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1、第第2章双极型晶体管章双极型晶体管及其特性及其特性现在学习的是第1页，共199页21 双极型晶体管的工作原理双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管。晶体管的原理结构如图21(a)所示。由图可见，组成晶体管的三层杂质半导体是N型P型N型结构，所以称为NPN管。现在学习的是第2页，共199页图21晶体管的结构与符号(a)NPN管的示意图；(b)电路符号；(c)平面管结构剖面图现在学习的是第3页，共199页211放大状态下晶体管中载流子的传输过程放大状态下晶体管中载流子的传输过程当晶体管处在发射结正偏
2、、集电结反偏的放大状态下，管内载流子的运动情况可用图2-2说明。我们按传输顺序分以下几个过程进行描述。现在学习的是第4页，共199页图22晶体管内载流子的运动和各极电流现在学习的是第5页，共199页一、发射区向基区注入电子一、发射区向基区注入电子由于e结正偏，因而结两侧多子的扩散占优势，这时发射区电子源源不断地越过e结注入到基区，形成电子注入电流IEN。与此同时，基区空穴也向发射区注入，形成空穴注入电流IEP。因为发射区相对基区是重掺杂，基区空穴浓度远低于发射区的电子浓度，所以满足IEPIEN，可忽略不计。因此，发射极电流IEIEN，其方向与电子注入方向相反。现在学习的是第6页，共199页二、
3、电子在基区中边扩散边复合二、电子在基区中边扩散边复合注入基区的电子，成为基区中的非平衡少子，它在e结处浓度最大，而在c结处浓度最小(因c结反偏，电子浓度近似为零)。因此，在基区中形成了非平衡电子的浓度差。在该浓度差作用下，注入基区的电子将继续向c结扩散。在扩散过程中，非平衡电子会与基区中的空穴相遇，使部分电子因复合而失去。但由于基区很薄且空穴浓度又低，所以被复合的电子数极少，而绝大部分电子都能扩散到c结边沿。基区中与电子复合的空穴由基极电源提供，形成基区复合电流IBN，它是基极电流IB的主要部分。现在学习的是第7页，共199页三、扩散到集电结的电子被集电区收集三、扩散到集电结的电子被集电区收集
4、由于集电结反偏，在结内形成了较强的电场，因而，使扩散到c结边沿的电子在该电场作用下漂移到集电区，形成集电区的收集电流ICN。该电流是构成集电极电流IC的主要部分。另外，集电区和基区的少子在c结反向电压作用下，向对方漂移形成c结反向饱和电流ICBO，并流过集电极和基极支路，构成IC、IB的另一部分电流。现在学习的是第8页，共199页212电流分配关系电流分配关系由以上分析可知，晶体管三个电极上的电流与内部载流子传输形成的电流之间有如下关系：(21a)(21b)(21c)现在学习的是第9页，共199页式(21)表明，在e结正偏、c结反偏的条件下，晶体管三个电极上的电流不是孤立的，它们能够反映非平衡
5、少子在基区扩散与复合的比例关系。这一比例关系主要由基区宽度、掺杂浓度等因素决定，管子做好后就基本确定了。反之，一旦知道了这个比例关系，就不难得到晶体管三个电极电流之间的关系，从而为定量分析晶体管电路提供方便。现在学习的是第10页，共199页为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数为(22)其含义是：基区每复合一个电子，则有个电子扩散到集电区去。值一般在20200之间。现在学习的是第11页，共199页确定了值之后，由式(21)、(22)可得(23a)(23b)(23c)式中：(24)称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有(25a
6、)(25b)式(25)是今后电路分析中常用的关系式。现在学习的是第12页，共199页为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数为(26)显然，1，一般约为0.970.99。由式(26)、(21)，不难求得(27a)(27c)(27b)现在学习的是第13页，共199页由于,都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由,的定义可得(28)(29)现在学习的是第14页，共199页213 晶体管的放大作用晶体管的放大作用现在用图22来说明晶体管的放大作用。若在图中UBB上叠加一幅度为100mV的正弦电压ui，
7、则正向发射结电压会引起相应的变化。由于e结正向电流与所加电压呈指数关系，所以发射极会产生一个较大的注入电流iE，例如为1mA。现在学习的是第15页，共199页22 晶体管伏安特性曲线及参数晶体管伏安特性曲线及参数晶体管伏安特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线，它对于了解晶体管的导电特性非常有用。晶体管有三个电极，通常用其中两个分别作输入、输出端，第三个作公共端，这样可以构成输入和输出两个回路。实际中，有图23所示的三种基本接法(组态)，分别称为共发射极、共集电极和共基极接法。其中，共发射极接法更具代表性，所以我们主要讨论共发射极伏安特性曲线。现在学习的是第16页，共199页图23晶
8、体管的三种基本接法(a)共发射极；(b)共集电极；(c)共基极现在学习的是第17页，共199页221 晶体管共发射极特性曲线晶体管共发射极特性曲线因为有两个回路，所以晶体管特性曲线包括输入和输出两组特性曲线。这两组曲线可以在晶体管特性图示仪的屏幕上直接显示出来，也可以用图24电路逐点测出。一、共发射极输出特性曲线一、共发射极输出特性曲线测量电路如图24所示。共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即现在学习的是第18页，共199页图24共发射极特性曲线测量电路现在学习的是第19页，共199页典型的共射输出特性曲线如图25所示。由图可见，输出特性可以划分为三个区域，对应于三
9、种工作状态。现分别讨论如下。1放大区放大区e结为正偏，c结为反偏的工作区域为放大区。由图25可以看出，在放大区有以下两个特点：现在学习的是第20页，共199页图25共射输出特性曲线现在学习的是第21页，共199页(1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用，即iB有很小的变化量IB时，iC就会有很大的变化量IC。为此，用共发射极交流电流放大系数来表示这种控制能力。定义为(210)反映在特性曲线上，为两条不同IB曲线的间隔。现在学习的是第22页，共199页(2)uCE变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为，iB一定而uCE增大时，曲线略有上翘(iC略有增大)。这是因为uCE增大，c结反向
10、电压增大，使c结展宽，所以有效基区宽度变窄，这样基区中电子与空穴复合的机会减少，即iB要减小。而要保持iB不变，所以iC将略有增大。这种现象称为基区宽度调制效应，或简称基调效应。从另一方面看，由于基调效应很微弱，uCE在很大范围内变化时IC基本不变。因此，当IB一定时，集电极电流具有恒流特性。现在学习的是第23页，共199页2饱和区饱和区e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把uCE=uBE(即c结零偏)的情况称为临界饱和，对应点的轨迹为临界饱和线。现在学习的是第24页，共199页二、共发射极输入特性曲线二、共发射极输入特性曲线测量电路见图24。共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与u
11、BE间的关系曲线，即典型的共发射极输入特性曲线如图26所示。现在学习的是第25页，共199页图26共发射极输入特性曲线现在学习的是第26页，共199页(1)在uCE1V的条件下，当uBEUBE(on)时，随着uBE的增大，iB开始按指数规律增加，而后近似按直线上升。(2)当uCE=0时，晶体管相当于两个并联的二极管，所以b,e间加正向电压时，iB很大。对应的曲线明显左移，见图26。现在学习的是第27页，共199页(3)当uCE在01V之间时，随着uCE的增加，曲线右移。特别在0uCEUCE(sat)的范围内，即工作在饱和区时，移动量会更大些。(4)当uBE0时，晶体管截止，iB为反向电流。若反
12、向电压超过某一值时，e结也会发生反向击穿。现在学习的是第28页，共199页三、温度对晶体管特性曲线的影响三、温度对晶体管特性曲线的影响温度对晶体管的uBE、ICBO和有不容忽视的影响。其中，uBE、ICBO随温度变化的规律与PN结相同，即温度每升高1，uBE减小22.5mV；温度每升高10，ICBO增大一倍。温度对的影响表现为，随温度的升高而增大，变化规律是：温度每升高1，值增大0.5%1%(即/T(0.51)%/)。现在学习的是第29页，共199页一、电流放大系数一、电流放大系数1共共发发射射极极直直流流电电流流放放大大系系数数 和和交交流流电电流流放放大大系数系数和分别由式(22)、(21
13、0)定义，其数值可以从输出特性曲线上求出。2 共共基基极极直直流流电电流流放放大大系系数数 和和交交流流电电流流放放大大系系数数 由式(26)定义，而定义为，uCB为常数时，集电极电流变化量IC与发射极电流变化量IE之比，即(211)现在学习的是第30页，共199页由于ICBO、ICEO都很小，在数值上,。所以在以后的计算中，不再加以区分。应当指出，值与测量条件有关。一般来说，在iC很大或很小时，值较小。只有在iC不大、不小的中间值范围内，值才比较大，且基本不随iC而变化。因此，在查手册时应注意值的测试条件。尤其是大功率管更应强调这一点。现在学习的是第31页，共199页二、极间反向电流二、极间
14、反向电流 1 ICBOICBO指发射极开路时，集电极基极间的反向电流，称为集电极反向饱和电流。2 ICEOICEO指基极开路时，集电极发射极间的反向电流，称为集电极穿透电流。3 IEBOIEBO指集电极开路时，发射极基极间的反向电流。现在学习的是第32页，共199页三、结电容三、结电容结电容包括发射结电容Ce(或Cbe)和集电结电容Cc(或Cbe)。结电容影响晶体管的频率特性。关于晶体管的频率特性参数，详见第五章。现在学习的是第33页，共199页四、晶体管的极限参数四、晶体管的极限参数 1 击穿电压击穿电压U(BR)CBO指发射极开路时，集电极基极间的反向击穿电压。U(BR)CEO指基极开路时
15、，集电极发射极间的反向击穿电压。U(BR)CEOICM时，虽然管子不致于损坏，但值已经明显减小。因此，晶体管线性运用时，iC不应超过ICM。现在学习的是第35页，共199页3 集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率PCM晶体管工作在放大状态时，c结承受着较高的反向电压，同时流过较大的电流。因此，在c结上要消耗一定的功率，从而导致c结发热，结温升高。当结温过高时，管子的性能下降，甚至会烧坏管子，因此需要规定一个功耗限额。现在学习的是第36页，共199页PCM与管芯的材料、大小、散热条件及环境温度等因素有关。一个管子的PCM如已确定，则由PCM=ICUCE可知，PCM在输出特性上为一条IC与
16、UCE乘积为定值PCM的双曲线，称为PCM功耗线，如图27所示。现在学习的是第37页，共199页图27晶体管的安全工作区现在学习的是第38页，共199页 23 晶体管工作状态分析及偏置电路晶体管工作状态分析及偏置电路由晶体管的伏安特性曲线可知，晶体管是一种复杂的非线性器件。在直流工作时，其非线性主要表现为三种截然不同的工作状态，即放大、截止和饱和。在实际应用中，根据实现的功能不同，可通过外电路将晶体管偏置在某一规定状态。因此，在晶体管应用电路分析中，一个首要问题，便是晶体管工作状态分析以及直流电路计算。现在学习的是第39页，共199页231晶体管的直流模型晶体管的直流模型在通常情况下，由外电路
17、偏置的晶体管，其各极直流电流和极间直流电压将对应于伏安特性曲线上一个点的坐标，这个点称为直流(或静态)工作点，简称Q点。在直流工作时，可将晶体管输入、输出特性曲线(见图25、图26)分别用图2-8(a)和(b)所示的折线近似，这样直流工作点(IBQ,UBEQ)和(ICQ,UCEQ)必然位于该曲线的直线段上。现在学习的是第40页，共199页图28晶体管伏安特性曲线的折线近似(a)输入特性近似；(b)输出特性近似现在学习的是第41页，共199页由图28可知，当外电路使UBEUBE(on)(对硅管约为0.7V，锗管约为0.3V)时，IB=0，IC=0，即晶体管截止。此时，相当于b,e极间和c,e极间
18、均开路，相应的直流等效模型如图29(a)所示。现在学习的是第42页，共199页图29晶体管三种状态的直流模型(a)截止状态模型；(b)放大状态模型；(c)饱和状态模型现在学习的是第43页，共199页例例1晶体管电路如图210(a)所示。若已知晶体管工作在放大状态，=100，试计算晶体管的IBQ,ICQ和UCEQ。现在学习的是第44页，共199页图210晶体管直流电路分析(a)电路；(b)直流等效电路现在学习的是第45页，共199页图210晶体管直流电路分析(a)电路；(b)直流等效电路现在学习的是第46页，共199页解解因为UBB使e结正偏，UCC使c结反偏，所以晶体管可以工作在放大状态。这时
19、用图29(b)的模型代替晶体管，便得到图2-10(b)所示的直流等效电路。由图可知故有现在学习的是第47页，共199页232晶体管工作状态分析晶体管工作状态分析将晶体管接入直流电路，在通常情况下，围绕晶体管可将电路化为图211(a)所示的一般形式。由图可知，若UBBUEE+UBE(on),且UBB UEE+UBE(on)，则晶体管导通。现假定为放大导通，利用图29(b)的模型可得该电路的直流等效电路如图211(b)所示。由图可得UBB-UEE-UBE(on)=IBQRB+(1+)IBQRE(212a)(212b)(212c)借助式(212)的结果，现在可对电路中的晶体管是处于放大还是饱和作出判
20、别。现在学习的是第50页，共199页图211晶体管直流分析的一般性电路(a)电路；(b)放大状态下的等效电路；(c)饱和状态下的等效电路现在学习的是第51页，共199页图211晶体管直流分析的一般性电路(a)电路；(b)放大状态下的等效电路；(c)饱和状态下的等效电路现在学习的是第52页，共199页例例2晶体管电路及其输入电压ui的波形如图2-12(a),(b)所示。已知=50，试求ui作用下输出电压uo的值，并画出波形图。图212例题2电路及ui,uo波形图(a)电路；(b)ui波形图；(c)uo波形图现在学习的是第53页，共199页图212例题2电路及ui,uo波形图(a)电路；(b)ui
21、波形图；(c)uo波形图现在学习的是第54页，共199页解解当ui=0时，UBE=0，则晶体管截止。此时，ICQ=0,uo=UCEQ=UCC=5V。当ui=3V时，晶体管导通且有而集电极临界饱和电流为因为现在学习的是第55页，共199页所以晶体管处于饱和。此时，ICQ=IC(sat)=1.4mA，而uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。根据上述分析结果画出的uo波形如图212(c)所示。通过本例题可以看出，在实际电路分析中，由于晶体管的直流模型很简单，一旦其工作状态确定，则直流等效电路可不必画出，而等效的涵义将在计算式中反映出来。现在学习的是第56页，共199页233 放大状态下的偏置电
22、路放大状态下的偏置电路晶体管在放大应用时，要求外电路将晶体管偏置在放大区，而且在信号的变化范围内，管子始终工作在放大状态。此时，对偏置电路的要求是：电路形式要简单。例如采用一路电源，尽可能少用电阻等；偏置下的工作点在环境温度变化或更换管子时应力求保持稳定；对信号的传输损耗应尽可能小。下面将介绍几种常用的偏置电路。现在学习的是第57页，共199页一、固定偏流电路一、固定偏流电路电路如图213所示。由图可知，UCC通过RB使e结正偏，则基极偏流为(214a)只要合理选择RB,RC的阻值，晶体管将处于放大状态。此时(214b)(214c)现在学习的是第58页，共199页图213固定偏流电路现在学习的
23、是第59页，共199页这种偏置电路虽然简单，但主要缺点是工作点的稳定性差。由式(214)可知，当温度变化或更换管子引起,ICBO改变时，由于外电路将IBQ固定，所以管子参数的改变都将集中反映到ICQ,UCEQ的变化上。结果会造成工作点较大的漂移，甚至使管子进入饱和或截止状态。现在学习的是第60页，共199页二、电流负反馈型偏置电路二、电流负反馈型偏置电路使工作点稳定的基本原理，是在电路中引入自动调节机制，用IB的相反变化去自动抑制IC的变化，从而使ICQ稳定。这种机制通常称为负反馈。实现方法是在管子的发射极串接电阻RE，见图214。由图可知，不管何种原因，如果使ICQ有增大趋向时，电路会产生如
24、下自我调节过程：ICQIEQUEQ(=IEQRE)ICQIEQUBEQ(=UEQ-UEQ)现在学习的是第61页，共199页图214电流负反馈型偏置电路现在学习的是第62页，共199页结果，因IBQ的减小而阻止了ICQ的增大；反之亦然。可见，通过RE对ICQ的取样和调节，实现了工作点的稳定。显然，RE的阻值越大，调节作用越强，则工作点越稳定。但RE过大时，因UCEQ过小会使Q点靠近饱和区。因此，要二者兼顾，合理选择RE的阻值。该电路与图211(a)电路相比，差别仅在于此时UEE=0,UBB=UCC。参照式(212)，可得工作点的计算式为现在学习的是第63页，共199页(215a)(215b)(2
25、15c)现在学习的是第64页，共199页三、分压式偏置电路三、分压式偏置电路分压式偏置电路如图215(a)所示，它是电流负反馈型偏置电路的改进电路。由图可知，通过增加一个电阻RB2，可将基极电位UB固定。这样由ICQ引起的UE变化就是UBE的变化，因而增强了UBE对ICQ的调节作用，有利于Q点的近一步稳定。现在学习的是第65页，共199页图215分压式偏置电路(a)电路；(b)用戴文宁定理等效后的电路现在学习的是第66页，共199页图215分压式偏置电路(a)电路；(b)用戴文宁定理等效后的电路现在学习的是第67页，共199页为确保UB固定，应满足流过RB1、RB2的电流I1IBQ，这就要求R
26、B1、RB2的取值愈小愈好。但是RB1、RB2过小，将增大电源UCC的无谓损耗，因此要二者兼顾。通常选取并兼顾RE和UCEQ而取(216a)(216a)现在学习的是第68页，共199页从分析的角度看，在该电路的基极端用戴文宁定理 等 效，可 得 如 图 215(b)的 等 效 电 路。图 中，RB=RB1RB2,UBB=UCCRB2/(RB1+RB2)。此时，工作点可按式(215)计算。如果RB1、RB2取值不大，在估算工作点时，则ICQ可按下式直接求出：(217a)(217b)现在学习的是第69页，共199页例例3电路如图215(a)所示。已知=100,UCC=12V,RB1=39k,RB2
27、=25k,RC=RE=2k，试计算工作点ICQ和UCEQ。解解 现在学习的是第70页，共199页若按估算法直接求ICQ，由式(217a)可得显然两者误差很小。因此，在今后分析中可按估算法来求工作点。与上述稳定Q点的原理相类似，实际中还可采用电压负反馈型偏置电路(见习题211电路)。其调节原理请读者自行分析。除此之外，在集成电路中，还广泛采用恒流源作偏置电路，即用恒流源直接设定ICQ。有关恒定源问题将在第四章详细讨论。现在学习的是第71页，共199页24放大器的组成及其性能指标放大器的组成及其性能指标 晶体管的一个基本应用就是构成放大器。所谓放大，是在保持信号不失真的前提下，使其由小变大、由弱变
28、强。因此，放大器在电子技术中有着广泛的应用，是现代通信、自动控制、电子测量、生物电子等设备中不可缺少的组成部分。放大器涉及的问题很多，这些问题将在后续章节中逐一讨论。本节主要说明小信号放大器的组成原理，简要介绍放大器的性能指标，然后给出其二端口网络的一般模型。现在学习的是第72页，共199页241基本放大器的组成原则基本放大器的组成原则基本放大器通常是指由一个晶体管构成的单级放大器。根据输入、输出回路公共端所接的电极不同，实际有共射极、共集电极和共基极三种基本(组态)放大器。下面以最常用的共射电路为例来说明放大器的一般组成原理。现在学习的是第73页，共199页共射极放大电路如图216所示。图中
29、，采用固定偏流电路将晶体管偏置在放大状态，其中虚线支路的UCC为直流电源，RB为基极偏置电阻，RC为集电极负载电阻。输入信号通过电容C1加到基极输入端，放大后的信号经电容C2由集电极输出给负载RL。因为放大器的分析通常采用稳态法，所以一般情况下是以正弦波作为放大器的基本输入信号。图中用内阻为Rs的正弦电压源Us为放大器提供输入电压Ui。电容C1,C2称为隔直电容或耦合电容，其作用是隔直流通交流，即在保证信号正常流通的情况下，使直流相互隔离互不影响。按这种方式连接的放大器，通常称为阻容耦合放大器。现在学习的是第74页，共199页图216共射极放大电路现在学习的是第75页，共199页通过上述实例可
30、以看出，用晶体管组成放大器时应该遵循如下原则：(1)必须将晶体管偏置在放大状态，并且要设置合适的工作点。当输入为双极性信号(如正弦波)时，工作点应选在放大区的中间区域；在放大单极性信号(如脉冲波)时，工作点可适当靠向截止区或饱和区。(2)输入信号必须加在基极发射极回路。由于正偏的发射结其iE与uBE的关系仍满足式(14)，即(218)现在学习的是第76页，共199页而iCiE。所以，uBE对iC有极为灵敏的控制作用。因此，只有将输入信号加到基极发射极回路，使其成为控制电压uBE的一部分，才能得到有效地放大。具体连接时，若射极作为公共支路(端)，则信号加到基极；反之，信号则加到射极。由于反偏的c
31、结对iC几乎没有控制作用，所以输入信号不能加到集电极。现在学习的是第77页，共199页(3)必须设置合理的信号通路。当信号源和负载与放大器相接时，一方面不能破坏已设定好的直流工作点，另一方面应尽可能减小信号通路中的损耗。实际中，若输入信号的频率较高(几百赫兹以上)，采用阻容耦合则是最佳的连接方式。现在学习的是第78页，共199页242直流通路和交流通路直流通路和交流通路对一个放大器进行定量分析时，其分析的内容无外乎两个方面。一是直流(静态)工作点分析，即在没有信号输入时，估算晶体管的各极直流电流和极间直流电压。二是交流(动态)性能分析，即在输入信号作用下，确定晶体管在工作点处各极电流和极间电压
32、的变化量，进而计算放大器的各项交流指标。现在学习的是第79页，共199页以图216所示的共射放大器为例，按照上述方法，将电路中的耦合电容C1,C2开路，得直流通路，如图217(a)所示；将C1,C2短路，直流电源UCC对地也短路，便得交流通路，如图217(b)所示。现在学习的是第80页，共199页图217共射放大器的交、直流通路(a)直流通路；(b)交流通路现在学习的是第81页，共199页243放大器的主要性能指标放大器的主要性能指标放大器有一个输入端口，一个输出端口，所以从整体上看，可以把它当作一个有源二端口网络，如图218所示。因为输入信号是正弦量，所以图中有小写下标的大写字母均表示正弦量
33、的有效值，并按二端口网络的约定标出了电流的方向和电压的极性。这样，放大器的性能指标可以用该网络的端口特性来描述。现在学习的是第82页，共199页图218放大器等效为有源二端口网络的框图现在学习的是第83页，共199页一、放大倍数一、放大倍数A放大倍数又称为增益，定义为放大器的输出量与输入量的比值。根据处理的输入量和所需的输出量不同，有如下四种不同定义的放大倍数：电压放大倍数电流放大倍数互导放大倍数互导放大倍数互阻放大倍数(219a)(219b)(219c)(219d)现在学习的是第84页，共199页其中，Au和Ai为无量纲的数值，而Ag的单位为西门子(S)，Ar的单位为欧姆()。有时为了方便，
34、Au和Ai可取分贝(dB)为单位，即(220)现在学习的是第85页，共199页二、输入电阻二、输入电阻 Ri输入电阻是从放大器输入端看进去的电阻，它定义为在图218的框图中，对信号源来说，放大器相当于它的负载，Ri则表征该负载能从信号源获取多大信号。(221)现在学习的是第86页，共199页三、输出电阻三、输出电阻Ro输出电阻是从放大器输出端看进去的电阻。在图218的框图中，对负载来说，放大器相当于它的信号源，而Ro正是该信号源的内阻。根据戴文宁定理，放大器的输出电阻定义为(222)Ro是一个表征放大器带负载能力的参数。现在学习的是第87页，共199页根据放大器输入和输出信号的不同，利用上述三
35、个指标，则图218所示的框图可具体描述为四种二端口网络模型，如图219所示。图中，Auo,Aro分别表示负载开路时的电压、互阻放大倍数，而Ais,Ags则分别表示负载短路时的电流、互导放大倍数。现在学习的是第88页，共199页图219放大器二端口网络模型(a)电压放大器；(b)电流放大器；(c)互导放大器；(d)互阻放大器现在学习的是第89页，共199页四、非线性失真系数四、非线性失真系数THD由于放大管输入、输出特性的非线性，因而放大器输出波形不可避免地会产生或大或小的非线性失真。具体表现为，当输入某一频率的正弦信号时，其输出电流波形中除基波成分之外，还包含有一定数量的谐波。为此，定义放大器
36、非线性失真系数为(223)现在学习的是第90页，共199页式中I1m为输出电流的基波幅值，Inm为二次谐波以上的各谐波分量幅值。由于小信号放大时非线性失真很小，所以只有在大信号工作时才考虑THD指标。现在学习的是第91页，共199页五、线性失真五、线性失真放大器的实际输入信号通常是由众多频率分量组成的复杂信号。由于放大电路中含有电抗元件(主要是电容)，因而放大器对信号中的不同频率分量具有不同的放大倍数和附加相移，造成输出信号中各频率分量间大小比例和相位关系发生变化，从而导致输出波形相对于输入波形产生畸变。通常将这种输出波形的畸变称为放大器的线性失真或频率失真。有关描述线性失真的一些具体指标，如
37、截止频率、通频带等将在第五章中详细说明。现在学习的是第92页，共199页25 放大器图解分析法放大器图解分析法 251直流图解分析直流图解分析直流图解分析是在晶体管特性曲线上，用作图的方法确定出直流工作点，求出IBQ、UBEQ和ICQ、UCEQ。对于图216所示共射极放大器，其直流通路重画于图220(a)中。由图可知，在集电极输出回路，可列出如下一组方程：(224a)(224b)现在学习的是第93页，共199页图220共射放大器的直流、交流通路(a)直流通路；(b)交流通路现在学习的是第94页，共199页如图221(a)所示。图中，直流负载线MN与iB=IBQ的输出特性曲线相交于Q点，则该点就
38、是方程组(224)的解(即直流工作点)。因而，量得Q点的纵坐标为ICQ，横坐标则为UCEQ。现在学习的是第95页，共199页图221放大器的直流图解分析(a)直流负载线与Q点；(b)Q点与RB、RC的关系现在学习的是第96页，共199页图221放大器的直流图解分析(a)直流负载线与Q点；(b)Q点与RB、RC的关系现在学习的是第97页，共199页例例4 在图220(a)电路中，若RB=560k,RC=3k,UCC=12V，晶体管的输出特性曲线如图221(b)所示，试用图解法确定直流工作点。解解 取UBEQ=0.7V，由估算法可得现在学习的是第98页，共199页在输出特性上找两个特殊点：当uCE
39、=0时，iC=UCC/RC=12/3=4mA，得M点；当iC=0时，uCE=UCC=12V，得N点。连接以上两点便得到图221(b)中的直流负载线MN，它与IB=20A的一条特性曲线的交点Q，即为直流工作点。由图中Q点的坐标可得，ICQ=2mA,UCEQ=6V。现在学习的是第99页，共199页252交流图解分析交流图解分析交流图解分析是在输入信号作用下，通过作图来确定放大管各级电流和极间电压的变化量。此时，放大器的交流通路如图220(b)所示。由图可知，由于输入电压连同UBEQ一起直接加在发射结上，因此，瞬时工作点将围绕Q点沿输入特性曲线上下移动，从而产生iB的变化，如图222(a)所示。瞬时
40、工作点移动的斜率为:(225)现在学习的是第100页，共199页图222放大器的交流图解分析(a)输入回路的工作波形；(b)输出回路的工作波形现在学习的是第101页，共199页图222放大器的交流图解分析(a)输入回路的工作波形；(b)输出回路的工作波形现在学习的是第102页，共199页画出交流负载线之后，根据电流iB的变化规律，可画出对应的iC和uCE的波形。在图222(b)中，当输入正弦电压使iB按图示的正弦规律变化时，在一个周期内Q点沿交流负载线在Q1到Q2之间上下移动，从而引起iC和uCE分别围绕ICQ和UCEQ作相应的正弦变化。由图可以看出，两者的变化正好相反，即iC增大，uCE减小
41、；反之，iC减小，则uCE增大。现在学习的是第103页，共199页根据上述交流图解分析，可以画出在输入正弦电压下，放大管各极电流和极间电压的波形，如图223所示。观察这些波形，可以得出以下几点结论：(1)放大器输入交变电压时，晶体管各极电流的方向和极间电压的极性始终不变，只是围绕各自的静态值，按输入信号规律近似呈线性变化。(2)晶体管各极电流、电压的瞬时波形中，只有交流分量才能反映输入信号的变化，因此，需要放大器输出的是交流量。现在学习的是第104页，共199页图223共射极放大器的电压、电流波形现在学习的是第105页，共199页(3)将输出与输入的波形对照，可知两者的变化规律正好相反，通常称
42、这种波形关系为反相或倒相。现在学习的是第106页，共199页 253直流工作点与放大器非线性失真的关系直流工作点与放大器非线性失真的关系直流工作点的位置如果设置不当，会使放大器输出波形产生明显的非线性失真。在图224(a)中，Q点设置过低，在输入电压负半周的部分时间内，动态工作点进入截止区，使iB,iC不能跟随输入变化而恒为零，从而引起iB,iC和uCE的波形发生失真，这种失真称为截止失真。由图可知，对于NPN管的共射极放大器，当发生截止失真时，其输出电压波形的顶部被限幅在某一数值上。现在学习的是第107页，共199页若Q点设置过高，如图224(b)所示，则在输入电压正半周的部分时间内，动态工
43、作点进入饱和区。此时，当iB增大时，iC则不能随之增大，因而也将引起iC和uCE波形的失真，这种失真称为饱和失真。由图可见，当发生饱和失真时，其输出电压波形的底部将被限幅在某一数值上。现在学习的是第108页，共199页图224Q点不合适产生的非线性失真(a)截止失真；(b)饱和失真现在学习的是第109页，共199页图224Q点不合适产生的非线性失真(a)截止失真；(b)饱和失真现在学习的是第110页，共199页通过以上分析可知，由于受晶体管截止和饱和的限制，放大器的不失真输出电压有一个范围，其最大值称为放大器输出动态范围。由图224可知，因受截止失真限制，其最大不失真输出电压的幅度为而因饱和失
44、真的限制，最大不失真输出电压的幅度则为(226a)(226b)现在学习的是第111页，共199页式中，UCES表示晶体管的临界饱和压降，一般取为1V。比较以上二式所确定的数值，其中较小的即为放大器最大不失真输出电压的幅度，而输出动态范围Uopp则为该幅度的两倍，即Uopp=2Uom(227)显然，为了充分利用晶体管的放大区，使输出动态范围最大，直流工作点应选在交流负载线的中点处。现在学习的是第112页，共199页 26 放大器的交流等效电路分析法放大器的交流等效电路分析法261 晶体管交流小信号电路模型晶体管交流小信号电路模型根据导出的方法不同，晶体管交流小信号电路模型可分为两类：一类是物理型
45、电路模型，它是模拟晶体管结构及放大过程导出的电路模型，它有多种形式，其中较为通用的是混合型电路模型；另一类是网络参数模型，它是将晶体管看成一个双端口网络，根据端口的电压、电流关系导出的电路模型，其中应用最广的是H参数电路模型。不论按哪种方法导出的电路模型，它们都应当是等价的，因而相互间可以进行转换。现在学习的是第113页，共199页一、混合一、混合型电路模型型电路模型工作在放大状态下的共射极晶体管如图225(a)所示。图225晶体管放大过程分析及电路模型(a)共发射极晶体管；(b)电路模型现在学习的是第114页，共199页晶体管输入端ube控制iB的作用，可以用b,e极间相应的交流结电阻rbe
46、来等效，其大小为静态工作点处uBE对iB的偏导值，即(228)现在学习的是第115页，共199页分别为发射结交流电阻和re等效到基极支路的折合系数。根据正向PN结电流与电压间的近似关系式可求得re，其值为(229)现在学习的是第116页，共199页可见，re与温度有关，并与晶体管直流工作电流IEQ成反比。室温下，UT=26mV，所以re=26mV/IEQ。ube通过ib对ic的控制作用，可以用接在c,e极间的一个电压控制电流源来等效，即ic=gmube(230)式中控制参量gm反映ube对ic的控制能力，称为正向传输电导，简称跨导。其大小为静态工作点处iC对uBE的偏导值，即(231)式中：现
47、在学习的是第117页，共199页为共发射极交流电流放大系数。利用式(228)和,gm又可表示为(232)现在学习的是第118页，共199页根据上述晶体管放大过程画出的共发射极交流等效电路模型如图225(b)所示。图中rce和rbc分别为集电极输出电阻和反向传输电阻，它们都是模拟基区调宽效应的等效参量。由晶体管特性曲线可知，当uCE变化时，iC和iB都将发生相应变化。其中，uce引起的ic变化用交流电阻rce等效，其值为(233)反映在输出特性上，即是曲线在工作点处切线斜率的倒数。uce引起的ib变化用交流电阻rbc等效，其值为现在学习的是第119页，共199页图226为平面管的结构示意图，图中
48、rbb,ree和rcc分别表示基区、发射区和集电区沿电流方向的体电阻。在图225(b)的电路模型中，当考虑了寄生参量rbb,Cbe和Cbc的影响后，便得到完整的混合型电路模型，如图2-27(a)所示。(234)现在学习的是第120页，共199页图226平面管结构示意图现在学习的是第121页，共199页图227完整的混合型电路模型(a)高频时的电路模型；(b)低频时的电路模型现在学习的是第122页，共199页图227完整的混合型电路模型(a)高频时的电路模型；(b)低频时的电路模型现在学习的是第123页，共199页二、低频二、低频H参数电路模型参数电路模型对于图225(a)所示的共发射极晶体管，
49、在低频工作条件下，当把它看成一个双端口网络时，若取iB和uCE为自变量，则有(235a)(235b)在工作点处，对式(235)取全微分，得(236a)(236b)现在学习的是第124页，共199页当输入为正弦量并用有效值表示时，以上两式可写为(237a)(237b)式中：(238a)(238b)(238c)(238d)现在学习的是第125页，共199页分别定义为晶体管输出交流短路时的输入电阻、输入交流开路时的反向电压传输系数、输出交流短路时的电流放大系数和输入交流开路时的输出电导。可见，这四个参数具有不同的量纲，而且要在输入开路或输出交流短路条件下求得。由式(237)并根据四个参数的意义，得出
50、的低频H参数电路模型如图228所示。现在学习的是第126页，共199页图228共发射极晶体管H参数电路模型现在学习的是第127页，共199页由于共射极输入、输出特性曲线本身就是描述晶体管端口特性的一种方式，因此，在工作点处，当用变化量的比值近似偏导数时，可在特性曲线上通过图解求出电路模型中每一参数值。其方法见图229(a)(d)。现在学习的是第128页，共199页图229在特性曲线上求H参数的方法现在学习的是第129页，共199页图229在特性曲线上求H参数的方法现在学习的是第130页，共199页图229在特性曲线上求H参数的方法现在学习的是第131页，共199页图229在特性曲线上求H参数的