《2022年数字集成电路设计-笔记归纳 .pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2022年数字集成电路设计-笔记归纳 .pdf（25页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、。-可编辑修改-第三章、器件一、超深亚微米工艺条件下MOS 管主要二阶效应：1、速度饱和效应：主要出现在短沟道NMOS管，PMOS 速度饱和效应不显著。主要原因是THGSVV太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度（），即载流子迁移率是常数。但在电场强度很高时载流子的速度将由于散射效应而趋于饱和，不再随电场强度的增加而线性增加。此时近似表达式为：（c），csat（c），出现饱和速度时的漏源电压DSATV是一个常数。线性区的电流公式不变，但一旦达到DSATV，电流即可饱和，此时DSI与GSV成线性关系（不再是低压时的平方关系）。2、Latch-up效应：由于单阱工艺的NPNP 结构，可
2、能会出现VDD 到 VSS 的短路大电流。正反馈机制：PNP 微正向导通，射集电流反馈入NPN 的基极，电流放大后又反馈到PNP的基极，再次放大加剧导通。克服的方法：1、减少阱/衬底的寄生电阻，从而减少馈入基极的电流，于是削弱了正反馈。2、保护环。3、短沟道效应：在沟道较长时，沟道耗尽区主要来自MOS 场效应，而当沟道较短时，漏衬结（反偏）、源衬结的耗尽区将不可忽略，即栅下的一部分区域已被耗尽，只需要一个较小的阈值电压就足以引起强反型。所以短沟时VT 随 L 的减小而减小。-可编辑修改-此外，提高漏源电压可以得到类似的效应，短沟时VT 随 VDS 增加而减小，因为这增加了反偏漏衬结耗尽区的宽度
3、。这一效应被称为漏端感应源端势垒降低。4、漏端感应源端势垒降低（DIBL）：VDS 增加会使源端势垒下降，沟道长度缩短会使源端势垒下降。VDS 很大时反偏漏衬结击穿，漏源穿通，将不受栅压控制。5、亚阈值效应（弱反型导通）：当电压低于阈值电压时MOS 管已部分导通。不存在导电沟道时源（n+）体（p）漏（n+）三端实际上形成了一个寄生的双极性晶体管。一般希望该效应越小越好，尤其在依靠电荷在电容上存储的动态电路，因为其工作会受亚阈值漏电的严重影响。绝缘体上硅（SOI）6、沟长调制：长沟器件：沟道夹断饱和；短沟器件：载流子速度饱和。7、热载流子效应：由于器件发展过程中，电压降低的幅度不及器件尺寸，导致
4、电场强度提高，使得电子速度增加。漏端强电场一方面引起高能热电子与晶格碰撞产生电子空穴对，从文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编
5、码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E
6、9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J
7、2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10
8、O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3
9、F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU1
10、0Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1文档编码:CA3E9Y2L5J2 HP10O1W4S3F6 ZU10Y5I2J1G1。-可编辑修改-而形成衬底电流，另一方面使电子隧穿到栅氧中，形成栅电流并改变阈
11、值电压。影响：1、使器件参数变差，引起长期的可靠性问题，可能导致器件失效。2、衬底电流会引入噪声、Latch-up、和动态节点漏电。解决：LDD（轻掺杂漏）：在漏源区和沟道间加一段电阻率较高的轻掺杂n-区。缺点是使器件跨导和IDS 减小。8、体效应：衬底偏置体效应、衬底电流感应体效应（衬底电流在衬底电阻上的压降造成衬偏电压）。二、MOSFET 器件模型1、目的、意义：减少设计时间和制造成本。2、要求：精确；有物理基础；可扩展性，能预测不同尺寸器件性能；高效率性，减少迭代次数和模拟时间3、结构电阻：沟道等效电阻、寄生电阻4、结构电容：三、特征尺寸缩小目的：1、尺寸更小；2、速度更快；3、功耗更低
12、；4、成本更低、方式：1、恒场律（全比例缩小），理想模型，尺寸和电压按统一比例缩小。优点：提高了集成密度未改善：功率密度。文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7
13、ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H
14、6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X1
15、0文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:
16、CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P
17、5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4
18、HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10。-可编辑修改-问题：1、电流密度增加；2、V
19、TH 小使得抗干扰能力差；3、电源电压标准改变带来不便；4、漏源耗尽层宽度不按比例缩小。2、恒压律，目前最普遍，仅尺寸缩小，电压保持不变。优点：1、电源电压不变；2、提高了集成密度问题：1、电流密度、功率密度极大增加；2、功耗增加；3、沟道电场增加，将产生热载流子效应、速度饱和效应等负面效应；4、衬底浓度的增加使PN 结寄生电容增加，速度下降。3、一般化缩小，对今天最实用，尺寸和电压按不同比例缩小。限制因素：长期使用的可靠性、载流子的极限速度、功耗。第四章、导线及互连一、确定并量化互连参数1、互连寄生参数（寄生R、L、C）对电路特性的影响主要表现在三个方面：性能下降，传播延时增加；功耗增加，影
20、响能耗和功率的分布；引起额外的噪声来源，影响电路可靠性。2、寄生参数简化条件（寄生电阻、寄生电感、寄生电容（对地电容，线间电容）：若导线电阻大，可以不考虑电感，只考虑电阻电容；若导线电阻小且短，可以只考虑电容；若导线电阻小且长，则需考虑电感电容；若导线平均间距很大，可以不考虑线间电容。3、互连电阻：wtlR：纵向参数 t、由工艺决定，横向参数l、w 由版图决定。互连电阻越小，允许通过互连线的电流越大，互连延迟越小。薄层电阻tRS与版图尺寸无关，则wlRRS=nRS（n 为薄层电阻方块数）：文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P
21、5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4
22、HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T
23、1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7
24、ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H
25、6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X1
26、0文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:
27、CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10。-可编辑修改-接触电阻：互连与硅及多晶之间的接触（有源接触孔）、不同互连层之间的接触（通孔）减低接触电阻的途径：增大接触孔（效果不明显）；增多接触孔；信号线尽量保持在同一层。0.25umCMOS工艺接触电阻典型值：有源接触孔520，通孔 15。趋肤效应：在非常高频率下，电
28、流主要在导体表面流动，其电流密度随进入导体深度而指数下降。趋肤深度：电流下降到额定值的1/e时所处的深度。临界频率：趋肤深度达到导体最大尺寸（w 或 t）的 1/2 时的频率。4、互连电容：导线对衬底的电容：是电路负载电容的一部分。不考虑边缘效应时C=OXOXtwl（若 wt），文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6
29、H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X
30、10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码
31、:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5
32、P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4
33、 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6
34、T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7
35、 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10。-可编辑修改-OX是绝缘介质（氧化层）的介电常数，OXt是氧化层厚度。导线间的电容：5、互连电感：何时考虑：很长的互连线；极高的频率1GHz；低电阻率互连材料如Cu。对电路性能影响：振荡和过冲效应；导线间电感耦合；V=Ldi/dt引起的开关噪声；阻抗失配引起的信号反射。电感值估算：一条导线（每单位长度）的电容c 和电感 l 存在cl关系式（成立的条件是该导线必须完全被均匀的绝缘介质所包围，但不满足时也可使用来求近似值）。二、互连线延时模型1、分布模型：电阻和电容沿线长连续分布，是实
36、际情形，但需要解偏微分方程。2、集总模型：以总电阻和总对地电容等效。适用于导线较短且频率不十分高的情况，只需解常微分方程。对长互连线是一个保守和不精确的模型。为解决集总模型对于长互连线不精确，采取分段集总（分段数越多越精确，但模型越复杂，模拟所需时间越长）。引入：3、RC 树、Elmore延时公式：RC 树：该电路只有一个输入节点，所有电容都在某个节点和地之间，不包含任何电阻回路（使其成为树结构）。Elmore延时公式：节点 i 处延时为NkikkDiRC1，iiR表示路径电阻，ikR表示共享路径电阻，代表从输入节点s 到节点 i 和节点 k 这两条路径共享的电阻，iC代表这个节点的电容。4、
37、N 级 RC 链：RC 树的无分支的特殊情形。可以使用N 级等分 RC 链 来近似一条 均匀分文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文
38、档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU
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40、4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM
41、6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W
42、1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ
43、6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10。-可编辑修改-布电阻-电容线：NNRCDN21，导线长L，单位长度电阻、
44、电容为r、c。R（=rL）是导线集总电阻，C（=cL）是集总电容。当 N 很大时模型趋于分布式rc 线：222rcLRCDN，从而有：一条导线的延时与其长度的平方成正比，分布rc 线的延时是集总RC 模型预测的延时的一半，即集总模型代表保守估计。5、互连延时的优化：采用低电阻率互连导体，降低R：采用 Cu 替换 Al。采用低介电常数的互连介质，降低C：将减少延时、功耗和串扰。采用过渡金属硅化物，降低多晶接触电阻。增加互连层数量，有助于减少导线长度。分层优化。地址线对策。优化走线方式，45 布线。插入中继器。降低电压摆幅，既缩小了延时又减小了动态功耗。三、传输线模型当开关速度足够快，互连线的电阻
45、足够小时，导线的电感将不可忽略，因而必须考虑传输线效应。一条导线的分布rlc 模型称为 传输线模型。1、有损传输线：考虑 r、l、c，适用于Al 基芯片。2、无损传输线：考虑 l、c，适用于 Cu 基芯片。单位长度的传输延时lctp。信号反射与终端阻抗：终端阻抗决定了当波到达导线末端时有多少比例被反射。文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6
46、T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7
47、 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6
48、H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X
49、10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码:CU3G5P5X4T4 HM6V6T1W1R7 ZZ6A6H6X10X10文档编码
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