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1、微机原理存储器部分1第1页，本讲稿共31页设存储器的地址线为设存储器的地址线为20条，存储单元为字节，条，存储单元为字节，使用全译码方式组成存储器，该系统构成的最使用全译码方式组成存储器，该系统构成的最大存储器容量需要大存储器容量需要64K1位的存储器芯片的数位的存储器芯片的数量是量是_片。片。128一个有一个有16个字的数据区，它的起始地址为个字的数据区，它的起始地址为70A0:DDF6H，那么该数据区的最后一个单元的，那么该数据区的最后一个单元的物理地址为物理地址为_。7E814H2第2页，本讲稿共31页设存储器的地址线有设存储器的地址线有16条，存储基本单元为字条，存储基本单元为字节，若
2、采用节，若采用2K4位芯片，按全译码方法组成存位芯片，按全译码方法组成存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储器芯片的数量是种存储器芯片的数量是_。64片片设某静态设某静态RAM芯片的容量为芯片的容量为8K8位，若用它组位，若用它组成成32K8的存储器，所用芯片数以及这种芯片的存储器，所用芯片数以及这种芯片的片内地址线数目是的片内地址线数目是_。4片片13根根3第3页，本讲稿共31页用用74LS138作译码器，如图所示，若将作译码器，如图所示，若将Y1接到存接到存储器的片选信号上，则存储器的地址范围为储器的片选信号上，则存储器的地址范围为_。
3、Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A124000H4FFFH4第4页，本讲稿共31页某同学在做实验时，按如图连接芯片的译码电某同学在做实验时，按如图连接芯片的译码电路，得知该芯片的地址范围为路，得知该芯片的地址范围为3000H37FFH。试问该芯片的试问该芯片的CS端应接到端应接到74LS138的的_。Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A12Y65第5页，本讲稿共31页12.在在如如图图所所示示的的电电路路（与与上上题题同同一一电电路路），假假设设Y5与与电电源源Vcc短短接接，则则以以下下四四种种现现象象中中，肯肯定会发生的是定会发
4、生的是_。A)系统仍然正常工作。系统仍然正常工作。B)系统不能正常工作系统不能正常工作C)Y5端所选择的地址范围能被照常访问端所选择的地址范围能被照常访问D)Y5端所选择的地址范围不能被访问端所选择的地址范围不能被访问D)Y5端所选择的地址范围不能被访问端所选择的地址范围不能被访问6第6页，本讲稿共31页在在如如图图的的译译码码电电路路中中，为为了了使使每每个个输输出出端端接接到到存存储储器器芯芯片片的的CS端端时时，可可以以选选中中的的地地址址范范围围是是4KB，则则该该图图中中C,B,A三三端端与与CPU的的地地址址线线的的对对应应连连接可为接可为_。A)仅仅A14,A13,A12B)仅仅
5、A12,A13,A14C)仅仅A14,A12,A13D)A12,A13,A14任意组合任意组合Y0Y1Y7G1G2AG2BABC+5VM/IOA15D)A12,A13,A14任意组合任意组合7第7页，本讲稿共31页若要求若要求Y4寻址的存储器范围为寻址的存储器范围为8800H8FFFH，则则B，C端应分别接端应分别接_。Y0Y1Y7G1G2AG2BABCA15M/IOA14A13A12,A11上题中，若要求上题中，若要求Y4寻址的寻址的I/O端口地址范围为端口地址范围为0800H0FFFH，则须相互，则须相互调换的引脚信号应为调换的引脚信号应为_。M/IO，A158第8页，本讲稿共31页使用使
6、用256KB4的存储器芯片组成的存储器芯片组成1MB的存储器的存储器系统，其地址线至少需要系统，其地址线至少需要_条条20在在对对存存储储器器进进行行访访问问时时，地地址址线线有有效效和和数数据据线有效的时间关系应为线有效的时间关系应为_。A)同时有效同时无效同时有效同时无效B)地址线较先有效地址线较先有效C)数据线较先有效数据线较先有效B)地址线较先有效地址线较先有效9第9页，本讲稿共31页如图是如图是8片片4K8位的位的RAM构成的一个随机存取构成的一个随机存取存储器，如果存储器，如果A14A13A12分别为分别为000111时，则分时，则分别被选中的存储区域（范围）的十六机制表示是别被选
7、中的存储区域（范围）的十六机制表示是_。RAM0CSOEA12A13A14Y0Y1Y7RAM0CSOERAM0CSOEA0A11MEMRA14A13A12000地址为地址为0000H0FFFHA14A13A12001地址为地址为1000H1FFFH10第10页，本讲稿共31页现有现有4K8位的位的RAM和和ROM存储器芯片各一片，存储器芯片各一片，其地址线连接方法如图其地址线连接方法如图P88所示。在正常情况所示。在正常情况下，下，ROM所占的地址空间为所占的地址空间为 _，RAM所占的地址空间为所占的地址空间为_。ROMCSA14A0A11A15MEMRD0D7A0A11RAMCSMEMRD
8、0D7A0A11数据总线数据总线MEMW4000H7FFFH8000HBFFFH11第11页，本讲稿共31页PROM存储器是指存储器是指_。A)可以读写的存储器可以读写的存储器B)可以由用户一次性写入的存储器可以由用户一次性写入的存储器C)可以由用户反复多次写入的存储器可以由用户反复多次写入的存储器D)用户不能写入的存储器用户不能写入的存储器B)可以由用户一次性写入的存储器可以由用户一次性写入的存储器12第12页，本讲稿共31页在在Intel2164动动态态RAM存存储储器器中中，对对存存储储器器的的刷新方法是刷新方法是_。A)每次一个单元每次一个单元B)每次刷新每次刷新512个单元个单元C)
9、每次刷新每次刷新256个单元个单元D)一次刷新全部单元一次刷新全部单元B)每次刷新每次刷新512个单元个单元13第13页，本讲稿共31页若若 用用 1片片 74LS138、1片片 6116RAM(2K8)及及 2片片2732EPROM(4K8)组成存储器电路，试问：组成存储器电路，试问：2732的片内地址线是的片内地址线是_根。根。要求要求2片片2732的地址范围为的地址范围为0000H1FFFH，设，设高位地址线接至高位地址线接至74LS138，此时，此时A15及及A12的状的状态是态是_。存储器的总容量是存储器的总容量是_。A)A15=1,A12=0B)A15=0,A12=0或或1C)A1
10、5=0,A12=1D)A15=0,A12=010KB12B)A15=0,A12=0或或114第14页，本讲稿共31页下述下述EPROM的改写过程，正确的是的改写过程，正确的是_。A)使使WR信号有效就可以改写信号有效就可以改写B)先用高电压擦除，再改写新数据先用高电压擦除，再改写新数据C)先用紫外线擦除，再用高电压写新数据先用紫外线擦除，再用高电压写新数据D)先用紫外线擦除，再用先用紫外线擦除，再用5V电压写新数据电压写新数据C)先用紫外线擦除，再用高电压写新数据先用紫外线擦除，再用高电压写新数据15第15页，本讲稿共31页在在进进行行RAM扩扩充充实实验验时时，某某同同学学的的接接线线出出现
11、现_，但存储器还能正常读写。，但存储器还能正常读写。A)D1与与D5交换交换B)WR与与CS线交换线交换C)D1与与A1交换交换D)5V电源线与地线交换电源线与地线交换A)D1与与D5交换交换在进行在进行EPROM扩充实验时，某同学发现读出扩充实验时，某同学发现读出的所有单元中的数据与原数据不一样，即的所有单元中的数据与原数据不一样，即D2位位总是为总是为1，这说明发生了，这说明发生了_。A)接至接至D2的线已断的线已断B)电源没有接地电源没有接地C)D2接至接至A2D)D2与与A2交换交换A)接至接至D2的线已断的线已断16第16页，本讲稿共31页某微机系统的部分接线如图，在某微机系统的部分
12、接线如图，在8088系统中系统中,（a）应接）应接_，（，（b）应接）应接_，RAM芯片芯片II的地的地址范围为址范围为_。M/IO经反相的经反相的M/IOFE800HFEFFFH17第17页，本讲稿共31页若由若由1K1位的位的RAM芯片组成一个容量为芯片组成一个容量为8K字字（16位）的存储器时，需要该芯片数为位）的存储器时，需要该芯片数为_。128片片某某电电路路用用12根根地地址址线线连连接接4片片RAM，第第一一片片RAM至至 第第 四四 片片 RAM的的 地地 址址 分分 别别 为为 0000H03FFH,0400H07FFH,0800H0BFFH,0C00H0FFFH,后后发发现
13、现存存往往第第二二片片的的数数据据都都被被存入第四片，其原因之一是存入第四片，其原因之一是_。A)A12断线断线B)A11断线断线C)A10断线断线D)A9断线断线B)A11断线断线18第18页，本讲稿共31页RAM的地址范围是的地址范围是_。为为了了使使系系统统能能够够正正常常工工作作，27128芯芯片片的的A13引引脚脚应应接接_（高、低）电平。（高、低）电平。8255A口的地址是口的地址是_。D2000HD3FFFH低电平低电平11011110019第19页，本讲稿共31页已已知知6116RAM(2K8)的的地地址址范范围围为为0000H07FFH,发发现现其其中中低低1K字字节节与与高
14、高1K字字节节的的每每个个对对应应单单元元内内容容相相同同(即即0000H与与0400H内内容容相相同同,其其余余依次类推依次类推),其原因是其原因是_.A)仅片内最高地址线与电源短路仅片内最高地址线与电源短路B)仅片内最高地址线开路仅片内最高地址线开路C)仅片内最高地址线与地短路仅片内最高地址线与地短路D)以上三种情况都可能以上三种情况都可能D)以上三种情况都可能以上三种情况都可能20第20页，本讲稿共31页若某若某RAM芯片的地址线芯片的地址线A0与地短路，则与地短路，则_。A)该芯片不能读写数据该芯片不能读写数据B)会烧坏芯片会烧坏芯片C)只能读写偶地址单元只能读写偶地址单元D)只能读写
15、奇地址单元只能读写奇地址单元C)只能读写偶地址单元只能读写偶地址单元21第21页，本讲稿共31页用用1K4存储器芯片组成存储器芯片组成16K8存储器子系统存储器子系统时，需用地址线总数量最少为时，需用地址线总数量最少为_。14根根一个半导体存储器的芯片的引脚有一个半导体存储器的芯片的引脚有A13A0、D3D0、WE、CE、CS、Vcc、GND等，该芯片等，该芯片的存储容量是的存储容量是_，用该芯片组成一个，用该芯片组成一个64KB的存储器，需要的存储器，需要_个独立的片选信号。个独立的片选信号。16K4422第22页，本讲稿共31页一个一个SRAM芯片，有芯片，有14条地址线和条地址线和8条数
16、据线，条数据线，问该芯片最多能储存问该芯片最多能储存ASCII字符的个数为字符的个数为_。16384采用与上题相同容量的采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯片芯片，则该芯片的地址线条数为的地址线条数为_。7设某设某DRAM芯片的容量为芯片的容量为16KN（N为为4或或8），），它的地址线和数据线分别是它的地址线和数据线分别是_。A0A6，D0D(N-1)23第23页，本讲稿共31页习题习题第第4章章824第24页，本讲稿共31页习题习题第第4章章925第25页，本讲稿共31页A15A14A13A12A11A10A9A8A7 A4A3 A000000000000000H2716(1)0000
17、01111107FFH00001000000800H2716(2)00001111110FFFH00010000001000H2716(3)000101111117FFH00011000001800H2716(4)00011111111FFFHROM地址，用地址，用A13,A12,A11做译码器编码线，做译码器编码线，A14做低电平选通线做低电平选通线G2B。ROM在低地址，译在低地址，译码线为码线为Y0Y3，高地址分配给，高地址分配给RAM26第26页，本讲稿共31页A15A14A13A12A11A10A9A8A7 A4A3 A0地址00100000002000H2114(1,1)00100
18、0111123FFH00101000002800H2114(2,2)00101011112BFFH00110000003000H2114(3,3)001100111133FFH00111000003800H2114(4,4)00111011113BFFH01000000004000H2114(5,5)010000111143FFH01001000004800H2114(6,6)01001011114BFFH01010000005000H2114(7,7)010100111153FFH01011000005800H2114(8,8)01011011115BFFH27第27页，本讲稿共31页用两片用两片74LS138译码，译码，A14分别接这两片的选通分别接这两片的选通端，端，A14为低第一片译码器工作，为高，第二为低第一片译码器工作，为高，第二片译码器工作。片译码器工作。28第28页，本讲稿共31页29第29页，本讲稿共31页4_12题题30第30页，本讲稿共31页4_13题题31第31页，本讲稿共31页