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1、微机原理存储器部分1第1页，本讲稿共31页设存储器的地址线为设存储器的地址线为20条，存储单元为字节，条，存储单元为字节，使用全译码方式组成存储器，该系统构成的使用全译码方式组成存储器，该系统构成的最大存储器容量需要最大存储器容量需要64K1位的存储器芯片位的存储器芯片的数量是的数量是_片。片。128一个有一个有16个字的数据区，它的起始地址为个字的数据区，它的起始地址为70A0:DDF6H，那么该数据区的最后一个单，那么该数据区的最后一个单元的物理地址为元的物理地址为_。7E814H2第2页，本讲稿共31页设存储器的地址线有设存储器的地址线有16条，存储基本单元为条，存储基本单元为字节，若采
2、用字节，若采用2K4位芯片，按全译码方法组位芯片，按全译码方法组成存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，成存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储器芯片的数量是需要此种存储器芯片的数量是_。64片片设某静态设某静态RAM芯片的容量为芯片的容量为8K8位，若用位，若用它组成它组成32K8的存储器，所用芯片数以及这的存储器，所用芯片数以及这种芯片的片内地址线数目是种芯片的片内地址线数目是_。4片片13根根3第3页，本讲稿共31页用74LS138作译码器，如图所示，若将Y1接到存储器的片选信号上，则存储器的地址范围为_。Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A12
3、4000H4FFFH4第4页，本讲稿共31页某同学在做实验时，按如图连接芯片的译码电路，得知该芯片的地址范围为3000H37FFH。试问该芯片的CS端应接到74LS138的_。Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A12Y65第5页，本讲稿共31页12.在在如如图图所所示示的的电电路路（与与上上题题同同一一电电路路），假假设设Y5与与电电源源Vcc短短接接，则则以以下下四四种种现现象象中中，肯定会发生的是肯定会发生的是_。A)系统仍然正常工作。系统仍然正常工作。B)系统不能正常工作系统不能正常工作C)Y5端所选择的地址范围能被照常访问端所选择的地址范围能被照常访问D)
4、Y5端所选择的地址范围不能被访问端所选择的地址范围不能被访问D)Y5端所选择的地址范围不能被访问端所选择的地址范围不能被访问6第6页，本讲稿共31页在如图的译码电路中，为了使每个输出端接到存储器芯片的CS端时，可以选中的地址范围是4KB，则该图中C,B,A三端与CPU的地址线的对应连接可为_。A)仅A14,A13,A12B)仅A12,A13,A14C)仅A14,A12,A13 D)A12,A13,A14任意组合 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC+5VM/IOA15D)A12,A13,A14任意组合任意组合7第7页，本讲稿共31页若要求Y4寻址的存储器范围为8800H8FFFH，则B，C端应分
5、别接_。Y0Y1Y7G1G2AG2BABCA15M/IOA14A13A12,A11上题中，若要求上题中，若要求Y4寻址寻址的的I/O端口地址范围为端口地址范围为0800H0FFFH，则须相，则须相互调换的引脚信号应为互调换的引脚信号应为_。M/IO，A158第8页，本讲稿共31页使用使用256KB4的存储器芯片组成的存储器芯片组成1MB的存储的存储器系统，其地址线至少需要器系统，其地址线至少需要_条条20在在对对存存储储器器进进行行访访问问时时，地地址址线线有有效效和和数数据线有效的时间关系应为据线有效的时间关系应为_。A)同时有效同时无效同时有效同时无效 B)地址线较先有效地址线较先有效C)
6、数据线较先有效数据线较先有效B)地址线较先有效地址线较先有效9第9页，本讲稿共31页如图是如图是8片片4K8位的位的RAM构成的一个随机存构成的一个随机存取存储器，如果取存储器，如果A14A13A12分别为分别为000111时，时，则分别被选中的存储区域（范围）的十六机则分别被选中的存储区域（范围）的十六机制表示是制表示是_。RAM0CSOEA12A13A14Y0Y1Y7RAM0CSOERAM0CSOEA0A11MEMRA14A13A12000地址为地址为0000H0FFFHA14A13A12001地址为地址为1000H1FFFH10第10页，本讲稿共31页现有现有4K8位的位的RAM和和RO
7、M存储器芯片各一存储器芯片各一片，其地址线连接方法如图片，其地址线连接方法如图P88所示。在正所示。在正常情况下，常情况下，ROM所占的地址空间为所占的地址空间为 _，RAM所占的地址空间为所占的地址空间为_。ROMCSA14A0A11A15MEMRD0D7A0 A11RAMCSMEMRD0D7A0 A11数据总线MEMW4000H7FFFH8000HBFFFH11第11页，本讲稿共31页 PROM存储器是指_。A)可以读写的存储器B)可以由用户一次性写入的存储器C)可以由用户反复多次写入的存储器D)用户不能写入的存储器B)可以由用户一次性写入的存储器可以由用户一次性写入的存储器12第12页，
8、本讲稿共31页 在Intel2164动态RAM存储器中，对存储器的刷新方法是_。A)每次一个单元 B)每次刷新512个单元C)每次刷新256个单元D)一次刷新全部单元 B)每次刷新每次刷新512个单元个单元13第13页，本讲稿共31页若若用用1片片74LS138、1片片6116RAM(2K8)及及2片片2732EPROM(4K8)组成存储器电路，试问：组成存储器电路，试问：2732的片内地址线是的片内地址线是_根。根。要求要求2片片2732的地址范围为的地址范围为0000H1FFFH，设高位地址线接至设高位地址线接至74LS138，此时，此时A15及及A12的状态是的状态是_。存储器的总容量是
9、存储器的总容量是_。A)A15=1,A12=0B)A15=0,A12=0或或1C)A15=0,A12=1 D)A15=0,A12=010KB12B)A15=0,A12=0或或114第14页，本讲稿共31页 下述EPROM的改写过程，正确的是_。A)使WR信号有效就可以改写B)先用高电压擦除，再改写新数据C)先用紫外线擦除，再用高电压写新数据D)先用紫外线擦除，再用5V电压写新数据 C)先用紫外线擦除，再用高电压写新数据先用紫外线擦除，再用高电压写新数据15第15页，本讲稿共31页 在进行RAM扩充实验时，某同学的接线出现_，但存储器还能正常读写。A)D1与D5交换B)WR与CS线交换C)D1与
10、A1交换D)5V电源线与地线交换 A)D1与与D5交换交换在进行在进行EPROM扩充实验时，某同学发现读扩充实验时，某同学发现读出的所有单元中的数据与原数据不一样，即出的所有单元中的数据与原数据不一样，即D2位总是为位总是为1，这说明发生了，这说明发生了_。A)接至接至D2的线已断的线已断B)电源没有接地电源没有接地C)D2接至接至A2D)D2与与A2交换交换A)接至接至D2的线已断的线已断16第16页，本讲稿共31页某微机系统的部分接线如图，在8088系统中,（a）应接_，（b）应接_，RAM芯片II的地址范围为_。M/IO经反相的经反相的M/IOFE800HFEFFFH17第17页，本讲稿
11、共31页若由若由1K1位的位的RAM芯片组成一个容量为芯片组成一个容量为8K字（字（16位）的存储器时，需要该芯片数为位）的存储器时，需要该芯片数为_。128片片某某电电路路用用12根根地地址址线线连连接接4片片RAM，第第一一片片RAM至至第第四四片片RAM的的地地址址分分别别为为0000H03FFH,0400H 07FFH,0800H 0BFFH,0C00H0FFFH,后后发发现现存存往往第第二二片片的的数数据据都被存入第四片，其原因之一是都被存入第四片，其原因之一是_。A)A12断线断线B)A11断线断线C)A10断线断线D)A9断线断线B)A11断线断线18第18页，本讲稿共31页RA
12、M的地址范围是_。为了使系统能够正常工作，27128芯片的A13引脚应接_（高、低）电平。8255A口的地址是_。D2000HD3FFFH低电平低电平11011110019第19页，本讲稿共31页已已知知6116RAM(2K8)的的地地址址范范围围为为0000H07FFH,发发现现其其中中低低1K字字节节与与高高1K字字节节的的每每个个对对应应单单元元内内容容相相同同(即即0000H与与0400H内内容相同容相同,其余依次类推其余依次类推),其原因是其原因是_.A)仅片内最高地址线与电源短路仅片内最高地址线与电源短路B)仅片内最高地址线开路仅片内最高地址线开路C)仅片内最高地址线与地短路仅片内
13、最高地址线与地短路D)以上三种情况都可能以上三种情况都可能D)以上三种情况都可能以上三种情况都可能20第20页，本讲稿共31页 若某RAM芯片的地址线A0与地短路，则_。A)该芯片不能读写数据B)会烧坏芯片C)只能读写偶地址单元D)只能读写奇地址单元 C)只能读写偶地址单元只能读写偶地址单元21第21页，本讲稿共31页用用1K4存储器芯片组成存储器芯片组成16K8存储器子系统存储器子系统时，需用地址线总数量最少为时，需用地址线总数量最少为_。14根根一个半导体存储器的芯片的引脚有A13A0、D3D0、WE、CE、CS、Vcc、GND等，该芯片的存储容量是_，用该芯片组成一个64KB的存储器，需
14、要_个独立的片选信号。16K4422第22页，本讲稿共31页一个SRAM芯片，有14条地址线和8条数据线，问该芯片最多能储存ASCII字符的个数为_。16384采用与上题相同容量的采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯芯片，则该芯片的地址线条数为片的地址线条数为_。7设某设某DRAM芯片的容量为芯片的容量为16KN（N为为4或或8），它的地址线和数据线分别是），它的地址线和数据线分别是_。A0A6，D0D(N-1)23第23页，本讲稿共31页习题 第4章 824第24页，本讲稿共31页习题 第4章 925第25页，本讲稿共31页A15A14A13A12A11A10A9A8A7 A4A3 A0
15、00000000000000H2716(1)000001111107FFH00001000000800H2716(2)00001111110FFFH00010000001000H2716(3)000101111117FFH00011000001800H2716(4)00011111111FFFHROM地址，用A13,A12,A11做译码器编码线，A14做低电平选通线G2B。ROM在低地址，译码线为Y0Y3，高地址分配给RAM26第26页，本讲稿共31页A15A14A13A12A11A10A9A8A7 A4A3 A0地址00100000002000H2114(1,1)001000111123FF
16、H00101000002800H2114(2,2)00101011112BFFH00110000003000H2114(3,3)001100111133FFH00111000003800H2114(4,4)00111011113BFFH01000000004000H2114(5,5)010000111143FFH01001000004800H2114(6,6)01001011114BFFH01010000005000H2114(7,7)010100111153FFH01011000005800H2114(8,8)01011011115BFFH27第27页，本讲稿共31页用两片74LS138译码，A14分别接这两片的选通端，A14为低第一片译码器工作，为高，第二片译码器工作。28第28页，本讲稿共31页29第29页，本讲稿共31页4_12题30第30页，本讲稿共31页4_13题31第31页，本讲稿共31页