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半导体器件基础半导体器件基础41957 (2)图1.4 N型半导体的共价键结构 图1.5 P型半导体共价键结构 图1.6 P型和N型半导体交界处载流子的扩散 图1.7 PN结的形成 图1.8 PN结外加正向电压 图1.9 PN结外加反向电压 图1.13 二极管的伏安特性曲线 图1.20 稳压二极管的伏安特性和符号 图1.23 发光二极管的外形和符号 图1.32 三极管的安全工作区 图1.35 判别三极管c、e电极的原理图 图1.36 光电三极管的符号、等效电路和外形 图1.37 光耦合器的一般符号 图1.40 UGS=0时的导电沟道 图1.42 UGSUP时的导电沟道 图1.44 N沟道结型场效应管的输出特性曲线 图1.47 N沟道增强型MOS管加栅源电压UGS 图1.48 N沟道增强型MOS管的输出特性曲线 图1.49 N沟道增强型MOS管的转移特性曲线 图1.50 N沟道耗尽型MOS管的结构与符号 图1.51 N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线