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1、-专升本模拟电子技术试卷-第 13 页试题分类:专升本模拟电子技术_08001250题型:单选分数:21.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性答案:C2.稳压二极管的有效工作区是( )。A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区答案:B3.如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态答案:D4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D
2、.不易制作大阻值的电阻答案:C5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大答案:A6.半导体中PN结的形成主要是由于（ ）生产的。A. N区自由电子向P区的扩散运动B. N区自由电子向P区的漂移运动C. P区自由电子向N区的扩散运动D. P区自由电子向N区的漂移运动答案:A7.理想的功率放大电路应工作于( )状态。A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补答案:C8.NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区答案:A9
3、.当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:C10.差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。A.共模 共模B.共模 差模C.差模 差模D.差模 共模答案:B试题分类:专升本模拟电子技术_08001250题型:单选分数:21.互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为。()A.30%B.60%C.78.5%D.85%答案:C2.当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流，此时耗尽层。()A.大于-变宽B.小于-变宽C.等于-不变D.小于-变窄答案:D3.晶体管工作在饱
4、和区时，be极间为，bc极间为。()A.正向偏置-正向偏置B.反向偏置-反向偏置C.正向偏置-反向偏置D.反向偏置-正向偏置答案:A4.双极型晶体管只有当其发射结处于，而且集电结处于时，才工作于放大状态。()A.正偏-正偏B.正偏-反偏C.反偏-正偏D.反偏-反偏答案:B5.电路如图所示。若V1、V3管正负极同时接反了，则输出。()A.只有半周波形B.无波形且变压器或整流管可能烧毁C.全波整流波形D.全波整流波形，但V2管承受2倍的电压答案:D6.效率与成本俱佳的整流方式是：。()A.全波整流B.谐波整流C.桥式整流D.半波整流答案:C7.共源极场效应管放大电路其放大效果近似等价于双结晶体管放
5、大电路。()A.共射极B.共基极C.共集电极D.共栅极答案:C8.稳压型二极管的有效工作区在其伏安特性的。（）A.死区B.正向导通区C.反向区D.反向击穿区答案:D9.本征半导体温度升高后。()A.自由电子数量增多B.空穴数量增多C.自由电子与空穴同时增多，且数量相同D.自由电子与空穴数量不变答案:C10.有两个三极管，A管的200，=200A，B管的50，=10A，其他参数大致相同，则相比之下。()A.A管和B管的性能相当B.A管的性能优于B管C.B管的性能优于A管D.条件不足，无法判断答案:C11.当一个三极管的IB=10A时，其IC=lmA，那么它的交流电流放大系数为:。()A.100B
6、.10C.1D.不确定答案:D12.当有用信号的频率高于5000Hz时，应采用的滤波电路是。()A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:B13.如图所示电路中，当二极管的输入电压Ua=Ub=5V时，输出Uo的值为:。()A.-5VB.C.D.答案:C14.差分放大电路共模抑制比的大小反映了_。()A.共模增益的大小B.差模增益的大小C.抑制零漂的能力D.带负载能力答案:C15.共射极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。()A.同相B.反相C.相差90D.不确定，需要通过实际计算才得到答案:B16.RC桥式振荡电路的选频网络中，C=680pF，R可在23到47间进行调节，则振荡频率的变化范围为
7、:。()A.B.C.4.98Hz10-310.110-3HzD.4.98kHz10310.1kHz103答案:B17.给乙类互补对称功率放大电路加一合适的静态工作点，可消除。()A.线性失真B.相位失真C.频率失真D.交越失真答案:D18.场效应管放大电路的共漏极接法，与双极晶体管放大电路相比较，双极晶体管放大电路对应的是接法。()A.共射极B.共集电极C.共基极D.共栅极答案:A19.若开环放大倍数A增加一倍，则闭环放大倍数将。()A.基本不变B.增加一倍C.减少一半D.不确定答案:A20.电路如图所示。若正常工作时每个二极管上的电流为：。()A.2IoB.Io/2C.4IoD.Io/4答案
8、:B21.根据反馈的极性，反馈可分为反馈。()A.直流和交流B.电压和电流C.正和负D.串联和并联答案:C22.当有用信号的频率高于3500Hz时，应采用的滤波电路是。()A.低通B.高通C.带通D.带阻答案:B23.根据反馈信号的采样方式，反馈可分为反馈。()A.直流和交流B.正和负C.电压和电流D.串联和并联答案:C24.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。()A.UAO-12V，D1正偏导通D2反偏截止B.UAO-12V，D1反偏截止D2正偏导通C.UAO-6V，D1正偏导通D2反偏截止D.UAO-6V，D1反偏截止D2正偏导通答案:D25.共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位
9、是:。()A.同相B.反相C.相差90D.不确定，需要通过实际计算才得到答案:A26.晶体三极管放大作用的实质是。()A.把微弱的电信号加以放大B.以弱电流控制强电流C.以强电流控制弱电流D.以弱电流控制强电流，把直流电能转换为交流电能答案:D27.fH称为放大电路的。()A.截止频率B.上限频率C.下限频率D.特征频率答案:B28.场效应管是通过改变来改变漏极电流的()。A.栅极电流B.源极电流C.漏源极电压D.栅源极电压答案:D29.PN结具有一个显著的特点是，正是利用该特点，所以将其制作成普通的二极管。()A.击穿特性B.频率特性C.掺杂特性D.单向导电性答案:D30.N型半导体中多数载
10、流子是少数载流子是:()。A.自由电子-自由电子B.空穴-空穴C.自由电子-空穴D.空穴-自由电子答案:C31.本征激发是指现象。()A.价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的B.价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的C.价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的D.价电子在电场作用下获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的答案:A32.整流的主要目的是:()。A.将正弦波变成方波B.将直流变交流C.将高频信号变成低频D.将交流变直流答案:D33.模拟信号是指的信号。()A.时间连续B.数值连续C.时间和数值都连续D.时间和数值都不
11、连续答案:C34.下列放大电路可能正常放大的是:()。A. B. C. D. 答案:A35.锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。()A.B.C.D.答案:D36.可利用实现信号的滤波()。A.振荡电路B.放大电路C.RC电路D.二极管开关电路答案:C37.正反馈多用于。()A.改善放大器的性能B.产生振荡C.提高输出电压D.提高电压增益答案:B38.工作在甲乙类互补对称功率放大电路的BJT，当负载电阻为理想值，且忽略UCES时的效率约为。()A.60%B.78.5%C.85%D.100%答案:B试题分类:专升本模拟电子技术_08001250题型:问答分数:51.电路如图所示，已知(V)
12、，二极管导通电压UD=0.7V。试画出与的波形图，并标出幅值。答案:波形如图所示。2.现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数。答案:如图所示放大倍数分别为MISSING IMAGE: , 和MISSING IMAGE: , 试题分类:专升本模拟电子技术_08001250题型:判断分数:41.电路的静态是指输入交流信号为零时的状态。（）答案:正确 2.由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）答案:错误。 3.既然是放大电路，因此电压放
13、大倍数与电流放大倍数都应大于1。（）答案:错误 4.半导体二极管当正偏时，势垒区变窄，此时扩散电流小于漂移电流。（）答案:错误。 5.微变等效电路分析法可以用于分析功率放大电路。（）答案:错误。 6.微变等效电路分析法可以用于分析任意放大电路。（）答案:错误。 试题分类:专升本模拟电子技术_08001250题型:计算分数:201.电路如图(a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时。利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压（有效值）。答案:空载时：MISSING IMAGE: , ；最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。带载时：MISSING IMAGE: , ；最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。如图所示。