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1、IntroductionofICAssemblyProcessIC封装工艺简介,FOLBackGrinding背面减薄,Taping粘胶带,BackGrinding磨片,De-Taping去胶带,将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到封装需要的厚度（8mils10mils）；磨片时，需要在正面（ActiveArea）贴胶带保护电路区域同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；,FOLWaferSaw晶圆切割,WaferMount晶圆安装,WaferSaw晶圆切割,WaferWash清洗,将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；通过SawBlade将整片
2、Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的DieAttach等工序；WaferWash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；,FOLWaferSaw晶圆切割,WaferSawMachine,SawBlade(切割刀片)：LifeTime：9001500M；SpindlierSpeed：3050Krpm：FeedSpeed：3050/s;,FOL2ndOpticalInspection二光检查,主要是针对WaferSaw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有出现废品。,ChippingDie崩边,FOLDieAttach芯片粘接,WriteEpoxy点银浆,DieAtt
3、ach芯片粘接,EpoxyCure银浆固化,EpoxyStorage：零下50度存放；,EpoxyAging：使用之前回温，除去气泡；,EpoxyWriting：点银浆于L/F的Pad上，Pattern可选；,FOLDieAttach芯片粘接,芯片拾取过程：1、EjectorPin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于脱离蓝膜；2、Collect/Pickuphead从上方吸起芯片，完成从Wafer到L/F的运输过程；3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F的Pad上，具体位置可控；4、BondHeadResolution：X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.2
4、5um；5、BondHeadSpeed：1.3m/s；,FOLDieAttach芯片粘接,EpoxyWrite：Coverage75%;,DieAttach：Placement99.95%的高纯度的锡（Tin），为目前普遍采用的技术，符合Rohs的要求；Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰；,EOLPostAnnealingBake（电镀退火）,目的：让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于消除电镀层潜在的晶须生长（WhiskerGrowth）的问题;条件：150+/-5C;2Hrs；,晶须,晶须，又叫Whisker，是指锡在
5、长时间的潮湿环境和温度变化环境下生长出的一种须状晶体，可能导致产品引脚的短路。,EOLTrim除了BGA和CSP外，其他Package都会采用LeadFrame，BGA采用的是Substrate；,RawMaterialinAssembly(封装原材料),【GoldWire】焊接金线,实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接；金线采用的是99.99%的高纯度金；同时，出于成本考虑，目前有采用铜线和铝线工艺的。优点是成本降低，同时工艺难度加大，良率降低；线径决定可传导的电流；0.8mil，1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；,RawMaterialinAssembly(封
6、装原材料),【MoldCompound】塑封料/环氧树脂,主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂等）；主要功能为：在熔融状态下将Die和LeadFrame包裹起来，提供物理和电气保护，防止外界干扰；存放条件：零下5保存，常温下需回温24小时；,RawMaterialinAssembly(封装原材料),成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；有三个作用：将Die固定在DiePad上；散热作用，导电作用；-50以下存放，使用之前回温24小时；,【Epoxy】银浆,TypicalAssemblyProcessFlow,FOL/前段,EOL/中段,Plating/电镀,EOL/后段,FinalTest/测试,FOLFrontofLine前段工艺,BackGrinding磨片,Wafer,WaferMount晶圆安装,WaferSaw晶圆切割,WaferWash晶圆清洗,DieAttach芯片粘接,EpoxyCure银浆固化,WireBond引线焊接,2ndOptical第二道光检,3rdOptical第三道光检,EOL,TheEndThankYou！,IntroductionofICAssemblyProcess,