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1、2021年氮化钱市场需求量分析一、全球氮化钱现状氮化钱是一种无机物,化学式GaN,是氮和钱的化合物,是一种直接能隙的 半导体,自1990年起常用在发光二极管中。GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700, GaN 具有高的电离度,在IIIV族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下, GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子,原子体积大约 为GaAs的一半。因为其硬度高,又是一种良好的涂层保护材料。2017-2020年全球主要半导体材料渗透率2017-2020年全球主要半导体材料渗透率0.9790.0020.020.9820.0010.0170.9
2、900.010.98700.013 Isi GaN Sic Isi GaN Sic全球氮化钱器件市场规模逐年增加,其中2020年全球氮化钱器件市场规模 为184亿美元,同比增长28元。2018-2020年全球氮化钱器件市场规模及增速其中2020年全球氮化钱市场中,光电氮化钱器件占比最多为65%,射频氮 化钱器件占比30%,功率氮化钱器件占比5%o全球氮化钱行业专利申请数量呈现波动上升的趋势,2020年全球氮化钱专利 申请量为1742项,同比下降3.3%;全球氮化钱专利授权数量为467项,同比 下降33.7%;氮化钱专利授权占比有26.8%。2014-2020年全球氮化钱专利申请量、授权及授权占
3、比专利申请里(项)1249122814111513176218011742授权(项)821801885870854704467授权占比0.6570.6520.6270.5750.4850.3910.268专利申请里(项)授权(项)授权占比2021年9月全球氮化钱专利类型占比中,发明专利占比最多为92%;实用 新型专利占比为7%;外观设计专利占比1%。其中2020年全球氮化钱行业技术,日本地区氮化钱行业占比33%;中国地区氮化钱行业占比28%;美国地区氮化钱行业占比21 %o二、中国氮化线现状中国半导体产业逐年增加,2020年中国GaN光电领域应用市场规模约为224.7亿元,同比增长36.1%;
4、 SiC、GaN电力市场应用市场规模为46.8亿元,同比增长19.1%; GaN微波射频器件应用市场规模为66.1亿元,同比增长36.1 %。20172020年中国各类区域氮化线应用市场规模 GaN 光电领域(亿元)41.183.3165.1224.7 sic.GaN电力市场(亿元)18.32839.346.8 GaN微波射频器件(亿元)12.124.548.666.1 GaN光电领域(亿元)sic.GaN电力市场(亿元)GaN微波射频器件(亿元)2020年新能源汽车、PD快充、5G等下游应用市场增长超预期,国内现有产 品商业化供给无法满足市场需求,尤其是SiC电力电子和GaN射频存在较大缺 口。我国半导体各环节国产化率较低,超过八成的产品依赖进口。2020年中国GaN电力电子里面GaN-on-si外延(折合6英寸)产能为28万片/年;GaN-on-si器件/模块(折合6英寸)产能为22万片/年。其中2021年9月中国申请氮化钱专利数量最多地区为江苏1916项;其次是 广东地区氮化钱专利申请数量1657项;再次是北京氮化钱专利数量1057项。