澜起科技：澜起科技2021年半年度报告.PDF

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1、澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 1 / 156 公司代码：688008 公司简称：澜起科技 澜起科技股份有限公司澜起科技股份有限公司 20212021 年半年度报告年半年度报告 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 2 / 156 重要提示重要提示 一、一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半半年度报告内容的真实、准确、完年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、二、重大风险提

2、示重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。 三、三、公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议。董事会会议。 四、四、本半年度报告本半年度报告未经审计未经审计。 五、五、公司负责人公司负责人杨崇和杨崇和、 主管会计工作负责人、 主管会计工作负责人苏琳苏琳及会计机构负责人 （会计主管人员）及会计机构负责人 （会计主管人员） 苏琳苏琳声明：声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案董事会决议通过的本报告期利

3、润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、七、是否是否存在存在公司治理特殊安排等重要事项公司治理特殊安排等重要事项 适用 不适用 八、八、前瞻性陈述的风险声明前瞻性陈述的风险声明 适用 不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、十一、是否存在半数是否存在半数以上以上董事无法保证公司所披露董事无法保证公司所披露半半年

4、度报告的真实性、准确性和完整性年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、十二、其他其他 适用 不适用 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 3 / 156 目录目录 第一节第一节 释义释义. 4 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 . 7 第三节第三节 管理层讨论与分析管理层讨论与分析. 10 第四节第四节 公司治理公司治理. 35 第五节第五节 环境与社会责任环境与社会责任 . 37 第六节第六节 重要事项重要事项. 38 第七节第七节 股份变动及股东情况股份变动及股东情况 . 56 第八节第八节 优先股相关情况优先股相关情况 . 63 第九节第九节 债券相

5、关情况债券相关情况. 64 第十节第十节 财务报告财务报告. 65 备查文件目录 载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的公司半年度财务报表。 载有公司法定代表人签字和公司盖章的半年报及摘要文件。 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司原件的正本及公告原件。 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 4 / 156 第一节第一节 释义释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 公司、 本公司、 澜起科技 指 澜起科技股份有限公司 报告期内 指 2021 年 1 月 1 日至 2021 年 6 月 30 日

6、 报告期末 指 2021 年 6 月 30 日 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元 芯片、集成电路、IC 指 一种微型电子器件或部件，采用一定的半导体制作工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件通过一定的布线方法连接在一起，组合成完整的电子电路，并制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内， 成为具有所需电路功能的微型结构。 IC 是集成电路（Integrated Circuit）的英文缩写 晶圆 指 又称 Wafer、圆片、晶片，是半导体集成电路制作所用的圆形硅晶片。在硅晶片上可加工制作各种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电

7、路产品 集成电路设计 指 包括电路功能定义、结构设计、电路设计及仿真、版图设计、绘制及验证，以及后续处理过程等流程的集成电路设计过程 JEDEC 指 JEDEC 固态技术协会， 为全球微电子产业的领导标准机构。 旧称：电子器件工程联合委员会（英文全称 Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC 为缩写） 混合安全内存模组 指 采用具有澜起科技自主知识产权的内存监控技术，为数据中心服务器平台提供数据安全功能的内存模组 CPU 指 Central Processing Unit 的缩写，中文称为中央处理器，是一块超大规模的集成电路，是电子产品的运

8、算核心和控制核心 GPU 指 Graphics Processing Unit 的缩写，中文名称为图形处理器，是一种专门在个人电脑、工作站、游戏机和一些移动设备上做图像和图形相关运算工作的微处理器 流片 指 为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电路是否具备所需要的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地制造芯片；反之，则需找出其中的原因，并进行相应的优化设计上述过程一般称之为工程流片。在工程流片成功后进行的大规模批量生产则称之为量产流片 量产版 指 通过客户评估及认证，用于量产和销售的最终版本 DRAM 指 Dynamic Ra

9、ndom Access Memory 的缩写， 中文名称为动态随机存取存储器，是一种半导体存储器 DDR 指 Double Data Rate 的英文缩写， 意指双倍速率， 是内存模块中用于使输出增加一倍的技术 RCD 指 Registering Clock Driver 的英文缩写，中文名称为寄存缓冲器，又称“寄存时钟驱动器”， 用来缓冲来自内存控制器的地址/命令/控制信号 DB 指 Data Buffer 的英文缩写，中文名称为数据缓冲器，用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号 PMIC 指 Power Management IC 的缩写，中文名称为电源管理芯片。本报告特指在 DDR5

10、 内存模组上为各个器件提供多路电源的芯片 TS 指 Temperature Sensor 的缩写， 中文名称为温度传感器。 本报告特澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 5 / 156 指用来实时监测 DDR5 内存模组温度的传感器 SPD 指 Serial Presence Detect 的缩写，中文名称为串行检测。本报告特指串行检测集线器， 是专用于 DDR5 内存模组的 EEPROM （带电可擦可编写只读存储器）芯片，用来存储内存模组的关键配置信息 PCIe 指 Peripheral Component Interconnect Express 的缩写，是一种高速串行计算机扩展总

11、线标准，可实现高速串行点对点双通道高带宽传输。是全球应用最广泛的高性能外设接口之一，提供了高速传输带宽的解决方案，已经在多个领域中得到广泛采用，其中包括高性能计算、服务器、存储、网络、检测仪表和消费类电子产品等 PCIe 4.0/5.0 Retimer 指 适用于 PCIe 第四代/第五代的超高速时序整合芯片，主要解决数据中心数据高速、远距离传输时，信号时序不齐、损耗大、完整性差等问题 Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成。有时也代指此种商业模式 数据中心 指 数据中心是一整套复杂的设施，不仅包括计算机系统和

12、其它与之配套的设备（例如通信和存储系统），还包含冗余的数据通信连接、环境控制设备、监控设备以及各种安全装置。它为互联网内容提供商、 企业、 媒体和各类网站提供大规模、 高质量、安全可靠的专业化服务器托管、空间租用、网络批发带宽等业务。 数据中心是对入驻企业、 商户或网站服务器群托管的场所；是各种模式电子商务赖以安全运作的基础设施，也是支持企业及其商业联盟（其分销商、供应商、客户等）实施价值链管理的平台 DIMM 指 Dual Inline Memory Module，中文名称为双列直插内存模组，俗称“内存条” FBDIMM 指 Fully Buffered DIMM，中文名称为全缓冲双列直插内

13、存模组，是在 DDR2 的基础上发展出来的一种内存模组架构 RDIMM 指 Registered DIMM， 中文名称为寄存式双列直插内存模组， 采用了 RCD 芯片对地址、命令、控制信号进行缓冲的内存模组，主要应用于服务器 LRDIMM 指 Load Reduced DIMM，中文名称为减载双列直插内存模组, DDR4 LRDIMM 是采用了 RCD 和 DB套片对地址、命令、控制信号及数据信号进行缓冲的内存模组，主要应用于服务器 UDIMM 指 Unbuffered DIMM，中文名称为无缓冲双列直插内存模组，指地址和控制信号不经缓冲器，无需做任何时序调整的内存模组，主要应用于桌面计算机

14、SODIMM 指 Small Outline DIMM，中文名称为小型双列直插内存模组，主要应用于笔记本电脑 NVDIMM 指 Non-volatile DIMM， 中文名称为非易失性双列直插内存模组,使用非易失性的 flash 存储介质来保存数据,设备掉电关机后, NVDIMM 模组上面的实时数据不会丢失 I2C/I3C 总线 指 一种串行接口总线，用于多个主从设备之间的低速通信 BIOS 指 Basic Input Output System，中文名称为基本本输入输出系统，是计算机主板上一种标准的固件接口 NVMe SSD 指 Non-Volatile Memory express Sol

15、id State Disk，指支持非易失性内存主机控制器接口规范的固态硬盘 Riser Card 指 用于服务器内部的功能扩展卡或转接卡，旨在解决服务器空间澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 6 / 156 有限、无法将众多功能模块集成至主板的问题 瑞萨电子 指 Renesas Electronic Corporation，知名半导体企业，日本东京证券交易所上市公司 IDT 指 Integrated Device Technology, Inc.于 2019 年被瑞萨电子收购 Rambus 指 Rambus Inc.，美国纳斯达克上市公司 英特尔/Intel 指 Intel Corp

16、oration，世界知名的半导体企业，美国纳斯达克上市公司 三星电子 指 世界知名的半导体及电子企业 海力士 指 世界知名的 DRAM 制造商 美光科技 指 世界知名的半导体解决方案供应商 中电投控 指 中国电子投资控股有限公司 嘉兴芯电 指 嘉兴芯电投资合伙企业（有限合伙） WLT 指 WLT Partners, L.P. 珠海融英 指 珠海融英股权投资合伙企业（有限合伙） 上海临理 指 上海临理投资合伙企业（有限合伙） 上海临丰 指 上海临丰投资合伙企业（有限合伙） 上海临骥 指 上海临骥投资合伙企业（有限合伙） 上海临利 指 上海临利投资合伙企业（有限合伙） 上海临国 指 上海临国投资合

17、伙企业（有限合伙） 临桐建发 指 上海临桐建发投资合伙企业（有限合伙） 上海临齐 指 上海临齐投资合伙企业（有限合伙） 嘉兴宏越 指 嘉兴宏越投资合伙企业（有限合伙） 嘉兴莫奈 指 嘉兴莫奈股权投资合伙企业（有限合伙） Xinyun I 指 Xinyun Capital Fund I, L.P. Xinyun 指 Xinyun Capital Fund, L.P. Xinyun III 指 Xinyun Capital Fund III, L.P. 萚石一号 指 嘉兴萚石一号投资合伙企业（有限合伙） 萚石二号 指 嘉兴萚石二号投资合伙企业（有限合伙） 萚石三号 指 嘉兴萚石三号投资合伙企业（有

18、限合伙） 中证投资 指 中信证券投资有限公司 Intel Capital 指 Intel Capital Corporation SVIC No. 28 Investment 指 SVIC No.28 New Technology Business Investment L.L.P. 证券法 指 中华人民共和国证券法 公司法 指 中华人民共和国公司法 公司章程 指 澜起科技股份有限公司章程 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 7 / 156 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 一、一、 公司基本情况公司基本情况 公司的中文名称 澜起科技股份有限公司 公司的中文

19、简称 澜起科技 公司的外文名称 Montage Technology Co.,Ltd 公司的外文名称缩写 Montage Technology 公司的法定代表人 杨崇和 公司注册地址 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6 公司注册地址的历史变更情况 不适用 公司办公地址 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6 公司办公地址的邮政编码 200233 公司网址 http:/www.montage- 电子信箱 irmontage- 报告期内变更情况查询索引 无 二、二、 联系人和联系方式联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表 姓名 梁铂钴 傅晓 联系地址 上海市徐汇区宜山路 900

20、 号 1 幢 A6 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6 电话 021-5467 9039 021-5467 9039 传真 021-5426 3132 021-5426 3132 电子信箱 irmontage- irmontage- 三、三、 信息披露及备置地点变更情况简介信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 上海证券报、中国证券报、证券日报、证券时报 登载半年度报告的网站地址 上海证券交易所网站（） 公司半年度报告备置地点 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6 报告期内变更情况查询索引 无 四、四、 公司股票公司股票/ /存托凭证简况存托凭证简况 ( (一一) ) 公司股

21、票简况公司股票简况 适用 不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 澜起科技 688008 / ( (二二) ) 公司公司存托凭证存托凭证简简况况 适用 不适用 五、五、 其他有关资料其他有关资料 适用 不适用 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 8 / 156 六、六、 公司主要会计数据和财务指标公司主要会计数据和财务指标 ( (一一) ) 主要会计数据主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主要会计数据 本报告期 （16月） 上年同期 本报告期比上年同期增减(%) 营业收入 724,463,317.63 1

22、,089,576,668.42 -33.51 归属于上市公司股东的净利润 307,846,788.00 601,524,666.96 -48.82 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 177,747,195.31 521,726,996.30 -65.93 经营活动产生的现金流量净额 253,890,660.81 641,025,530.41 -60.39 本报告期末 上年度末 本报告期末比上年度末增减(%) 归属于上市公司股东的净资产 8,127,785,775.19 8,070,250,686.40 0.71 总资产 8,620,199,775.97 8,419,441,850.

23、95 2.38 ( (二二) ) 主要财务指标主要财务指标 主要财务指标 本报告期 （16月） 上年同期 本报告期比上年同期增减(%) 基本每股收益（元股） 0.27 0.53 -49.06 稀释每股收益（元股） 0.27 0.53 -49.06 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元股） 0.16 0.46 -65.22 加权平均净资产收益率（%） 3.74 7.87 减少 4.13 个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%） 2.16 6.82 减少 4.66 个百分点 研发投入占营业收入的比例（%） 19.84 15.08 增加 4.76 个百分点 公司主要会计数据和财务指标

24、的说明 适用 不适用 1、报告期内，公司营业收入较上年同期减少 33.51%，主要原因包括：（1）客户需求较去年同期有所下降；（2）DDR4 内存接口芯片进入产品生命周期后期，导致产品价格较去年同期有所下降；（3）公司产品以美元计价，美元兑人民币与去年同期相比有所贬值。 2、报告期内，公司归属于上市公司股东的净利润及归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润较上年同期分别减少 48.82%、65.93%，基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年同期分别减少 49.06%、49.06%、65.22%，主要原因包括：（1）营业收入较上年同期减少 33.51%；（2）毛利

25、率由上年同期的 73.70%下降为本期的 63.00%。 3、报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少 60.39%，主要原因为营业收入减少导致销售商品收到的现金减少。 4、随着 2021 年第二季度行业的复苏，在全体员工的共同努力下，公司业绩环比改善，2021 年第二季度实现营业收入 4.25 亿元，较第一季度环比增长 41.87%；第二季度实现归属于上市公司股东的净利润 1.74 亿元，较第一季度环比增长 29.54%；第二季度归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 1.04 亿元，较第一季度环比增长 39.69%。 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 9 /

26、 156 七、七、 境内外会计准则下会计数据差异境内外会计准则下会计数据差异 适用 不适用 八、八、 非经常性损益项目和金额非经常性损益项目和金额 适用 不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注（如适用） 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免 479,718.82 第十节、七、67 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外 55,527,386.02 第十节、七、67 委托他人投资或管理资产的损益 1,021,550.88 第十节、七、68 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务

27、外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、 衍生金融资产、 交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 63,961,043.02 第十节、七、68、70 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 -20.16 第十节、七、74、75 结构性存款投资收益 34,971,853.78 第十节、七、68 所得税影响额 -25,861,939.67 合计 130,099,592.69 九、九、 非企业会计准则业绩指标说明非企业会计准则业绩指标说明 适用 不适用 报告期内，公司股份支付费用为 9,516.00 万元（上年

28、同期为 11,228.65 万元），在考虑相关所得税费用影响的基础上，该费用对归属于上市公司股东的净利润的影响为 8,949.17 万元（上年同期为 9,999.39 万元）。因此，报告期内，剔除股份支付费用影响后的归属于上市公司股东的净利润为 39,733.85 万元，较上年同期减少 43.36%；剔除股份支付费用影响后的归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 26,723.89 万元，较上年同期减少 57.02%。 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 10 / 156 第三节第三节 管理层讨论与分析管理层讨论与分析 一、一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明报告期内

29、公司所属行业及主营业务情况说明 （一）（一）所处行业情况所处行业情况 1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 集成电路行业作为全球信息产业的基础，是世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如 PC、互联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用， 成为现代日常生活中必不可少的组成部分。 集成电路行业主要包括集成电路设计业、制造业和封装测试业， 属于资本与技术密集型行业。 在国家及地方政府多项政策的支持和指引下，通过社会各界的共同努力，中国集成电路产业从无到有，企业创新能力逐步提升，已经在全球半导体市场占据举足轻重的地位。 （1）数据中心、服务器、

30、CPU 及内存模组行业发展情况 公司主要产品内存接口芯片、津逮 CPU 以及混合安全内存模组是服务器的重要部件，而服务器是数据中心重要的基础设施。 服务器是数据中心的“心脏”， 其本质是一种性能更高的计算机，但相较于普通计算机， 服务器具有更高速的 CPU 计算能力、 更强大的外部数据吞吐能力和更好的扩展性，运行更快，负载更高。 CPU 是服务器的“大脑”，是服务器的运算核心和控制核心。全球服务器 CPU 市场中，X86架构 CPU 占据主流市场份额。服务器 CPU 行业技术门槛高，客户选择产品关注的主要因素包括性能、生态系统、安全性和价格，性能是 CPU 算力是否能够支撑用户运算资源需求的重

31、要基础；生态系统则是提升客户使用便捷性以及整体数据中心兼容性的重要因素，需全方位的资源技术成本投入以及长时间的累积；安全性则是用户运行数据中心的重要考量，并在近年来越来越受到客户及行业的重视。报告期内，Intel 发布第 3 代至强可拓展处理器 Ice Lake，作为 Intel 首款支持PCIe 4.0 的服务器 CPU，将和 PCIe 4.0 行业相关厂商一起推动 PCIe 4.0 生态的逐步完善。 服务器内存模组是服务器 CPU 与硬盘的数据中转站， 起到临时存储数据的作用， 其存储和读取数据的速度相较硬盘更快。由于服务器数据存储和处理的负载能力不断提升，对内存模组的稳定性、纠错能力以及

32、低功耗均提出了较高要求。全球 DRAM 行业市场 90%以上的市场份额由三星电子、海力士及美光科技占据，他们也是公司内存接口芯片产品主要的下游客户。报告期内，三星电子、海力士及美光科技等内存模组主流厂商均在为 DDR5 的到来做准备。 （2）内存接口芯片行业发展情况 内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器 CPU 对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。 内存接口芯片的发展演变情况如下： 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 11 / 156 内存接口芯片世代内存接口芯片世代 技术特点技术特点 主要厂商主要厂商 DDR2 最低

33、可支持 1.5V 工作电压 TI（德州仪器）、英特尔、西门子、Inphi、澜起科技、IDT 等 DDR3 最低可支持 1.25V 工作电压，最高可支持 1866MT/s 的运行速率 Inphi、IDT、澜起科技、Rambus、TI（德州仪器）等 DDR4 最低可支持 1.2V 工作电压，最高可支持 3200MT/s 的运行速率 澜起科技、IDT、Rambus DDR5 最低可支持 1.1V 工作电压，可实现 4800MT/s 的运行速率，并在此产品基础上，继续研发5600MT/s、6400MT/s 的产品 澜起科技、瑞萨电子（原 IDT）、Rambus 报告期内， DDR4 仍然为内存市场的主

34、流技术， 但随着JEDEC组织在不断完善对最新的 DDR5内存接口产品的规格定义，DDR5 内存技术有望在未来实现对 DDR4 内存技术的更新和替代。DDR5 内存接口芯片相比于前一代 DDR4 内存接口芯片，采用了更低的工作电压（1.1V），同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步。其中，根据 JEDEC 组织定义，DDR5 第一子代产品可实现 4800MT/s 的运行速率，在此技术逐渐成熟应用的基础上，JEDEC 标准化组织已经开始制定第二子代 DDR5 内存及接口芯片的技术标准，目标传输速率为 5600MT/s，可见通过不断的技术创新，实现更高的传输速率和支持更大的内存容量将是内存接口芯片

35、行业未来发展的趋势和动力。 （3）AI 芯片行业发展情况 2021 年上半年，AI 行业和市场延续了快速发展态势。AI 应用正由单点技术应用走向集成化创新演进，AI 产业也进入深入融合发展阶段。 在视频监控和互联网领域，AI 技术正快速成熟，图像分类、人脸识别、视频分析、语音识别等技术都已取得了重大进展；在传统的医疗、金融、教育等领域，AI 技术加速融合，并出现一批典型应用。 虽然 CPU、GPU、FPGA、AI 加速卡等硬件产品加速迭代升级，仍然无法满足 AI 产业爆发带来了巨大的算力缺口。2021 年上半年，越来越多的芯片公司推出具备更高算力、更低功耗的专用AI SOC 芯片应用于各种 A

36、I 应用、场景等，并在相应场景下展现出功耗、性能、成本等方面的优势。 2、公司所处的行业地位分析及其变化情况 （1） 内存接口芯片及内存模组配套芯片 公司的内存接口芯片受到了市场及行业的广泛认可，公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术， 为新一代服务器平台提供完全符合 JEDEC 标准的高性能内存接口解决方案， 是全球可提供从 DDR2 到 DDR5 内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，在该领域拥有重要话语权。公司在 DDR4 阶段逐步确立了行业领先优势，公司发明的 DDR4 全缓冲“1+9”架构被JEDEC 国际标准采纳，该架构将在 DDR5 世代演化为“1+10”框架，继续

37、作为 LRDIMM 的国际标准。公司相关产品已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，占据全球市场的重要份额。 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 12 / 156 报告期内，公司已完成 DDR5 第一子代内存接口及模组配套芯片量产版的研发，并持续根据最新版 JEDEC 标准及客户的测试反馈进行最终优化，预计在 2021 年底之前正式进入量产爬坡阶段。 在 DDR5 世代，公司能提供全套内存接口芯片及内存模组配套芯片，可为客户提供一站式的综合解决方案，将有效拓展公司可销售产品的市场容量，加强公司综合竞争优势。 公司为 JEDEC 固态技术协会董事会成员之一，并在 JEDEC 下属的

38、三个委员会及分会中担任主席职位，深度参与行业标准的制定。 报告期内，针对 DDR5 第二子代内存接口芯片及内存模组配套芯片的相关技术标准，公司正积极参与 JEDEC 组织相关技术讨论和标准制定工作。 （2） PCIe Retimer 芯片 公司的 PCIe 4.0 Retimer 芯片产品于 2020 年 9 月成功量产，公司也成为该细分领域量产该款产品的三家公司之一且是唯一一家中国公司，这也标志着公司在巩固内存接口芯片产品领先地位的同时，向数据中心的互连领域布局迈出了重要一步。报告期内，随着 Intel icelake 平台正式发布并逐渐上量， 公司稳步开拓 PCIe 4.0 Retimer

39、 芯片市场。 同时， 公司也开始着手研发 PCIe 5.0 Retimer芯片，通过不断的技术迭代更新，增强自身持续竞争力。 （3） 津逮服务器平台 报告期内，第三代津逮 CPU 已量产上市。随着前期持续投入的市场拓展，津逮服务器平台的产品和品牌正逐步获得客户与市场的认可。 （二）报告期内（二）报告期内公司所从事的主要业务公司所从事的主要业务 公司是一家国际领先的数据处理及互连芯片设计公司，致力于为云计算和人工智能领域提供高性能、低功耗的芯片解决方案，目前主要包括两大产品线，互连类芯片产品线和津逮服务器平台产品线。其中，互连类芯片产品包括内存接口芯片、内存模组配套芯片、PCIe Retimer

40、 芯片，津逮服务器平台产品包括津逮CPU 和混合安全内存模组。 1、内存接口芯片 内存接口芯片是服务器内存模组（又称“内存条”）的核心逻辑器件，作为服务器 CPU 存取内存数据的必由通路， 其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性， 满足服务器 CPU 对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。内存接口芯片需与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套，并通过服务器 CPU、内存和 OEM 厂商针对其功能和性能（如稳定性、运行速度和功耗等）的全方位严格认证，才能进入大规模商用阶段。因此，研发此类产品不仅要攻克内存接口的核心技术难关，还要跨越服务器生态系统的高准入门槛。 DDR4 内存接口芯片

41、按功能可分为两类：一是寄存缓冲器（RCD），用来缓冲来自内存控制器的地址、命令、控制信号；二是数据缓冲器（DB），用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号。RCD 与 DB组成套片，可实现对地址、命令、控制信号和数据信号的全缓冲。仅采用了澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 13 / 156 RCD 芯片对地址、命令、控制信号进行缓冲的内存模组通常称为 RDIMM（寄存双列直插内存模组），而采用了 RCD 和 DB 套片对地址、命令、控制信号及数据信号进行缓冲的内存模组称为LRDIMM（减载双列直插内存模组）。 公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术，长期致力于为新一代服务器平台

42、提供符合JEDEC 标准的高性能内存接口解决方案。随着 JEDEC 标准和内存技术的发展演变，公司先后推出了 DDR2 - DDR5 系列内存接口芯片， 可应用于各种缓冲式内存模组， 包括 RDIMM 及 LRDIMM等，满足高性能服务器对高速、大容量的内存系统的需求。目前，公司的 DDR4 内存接口芯片已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，并占据全球市场的重要份额。 DDR4 世代的内存接口芯片产品目前仍是市场的主流产品，报告期内以 DDR4 Gen2 Plus 子代为主。公司 DDR4 内存接口芯片子代产品及其应用情况如下： DDR4 内存接口芯片子代产品内存接口芯片子代产品 应用应

43、用 Gen1.0 DDR4 RCD 芯片 DDR4 RDIMM 和 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2133 Gen1.0 DDR4 DB芯片 DDR4 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2133 Gen1.5 DDR4 RCD 芯片 DDR4 RDIMM 和 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2400 Gen1.5 DDR4 DB 芯片 DDR4 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2400 Gen2.0 DDR4 RCD 芯片 DDR4 RDIMM 和 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2666 Gen2.0 DDR4 DB 芯片 DDR4 LRDIMM，支持速率达 DDR4-2

44、666 Gen2 Plus DDR4 RCD 芯片 DDR4 RDIMM、LRDIMM 和 NVDIMM，支持速率达 DDR4-3200 Gen2 Plus DDR4 DB 芯片 DDR4 LRDIMM 和 NVDIMM，支持速率达 DDR4-3200 DDR5 是 JEDEC 标准定义的第 5 代双倍速率同步动态随机存取存储器标准。与 DDR4 相比，DDR5 采用了更低的工作电压（1.1V），同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步，其支持的最高速率可能超过 6400MT/S，是 DDR4 最高速率的 2 倍。 公司自主研发的 DDR5 第一子代内存接口芯片包括 RCD 芯片和 DB芯片。

45、（1）DDR5 第一子代 RCD 芯片支持双通道内存架构，命令、地址和控制信号 1：2 缓冲，并提供奇偶校验功能。该芯片符合 JEDEC 标准，支持 DDR5-4800 速率，采用 1.1V 工作电压，更为节能。该款芯片除了可作为中央缓冲器单独用于 RDIMM 之外，还可以与 DDR5 DB芯片组成套片，用于 LRDIMM，以提供更高容量、更低功耗的内存解决方案。 澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 14 / 156 （2）DDR5 第一子代 DB芯片是一款 8 位双向数据缓冲芯片，该芯片与 DDR5 RCD 芯片一起组成套片，用于 DDR5 LRDIMM。该芯片符合 JEDEC 标

46、准，支持 DDR5-4800 速率，采用 1.1V工作电压。在 DDR5 LRDIMM 应用中，一颗 DDR5 RCD 芯片需搭配十颗 DDR5 DB芯片，即每个子通道配置五颗 DB芯片，以支持片上数据校正，并可将数据预取提升至最高 16 位，从而为高端多核服务器提供更大容量、更高带宽和更强性能的内存解决方案。 2、DDR5 内存模组配套芯片 根据 JEDEC 标准，DDR5 内存模组上除了内存颗粒及可能需要的内存接口芯片外，还可能需要三种配套芯片， 分别是串行检测集线器 （SPD） 、 温度传感器 （TS） 以及电源管理芯片 （PMIC)。 （1）串行检测集线器（SPD） 公司与合作伙伴共同

47、研发了 DDR5 第一子代串行检测集线器（SPD），芯片内部集成了 8Kbit EEPROM、I2C/I3C 总线集线器（Hub）和温度传感器（TS），适用于所有 DDR5 系列内存模组（如 LRDIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM 等），应用范围包括服务器、台式机及笔记本内存模组。SPD 是 DDR5 内存模组不可或缺的组件，也是内存管理系统的关键组成部分，其包含如下几项功能： 第一，其内置的 SPD EEPROM 是一个非易失性存储器，用于存储内存模组的相关信息以及模组上内存颗粒和相关器件的所有配置参数。 根据 JEDEC 的内存规范， 每个内存模组都需配置一个 SPD 器件，并

48、按照 JEDEC 规范的数据结构编写 SPD EEPROM 的内容。主板 BIOS 在开机后会读取 SPD 内存储的信息，并根据读取到的信息来配置内存控制器和内存模组。DDR5 SPD 数据可通过 I2C/I3C 总线访问，并可按存储区块（block）进行写保护，以满足 DDR5 内存模组的高速率和安全要求。 第二，该芯片还可以作为 I2C/I3C 总线集线器，一端连接系统主控设备（如 CPU 或基板管理控制器（BMC），另一端连接内存模组上的本地组件，包括 RCD、PMIC 和 TS，是系统主控设备与内存模组上组件之间的通信中心。在 DDR5 规范中，一个 I2C/I3C 总线上最多可连接

49、8 个集线器（8 个内存模组），每个集线器和该集线器管理下的每个内存模组上的本地组件都被指定了一个特定的地址代码，支持唯一地址固定寻址。 第三，该芯片还内置了温度传感器（TS），可连续监测 SPD 所在位置的温度。主控设备可通过 I2C/I3C 总线从 SPD 中的相关寄存器读取传感器检测到的温度，以便于进行内存模组的温度管理，提高系统工作的稳定性。 （2）温度传感器（TS） 公司与合作伙伴共同研发了 DDR5 第一子代高精度温度传感器 （TS） 芯片， 该芯片符合 JEDEC规范，支持 I2C 和 I3C 串行总线，适用于 DDR5 服务器 RDIMM 和 LRDIMM 内存模组。TS 作为

50、SPD 芯片的从设备，可以工作在时钟频率分别高达 1MHz I2C 和 12.5MHz I3C 总线上；CPU 可经澜起科技股份有限公司 2021 年半年度报告 15 / 156 由 SPD 芯片与之进行通讯，从而实现对内存模组的温度管理。TS 是 DDR5 服务器内存模组上重要组件，目前主流的 DDR5 服务器内存模组预计将配置 2 颗 TS。 （3）电源管理芯片（PMIC） 公司与合作伙伴共同研发了符合 JEDEC 规范的 DDR5 第一子代低/高电流电源管理芯片（PMIC） 。 该芯片包含 4 个直流-直流降压转换器， 两个线性稳压器 （LDO， 分别为 1.8V 和 1.0V） ，并能