于CAS信号放在了信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此信号后面一个时钟周期，因此ACT和和CAS信号信号永远也不会产生碰撞冲突。永远也不会产生碰撞冲突。显存用于视频系统中，作用是显存用于视频系统中，作用是以数字形式存储屏幕上的图形图像。以数字形式存储屏幕上的图形图像。其容量直接影响显示
19、图像的分辨率和色彩精度。其容量直接影响显示图像的分辨率和色彩精度。常见的显存为：常见的显存为：DRAM、SDRAM、VRAM（双端口视频内存，这种内存双端口视频内存，这种内存成本高，应用受很大限制。）、成本高，应用受很大限制。）、WRAM第四章了解内存3、按内存的外观分类、按内存的外观分类双列直插内存芯片：数量多，占主板空间，双列直插内存芯片：数量多，占主板空间，拆装不方便。拆装不方便。内存条：内存模组内存条：内存模组SIMM接口标准：单边接触内存接口标准：单边接触内存模组模组DIMM接口标准：双边接触内存接口标准：双边接触内存模组模组SIMM（SingleInlineMemoryModule
20、，单内联内存模块），单内联内存模块）168针针SIMM插槽插槽内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的内存结构，它多用于早期的FPM和和EDDDRAM，最初一次只能传输，最初一次只能传输8bif数据，后来逐渐数据，后来逐渐发展出发展出16bit、32bit的的SIMM模组，其中模组，其中8bit和和16bitSIMM使
21、用使用30pin接口，接口，32bit的则使的则使用用72pin接口。在内存发展进入接口。在内存发展进入SDRAM时代后，时代后，SIMM逐渐被逐渐被DIMM技术取代技术取代。DIMM（DoubleInlineMemoryModule，双内联内存模块），双内联内存模块）184针DIMM插槽DIMM与与SIMM相当类似，不同的只是相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像的金手指两端不像SIMM那样是互通的，那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM的接口与的接口与DDR
22、内存的接口也略有不同，内存的接口也略有不同，SDRAMDIMM为为168PinDIMM结构，结构，金手指每面为金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；插入而导致烧毁；DDRDIMM则采用则采用184PinDIMM结构，金手指每面有结构，金手指每面有92Pin，金手，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2DIMM为为240pinDIMM结构，金手指每面有结构，金手指每面有120Pin，与，与DDRDIM
23、M一样金手指上也只有一个一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与卡口，但是卡口的位置与DDRDIMM稍微有一些不同，因此稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进内存是插不进DDR2DIMM的，同理的，同理DDR2内存也是插不进内存也是插不进DDRDIMM的，因此在一些同时具有的，因此在一些同时具有DDRDIMM和和DDR2DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。240针针DDR2DIMM插槽插槽RIMMRIMM是是Rambus公司生产的公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，内存所采用的接口类型，RIMM内存与内存与DIMM的外型尺寸差不多，
24、金手指同样也是双面的。的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM有也有也184Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非非ECC版有版有16位数据宽度，位数据宽度，ECC版则都是版则都是18位宽。由于位宽。由于RDRAM内存较高的价格，此类内存在内存较高的价格，此类内存在DIY市场很少见到，市场很少见到，RIMM接口也就难得接口也就难得一见了。一见了。第四章了解内存三、内存的技术指标三、内存的技术指标1、内存的容量：内存条上单个芯片容量之和，、内存的容量：内存条上单个芯片容量之和，32MB、64MB、128MB、256
25、MB、512MB2、存取周期、存取周期两次独立的存取操作之间所需最短的时间，称为存取周期两次独立的存取操作之间所需最短的时间，称为存取周期（TMC），），单位是单位是ns（一般用在其它外存上）一般用在其它外存上）3、数据宽度和带宽、数据宽度和带宽（1）内存一次同时传输数据的位数）内存一次同时传输数据的位数第四章了解内存（2）带宽指内存的数据传输速率）带宽指内存的数据传输速率4、内存的电压、内存的电压指内存正常工作所用的电压。（早期内存指内存正常工作所用的电压。（早期内存FPM，EDO为为5v，SDRAMY一般为一般为3.3v，RDRAM和和DDR均采用均采用2.5v工作电压）工作电压）5、CA
26、S等待时间等待时间LC（CASLatency）（1）CAS等待时间又称为等待时间又称为CAS延迟时间，指延迟时间，指CAS信号需要经过信号需要经过多少个周期之后才能读写数据，即，纵向地址扫描脉冲的反应时间。多少个周期之后才能读写数据，即，纵向地址扫描脉冲的反应时间。它是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。它是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。（2）现在的）现在的SDRAM的的CL为为3或或2，当然在，当然在SDRAM制造的过程中，制造的过程中，会把会把CL值写入其中的值写入其中的EEPROM（SPD）芯片中，主板的芯片中，主板的BIOS会自动会自动监测。监测。（3）S
27、PD为串行存在探测，为串行存在探测，8针，针，2KB，存储着内存的容量，生存储着内存的容量，生产厂商，工作速度和是否存在产厂商，工作速度和是否存在ECC校验等校验等第四章了解内存6、系统时钟循环周期（、系统时钟循环周期（TCK）即时钟周期，其代表即时钟周期，其代表SDRAM所能运行的最大频率。内存时钟周所能运行的最大频率。内存时钟周期由外频决定，可简单定为期由外频决定，可简单定为TCK=1/f如：如：TC100的的TCK为：为：1/100M=10ns可计作：可计作：PC-107、存取时间、存取时间TAC其代表读取数据所延迟的时间，数值越大，数据输出的时间越其代表读取数据所延迟的时间，数值越大，
28、数据输出的时间越长；一般要求在长；一般要求在CL=3时，时，TAC不能大于不能大于6ns；8、总延迟时间、总延迟时间第四章了解内存公式：总延迟时间公式：总延迟时间=系统时钟周期系统时钟周期*CL+存取时间。存取时间。例：例：PC100存取时间为存取时间为6ns，我们设定我们设定CL=2，则总延迟时间为：则总延迟时间为：10ns*2+6ns=26ns9、奇偶校验、非奇偶校验、奇偶校验、非奇偶校验1、这是一种检查数据是否正确的方法（在写入或读出时对比检查，、这是一种检查数据是否正确的方法（在写入或读出时对比检查，一般以一个字节为单位进行校验）一般以一个字节为单位进行校验）2、在奇偶校验中，如果、在
29、奇偶校验中，如果1个字节中有奇数个个字节中有奇数个1，则奇偶校验位为，则奇偶校验位为0，反之为，反之为13、根据是否存在奇偶校验位，可将、根据是否存在奇偶校验位，可将DRAM分成奇偶校验内存和非分成奇偶校验内存和非奇偶校验内存（有些主板可以使用两种内存但不能混用）奇偶校验内存（有些主板可以使用两种内存但不能混用）10、ECC（错误自动监测与更正）错误自动监测与更正）其不但可以检查错误，还可以更正错误。其不但可以检查错误，还可以更正错误。第四章了解内存11、内存线数、内存线数1、内存线数是指内存条与主板插接时有多少个接触点（金手指）、内存线数是指内存条与主板插接时有多少个接触点（金手指）2、注：
30、、注：30线的内存数据宽度为线的内存数据宽度为8位，位，72线的内存为线的内存为32位，位，186线的为线的为64位；所以，位；所以，Pentium类类CPU安安72线的内存时需要安线的内存时需要安2的倍数条，可安的倍数条，可安一个一个168线或线或184线的内存。线的内存。12、SPD芯片芯片SPD（SerialPresenceDetect，串行存在检测）是一颗，串行存在检测）是一颗8针的针的EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableROM，电可擦写可编程只读存，电可擦写可编程只读存储器）芯储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧，采用片。它一般位于内存条正
31、面的右侧，采用SOIC封装形式，容量为封装形式，容量为256字节字节（Byte）。）。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。第四章了解内存SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到写入到ROM芯片中。芯片中。SPD的作用是什么启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些
32、参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“BySPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。第四章了解内存从某种意义上来说，从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内
33、存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者从而欺骗消费者第四章了解内存 当开机时当开机时PC的的BIOS将自动读取将自动读取SPD中记录的信息，并为内存设置最中记录的信息，并为内存设置最优化的工作方式，它是识别优化的工作方式，它是
34、识别PC100内存的一个重要标志。很多普通内内存的一个重要标志。很多普通内存都不安装存都不安装SPD以节约成本。一般来说品牌内存都有以节约成本。一般来说品牌内存都有SPD设置，借助设置，借助SiSoftSandra2001工具软件来查看工具软件来查看SPD芯片中的信息。没有芯片中的信息。没有SPD芯芯片的内存往往是系统频繁出现错误甚至连启动都不稳定，而且片的内存往往是系统频繁出现错误甚至连启动都不稳定，而且SPD的的资料是由内存模组制造厂商写入的，万一资料放错，轻则速度变慢，资料是由内存模组制造厂商写入的，万一资料放错，轻则速度变慢，必须降频，重则可能造成系统不稳定而一直死机。必须降频，重则可
35、能造成系统不稳定而一直死机。13、ECC（ErrorCheckingandCorrecting）校验校验是在原来的数据位上外加位来实现的。如是在原来的数据位上外加位来实现的。如8位数据，则需位数据，则需1位用于位用于Parity检验，检验，5位用于位用于ECC，这额外的这额外的5位是用来重建错误的数据的。位是用来重建错误的数据的。当数据的位数增加一倍，当数据的位数增加一倍，Parity也增加一倍，而也增加一倍，而ECC只需增加一位，只需增加一位，当数据为当数据为64位时所用的位时所用的ECC和和Parity位数相同（都为位数相同（都为8）。相对奇偶）。相对奇偶校验，校验，ECC实际上是可以纠正
36、绝大多数错误的。因为只有经过内存的实际上是可以纠正绝大多数错误的。因为只有经过内存的纠错后，计算机的操作指令才可以继续执行，所以在使用纠错后，计算机的操作指令才可以继续执行，所以在使用ECC纠错内纠错内存时系统的性能有着明显降低。对一般的存时系统的性能有着明显降低。对一般的DIY来说，购买带来说，购买带ECC校验校验的没有什么太大的意义，而且价格昂贵。的没有什么太大的意义，而且价格昂贵。第四章了解内存第四章了解内存14、双通道内存、双通道内存双通道双通道内存内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在
37、理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为
38、市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔双通道内存平台英特尔方面是英特尔865、875系列，而系列，而AMD方面则是方面则是NVIDIANforce2系列。系列。第四章了解内存普通的单通道内存系统具有一个普通的单通道
39、内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则位的内存控制器，而双通道内存系统则有有2个个64位的内存控制器，在双通道模式下具有位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上
40、来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为一个为A、另一个为、另一个为B。当控制器。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制准备进行下一次存取内存的时候，控制器器A就在读就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性天性”可可以让等待时间缩减以让等待时间缩减50%。双通道双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这
41、样的灵活性可以让用户使用二条不同构序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存简单地调整到最低的内存标准来实现标准来实现128bit带宽，允许不同密度带宽，允许不同密度/等待时间特性的等待时间特性的DIMM内存条可以可内存条可以可靠地共同运作。靠地共同运作。支持双通道支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的以及之后的915、925系列；系
42、列；VIA的的PT880，ATI的的Radeon9100IGP系列，系列，SIS的的SIIS655，SIS655FX和和SIS655TX；AMD平台方面则有平台方面则有VIA的的KT880，NVIDIA的的nForce2Ultra400，nForce2IGP，nForce2SPP及其以后的芯片及其以后的芯片第四章了解内存第四章了解内存四、内存厂商与识别四、内存厂商与识别1、生产厂家、生产厂家现代：现代：HY三星：三星：SAMSUNG金士顿：金士顿：Kingston盛创：盛创：kingMAX金邦：金邦：GEIL威刚：威刚：V-DATA宇瞻：宇瞻：APACER黑金刚：黑金刚：KINGBOX第四章了
43、解内存2、识别（主要以、识别（主要以HYSDRAM为例）为例）HY5abcdefgh0IjkLn公公司司57为为SDR58为为DDRV为为3.3v;U为为2.5v，空空为为5v容容量量位位宽宽1，2，3代代表表2，4，8个个Bank代代表表LVTTL接接口口界界面面内内核核版版本本号号h,ha,hb,h4若若为为“L”则则为为低低功功耗耗，空空为为普普通通型型封封装装形形式式速速度度通通常常为为P或或S第四章了解内存五、内存的选购五、内存的选购1、内存的类型（、内存的类型（SDRAM、DDR）2、内存的容量，品牌（注意内存芯片的品牌）。、内存的容量，品牌（注意内存芯片的品牌）。3、内存芯片的品
44、质，有的提供商会打磨或腐蚀表面，应注意观、内存芯片的品质，有的提供商会打磨或腐蚀表面，应注意观察质感察质感4、电路板的好坏，板面的光洁，色泽的均匀，焊点的整齐和金手、电路板的好坏，板面的光洁，色泽的均匀，焊点的整齐和金手指是否发亮指是否发亮168线线SDR内存槽内存槽PC133SDR内存内存184线线DDR内存槽内存槽DDR400三星三星RDRAMDDRII内存内存DDR-II内存采用内存采用200-、220-、240-针脚的针脚的FBGA封装形式。最初的封装形式。最初的DDR-II内存将采用内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量容量密
45、度为密度为512MB拥有拥有400-、533、667MHz等不同的时钟频率等不同的时钟频率 内存的标示常识内存的标示常识 :此外，了解一些此外，了解一些DDRDDR内存芯片的编号知识也能让大家更深的了解内存芯片的编号知识也能让大家更深的了解DDRDDR内内存。下面我们就以最常见的存。下面我们就以最常见的HYHY的的DDRDDR内存为例为大家做一讲解：内存为例为大家做一讲解：HY XX X XX XX XX X X X X X-XX HY XX X XX XX XX X X X X X-XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1 1：
46、代表代表HYHY的厂标的厂标 2 2：为内存芯片类型：为内存芯片类型5D5D：DDR SDRAMS DDR SDRAMS 3 3：工艺与工作电压工艺与工作电压VV：CMOSCMOS，3.3V3.3V；U:CMOSU:CMOS，2.5V 2.5V 4 4：芯片容量和刷新速率芯片容量和刷新速率64:64MB64:64MB，4kref4kref；66:64MB66:64MB，2kref2kref；28:128MB28:128MB，4kref4kref；56:256MB56:256MB，8kref8kref；12:512MB12:512MB，8kref 8kref 5:芯片结构芯片结构(数据宽度数据宽
47、度)4：X4(数据宽度数据宽度4bit)；8:8；16:16；32:326：BANK数量数量1:2BANKs；2:4BANKs7：I/O界面界面1:SSTL_3；2:SSTL_28：芯片内核版本：芯片内核版本空白空白:第一代；第一代；A:第二代；第二代；B:第三代；第三代；C:第四第四代代9：能量等级：能量等级空白空白:普通；普通；L:低能耗低能耗10：封装形式：封装形式T:TSOP；Q:TQFP；L:CSP(LF-CSP)；F:FBGA11：工作速度：工作速度33:300MHz；4:250MHz；43:233MHz；45:222MHz；5:200MHz；55:183MHz；KDR266A；H
48、DR266B；LDR200小技巧：小技巧：winXP如何快速锁定计算机如何快速锁定计算机在在Windows2000中按下中按下Ctrl+Alt+Del键，并单击键，并单击“锁定计算机锁定计算机”按钮后就按钮后就可以锁定计算机，只有键入可以锁定计算机，只有键入Administrator（系统管理员）密码才能够解开。（系统管理员）密码才能够解开。在在WindowsXP的登录方式与的登录方式与Windows2000有些不同，要快速锁定有些不同，要快速锁定WindowsXP有两种方法：一是按下有两种方法：一是按下Win+L键即可快速锁定；二是右击桌面，键即可快速锁定；二是右击桌面，选择选择“新建新建”“快捷方式快捷方式”，并输入，并输入“%windir%System32rundll32.exeuser32.dll,LockWorkStation”，同时将它命名为，同时将它命名为“快速锁定计算机快速锁定计算机”，以，以后只要双击桌面上这个快捷方式图标即可快速锁定后只要双击桌面上这个快捷方式图标即可快速锁定WindowsXP。