数字超大规模集成电路设计 (7).pdf

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第二讲 MOS场效应晶体管引言理想开关第2章 MOS场效应晶体管3Ron=0(Ion=)Roff=(Ioff=0)开关状态切换的延时=0栅(G)源漏|VGS|VGS|VT|断开(off)(G=0)导通(on)(G=1)Ron真实的开关寄生效应:芯片性能:第2章 MOS场效应晶体管4导通电阻漏电流寄生电容使得状态的切换存在延时延时功耗可靠性MOS管的原理与阈值电压第2章 MOS场效应晶体管5MOS场效应管原理第2章 MOS场效应晶体管6当Vg=0,n-p-n结构,源漏之间截止p-SiO2En+n+衬底栅VGDS当VGVT,出现沟道,源漏之间导通NMOS:平板电容结构衬底与源、漏区之间的pn结应该始终保持反偏!p-En+n+衬底VGDS+-

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