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1、半导体物理 第五章第1页，此课件共91页哦 在第在第4 4章中，学习了热平衡状态下半导体材料中导带电章中，学习了热平衡状态下半导体材料中导带电子和价带空穴的浓度。这些载流子如果发生净的定向流动，子和价带空穴的浓度。这些载流子如果发生净的定向流动，就会形成电流。就会形成电流。通常把载流子定向流动的过程称为通常把载流子定向流动的过程称为载流子的输运过程。载流子的输运过程。半导体中载流子的输运机理有两种：半导体中载流子的输运机理有两种：漂移运动；漂移运动；扩散运动；扩散运动；第2页，此课件共91页哦 5.1 5.1 载流子的漂移运动载流子的漂移运动概念概念漂移运动漂移运动:载流子在外加电场作用下的定
2、向运动。载流子在外加电场作用下的定向运动。外加电场给半导体材料中的载流子施加一外加电场给半导体材料中的载流子施加一 个电场力。个电场力。漂移电流：漂移电流：载流子进行漂移运动所形成的电流。载流子进行漂移运动所形成的电流。第3页，此课件共91页哦载流子的运动过程（以电子为例）：载流子的运动过程（以电子为例）：无外加电场无外加电场:在没有外加电场的情况下，电子在半导体晶体材料在没有外加电场的情况下，电子在半导体晶体材料中进行中进行无规则无规则的热运动。的热运动。由于电子与晶格原子之间的碰撞作用，这种无规则的由于电子与晶格原子之间的碰撞作用，这种无规则的热运动将不断地改变电子的运动方向。温度越高，电
3、子在热运动将不断地改变电子的运动方向。温度越高，电子在发生两次碰撞之间的自由运动时间也就越短。发生两次碰撞之间的自由运动时间也就越短。第4页，此课件共91页哦在在没有没有外加电场情况下，电子在半导体晶体材料中的运外加电场情况下，电子在半导体晶体材料中的运动轨迹。动轨迹。第5页，此课件共91页哦存在外加电场：存在外加电场：在在有外加电场存在有外加电场存在的情况下，电子除了无规则的热运动的情况下，电子除了无规则的热运动之外，还将在外加电场的作用下做之外，还将在外加电场的作用下做定向定向的加速运动。的加速运动。但是电子的速度不会无限制地增加下去，而是会因为碰撞但是电子的速度不会无限制地增加下去，而是
4、会因为碰撞作用不断地失去定向运动的速度，然后再重新开始加速，作用不断地失去定向运动的速度，然后再重新开始加速，最后等效来看，电子在外加电场的作用下将会获得一个平最后等效来看，电子在外加电场的作用下将会获得一个平均的定向运动速度。均的定向运动速度。第6页，此课件共91页哦存在外加电场，电子在半导体晶体材料中的运动轨迹：存在外加电场，电子在半导体晶体材料中的运动轨迹：第7页，此课件共91页哦结论：结论：在半导体晶体材料中，由于晶格原子的碰撞作用，载流子的运动在半导体晶体材料中，由于晶格原子的碰撞作用，载流子的运动方向会不断地发生变化：方向会不断地发生变化：没有外加电场时，载流子总的平均定向运动速度
5、为零；没有外加电场时，载流子总的平均定向运动速度为零；有外加电场时，载流子将在原来热运动的基础上，叠加一个定向有外加电场时，载流子将在原来热运动的基础上，叠加一个定向的漂移运动。的漂移运动。第8页，此课件共91页哦5.1.1 5.1.1 漂移电流密度漂移电流密度电流密度电流密度 J J（A/cmA/cm2 2):):通过垂直于电流方向单位面通过垂直于电流方向单位面 积的电流。积的电流。漂移电流密度表示方法：漂移电流密度表示方法：J Jdrfdrf 如下图所示的一块半导体材料，当在其两端外加电压如下图所示的一块半导体材料，当在其两端外加电压V V之后，所形成的电流密度为：之后，所形成的电流密度为
6、：第9页，此课件共91页哦式中，式中，N N：导电载流子的密度；：导电载流子的密度；V V：载流子的平均定向漂移速度；：载流子的平均定向漂移速度；第10页，此课件共91页哦在低电场情况下在低电场情况下，载流子的定向漂移速度与外加电场成，载流子的定向漂移速度与外加电场成正比，即：正比，即：-载流子的载流子的迁移率迁移率，单位：，单位：cm2/V-s。载流子的漂移电流密度可表示为：载流子的漂移电流密度可表示为：第11页，此课件共91页哦第12页，此课件共91页哦对于半导体材料中的空穴，其漂移电流密度可表示为：对于半导体材料中的空穴，其漂移电流密度可表示为：同样，对于半导体材料中的电子，其漂移电流密
7、度可表同样，对于半导体材料中的电子，其漂移电流密度可表示为：示为：n n、p p分别为电子和空穴的迁移率。分别为电子和空穴的迁移率。第13页，此课件共91页哦在半导体材料中，总的漂移电流密度可表示为：在半导体材料中，总的漂移电流密度可表示为：第14页，此课件共91页哦5.1.2 5.1.2 迁移率迁移率 迁移率是半导体的重要参数，反映了载流子的漂移特性。迁移率是半导体的重要参数，反映了载流子的漂移特性。定义定义：弱电场情况下：弱电场情况下 对于空穴而言，则有：对于空穴而言，则有：第15页，此课件共91页哦假设空穴的初始速度为零，对上式积分则有假设空穴的初始速度为零，对上式积分则有自由运动时间：
8、自由运动时间：连续两次散射之间的载流子自由运动连续两次散射之间的载流子自由运动 的平均时间。的平均时间。第16页，此课件共91页哦设空穴其自由运动时间为设空穴其自由运动时间为cpcp。则空穴在一次自由运动时间内所获得的定向漂移运动速度则空穴在一次自由运动时间内所获得的定向漂移运动速度为为:则空穴的迁移率为则空穴的迁移率为第17页，此课件共91页哦同样，对电子来说，设其自由运动时间为同样，对电子来说，设其自由运动时间为cncn，则有：，则有：迁移率与有效质量有关。迁移率与有效质量有关。有效质量小，在相同的平均漂移时间内获得的有效质量小，在相同的平均漂移时间内获得的 漂移速度就大。漂移速度就大。迁
9、移率与平均自由运动时间有关。迁移率与平均自由运动时间有关。平均自由运动时间越长，则载流子获得的加速时平均自由运动时间越长，则载流子获得的加速时 间就越长，因而漂移速度越大。间就越长，因而漂移速度越大。平均自由运动时间与散射几率有关。平均自由运动时间与散射几率有关。第18页，此课件共91页哦散射机制（即碰撞机制）散射机制（即碰撞机制）对于载流子在半导体晶体材料中的定向运动来说，存在着两种对于载流子在半导体晶体材料中的定向运动来说，存在着两种主要的散射机理：主要的散射机理：晶格原子的振动散射晶格原子的振动散射（声子散射）（声子散射）电离杂质散射电离杂质散射它们共同决定载流子的平均自由运动时间。它们
10、共同决定载流子的平均自由运动时间。第19页，此课件共91页哦1 1）晶格振动散射）晶格振动散射 当温度高于绝对零度时，半导体晶体中的原子具有一定当温度高于绝对零度时，半导体晶体中的原子具有一定的热能，在其晶格位置上作无规则的热振动。破坏了理想的的热能，在其晶格位置上作无规则的热振动。破坏了理想的周期性势场周期性势场 ，导致载流子与振动的晶格原子发生碰撞，引，导致载流子与振动的晶格原子发生碰撞，引起载流子的散射。起载流子的散射。由晶格振动散射所决定的载流子迁移率随温度的由晶格振动散射所决定的载流子迁移率随温度的变化关系为：变化关系为：随着温度的升高，晶格振动越为剧烈，因而对载流随着温度的升高，晶
11、格振动越为剧烈，因而对载流子的散射作用也越强，从而导致迁移率越低子的散射作用也越强，从而导致迁移率越低第20页，此课件共91页哦硅单晶材料中电子的迁移率随温度的变化。硅单晶材料中电子的迁移率随温度的变化。从图中可以看出，从图中可以看出，在掺杂浓度比较在掺杂浓度比较低低时，时，电子的迁移率随温度电子的迁移率随温度的变化十分明显。的变化十分明显。这表明在低掺杂浓度这表明在低掺杂浓度的条件下，电子的迁的条件下，电子的迁移率主要受晶格振动移率主要受晶格振动散射的影响。散射的影响。第21页，此课件共91页哦从图中可以出，在掺杂浓从图中可以出，在掺杂浓度较低时，空穴的迁移率度较低时，空穴的迁移率同样随温度
12、的变化十分明同样随温度的变化十分明显。显。这表明在低掺杂浓度这表明在低掺杂浓度的条件下，空穴的迁的条件下，空穴的迁移率也是主要受晶格移率也是主要受晶格振动散射的影响。振动散射的影响。硅单晶材料中空穴的迁移率随温度的变化。硅单晶材料中空穴的迁移率随温度的变化。第22页，此课件共91页哦2 2）电离杂质散射）电离杂质散射电离的杂质在它的周围邻近地区形成库仑场，库仑作用引起电离的杂质在它的周围邻近地区形成库仑场，库仑作用引起的散射会改变载流子的速度。的散射会改变载流子的速度。第23页，此课件共91页哦载载流子的散射（流子的散射（碰撞碰撞）：）：载载流子速度的改流子速度的改变变。经经典碰撞：典碰撞：实
13、际实际的接触的接触为为碰撞。碰撞。类类比比：堵：堵车时车时，汽，汽车车的移的移动动速度和方向，不断由于其它速度和方向，不断由于其它汽汽车车的位置的位置变变化而化而变变化。尽管没有化。尽管没有实际实际接触，但由于阻接触，但由于阻碍碍车车的存在，造成了汽的存在，造成了汽车车本身速度大小和方向的改本身速度大小和方向的改变变。这类这类似于似于载载流子的散射，也即碰撞。流子的散射，也即碰撞。第24页，此课件共91页哦由电离杂质散射所决定的载流子迁移率随温度和总的电由电离杂质散射所决定的载流子迁移率随温度和总的电离杂质浓度的变化关系为：离杂质浓度的变化关系为：其中其中N NI IN ND DN NA A
14、，N NI I为总的离化杂质浓度。为总的离化杂质浓度。结论：结论：离化杂质散射所决定的载流子迁移率：离化杂质散射所决定的载流子迁移率：随温度的升高而增大；随温度的升高而增大；随离化杂质浓度的增加而减小；随离化杂质浓度的增加而减小；第25页，此课件共91页哦 原因：原因：温度越高温度越高，载流子热运动的程度就会越剧烈，载流子通过，载流子热运动的程度就会越剧烈，载流子通过离化杂质电荷中心附近所需的时间就会越短，离化杂质散离化杂质电荷中心附近所需的时间就会越短，离化杂质散射所起的作用也就越小，迁移率越大。射所起的作用也就越小，迁移率越大。离化杂质浓度越高离化杂质浓度越高，散射中心增多，载流子遭受散射
15、，散射中心增多，载流子遭受散射的机会越多，迁移率越小。的机会越多，迁移率越小。第26页，此课件共91页哦室温条件（室温条件（300K300K）下，硅单晶材料中电子和空穴的迁）下，硅单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。由图可知，随着掺杂浓度的提高，载流子的迁移率发生明显由图可知，随着掺杂浓度的提高，载流子的迁移率发生明显的下降。的下降。第27页，此课件共91页哦室温（室温（300K300K）条件下，锗单晶材料中电子和空穴的迁移率）条件下，锗单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。随总的掺杂浓度的变化关系曲线。由图可知，随着
16、掺杂浓度的提高，锗材料中载流子的迁由图可知，随着掺杂浓度的提高，锗材料中载流子的迁移率也发生明显的下降。移率也发生明显的下降。第28页，此课件共91页哦室温（室温（300K300K）条件下砷化镓单晶材料中电子和空穴的迁移率）条件下砷化镓单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。随总的掺杂浓度的变化关系曲线。由图可知，随着掺杂浓度的提高，砷化镓材料中载流子的迁由图可知，随着掺杂浓度的提高，砷化镓材料中载流子的迁移率同样也发生明显的下降。移率同样也发生明显的下降。第29页，此课件共91页哦3 3）存在两种散射机制时载流子的迁移率）存在两种散射机制时载流子的迁移率假设假设L L是由于
17、晶格振动散射所导致的载流子自由运动时间，是由于晶格振动散射所导致的载流子自由运动时间，则载流子在则载流子在dtdt时间内发生晶格振动散射的几率为时间内发生晶格振动散射的几率为dt/dt/L L；假设假设I I是由于离化杂质散射所导致的载流子自由运动时间，是由于离化杂质散射所导致的载流子自由运动时间，则载流子在则载流子在dtdt时间内发生离化杂质散射的几率为时间内发生离化杂质散射的几率为dt/dt/I I；如果两种散射机制相互独立，则在如果两种散射机制相互独立，则在dtdt时间内载流子发生时间内载流子发生散射的总几率为：散射的总几率为：第30页，此课件共91页哦 其中其中是载流子发生连续两次任意
18、散射过程之间的是载流子发生连续两次任意散射过程之间的自由运动时间。自由运动时间。物理意义：物理意义：载流子在半导体晶体材料中所受到的总载流子在半导体晶体材料中所受到的总散射几率等于各个不同散射机制的散射几率之和，这对散射几率等于各个不同散射机制的散射几率之和，这对于多种散射机制同时存在的情况也是成立的。于多种散射机制同时存在的情况也是成立的。利用迁移率公式：利用迁移率公式：第31页，此课件共91页哦上式中：上式中：I I：只有离化杂质散射存在时的载流子迁移率；：只有离化杂质散射存在时的载流子迁移率；L L：只有晶格振动散射存在时的载流子迁移率；：只有晶格振动散射存在时的载流子迁移率；：总的载流
19、子迁移率。：总的载流子迁移率。当有多个独立的散射机制同时存在时，上式依然成立，当有多个独立的散射机制同时存在时，上式依然成立，这也意味着由于多种散射机制的影响，载流子总的迁移这也意味着由于多种散射机制的影响，载流子总的迁移率将会更低。率将会更低。第32页，此课件共91页哦：半导体晶体材料的电导率，单位：半导体晶体材料的电导率，单位(cm)cm)-1-1。5.1.3 5.1.3 半导体材料的电导率和电阻率半导体材料的电导率和电阻率 有外加电场作用的情况下，半导体材料中的载流子有外加电场作用的情况下，半导体材料中的载流子漂移电流密度为：漂移电流密度为：第33页，此课件共91页哦电导率的倒数就是电阻
20、率，其表达式为电导率的倒数就是电阻率，其表达式为显然：电导率（电阻率）与载流子浓度（掺杂显然：电导率（电阻率）与载流子浓度（掺杂 浓度）和迁移率有关浓度）和迁移率有关第34页，此课件共91页哦硅单晶材料在硅单晶材料在300K300K条件下，电阻率随掺杂浓度的变化条件下，电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。关系曲线。第35页，此课件共91页哦锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在300K300K条件下，电阻率条件下，电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。随掺杂浓度的变化关系曲线。第36页，此课件共91页哦半导体材料的欧姆定律半导体材料的欧姆定律对于如图所示的一块半导体材料，当在其两端
21、外加电压对于如图所示的一块半导体材料，当在其两端外加电压V V时，时，流过截面流过截面A A的电流密度为：的电流密度为：在半导体材料中形成的电场在半导体材料中形成的电场强度为强度为第37页，此课件共91页哦上式即为半导体材料中的欧姆定律。上式即为半导体材料中的欧姆定律。利用利用可得到可得到第38页，此课件共91页哦 假设有一块掺杂浓度为假设有一块掺杂浓度为N NA A的的P P型半导体材料（型半导体材料（N ND D0 0），），且且N NA Anni i，假设电子和空穴的迁移率基本上是在一个数量级，假设电子和空穴的迁移率基本上是在一个数量级上，则半导体材料的电导率为：上，则半导体材料的电导率
22、为：假设杂质完全离化，则有：假设杂质完全离化，则有：第39页，此课件共91页哦结论：结论：非本征半导体材料的电导率（或电阻率）主要由多数载流子非本征半导体材料的电导率（或电阻率）主要由多数载流子的浓度及其迁移率决定。的浓度及其迁移率决定。第40页，此课件共91页哦对于本征半导体材料，其电导率可以表示为：对于本征半导体材料，其电导率可以表示为：注意，注意，由于电子和空穴的迁移率一般情况下并不相等，因此本由于电子和空穴的迁移率一般情况下并不相等，因此本征电导率并非是在特定温度下半导体材料电导率的最小值。征电导率并非是在特定温度下半导体材料电导率的最小值。第41页，此课件共91页哦小结小结:电阻率（
23、电导率）同时受载流子浓度（杂质浓度）电阻率（电导率）同时受载流子浓度（杂质浓度）和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性关系。关系。杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线，主要原因：杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线，主要原因：迁移率随杂质浓度的增加而显著下降。迁移率随杂质浓度的增加而显著下降。对于非本征半导体来说，材料的电阻率（电导率）对于非本征半导体来说，材料的电阻率（电导率）主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。由于电子和空穴的迁移率不同，因而在一定温度下，由于电子和空穴的迁移率不同，因而在一定温度下，不一定本征半
24、导体的电导率最小。不一定本征半导体的电导率最小。第42页，此课件共91页哦电导率同温度的关系：电导率同温度的关系：施主浓度施主浓度N ND D为为1E15cm1E15cm-3-3 ，N N型半导体材料中的电子浓度及其电型半导体材料中的电子浓度及其电导率随温度的变化关系曲线导率随温度的变化关系曲线。第43页，此课件共91页哦总结总结:1 1）中等温度区中等温度区（200K200K至至450K450K）：在此温度区内载流子以）：在此温度区内载流子以非本征激发为主，杂质完全电离，电子的浓度基本保持非本征激发为主，杂质完全电离，电子的浓度基本保持不变；但在该温度区内，载流子的迁移率随温度的升高不变；但
25、在该温度区内，载流子的迁移率随温度的升高而下降，因此半导体的电导率随温度的升高出现了一段而下降，因此半导体的电导率随温度的升高出现了一段下降的情形。下降的情形。2 2）高温区高温区（本征激发区），本征载流子的浓度随着温度的上（本征激发区），本征载流子的浓度随着温度的上升而迅速增加，因此电导率也随着温度的上升而迅速增加。升而迅速增加，因此电导率也随着温度的上升而迅速增加。3 3）低温区，低温区，由于杂质原子的冻结效应，载流子浓度和半导由于杂质原子的冻结效应，载流子浓度和半导体材料的电导率都随着温度的下降而不断减小。体材料的电导率都随着温度的下降而不断减小。第44页，此课件共91页哦5.1.4 5
26、.1.4 载流子的漂移速度饱和效应载流子的漂移速度饱和效应 前边关于迁移率的讨论一直建立在一个基础之上：前边关于迁移率的讨论一直建立在一个基础之上：弱场弱场条件条件。即电场造成的漂移速度和热运动速度相比较小，。即电场造成的漂移速度和热运动速度相比较小，从而不显著改变从而不显著改变载流子的平均自由时间载流子的平均自由时间。但在强场下，载流子从电场获得的能量较多，从而但在强场下，载流子从电场获得的能量较多，从而其速度（动量）有较大的改变，这时，会造成平均自由其速度（动量）有较大的改变，这时，会造成平均自由时间减小，散射增强，最终导致迁移率下降，速度饱和。时间减小，散射增强，最终导致迁移率下降，速度
27、饱和。第45页，此课件共91页哦在在T=300KT=300K的室温条件下，载流子的随机热运动能量可表的室温条件下，载流子的随机热运动能量可表示为：示为：上述随机热运动能量对应于硅材料中电子的平均热上述随机热运动能量对应于硅材料中电子的平均热运动速度为运动速度为10107 7cm/scm/s；第46页，此课件共91页哦 如果假设在低掺杂浓度下硅材料中电子的迁移率为如果假设在低掺杂浓度下硅材料中电子的迁移率为n n=1350cm=1350cm2 2/V/V s s，则当外加电场为，则当外加电场为75V/cm75V/cm时，对应的载流时，对应的载流子定向漂移运动速度仅为子定向漂移运动速度仅为1010
28、5 5cm/scm/s，只有平均热运动速度，只有平均热运动速度的的百分之一百分之一。因此，在低电场的情况下，载流子的平均自由运动时间因此，在低电场的情况下，载流子的平均自由运动时间由载流子的热运动速度决定，不随电场的改变而发生变化，由载流子的热运动速度决定，不随电场的改变而发生变化，因此低电场下载流子的迁移率可以看成是一个常数。因此低电场下载流子的迁移率可以看成是一个常数。第47页，此课件共91页哦 当外加电场增强到当外加电场增强到7.5kV/cm7.5kV/cm，对应的载流子定向漂移运，对应的载流子定向漂移运动速度将达到动速度将达到10107 7cm/scm/s，已经与载流子的平均热运动速度
29、，已经与载流子的平均热运动速度持平。持平。此时，载流子的平均自由运动时间将由此时，载流子的平均自由运动时间将由热运动速度热运动速度和和定向漂定向漂移运动速度移运动速度共同决定，因此载流子的平均自由运动时间共同决定，因此载流子的平均自由运动时间将随着外加电场的增强而不断下降，由此导致载流子的将随着外加电场的增强而不断下降，由此导致载流子的迁移率随着外加电场的不断增大而出现逐渐下降的趋势，迁移率随着外加电场的不断增大而出现逐渐下降的趋势，最终使得载流子的漂移运动速度出现最终使得载流子的漂移运动速度出现饱和现象饱和现象，即载流，即载流子的漂移运动速度不再随着外加电场的增加而继续增大。子的漂移运动速度
30、不再随着外加电场的增加而继续增大。第48页，此课件共91页哦简单模型简单模型假设载流子在两次碰撞之间的自由路程为假设载流子在两次碰撞之间的自由路程为l l，自由，自由运动时间为运动时间为t t，载流子的运动速度为，载流子的运动速度为v v：在电场作用下：在电场作用下：v vd d为电场中的漂移速度，为电场中的漂移速度，v vT T为热运动速度。为热运动速度。第49页，此课件共91页哦弱场：平均漂移速度平均漂移速度 ：第50页，此课件共91页哦较强电场：强电场：平均漂移速度平均漂移速度v vd d 随电场增加而缓慢增大随电场增加而缓慢增大第51页，此课件共91页哦速度饱和速度饱和第52页，此课件
31、共91页哦锗、硅及砷化镓单晶材料电子和空穴的漂移运动速度随着锗、硅及砷化镓单晶材料电子和空穴的漂移运动速度随着外加电场强度的变化。外加电场强度的变化。第53页，此课件共91页哦 从上述载流子漂移速度随外加电场的变化关系曲线中可以从上述载流子漂移速度随外加电场的变化关系曲线中可以看出：看出：在在低电场低电场条件下，漂移速度与外加电场成线性变化关条件下，漂移速度与外加电场成线性变化关系，系，曲线的斜率就是载流子的迁移率曲线的斜率就是载流子的迁移率；在在高电场高电场条件下，漂移速度与电场之间的变化关系将逐条件下，漂移速度与电场之间的变化关系将逐渐偏离低电场条件下的线性变化关系，最终达到饱和。渐偏离低
32、电场条件下的线性变化关系，最终达到饱和。第54页，此课件共91页哦以硅单晶材料中的电子为例，当外加电场增加到以硅单晶材料中的电子为例，当外加电场增加到30kV/cm30kV/cm时，其漂移速度将达到饱和值，即达到时，其漂移速度将达到饱和值，即达到10107 7cm/scm/s；当载流子的漂移速度出现饱和时，漂移电流密度也将出当载流子的漂移速度出现饱和时，漂移电流密度也将出现饱和特性，即漂移电流密度不再随着外加电场的进一现饱和特性，即漂移电流密度不再随着外加电场的进一步升高而增大。步升高而增大。第55页，此课件共91页哦对于对于砷化镓晶体材料砷化镓晶体材料，其载流子的漂移速度随外加电场，其载流子
33、的漂移速度随外加电场的变化要比硅和锗单晶材料中的情况复杂得多，这主要的变化要比硅和锗单晶材料中的情况复杂得多，这主要是由砷化镓材料特殊的能带结构所决定的。是由砷化镓材料特殊的能带结构所决定的。从上图曲线可以看出：从上图曲线可以看出：在在低电场条件低电场条件下，漂移速度与外加电场成线性变化关系，曲下，漂移速度与外加电场成线性变化关系，曲线的斜率就是低电场下电子的迁移率，为线的斜率就是低电场下电子的迁移率，为8500cm8500cm2 2/V/V s s，这个，这个数值要比硅单晶材料高出很多；数值要比硅单晶材料高出很多；随着外加电场的不断增强，电子的漂移速度逐渐达到一个随着外加电场的不断增强，电子
34、的漂移速度逐渐达到一个峰值点峰值点，然后又开始下降，此时就会出现一段，然后又开始下降，此时就会出现一段负微分迁移率负微分迁移率的区间，此效应又将导致负微分电阻特性的区间，此效应又将导致负微分电阻特性第56页，此课件共91页哦的出现。此特性可用于振荡器电路的设计。的出现。此特性可用于振荡器电路的设计。负微分迁移率效应的出现可以从砷化镓单晶材料负微分迁移率效应的出现可以从砷化镓单晶材料的的EkEk关系曲线来解释：关系曲线来解释：低电场低电场下，砷化镓单晶材料导带中的电子能量比较低，下，砷化镓单晶材料导带中的电子能量比较低，主要集中在主要集中在EkEk关系图中态密度有效质量比较小的下能谷，关系图中态
35、密度有效质量比较小的下能谷，m mn n*=0.067m*=0.067m0 0，因此具有比较大的迁移率。，因此具有比较大的迁移率。第57页，此课件共91页哦 当电场比较强时，导带当电场比较强时，导带中的电子将被电场加速并获中的电子将被电场加速并获得能量，使得部分下能谷中得能量，使得部分下能谷中的电子被散射到的电子被散射到EkEk关系图关系图中态密度有效质量比较大的中态密度有效质量比较大的上能谷，上能谷，m mn n*=0.55m*=0.55m0 0，因此这，因此这部分电子的迁移率将会出现部分电子的迁移率将会出现下降的情形，这样就会导致下降的情形，这样就会导致导带中电子的总迁移率随着导带中电子的
36、总迁移率随着电场的增强而下降，从而引电场的增强而下降，从而引起负微分迁移率和负微分电起负微分迁移率和负微分电阻特性。阻特性。第58页，此课件共91页哦 5.2 5.2 载流子的扩散运动载流子的扩散运动 当载流子在空间存在不均匀分布时，载流子将由高浓度区当载流子在空间存在不均匀分布时，载流子将由高浓度区向低浓度区运动向低浓度区运动-扩散。扩散。扩散是通过载流子的热运动实现的。由于热运动，不扩散是通过载流子的热运动实现的。由于热运动，不同区域之间不断进行着载流子的交换，若载流子的分布不同区域之间不断进行着载流子的交换，若载流子的分布不均匀，这种交换就会使得分布均匀化，引起载流子在宏观均匀，这种交换
37、就会使得分布均匀化，引起载流子在宏观上的运动。因此扩散流的大小与载流子的不均匀性相关，上的运动。因此扩散流的大小与载流子的不均匀性相关，而与数量无直接关系。而与数量无直接关系。第59页，此课件共91页哦粒子的扩散粒子的扩散空间分布不均匀（浓度梯度）空间分布不均匀（浓度梯度）无规则的热运动无规则的热运动若粒子带电，则定向的扩散形成定向的电流若粒子带电，则定向的扩散形成定向的电流-扩扩散电流。散电流。光光照照第60页，此课件共91页哦5.2.1 5.2.1 扩散电流密度扩散电流密度首先假设电子浓度是一维变化，其中电子的浓度梯度如图所首先假设电子浓度是一维变化，其中电子的浓度梯度如图所示，半导体中各
38、处温度均匀，因此电子的平均热运动速度也示，半导体中各处温度均匀，因此电子的平均热运动速度也与位置无关。与位置无关。第61页，此课件共91页哦 扩散流密度扩散流密度：单位时间通过扩散的方式流过垂直于扩散流：单位时间通过扩散的方式流过垂直于扩散流方向单位截面积的粒子数。方向单位截面积的粒子数。扩散形成的扩散电子流密度用扩散形成的扩散电子流密度用FnFn表示。表示。在某一截面两侧电子的平均自由程在某一截面两侧电子的平均自由程 ln ln 范围内，由于热范围内，由于热运动而穿过截面的电子数为该区域电子数的运动而穿过截面的电子数为该区域电子数的1/21/2。单位时间通过单位时间通过x=0 x=0处截面沿
39、着处截面沿着x x轴方向的净电子流密度可表示轴方向的净电子流密度可表示为：为：第62页，此课件共91页哦将电子浓度按照泰勒级数在将电子浓度按照泰勒级数在x=0处展开处展开第63页，此课件共91页哦因此单位时间由于电子的扩散运动而通过因此单位时间由于电子的扩散运动而通过x=0 x=0处截面沿着处截面沿着x x轴方向的电子电流密度为：轴方向的电子电流密度为：其中其中D Dn n为电子的为电子的扩散系数扩散系数，其单位为，其单位为cmcm2 2/s/s。第64页，此课件共91页哦因此由于电子的扩散运动所引起的扩散电流密度可表示因此由于电子的扩散运动所引起的扩散电流密度可表示为：为：第65页，此课件共
40、91页哦同样，由于空穴的扩散运动所引起的扩散电流密度可表示为：同样，由于空穴的扩散运动所引起的扩散电流密度可表示为：第66页，此课件共91页哦 5.2.2 5.2.2 总电流密度总电流密度半导体中存在四种独立的电流：电子的漂移及扩散半导体中存在四种独立的电流：电子的漂移及扩散电流；空穴的漂移及扩散电流。电流；空穴的漂移及扩散电流。因此在一维情况下，因此在一维情况下，总电流密度为四者之和：总电流密度为四者之和：漂移电流：漂移电流：相同的电场下，电子相同的电场下，电子电流与空穴电流的方电流与空穴电流的方向相同。向相同。扩散电流：扩散电流：相同的浓度梯度下，相同的浓度梯度下，电子电流与空穴电流电子电
41、流与空穴电流的方向相反。的方向相反。在半导体中，电子和空穴的扩散系数分别与其迁移率有关在半导体中，电子和空穴的扩散系数分别与其迁移率有关第67页，此课件共91页哦推广为一般的三维情形，半导体材料中总的电流密度可推广为一般的三维情形，半导体材料中总的电流密度可表示为：表示为：第68页，此课件共91页哦下表所示为室温条件下硅、砷化镓以及锗单晶材料中电下表所示为室温条件下硅、砷化镓以及锗单晶材料中电子、空穴的迁移率和扩散系数的典型值。子、空穴的迁移率和扩散系数的典型值。第69页，此课件共91页哦在电流密度公式中，在电流密度公式中，电子的迁移率电子的迁移率反映的是电子在外加电场的作用下反映的是电子在外
42、加电场的作用下漂移运动漂移运动的快慢程度；的快慢程度；电子的扩散系数电子的扩散系数反映的则是电子在特定的浓度梯度下发生反映的则是电子在特定的浓度梯度下发生扩散运动的快慢程度。扩散运动的快慢程度。这两个参数相互之间并不独立，而是存在一定的依赖关这两个参数相互之间并不独立，而是存在一定的依赖关系。同样，空穴的迁移率与其扩散系数之间也存在着这系。同样，空穴的迁移率与其扩散系数之间也存在着这样的依赖关系。样的依赖关系。第70页，此课件共91页哦5.3 5.3 杂质浓度分布与爱因斯坦关系杂质浓度分布与爱因斯坦关系 前面讨论的主要是前面讨论的主要是均匀掺杂均匀掺杂的半导体材料，但是在各类的半导体材料，但是
43、在各类半导体器件中，经常会出现非均匀掺杂的区域。半导体器件中，经常会出现非均匀掺杂的区域。这一节中将讨论非均匀掺杂的半导体是如何达到热平衡状这一节中将讨论非均匀掺杂的半导体是如何达到热平衡状态的，同时还要进一步分析推导爱因斯坦关系。态的，同时还要进一步分析推导爱因斯坦关系。第71页，此课件共91页哦1.1.缓变杂质分布引起的内建电场缓变杂质分布引起的内建电场 考虑一块非均匀掺杂的半导体材料，假设其处于热平考虑一块非均匀掺杂的半导体材料，假设其处于热平衡状态，则最终的费米能级在整块半导体材料中应该保持衡状态，则最终的费米能级在整块半导体材料中应该保持为一个常数，因此非均匀掺杂半导体材料各处的能带
44、图应为一个常数，因此非均匀掺杂半导体材料各处的能带图应如下图所示。如下图所示。掺杂浓度随着掺杂浓度随着x x的增加而增大。的增加而增大。第72页，此课件共91页哦热平衡状态下的非均匀掺杂半导体热平衡状态下的非均匀掺杂半导体热平衡状态下的均匀掺杂半导体热平衡状态下的均匀掺杂半导体第73页，此课件共91页哦 由于浓度的不均匀，多数载流子（即电子）就会从浓度由于浓度的不均匀，多数载流子（即电子）就会从浓度高的位置流向浓度低的位置，即电子沿着高的位置流向浓度低的位置，即电子沿着x x的方向流动，的方向流动，同时留下带正电荷的施主离子，施主离子和电子在空间位置上同时留下带正电荷的施主离子，施主离子和电子
45、在空间位置上的分离将会诱生出一个指向的分离将会诱生出一个指向x x方向的方向的内建电场内建电场，该电场的，该电场的形成会阻止电子的进一步扩散，最终达到平衡状态。形成会阻止电子的进一步扩散，最终达到平衡状态。En第74页，此课件共91页哦对于一块非均匀掺杂的对于一块非均匀掺杂的N N型半导体材料，定义各处电势：型半导体材料，定义各处电势：半导体各处的电场强度为：半导体各处的电场强度为：第75页，此课件共91页哦假设电子浓度与施主杂质浓度基本相等（准电中性条件），则假设电子浓度与施主杂质浓度基本相等（准电中性条件），则有：有：第76页，此课件共91页哦热平衡时费米能级热平衡时费米能级E EF F恒
46、定，所以对恒定，所以对x x求导：求导：因此，解得电场为：因此，解得电场为：由上式看出，由于存在非均匀掺杂，将使得半导体中产生由上式看出，由于存在非均匀掺杂，将使得半导体中产生内内建电场。建电场。一旦有了内建电场，在非均匀掺杂的半导体材料中一旦有了内建电场，在非均匀掺杂的半导体材料中就会相应地产生出内建电势差。就会相应地产生出内建电势差。第77页，此课件共91页哦2.2.爱因斯坦关系爱因斯坦关系仍然以前面分析过的非均匀掺杂半导体材料为例，在热平衡状仍然以前面分析过的非均匀掺杂半导体材料为例，在热平衡状态下，其内部的电子电流和空穴电流密度均应为零，即：态下，其内部的电子电流和空穴电流密度均应为零
47、，即：第78页，此课件共91页哦第79页，此课件共91页哦同样，根据空穴电流密度为零也可以得到：同样，根据空穴电流密度为零也可以得到：将上述两式统一起来，即：将上述两式统一起来，即：此式即为此式即为统一的爱因斯坦关系。统一的爱因斯坦关系。注意上式中右侧与温度有关，并且载流子的迁移率也是与注意上式中右侧与温度有关，并且载流子的迁移率也是与温度强烈相关的，所以载流子的扩散系数同样也是与温度温度强烈相关的，所以载流子的扩散系数同样也是与温度有着非常强烈的依赖关系。有着非常强烈的依赖关系。第80页，此课件共91页哦5.4 5.4 霍尔效应霍尔效应 当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场当电流
48、垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应，这个电势差也被叫做霍尔电压。效应，这个电势差也被叫做霍尔电压。利用霍尔效应，可以判断半导体材料的利用霍尔效应，可以判断半导体材料的导电类型导电类型，同时还可以计算半导体材料中多数载流子的浓度及其迁移率。同时还可以计算半导体材料中多数载流子的浓度及其迁移率。如图所示，在一块半导体材料中通入电流如图所示，在一块半导体材料中通入电流I Ix x，并将其，并将其置入磁场置入磁场B Bz z中，这时就会在半导体材料中，这时就会在半导体材料Y Y方向产
49、生霍尔电方向产生霍尔电压。压。第81页，此课件共91页哦第82页，此课件共91页哦霍尔电压为正，则为霍尔电压为正，则为P P型半导体；型半导体；霍尔电压为负，则为霍尔电压为负，则为N N型半导体；型半导体；第83页，此课件共91页哦第84页，此课件共91页哦同样，对同样，对N N型半导体材料，可得出：型半导体材料，可得出：一旦确定了半导体材料的掺杂类型和多数载流子的浓度之后，一旦确定了半导体材料的掺杂类型和多数载流子的浓度之后，我们还可以计算出多数载流子在低电场下的迁移率，对于我们还可以计算出多数载流子在低电场下的迁移率，对于P P型型半导体材料，有：半导体材料，有：第85页，此课件共91页哦
50、对于对于N型半导体材料，同样有：型半导体材料，同样有：第86页，此课件共91页哦 本章小结：本章小结：半导体中的两种基本输运机制：半导体中的两种基本输运机制：漂移运动漂移运动-漂移电流漂移电流扩散运动扩散运动-扩散电流扩散电流参数：迁移率、扩散系数参数：迁移率、扩散系数第87页，此课件共91页哦半导体中载流子的散射半导体中载流子的散射 晶格振动散射晶格振动散射 电离杂质散射电离杂质散射 使得载流子的迁移率与温度以及电离杂质有关系；使得载流子的迁移率与温度以及电离杂质有关系；弱场下迁移率恒定，漂移速度与电场强度成正比；强场下弱场下迁移率恒定，漂移速度与电场强度成正比；强场下迁移率下降，最终漂移速