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1、2020年全球及中国氮化镓市场需求量及专利情况分析图 一、全球氮化镓现状 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。 GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700，GaN具有高的电离度，在族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。 全球氮化镓器件市场规模逐年增加，其中2020年全球氮化镓器件市场规模为184亿美元，同比增长28.7%。 其中2020年全球氮化镓市场中，光
2、电氮化镓器件占比最多为65%，射频氮化镓器件占比30%，功率氮化镓器件占比5%。 相关报告：智研咨询发布的2021-2027年中国氮化镓行业市场经营管理及投资前景预测报告 全球氮化镓行业专利申请数量呈现波动上升的趋势，2020年全球氮化镓专利申请量为1742项，同比下降3.3%；全球氮化镓专利授权数量为467项，同比下降33.7%；氮化镓专利授权占比有26.8%。 2021年9月全球氮化镓专利类型占比中，发明专利占比最多为92%；实用新型专利占比为7%；外观设计专利占比1%。 其中2020年全球氮化镓行业技术，日本地区氮化镓行业占比33%；中国地区氮化镓行业占比28%；美国地区氮化镓行业占比2
3、1%。 二、中国氮化镓现状 中国半导体产业逐年增加，2020年中国GaN光电领域应用市场规模约为224.7亿元，同比增长36.1%；SiC、GaN电力市场应用市场规模为46.8亿元，同比增长19.1%；GaN微波射频器件应用市场规模为66.1亿元，同比增长36.1%。 2020年新能源汽车、PD快充、5G等下游应用市场增长超预期，国内现有产品商业化供给无法满足市场需求，尤其是SiC电力电子和GaN射频存在较大缺口。我国半导体各环节国产化率较低，超过八成的产品依赖进口。2020年中国GaN电力电子里面GaN-on-si外延(折合6英寸)产能为28万片/年；GaN-on-si器件/模块(折合6英寸)产能为22万片/年。 其中2021年9月中国申请氮化镓专利数量最多地区为江苏1916项；其次是广东地区氮化镓专利申请数量1657项；再次是北京氮化镓专利数量1057项。