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1、-专升本模拟电子技术一、 （共61题,共150分）1. 当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。此时耗尽层 ( )。 （2分）A.大于 变宽。 B.小于 变窄。 C.等于 不变。 D.大于 变窄。 .标准答案：D2. 场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管（ ）。 （2分）A.多子 少子 大。 B.多子 两种载流子 小。 C.少子 多子 小。 D.多子 多子 差不多。 .标准答案：B3. 图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因是:（ ）。 （2分）A.交流信号不能输入。B.没有交流信号输出。C.没有合适的静态工作点。D.发射结和集电结的
2、偏置不正确。.标准答案：B4. 当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz，可采用（ ）的方式实现。 （2分）A.高通滤波器 B.带阻滤波器 C.带通滤波器 D.低通滤波器 .标准答案：D5. NPN型和PNP型晶体管的区别是 ( )。 （2分）A.由两种不同材料的硅和锗制成。B.掺入的杂质元素不同。C.P区和N区的位置不同。D.载流子的浓度不同。.标准答案：C6. 某NPN型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？（ ） （2分）A.U1=3.5V，U2=2.8V， U3=12V。B.U1=3V，U2=2.8V， U3=12V。C.U1=6V，U2=11.3V，U3
3、=12V。D.U1=6V，U2=11.8V，U3=12V。.标准答案：A7. 图示的电路中，稳压管的反向击穿电压分别为6V和7V，正向导通电压均为0.6V，则输出电压为：（ ）。 （2分）A.6V B.7V C.6.6V D.5.4V .标准答案：D8. 如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：（ ）。 （2分）A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻Rb。B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻Rb。C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻Rb。D.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻
4、Rb。.标准答案：A9. 下列电路中能正常放大的是：( )。 （2分）A.B.C.D.标准答案：B10. 如图所示的电路，以下结论正确的是:（ ）。 （2分）A.电路不能实现复合管的作用。B.电路能实现复合管的作用，且。C.电路能实现复合管的作用，且。D.电路能实现复合管的作用，且。.标准答案：C11. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度主要取决于_。 （2分）.标准答案：1. 掺杂浓度;2. 环境温度;12. 外加正向电压时，PN结的空间电荷区_,外加反向电压时，PN结的空间电荷区_。 （2分）.标准答案：1. 变薄（窄）;2. 变厚（宽）;13. 在共射极阻容
5、耦合放大电路中,使低频电压增益下降的主要原因是_使高频区增益下降的主要原因是_。 （2分）.标准答案：1. 极间电容的影响;2. 结电容的影响;14. 正弦波振荡电路包含_、_、_、_四个主要环节。 （2分）.标准答案：1. 放大;2. 选频;3. 正反馈;4. 稳幅;15. 图示的电路中输入输出电压的极性分别是_和_, 输出电压的标称值为_。 （2分）.标准答案：1. 负;2. 负;3. 5V;16. 一个放大电路只要接成负反馈，就一定能改善性能。 （2分） ( ).标准答案：正确17. 对于一个负反馈放大电路，反馈系数越大，越容易产生自激振荡。 （2分） ( ).标准答案：错误18. 接入
6、反馈后与未接反馈时相比，输入量减小的为负反馈。 （2分） ( ).标准答案：错误19. 温度的升高对BJT晶体管放大电路静态工作点的影响主要表现在使增大。 （2分） ( ).标准答案：错误20. 没有信号输入的状态即为电路的静态。 （2分） ( ).标准答案：正确21. 判断图示电路引入的反馈的类型，并说明该反馈对放大电路输入、输出电阻的影响。 （10分）标准答案：电压并联负反馈，使输入电阻减小，稳定输出电压，使输出电阻减小。22. 在PN结不加外部电压时，扩散电流漂移电流( )。 （2分）A.大于 B.小于 C.等于 D.不确定，需要具体计算。 .标准答案：C23. 整流主要利用的是电路实现
7、( )。 （2分）A.过零比较器的比较 B.二极管的单向导电 C.低通滤波器的滤波 D.场效应管的放大 .标准答案：B24. 希望抑制50Hz以下的交流电源干扰，应采用的滤波电路是( )。 （2分）A.高通 B.低通 C.带通 D.带阻 .标准答案：A25. 稳压管，它工作在状态( )。 （2分）A.是二极管 正向导通B.是三极管 正向饱和C.是特殊的二极管 反向击穿D.不是二极管 反向截止.标准答案：C26. 晶体管工作在饱和区时，be极间为，bc极间为( )。 （2分）A.正向偏置 反向偏置 B.正向偏置 正向偏置 C.反向偏置 正向偏置 D.反向偏置 反向偏置 .标准答案：B27. 场效
8、应管是通过改变来改变漏极电流的( )。 （2分）A.栅极电流 B.漏源极电压 C.栅源极电压 D.源极电流 .标准答案：C28. N型半导体中多数载流子是少数载流子是: ( )。 （2分）A.自由电子 自由电子 B.自由电子 空穴 C.空穴 空穴 D.空穴 自由电子 .标准答案：B29. 整流的主要目的是:( )。 （2分）A.将高频信号变成低频 B.将正弦波变成方波 C.将直流变交流 D.将交流变直流 .标准答案：C30. 下列放大电路能正常放大的是( )。 （2分）A.B.C.D.标准答案：A31. 可利用实现信号滤波的目的( )。 （2分）A.振荡电路 B.放大电路 C.RC电路 D.二
9、极管开关电路 .标准答案：C32. 集成运放的输入级几乎毫无例外的都是由_放大电路组成。 （4分）.标准答案：1. 差动;33. 正弦波振荡电路产生振荡的条件是_，其中幅值条件_，相位条件为_。 （4分）.标准答案：1. ;2. ;3. （）;34. 通常根据输出端获取反馈信号的方式以及反馈电路与放大电路输入端的连接方式可分为：_、_、_和_四种。 （4分）.标准答案：1. 电压并联;2. 电压串联;3. 电流并联;4. 电流串联;35. 在由NPN型双极型晶体管组成的单管共发射放大电路中，当静态工作点过高时，容易产生_失真；静态工作点过低时容易产生_失真。 （4分）.标准答案：1. 饱和;2
10、. 截止;36. 三极管工作在放大状态时必须满足放大条件，即_必须处于正偏，_必须处于反偏，否则就没有放大作用。 （4分）.标准答案：1. 发射结;2. 集电结;37. 接入反馈后与未接反馈时相比，净输入量减小的为负反馈。 （2分） ( ).标准答案：正确38. 因为放大倍数A越大，引入负反馈后反馈越强，所以反馈通路跨过的级数越多越好。 （2分） ( ).标准答案：错误39. 负反馈放大电路只要在某一频率变成正反馈，就一定会产生自激振荡。 （2分） ( ).标准答案：错误40. 温度的升高对场效应管放大电路静态工作点的影响主要表现在使增大。 （2分） ( ).标准答案：错误41. 与双极晶体管
11、共射极放大电路相对应，场效应管为共漏极放大电路。 （2分） ( ).标准答案：正确42. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从lmA变为2mA，那么它的约为( )。 （2分）A.83 B.91 C.100 D.无法确定 .标准答案：C43. 稳压二极管的有效工作区是( )。 （2分）A.正向导通区 B.反向击穿区 C.反向截止区 D.死区 .标准答案：B44. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。 （2分）A.放大状态 B.微导通状态 C.截止状态 D.饱和状态 .标准答案：D45. 如图所示各电路中
12、晶体管有可能工作在放大状态是（ ）。 （2分）A.B.C.D.标准答案：A46. 某NPN型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位U1、U2、U3最有可能是下列哪组数据？（）。 （2分）A.U1=6V，U2=11.3V，U3=12V。B.U1=3V，U2=2.8V， U3=12V。C.U1=3.5V，U2=2.8V， U3=12V。D.U1=6V，U2=11.8V，U3=12V。.标准答案：C47. NPN型和PNP型晶体管的区别是( )。 （2分）A.由两种不同材料的硅和锗制成。B.P区和N区的位置不同。C.载流子的浓度不同。D.掺入的杂质元素不同。.标准答案：B48. 如图所示的
13、电路正常工作时的输出电压是( )。 （2分）A.+7V B.+8V C.+5V D.-5V .标准答案：C49. 转换效率高，又没有失真的功率放大电路应工作于( )状态。 （2分）A.甲类 B.乙类 C.甲乙类互补 D.没有这种放大电路 .标准答案：C50. 共漏极场效应管放大电路与( )三极管放大电路等效。 （2分）A.共发射极 B.共基极 C.共集电极 D.共源极 .标准答案：C51. 图示的电路中，稳压管Dz1和Dz2的反向击穿电压分别为9V和7V，正向导通电压均为0.6V，则输出电压为：（）。 （2分）A.9V B.7V C.8.4V D.9.6V .标准答案：C52. 在杂质半导体中
14、，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度主要取决于_。 （4分）.标准答案：1. 参杂浓度;2. 温度;53. 外加正向电压时，PN结的空间电荷区_,外加反向电压时，PN结的空间电荷区_。 （4分）.标准答案：1. 变薄（变窄）;2. 变厚（变宽）;54. 在共射极阻容耦合放大电路中,使低频电压增益下降的主要原因是_,使高频区增益下降的主要原因是_。 （4分）.标准答案：1. 耦合电容的作用;2. 极间电容的作用;55. 场效应管与双极型晶体管的区别在于：前者为_型控制器件，而后者为_型控制器件。 （4分）.标准答案：1. 电压;2. 电流;56. 正弦波振荡电路包含:_，_，_，_四个主要环节。 （4分）.标准答案：1. 选频;2. 放大;3. 稳幅;4. （正）反馈;57. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （2分） ( ).标准答案：错误58. 若耗尽型N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。 （2分） ( ).标准答案：错误59. 共模信号是指大小相等，极性相同的信号。 （2分） ( ).标准答案：正确60. 共模电压增益与差模电压增益之比称为共模抑制比。 （2分） ( ).标准答案：错误61. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （2分） ( ).标准答案：正确-第 6 页-