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1、 某硅突变某硅突变 PN 结的结的 NA=1.51014 cm-3，ND=1.51018 cm-3，试求室温下：试求室温下：1、平衡时的、平衡时的 pp0、nn0、pn0 和和 np0；2、外加、外加 0.2V 正向电压时的正向电压时的 pn(xn)和和 np(-xp)；3、内建电势、内建电势 Vbi。测验一测验一测验二测验二一、一、1、写出、写出 PN 结正向扩散电流密度结正向扩散电流密度 Jdn、Jdp 的表达式。的表达式。2、当、当 NA ND 时，时，Jdn与与 Jdp 中以哪种电流密度为主？中以哪种电流密度为主？二、某突变结的雪崩击穿临界电场为二、某突变结的雪崩击穿临界电场为 EC
2、=4.4 105 V/cm，雪，雪崩击穿电压为崩击穿电压为 220V，试求发生击穿时的耗尽区宽度，试求发生击穿时的耗尽区宽度 xdB。答案答案一、一、1、2、当、当 NA ND 时，时，Jdn Jdp二、二、1、某、某 NPN 晶体管的晶体管的 ，试求该管的浮空电势。，试求该管的浮空电势。2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近发射、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近发射区一侧的少子浓度区一侧的少子浓度 nB(0)是该处平衡少子浓度是该处平衡少子浓度 nB0 的多少倍。的多少倍。测验三测验三 答案答案 求下图共发射极求下图共发射极 T 形等效电路中形等效电路中 与与 并联支路的分界并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？频率，通常可以忽略哪个元件？测验四测验四 答案答案 通常因通常因 ，所以可忽略，所以可忽略 。测验五测验五1、某、某 N 沟道沟道 MOSFET 的的 VT =1V，=10-3AV 2，试求当，试求当 VGS=4V，而，而 VDS 分别为分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。时的漏极电流之值。2、试求该、试求该 MOS 管当管当 VDS=2V，VGS 分别为分别为 2V、3V、4V 时的时的漏极电流之值。漏极电流之值。答案答案 1、4 mA、4.5 mA、4.5 mA 2、0.5 mA、2 mA、4 mA