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1、会计学1微电子器件微电子器件(din z q jin)测验测验第一页，共10页。第1页/共10页第二页，共10页。测验测验测验测验(cyn)(cyn)二二二二一、一、1、写出、写出 PN 结正向结正向(zhn xin)扩散电流密度扩散电流密度 Jdn、Jdp 的表达式。的表达式。2、当、当 NA ND 时，时，Jdn与与 Jdp 中以哪种电流密度为主？中以哪种电流密度为主？二、二、某突变结的雪崩击穿临界电场为某突变结的雪崩击穿临界电场为 EC =4.4 105 V/cm，雪崩击穿电压为，雪崩击穿电压为 220V，试求发生击穿时的耗尽区宽度，试求发生击穿时的耗尽区宽度 xdB。第2页/共10页第
2、三页，共10页。答案答案答案答案(d(d n)n)一、一、一、一、1 1、2、当、当 NA ND 时，时，Jdn Jdp二、二、第3页/共10页第四页，共10页。1、某、某 NPN 晶体管的晶体管的 ，试求该管的浮空电势。，试求该管的浮空电势。2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近(ln jn)发射区一侧的少子浓度发射区一侧的少子浓度 nB(0)是该处平衡少子浓度是该处平衡少子浓度 nB0 的多少倍。的多少倍。测验测验测验测验(cyn)(cyn)三三三三第4页/共10页第五页，共10页。答案答案答案答案(d n)(d n)第5页/共10页
3、第六页，共10页。求下图共发射极求下图共发射极 T 形等效电路中形等效电路中 与与 并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个(n ge)元件？元件？测验测验测验测验(cyn)(cyn)四四四四第6页/共10页第七页，共10页。答案答案答案答案(d n)(d n)通常因通常因 ，所以，所以(suy)可忽略可忽略 。第7页/共10页第八页，共10页。测验测验(cyn)五五1、某、某 N 沟道沟道(u do)MOSFET 的的 VT =1V，=10-3AV 2，试求当，试求当 VGS=4V，而，而 VDS 分别为分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。时的漏极电流之值。2、试求该、试求该 MOS 管当管当 VDS=2V，VGS 分别为分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。时的漏极电流之值。第8页/共10页第九页，共10页。答案答案答案答案(d n)(d n)1、4 mA mA、2 mA、4 mA 第9页/共10页第十页，共10页。