第2章__双极型晶体管及其.ppt

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1、第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路 21 双极型晶体管的工作原理双极型晶体管的工作原理 22 晶体管伏安特性曲线及参数晶体管伏安特性曲线及参数23 晶体管工作状态分析及偏置电路晶体管工作状态分析及偏置电路24 放大器的组成及其性能指标放大器的组成及其性能指标25 放大器图解分析法放大器图解分析法26 放大器的交流等效电路分析法放大器的交流等效电路分析法27 共集电极放大器和共基极放大器共集电极放大器和共基极放大器28 放大器的级联放大器的级联 第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路21

2、双极型晶体管的工作原理双极型晶体管的工作原理 双双极极型型晶晶体体管管是是由由三三层层杂杂质质半半导导体体构构成成的的器器件件。它它有有三三个个电电极极，所所以以又又称称为为半半导导体体三三极极管管、晶晶体体三三极极管等，以后我们统称为晶体管。管等，以后我们统称为晶体管。晶晶体体管管的的原原理理结结构构如如图图21(a)所所示示。由由图图可可见见，组组成成晶晶体体管管的的三三层层杂杂质质半半导导体体是是N型型P型型N型型结结构构，所以称为所以称为NPN管。管。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图21晶体管的结构与符号(a)NPN管的示意图；(b)电路符号；(c)平面管

3、结构剖面图第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路211放大状态下晶体管中载流子的传输过程放大状态下晶体管中载流子的传输过程当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下，管内载流子的运动情况可用图2-2说明。我们按传输顺序分以下几个过程进行描述。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路 扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电复合运动形成基极电流流IB，漂移运形成集电极电流漂移运形成集电极电流IC。少数载少数载流子的流子的运动运动因发射区多子浓度高使大量因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区电子从发射区扩散到基区因基

4、区薄且多子浓度低，使极少因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴基区空穴的扩散的扩散图22晶体管内载流子的运动和各极电流第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路一、发射区向基区注入电子一、发射区向基区注入电子 由由于于e结结正正偏偏，因因而而结结两两侧侧多多子子的的扩扩散散占占优优势势，这这时时发发射射区区电电子子源源源源不不断断地地越越过过e结结注注入入到到基基区区，形形成成电电子子注注入入电电

5、流流IEN。与与此此同同时时，基基区区空空穴穴也也向向发发射射区区注注入入，形形成成空空穴穴注注入入电电流流IEP。因因为为发发射射区区相相对对基基区区是是重重掺掺杂杂，基区空穴浓度远低于发射区的电子浓度，所以满足基区空穴浓度远低于发射区的电子浓度，所以满足 IEP IEN，可可忽忽略略不不计计。因因此此，发发射射极极电电流流IEIEN，其方向与电子注入方向相反。其方向与电子注入方向相反。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路二、电子在基区中边扩散边复合二、电子在基区中边扩散边复合注注入入基基区区的的电电子子，成成为为基基区区中中的的非非平平衡衡少少子子，它它在在e结结处

6、处浓浓度度最最大大，而而在在c结结处处浓浓度度最最小小(因因c结结反反偏偏，电电子子浓浓度度近近似似为为零零)。因因此此，在在基基区区中中形形成成了了非非平平衡衡电电子子的的浓浓度度差差。在在该该浓浓度度差差作作用用下下，注注入入基基区区的的电电子子将将继继续续向向c结结扩扩散散。在在扩扩散散过过程程中中，非非平平衡衡电电子子会会与与基基区区中中的的空空穴穴相相遇遇，使使部部分分电电子子因因复复合合而而失失去去。但但由由于于基基区区很很薄薄且且空空穴穴浓浓度度又又低低，所所以以被被复复合合的的电电子子数数极极少少，而而绝绝大大部部分分电电子子都都能能扩扩散散到到c结结边边沿沿。基基区区中中与与

7、电电子子复复合合的的空空穴穴由由基基极极电电源源提提供供，形形成成基基区区复复合合电电流流IBN，它它是是基基极电流极电流IB的主要部分。的主要部分。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路三、扩散到集电结的电子被集电区收集三、扩散到集电结的电子被集电区收集 由由于于集集电电结结反反偏偏，在在结结内内形形成成了了较较强强的的电电场场，因因而而，使使扩扩散散到到c结结边边沿沿的的电电子子在在该该电电场场作作用用下下漂漂移移到到集集电电区区，形形成成集集电电区区的的收收集集电电流流ICN。该该电电流流是是构构成成集集电电极极电电流流IC的的主主要要部部分分。另另外外，集集电电区

8、区和和基基区区的的少少子子在在c结结反反向向电电压压作作用用下下，向向对对方方漂漂移移形形成成c结结反反向向饱饱和和电电流流ICBO，并并流流过过集集电电极极和和基基极极支支路路，构构成成IC、IB的的另另一一部部分电流。分电流。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路212电流分配关系电流分配关系由由以以上上分分析析可可知知，晶晶体体管管三三个个电电极极上上的的电电流流与与内内部载流子传输形成的电流之间有如下关系：部载流子传输形成的电流之间有如下关系：(21a)(21b)(21c)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路式式(21)表表明明，在在e结结

9、正正偏偏、c结结反反偏偏的的条条件件下下，晶晶体体管管三三个个电电极极上上的的电电流流不不是是孤孤立立的的，它它们们能能够够反反映映非非平平衡衡少少子子在在基基区区扩扩散散与与复复合合的的比比例例关关系系。这这一一比比例例关关系系主主要要由由基基区区宽宽度度、掺掺杂杂浓浓度度等等因因素素决决定定，管管子子做做好好后后就就基基本本确确定定了了。反反之之，一一旦旦知知道道了了这这个个比比例例关关系系，就就不不难难得得到到晶晶体体管管三三个个电电极极电电流流之之间间的的关关系系，从从而而为为定量分析晶体管电路提供方便。定量分析晶体管电路提供方便。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放

10、大电路为为了了反反映映扩扩散散到到集集电电区区的的电电流流ICN与与基基区区复复合合电电流流IBN之间的比例关系之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数，定义共发射极直流电流放大系数 为为(22)其含义是：基区每复合一个电子，则有其含义是：基区每复合一个电子，则有 个个电电子子扩扩散散到到集集电电区区去去。值值一一般般在在20200之间。之间。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路确定了值之后，由式(21)、(22)可得(23a)(23b)(23c)式中：(24)称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有(25a)(25b)式(25)是今后电路分析中常用的关系

11、式。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数为(26)显然，1，一般约为0.970.99。由式(26)、(21)，不难求得(27a)(27c)(27b)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路由于,都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由,的定义可得(28)(29)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路213 晶体管的放大作用晶体管的放大作用现现在在用用图图22来来说说明明晶晶体体管管的的放放大

12、大作作用用。若若在在图图中中UBB上上叠叠加加一一幅幅度度为为100mV的的正正弦弦电电压压ui，则则正正向向发发射射结结电电压压会会引引起起相相应应的的变变化化。由由于于e结结正正向向电电流流与与所所加加电电压压呈呈指指数数关关系系，所所以以发发射射极极会会产产生生一一个个较较大大的的注注入入电流电流iE，例如为例如为1mA。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路22 晶体管伏安特性曲线及参数晶体管伏安特性曲线及参数晶晶体体管管伏伏安安特特性性曲曲线线是是描描述述晶晶体体管管各各极极电电流流与与极极间间电电压压关关系系的的曲曲线线，它它对对于于了了解解晶晶体体管管的的导

13、导电电特特性性非非常常有有用用。晶晶体体管管有有三三个个电电极极，通通常常用用其其中中两两个个分分别别作作输输入入、输输出出端端，第第三三个个作作公公共共端端，这这样样可可以以构构成成输输入入和和输输出出两两个个回回路路。实实际际中中，有有图图23所所示示的的三三种种基基本本接接法法(组组态态)，分分别别称称为为共共发发射射极极、共共集集电电极极和和共共基基极极接接法法。其其中中，共共发发射射极极接接法法更更具具代代表表性性，所所以以我我们们主主要要讨论共发射极伏安特性曲线。讨论共发射极伏安特性曲线。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图23晶体管的三种基本接法(a)共

14、发射极；(b)共集电极；(c)共基极第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路221 晶体管共发射极特性曲线晶体管共发射极特性曲线因为有两个回路，所以晶体管特性曲线包括输入和输出两组特性曲线。这两组曲线可以在晶体管特性图示仪的屏幕上直接显示出来，也可以用图24电路逐点测出。一、共发射极输出特性曲线一、共发射极输出特性曲线测量电路如图24所示。共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图24共发射极特性曲线测量电路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路典型的共射输出特性曲线如

15、图25所示。由图可见，输出特性可以划分为三个区域，对应于三种工作状态。现分别讨论如下。1放大区放大区e结结为为正正偏偏，c结结为为反反偏偏的工作区域为放大区。由图25可以看出，在放大区有以下两个特点：第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图25共射输出特性曲线第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路(1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用，即iB有很小的变化量IB时，iC就会有很大的变化量IC。为此，用共发射极交流电流放大系数来表示这种控制能力。定义为(210)反映在特性曲线上，为两条不同IB曲线的间隔。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双

16、极型晶体管及其放大电路(2)uCE变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为，iB一定而uCE增大时，曲线略有上翘(iC略有增大)。这是因为uCE增大，c结反向电压增大，使c结展宽，所以有效基区宽度变窄，这样基区中电子与空穴复合的机会减少，即iB要减小。而要保持iB不变，所以iC将略有增大。这种现象称为基区宽度调制效应，或简称基调效应。从另一方面看，由于基调效应很微弱，uCE在很大范围内变化时IC基本不变。因此，当IB一定时，集电极电流具有恒流特性。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路2饱和区饱和区e结结和和c结结均均处处于于正正偏偏的区域为饱和区。通常把uCE=uBE(

17、即c结零偏)的情况称为临界饱和，对应点的轨迹为临界饱和线。3 截止区截止区 e结结和和c结结均均处处于于反反偏偏，且且iBICBO为为截截止止区区。可以认为iB 0时时，管子便处于截止状态。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路二、共发射极输入特性曲线二、共发射极输入特性曲线测量电路见图24。共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即典型的共发射极输入特性曲线如图26所示。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图26共发射极输入特性曲线第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路(1)在uCE1V的条件下，当u

18、BEUBE(on)时，随着uBE的增大，iB开始按指数规律增加，而后近似按直线上升。(2)当uCE=0时，晶体管相当于两个并联的二极管，所以b,e间加正向电压时，iB很大。对应的曲线明显左移，见图26。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路(3)当uCE在01V之间时，随着uCE的增加，曲线右移。特别在0uCEUCE(sat)的范围内，即工作在饱和区时，移动量会更大些。(4)当uBE0时，晶体管截止，iB为反向电流。若反向电压超过某一值时，e结也会发生反向击穿。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路三、温度对晶体管特性曲线的影响三、温度对晶体管特性曲

19、线的影响温度对晶体管的uBE、ICBO和有不容忽视的影响。其中，uBE、ICBO随温度变化的规律与PN结相同，即温度每升高1，uBE减小22.5mV；温度每升高10，ICBO增大一倍。温度对的影响表现为，随温度的升高而增大，变化规律是：温度每升高1，值增大0.5%1%(即/T(0.51)%/)。温度对uBE、ICBO和的影响，集中反映在ic随温度的升高而增大。在输出特性曲线上表现为温度升高，曲线上移且间隔增大。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路一、电流放大系数一、电流放大系数1共共发发射射极极直直流流电电流流放放大大系系数数 和和交交流流电电流流放放大大系数系数和分别

20、由式(22)、(210)定义，其数值可以从输出特性曲线上求出。2 共共基基极极直直流流电电流流放放大大系系数数 和和交交流流电电流流放放大大系数系数 由式(26)定义，而定义为，uCB为常数时，集电极电流变化量IC与发射极电流变化量IE之比，即(211)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路由于ICBO、ICEO都很小，在数值上 ,。所以在以后的计算中，不再加以区分。应当指出，值与测量条件有关。一般来说，在iC很大或很小时，值较小。只有在iC不大、不小的中间值范围内，值才比较大，且基本不随iC而变化。因此，在查手册时应注意值的测试条件。尤其是大功率管更应强调这一点。例：当

21、IB由10uA变为20uA时，Ic由1mA变到2mA，则第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路二、极间反向电流二、极间反向电流 1 ICBOICBO指发射极开路时，集电极基极间的反向电流，称为集电极反向饱和电流。2 ICEOICEO指基极开路时，集电极发射极间的反向电流，称为集电极穿透电流。3 IEBOIEBO指集电极开路时，发射极基极间的反向电流。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路三、结电容三、结电容结电容包括发射结电容Ce(或Cbe)和集电结电容Cc(或Cbe)。结电容影响晶体管的频率特性。关于晶体管的频率特性参数，详见第五章。第第2章章 双

22、极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路四、晶体管的极限参数四、晶体管的极限参数 1 击穿电压击穿电压U(BR)CBO指发射极开路时，集电极基极间的反向击穿电压。U(BR)CEO指基极开路时，集电极发射极间的反向击穿电压。U(BR)CEOICM时，虽然管子不致于损坏，但值已经明显减小。因此，晶体管线性运用时，iC不应超过ICM。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路3 集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率PCM晶体管工作在放大状态时，c结承受着较高的反向电压，同时流过较大的电流。因此，在c结上要消耗一定的功率，从而导致c结发热，结温升高。当结温过高时，管子的

23、性能下降，甚至会烧坏管子，因此需要规定一个功耗限额。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路PCM与管芯的材料、大小、散热条件及环境温度等因素有关。一个管子的PCM如已确定，则由PCM=ICUCE可知，PCM在输出特性上为一条IC与UCE乘积为定值PCM的双曲线，称为PCM功耗线，如图27所示。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图27晶体管的安全工作区第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路 23 晶体管工作状态分析及偏置电路晶体管工作状态分析及偏置电路由晶体管的伏安特性曲线可知，晶体管是一种复杂的非线性器件。在直流工作时，其非

24、线性主要表现为三种截然不同的工作状态，即放放大大、截截止止和和饱饱和和。在实际应用中，根据实现的功能不同，可通过外电路将晶体管偏置在某一规定状态。因此，在晶体管应用电路分析中，一个首要问题，便是晶体管工作状态分析以及直流电路计算。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路231晶体管的直流模型晶体管的直流模型在通常情况下，由外电路偏置的晶体管，其各极直流电流和极间直流电压将对应于伏安特性曲线上一个点的坐标，这个点称为直流(或静态)工作点，简称Q点。在直流工作时，可将晶体管输入、输出特性曲线(见图25、图26)分别用图2-8(a)和(b)所示的折线近似，这样直流工作点(IBQ,

25、UBEQ)和(ICQ,UCEQ)必然位于该曲线的直线段上。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图28晶体管伏安特性曲线的折线近似(a)输入特性近似；(b)输出特性近似第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路由图28可知，当外电路使UBEUBE(on)(对硅管约为0.7V，锗管约为0.3V)时，IB=0，IC=0，即晶体管截止。此时，相当于b,e极间和c,e极间均开路，相应的直流等效模型如图29(a)所示。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图29晶体管三种状态的直流模型(a)截止状态模型；(b)放大状态模型；(c)饱和状态模型

26、第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路例例1晶体管电路如图210(a)所示。若已知晶体管工作在放大状态，=100，试计算晶体管的IBQ,ICQ和UCEQ。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图210晶体管直流电路分析(a)电路；(b)直流等效电路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图210晶体管直流电路分析(a)电路；(b)直流等效电路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路解解因为UBB使e结正偏，UCC使c结反偏，所以晶体管可以工作在放大状态。这时用图29(b)的模型代替晶体管，便得到图2-10(b)

27、所示的直流等效电路。由图可知故有第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路232晶体管工作状态分析晶体管工作状态分析将晶体管接入直流电路，在通常情况下，围绕晶体管可将电路化为图211(a)所示的一般形式。由图可知，若UBBUEE+UBE(on),且UBB UEE+UBE(on)，则晶体管导通。现假定为放大导通，利用图29(b)的模型可得该电路的直流等效电路如图211(b)所示。由图可得UBB-UEE-UBE(on)=IBQRB+(1+)IBQRE(212a)(212b)(212c)借助式(212)的结果，现在可对电路中的晶体管是处于放大还是饱和作出判别。第第2章章 双极型晶体

28、管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路方法一：方法一：若UCEQUBE(ON)，则放大导通假设成立，管子处于导通状态；若UCEQUBE(ON)，管子进入饱和状态。方法二：计算出Ic（sat），IB（sat）Ic（sat）/，如果IBQIB(sat)，则管子处于放大状态；若IBQIB(sat)，说明管子进入饱和状态。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路例例2晶体管电路及其输入电压ui的波形如图2-12(a),(b)所示。已知=50，试求ui作用下输出电压uo的值，并画出波形图。图212例题2电路及ui,uo波形图(a)电路；(b)ui波形图；(c)uo波形图第第2章章 双

29、极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图212例题2电路及ui,uo波形图(a)电路；(b)ui波形图；(c)uo波形图第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路解解当ui=0时，UBE=0，则晶体管截止。此时，ICQ=0,uo=UCEQ=UCC=5V。当ui=3V时，晶体管导通且有而集电极临界饱和电流为因为第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路所以晶体管处于饱和。此时，ICQ=IC(sat)=1.4mA，而uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。根据上述分析结果画出的uo波形如图212(c)所示。通过本例题可以看出，在实际电路分析中，由于晶

30、体管的直流模型很简单，一旦其工作状态确定，则直流等效电路可不必画出，而等效的涵义将在计算式中反映出来。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路233 放大状态下的偏置电路放大状态下的偏置电路晶体管在放大应用时，要求外电路将晶体管偏置在放大区，而且在信号的变化范围内，管子始终工作在放大状态。此时，对偏置电路的要求是：电路形式要简单。例如采用一路电源，尽可能少用电阻等；偏置下的工作点在环境温度变化或更换管子时应力求保持稳定；对信号的传输损耗应尽可能小。下面将介绍几种常用的偏置电路。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路一、固定偏流电路一、固定偏流电路电路如

31、图213所示。由图可知，UCC通过RB使e结正偏，则基极偏流为(214a)只要合理选择RB,RC的阻值，晶体管将处于放大状态。此时(214b)(214c)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图213固定偏流电路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路这种偏置电路虽然简单，但主要缺点是工作点的稳定性差。由式(214)可知，当温度变化或更换管子引起,ICBO改变时，由于外电路将IBQ固定，所以管子参数的改变都将集中反映到ICQ,UCEQ的变化上。结果会造成工作点较大的漂移，甚至使管子进入饱和或截止状态。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其

32、放大电路二、电流负反馈型偏置电路二、电流负反馈型偏置电路使工作点稳定的基本原理，是在电路中引入自动调节机制，用IB的相反变化去自动抑制IC的变化，从而使ICQ稳定。这种机制通常称为负反馈。实现方法是在管子的发射极串接电阻RE，见图214。由图可知，不管何种原因，如果使ICQ有增大趋向时，电路会产生如下自我调节过程：ICQIEQUEQ(=IEQRE)ICQIEQUBEQ(=UEQ-UEQ)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图214电流负反馈型偏置电路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路结果，因IBQ的减小而阻止了ICQ的增大；反之亦然。可见，通过

33、RE对ICQ的取样和调节，实现了工作点的稳定。显然，RE的阻值越大，调节作用越强，则工作点越稳定。但RE过大时，因UCEQ过小会使Q点靠近饱和区。因此，要二者兼顾，合理选择RE的阻值。该电路与图211(a)电路相比，差别仅在于此时UEE=0,UBB=UCC。参照式(212)，可得工作点的计算式为第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路(215a)(215b)(215c)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路三、分压式偏置电路三、分压式偏置电路分压式偏置电路如图215(a)所示，它是电流负反馈型偏置电路的改进电路。由图可知，通过增加一个电阻RB2，可将基

34、极电位UB固定。这样由ICQ引起的UE变化就是UBE的变化，因而增强了UBE对ICQ的调节作用，有利于Q点的近一步稳定。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图215分压式偏置电路(a)电路；(b)用戴文宁定理等效后的电路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图215分压式偏置电路(a)电路；(b)用戴文宁定理等效后的电路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路为确保UB固定，应满足流过RB1、RB2的电流I1IBQ，这就要求RB1、RB2的取值愈小愈好。但是RB1、RB2过小，将增大电源UCC的无谓损耗，因此要二者兼顾。通常选取

35、并兼顾RE和UCEQ而取(216a)(216a)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路从分析的角度看，在该电路的基极端用戴文宁定理 等 效，可 得 如 图 215(b)的 等 效 电 路。图 中，RB=RB1RB2,UBB=UCCRB2/(RB1+RB2)。此时，工作点可按式(215)计算。如果RB1、RB2取值不大，在估算工作点时，则ICQ可按下式直接求出：(217a)(217b)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路例例3电路如图215(a)所示。已知=100,UCC=12V,RB1=39k,RB2=25k,RC=RE=2k，试计算工作点ICQ和

36、UCEQ。解解 第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路若按估算法直接求ICQ，由式(217a)可得显然两者误差很小。因此，在今后分析中可按估算法来求工作点。与上述稳定Q点的原理相类似，实际中还可采用电压负反馈型偏置电路。其调节原理请读者自行分析。除此之外，在集成电路中，还广泛采用恒流源作偏置电路，即用恒流源直接设定ICQ。有关恒定源问题将在第四章详细讨论。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路24放大器的组成及其性能指标放大器的组成及其性能指标 晶体管的一个基本应用就是构成放大器。所谓放大，是在保持信号不失真的前提下，使其由小变大、由弱变强。因此，放

37、大器在电子技术中有着广泛的应用，是现代通信、自动控制、电子测量、生物电子等设备中不可缺少的组成部分。放大器涉及的问题很多，这些问题将在后续章节中逐一讨论。本节主要说明小信号放大器的组成原理，简要介绍放大器的性能指标，然后给出其二端口网络的一般模型。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路241基本放大器的组成原则基本放大器的组成原则基本放大器通常是指由一个晶体管构成的单级放大器。根据输入、输出回路公共端所接的电极不同，实际有共射极、共集电极和共基极三种基本(组态)放大器。下面以最常用的共射电路为例来说明放大器的一般组成原理。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及

38、其放大电路共射极放大电路如图216所示。图中，采用固定偏流电路将晶体管偏置在放大状态，其中虚线支路的UCC为直流电源，RB为基极偏置电阻，RC为集电极负载电阻。输入信号通过电容C1加到基极输入端，放大后的信号经电容C2由集电极输出给负载RL。因为放大器的分析通常采用稳态法，所以一般情况下是以正弦波作为放大器的基本输入信号。图中用内阻为Rs的正弦电压源Us为放大器提供输入电压Ui。电容C1,C2称为隔直电容或耦合电容，其作用是隔直流通交流，即在保证信号正常流通的情况下，使直流相互隔离互不影响。按这种方式连接的放大器，通常称为阻容耦合放大器。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大

39、电路图216共射极放大电路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路通过上述实例可以看出，用晶体管组成放大器时应该遵循如下原则：(1)必须将晶体管偏置在放大状态，并且要设置合适的工作点。当输入为双极性信号(如正弦波)时，工作点应选在放大区的中间区域；在放大单极性信号(如脉冲波)时，工作点可适当靠向截止区或饱和区。(2)输入信号必须加在基极发射极回路。由于正偏的发射结其iE与uBE的关系仍满足式(14)，即(218)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路而iCiE。所以，uBE对iC有极为灵敏的控制作用。因此，只有将输入信号加到基极发射极回路，使其成为控制

40、电压uBE的一部分，才能得到有效地放大。具体连接时，若射极作为公共支路(端)，则信号加到基极；反之，信号则加到射极。由于反偏的c结对iC几乎没有控制作用，所以输入信号不能加到集电极。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路(3)必须设置合理的信号通路。当信号源和负载与放大器相接时，一方面不能破坏已设定好的直流工作点，另一方面应尽可能减小信号通路中的损耗。实际中，若输入信号的频率较高(几百赫兹以上)，采用阻容耦合则是最佳的连接方式。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路242直流通路和交流通路直流通路和交流通路对一个放大器进行定量分析时，其分析的内容无外

41、乎两个方面。一是直流(静态)工作点分析，即在没有信号输入时，估算晶体管的各极直流电流和极间直流电压。二是交流(动态)性能分析，即在输入信号作用下，确定晶体管在工作点处各极电流和极间电压的变化量，进而计算放大器的各项交流指标。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路以图216所示的共射放大器为例，按照上述方法，将电路中的耦合电容C1,C2开路，得直流通路，如图217(a)所示；将C1,C2短路，直流电源UCC对地也短路，便得交流通路，如图217(b)所示。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图217共射放大器的交、直流通路(a)直流通路；(b)交流通路

42、第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路243放大器的主要性能指标放大器的主要性能指标放大器有一个输入端口，一个输出端口，所以从整体上看，可以把它当作一个有源二端口网络，如图218所示。因为输入信号是正弦量，所以图中有小写下标的大写字母均表示正弦量的有效值，并按二端口网络的约定标出了电流的方向和电压的极性。这样，放大器的性能指标可以用该网络的端口特性来描述。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图218放大器等效为有源二端口网络的框图第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路一、放大倍数一、放大倍数A放大倍数又称为增益，定义为放大器的

43、输出量与输入量的比值。根据处理的输入量和所需的输出量不同，有如下四种不同定义的放大倍数：电压放大倍数电流放大倍数互导放大倍数互导放大倍数互阻放大倍数(219a)(219b)(219c)(219d)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路其中，Au和Ai为无量纲的数值，而Ag的单位为西门子(S)，Ar的单位为欧姆()。有时为了方便，Au和Ai可取分贝(dB)为单位，即(220)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路二、输入电阻二、输入电阻 Ri输入电阻是从放大器输入端看进去的电阻，它定义为在图218的框图中，对信号源来说，放大器相当于它的负载，Ri则表征

44、该负载能从信号源获取多大信号。(221)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路三、输出电阻三、输出电阻Ro输出电阻是从放大器输出端看进去的电阻。在图218的框图中，对负载来说，放大器相当于它的信号源，而Ro正是该信号源的内阻。根据戴文宁定理，放大器的输出电阻定义为(222)Ro是一个表征放大器带负载能力的参数。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路根据放大器输入和输出信号的不同，利用上述三个指标，则图218所示的框图可具体描述为四种二端口网络模型，如图219所示。图中，Auo,Aro分别表示负载开路时的电压、互阻放大倍数，而Ais,Ags则分别表示负

45、载短路时的电流、互导放大倍数。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图219放大器二端口网络模型(a)电压放大器；(b)电流放大器；(c)互导放大器；(d)互阻放大器第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路四、非线性失真系数四、非线性失真系数THD由于放大管输入、输出特性的非线性，因而放大器输出波形不可避免地会产生或大或小的非线性失真。具体表现为，当输入某一频率的正弦信号时，其输出电流波形中除基波成分之外，还包含有一定数量的谐波。为此，定义放大器非线性失真系数为(223)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路式中I1m为输出电流的

46、基波幅值，Inm为二次谐波以上的各谐波分量幅值。由于小信号放大时非线性失真很小，所以只有在大信号工作时才考虑THD指标。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路五、线性失真五、线性失真放大器的实际输入信号通常是由众多频率分量组成的复杂信号。由于放大电路中含有电抗元件(主要是电容)，因而放大器对信号中的不同频率分量具有不同的放大倍数和附加相移，造成输出信号中各频率分量间大小比例和相位关系发生变化，从而导致输出波形相对于输入波形产生畸变。通常将这种输出波形的畸变称为放大器的线性失真或频率失真。有关描述线性失真的一些具体指标，如截止频率、通频带等将在第五章中详细说明。第第2章章

47、双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路25 放大器图解分析法放大器图解分析法 251直流图解分析直流图解分析直流图解分析是在晶体管特性曲线上，用作图的方法确定出直流工作点，求出IBQ、UBEQ和ICQ、UCEQ。对于图216所示共射极放大器，其直流通路重画于图220(a)中。由图可知，在集电极输出回路，可列出如下一组方程：(224a)(224b)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图220共射放大器的直流、交流通路(a)直流通路；(b)交流通路第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路如图221(a)所示。图中，直流负载线MN与iB=IBQ的

48、输出特性曲线相交于Q点，则该点就是方程组(224)的解(即直流工作点)。因而，量得Q点的纵坐标为ICQ，横坐标则为UCEQ。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图221放大器的直流图解分析(a)直流负载线与Q点；(b)Q点与RB、RC的关系第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图221放大器的直流图解分析(a)直流负载线与Q点；(b)Q点与RB、RC的关系第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路例例4 在图220(a)电路中，若RB=560k,RC=3k,UCC=12V，晶体管的输出特性曲线如图221(b)所示，试用图解法确定直

49、流工作点。解解 取UBEQ=0.7V，由估算法可得第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路在输出特性上找两个特殊点：当uCE=0时，iC=UCC/RC=12/3=4mA，得M点；当iC=0时，uCE=UCC=12V，得N点。连接以上两点便得到图221(b)中的直流负载线MN，它与IB=20A的一条特性曲线的交点Q，即为直流工作点。由图中Q点的坐标可得，ICQ=2mA,UCEQ=6V。第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路252交流图解分析交流图解分析交流图解分析是在输入信号作用下，通过作图来确定放大管各级电流和极间电压的变化量。此时，放大器的交流通路如

50、图220(b)所示。由图可知，由于输入电压连同UBEQ一起直接加在发射结上，因此，瞬时工作点将围绕Q点沿输入特性曲线上下移动，从而产生iB的变化，如图222(a)所示。瞬时工作点移动的斜率为:(225)第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图222放大器的交流图解分析(a)输入回路的工作波形；(b)输出回路的工作波形第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路图222放大器的交流图解分析(a)输入回路的工作波形；(b)输出回路的工作波形第第2章章 双极型晶体管及其放大电路双极型晶体管及其放大电路画出交流负载线之后，根据电流iB的变化规律，可画出对应的iC和