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1、【精品文档】如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流晶体二极管和三极管的基本特性.精品文档.NO1.晶体二极管和三极管的基本特性一、填空题类半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。半导体按导电类型分为 型半导体与 型半导体。型半导体主要靠 来导电，型半导体主要靠 来导电。结具有 性能，即加正向电压时，结 ，加反向电压时，结 。晶体二极管主要参数是 与 。晶体二极管按所用的材料可分为 和 两类，按结的结构特点可分为 和 两种。7 P结的正向接法是型区接电源的 极，型区接电源的 极。晶体二极管的伏安特性可简单理解为 导通， 截止的特性。导通后，硅管的管压降约为 ，锗管约为 。9型半导体中的多数载
2、流子是 ，少数载流子是 。型半导体中的多数载流子是 、少数载流子是 。晶体三极管三个电极分别称为 极、 极和 极，它们分别用字母、 和 表示。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加 电压，集电结须加 电压。由晶体三极管的输出特性可知，它在 、 和 三个区域。1 、晶体三极管是由两个结构成的一种半导体器件，其中一个结叫做 ，另一个叫做 。晶体三极管有 型和 型两种，硅管以 型居多，锗管以 型居多。晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一，使 区的多数载流子浓度高， 区的面积大， 区尽可能地薄；第二，使 结正向偏置， 结反向偏置。晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的
3、关系是 。其中Ic/Ib叫做 ，用字母 表示;Ie/Ib叫做 ，用字母 表示。晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 电流来控制 电流的，其实质是以 电流控制 电流。硅晶体三极管的饱和电压降为 ，锗晶体三极管的饱和电压降为 。2硅晶体三极管发射结的导通电压约为，锗晶体三极管发射结的导通电压约为。当晶体三极管截止时，它的发射结必须是偏置，集电结必须是或偏置。当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 电压，集电结必定加或电压。当晶体三极管的队ce一定时，基极与发射极间的电压be与基极电流b间的关系曲线称为 ;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为 。晶体
4、三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 。晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 ，所以硅三极管的 比锗三极管好。类在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为时，就认为此二极管为硅二极管。结中的内电场阻止多数载流子的 运动，促进少数载流子的 运动。型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为。若晶体三极管的直流电流放大系数=，便使继电器开始动作，晶
5、体三极管的基极电流至少为 。5 2系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 。、系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 。点接触型晶体二极管因其结电容 ，可用于 和 的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 的场合。按用途可把晶体二极管分为 、 、 、 、 等。晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是和 的比值。类晶体二极管的直流电阻（即静态电阻）定义为 ，如果工作点改变，直流电阻 。晶体二极管的交流电阻（即动态电阻）定义为 ，如果工作点改变，交流电阻 。晶体极管的结电容包含两部分： 和 ，一般 占主要地位。晶体三极管的伏安
6、特性曲线反映了各极之间的 和 关系，对了解和使用晶体三极管是非常重要的。晶体三极管的伏安特性曲线可分为 和 两类。晶体三极管的输入电阻可分成直流输入电阻Rbe和交流输入电阻rbe，be= ，be 。工作点变化时，输入电阻 。晶体三极管的穿透电流Iceo定义为 。它是由 产生的，随温度的增高 。晶体三极管的集电极发射极击穿电压Vceo定义为 ， Vceo随温度增高。在图.中分档开关与端接通时，电压表V的读数是V，毫安表的读数是。若忽略晶体二极管的正向电阻、电池的内阻和毫安表的内阻，并认为电压表的内阻和晶体二极管的反向电阻为无穷大，则开关与端接通时，毫安表的读数应为 ，电压表V的读数应为 而当开关
7、与端接通时，m的读数应为，的读数应为 。晶体三极管的集电极最大允许电流Icm定义为 ，它是晶体三极管工作电流的上限。二、判断题（对的画，错的画）类1有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为一9V、和一.2，说明这个晶体三极管是锗 管。（ ）晶体三极管由两个结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。（ ）因为晶体三发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以不能用两个晶体二极管反向连接起来代替晶体三极管。（ ）晶体三极管相当于两个反向连接的晶体二极管，所以基极断开后还可以作为晶体二极管使用。（ ）晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反
8、向电压时，集电极电流必然很小。 （ ）型半导体的多数载流子是电子，因此型半导体带负电。（ ）型半导体的多数载流子是空穴，因此型半导体带正电。（ ）晶体极管是根据给单向导电的特性制成的，因此晶体二极管也具有单向导电性。（ ）当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由型和到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。（ ）当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由型和型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。（ ）若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。（ ）发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。（ ）空穴和电子
9、一样，都是载流子。（ ）在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（ ）5 一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。（ ）常温下，硅晶体三极管的 be ，且随温度升高be也增加。（ ）类用万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体一极管的正向电阻，那么，和标有“”号的测试棒相连接的是晶体二极管的正极，另一端是负极。（ ）国产小功率晶体三极管的各管脚的极性如图1所示。（ ）型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（ ）型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。（ ）在型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数
10、载流子，空穴称为少数载流子。（ ）在型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（ ）当外加反向电压增加时，结的结电容减少。（ ）一般来说，硅晶体二极管的死区电压。小于诸晶体二极管的死区电压。（ ）类晶体三极管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流（ ）在图所示的电路中，晶体二极管若为硅管则能导通，为锗管则不导通。（ ）在图所示电路中，；断开或接上晶体二极管对电流表的读数有影响。（ ）当外加电压为零时，结的电容最小。（ ）5 当反向电压小平反向击穿电压时，晶体二极管的反向电流极小；当反向电压大于
11、反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。（ ）晶体二极管击穿后立即烧毁。：（ ）特定的晶体三极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而改变。（ ）特定的晶体三极管，如环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。（ ）当晶体三极管的工作电流小于集电极最大允许电流，且Uce小于ceo时，晶体三极管就能安全工作。（ ）三、选择题 （将正确答案的序号写在括号内）类当 结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （ ）。多数载流子; 少数载流子; 既有多数载流子又有少数载流子如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（ ）。正常;已被击穿; 内部断路如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或
12、为零，则该晶体二极管（ ）。正常; 已被击穿; 内部断路当晶体三极管的两个结都反偏时，则晶体三极管处于（ ）。饱和状态;放大状态;截止状态当晶体三极管的两个结都正偏时，则晶体三极管处于（ ）。截止状态;放大状态;饱和状态当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（ ）。放大状态; b饱和状态；截止状态晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将 （ ）。随基极电流的增加而增加； 随基极电流的增加而减小，与基极电流变化无关，只决定于Uce当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（ ）。反向；增大；中断硅晶体三极管各电极对地电位如图所示，则该晶体三极管的工作状态
13、是（ ）。饱和；正常放大；c截止当温度升高时，半导体电阻将（ ）。增大； ，减小 ；不变类晶体二极管的阳极电位是V，阴极电位是V，则该晶体二极管处于（ ）。反偏，正偏，零偏当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将 （ ）。 增大； 减小； 不变在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于 （ ）。大电阻；接通的开关；断开的开关用直流电压表测量菜放大电路中的一只型晶体三极管，如图所示，各电极对地的电位是：；，： ， ，则该晶体三极管各脚的名称是 （ ） 脚为， 脚为，脚为； 脚为，脚为c， 脚为； 脚为， 脚为， 脚为c用直流电压表测量型晶体三极管电路，晶体三极管各电极对地电位是： b V， c
14、V， e=（图），则该晶体三极管的工作状态是（ ）。 截止状态；饱和状态; C放大状态类1点接触型晶体二极管比较适用于（ ）。.大功率整流；小信号检波；小电流开关面接触型晶体极管比较适用于（ ）。高频检波;大功率整流;大电流开关用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的特性好坏时，应把欧姆档拨到（ ）。 或 档； 档； k档半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为（ ）半导体。a型；型；本征当硅晶体极管加上.正向电压时，该晶体极管相当于（ ）很小的电阻；很大的电阻；短路晶体二极管因所加反向电压大而击穿、烧毁的现象称为（ ）。齐纳击穿；雪崩击穿；热击穿四、改错题（指出题中错误并予以改正）类
15、型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。结具有单向导电性，即加反向电压时，结导通，加正向电压时，结截止。结正向接法是将型区接电源的负端，型区接电源的正端。晶体二极管的伏安特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。晶体二极管按所用材料划分，一般分为点接触型和面接触型。为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。晶体三极管有型和型两种，硅管以型居多，锗管以型居多。当晶体三极管截止时，、间没有电流流过，当晶体三极管饱和时，其人必定很大。当加在晶体二极管两端的电压一定时，流经二极管的电流不受其它因素的影响。 类晶
16、体二极管的直流电阻（静态电阻）v/Iv因工作点的改变而改变。无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，极电位总是高于极电位，极电位也总是高于极电位。无论是哪种类型的晶体极管，其正向电压都为.2V左右。晶体二极管只要加正向电压，若是处在正向特性的“死区”里，其等效电阻很小，可视为短路。2系列晶体极管是锗材料做成的，主要用于检波。2系列晶体二极管是硅材料做成的，主要用于整流。晶体三极管的交流电流放大系数表示为=Ie/Ib，它不随工作点而改变。一般来说，晶体三极管的电流放大系数随温度的变化而变化，温度升高，减小。类晶体二极管存在一个结电容，主要是由引线和壳体所形成的。晶体三极管的直流输入电阻和交
17、流输入（阻与工作点有关，b愈小，输入电阻愈小。晶体二极管的结电容和所加反向电压有关，电压愈高，结电容愈大。晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（型的或型的）构成的，故极和极可以互换使用。晶体三极管的集电极发射击极穿电压Vceo的值同工作温度有关，温度愈高，Vceo愈大。晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关，温度升高，be、be都增高。在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。晶体三极管的穿透电流人Iceo是由多数载流子产生的，其大小不随温度而变化。五、问答题：半导体的主要特点是什么？它有几种类型？试述结的特性。晶体二极管的主要参数有哪些？型半导体的电子多于空穴，型半
18、导体的空穴多于电子，是否型半导体带负电，型半导体带正电？为什么？既然结两端存在着内电场，即有电位差，若将晶体二极管短路是否有电流通过？硅晶体三极管与锗晶体三极管有何区别？晶体三极管的集电极电流如果超过它的最大允许值Icm，管子是否会损坏了对一个没有标明极性的晶体极管，如何用万用表测量其极性？从晶体二极管的伏安特性曲线上看，诸管与硅管有哪些区别？如何用简单的方法判别硅晶体二极管与诸晶体二极管？把一个. 的干电池，以正向偏置接到晶体二极管的两端，会出现什么问题？如何用万用表来判断晶体三极管的管型是型或型？如何判断出管子的三个电极？锗管与硅管又如何判断？如何用万用表来判断晶体三极管的好坏？什么叫电流
19、放大系数？和有什么区别？为什么晶体三极管的、极对调后不能起电流放大作用？什么是半导体中载流子的扩散运动和漂移运动？晶体极管中的正向电流和反向电流是怎样形成的？如何用万用表测量晶体三极管的管脚和管型？在测量大功率晶体二极管的正向电阻时，可以用档测量，也可用 档测量。两档所测得值是否相同？为什么？如何用万用表来判别晶体二极管的极性如何？有人测一个晶体二极管的反向电阻时，为使测试棒和管脚接触良好，用两只手捏紧进行测量，发现管子的反向电阻值比较小，认为不合格，但用在设备上却工作正常，这是什么原因？晶体极管加反向电压时，反向电流很小，为什么晶体三极管集电结加反向电压时，集电极电流却很大呢？晶体三极管电流
20、放大作用的实质是什么？晶体三极管为什么具有电流放大作用？（本部分完）(答案) 晶体二极管和三极管的基本特性一、填空题:类导体；绝缘体；电子，空穴单向导电，导通；截止最大正向电流；最高反向电压民6.锗，硅；点接触型；面接触型正，负正向；反向；.V；.2V 空穴；电子电子；空穴 .发射；基; 集电，；b; c 正向，反向 截止区；放大区；饱和区 集电结，发射结 ， ； 16发射；集电；基；发射；集电1 .e=b；直流电流放大系数；交流电流放大系数， 、基极；集电极；微小；较大 19 V .1V . ;. 21反向；反向；零 正向；正向; 零 输入特性曲线；输出特性曲线 2较差；不稳定 小得多，热稳
21、定性类 .2V， .V 扩散，漂移 ； ; 4. 0.1， 锗；低，硅；高 6小；高频；超高频；大功率检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管伏安特性；be的增量; Ib的增量C类VV，也要改变 VIv; 也要改变 结电容，引线和壳体电容，给电容4电压，电流；输入特性曲线，输出特性曲线 be/Ib; Ube/Ib;也随之变化6.基极开路时集电极流向发射极的电流，少数载流子，而增高基极开路时Uce的最大允许电压值；而减小 V; 0 ; V .下降到最大值的一半时的Ic值二、判断题类. 2 . 5 X . 类 .x . . 5. 7. . 类 2. 5 . 三、选择题类 2. .
22、 . 5. . .C 8. . .类。. 2. . . 5.类 . . .c四、改错题A类1.错:电子;空穴 正:空穴;电子错：空穴，电子 正：电子；空3.错:导通;截止 正:截止;导通错：负端，正端 正；正端，负端错；反向导通、正向截止 正：正向导通、反向截止错：点接触型和面接触型正：锗二极管和硅二极管错：反向电压；正向电压 正：正向电压；反向电压错：硅管；锗管 正:锗管；硅管错：没有电流，必定很大 正：尚有反向电流；不一定很大0.错：不受其它因素的影响 正:还会随环境温度的改变而改变类错：不随 正：随着错：无论是哪种类型 正： 型错；无论是哪种类型的二极管 正：对于锗晶体二极管错：很小；可
23、视为 正：相当大；不能视为错：锗；检波 正；硅；整流错：硅；整流 正：锗；检波错：=b；不随 正：=Ib；随着错：减小 正：增大类错：由引线和壳体 正：结：错；电阻愈小 正：电阻愈大错；愈大 正：愈小错：故极和极可以 正；但极和极不能错：愈大 正：愈小错；增高 正：减小错：点接触型 正：面接触型错：多数；不随 正：少数，随着NO2.晶体三极管低频放大电路一、填空类晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用 耦合电路放大器的静态是指 时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用 方法确定，也可以用 方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有 、 和 。晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强
24、弱可分为 放大和 放大两类。为了使放大器输出波形不失真，除需设置 外，还需要采用 的方法，且输入信号幅度要适中。从放大器输入端看过去的等效电阻称为放大器的 ，近似等于 。从放大器输出端看进去的等效电阻称为放大器的 ，近似等于 。在放大电路中，为达到阻抗匹配的目的，常采用 进行阻抗变换。功率放大器按工作状态可分为 放大和 放大两类.。 对功率放大器的要求是 、 和 。根据反馈的相位不同，可分为 和 两 种，在放大器中主要采用 ， 主要用于振荡器。所谓电压反馈是指 。所谓电流反馈是指 。常用的耦合方式有 、 和 三种形式。它们各主要用于 和 。阻容耦合放大器的缺点是 ，因此它常被用在 作为电压放大
25、器。为了能使功率放大器输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在 。功率放大器主要用作 ，以供给负载 。 功率放大器的形式主要有 和 两类。1 7 按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成 、 和 三种基本电路。共发射极电路的输入端由 和 组成，输出端由 和 组成，它不但具有 放大、 放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以 控制 的，所以它的输入阻抗 。场效应晶体管的静态工作点由 、 和 确定。B类共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为 ，这是放大器的重要特征，称为 。在晶体三极管放大辞中，当输入电流一定时，静
26、态工作点设置太低将产生 失真；静态工作点设置太高将产生 失真。在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使C的 半周及Uce的 半周失真；静态工作点设置太低时，会使Ic的 半周及Uce的 半周失真。晶体三极管工作在放大状态时Uce随Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将 ；如果Ib减小，则Uce将 。因此，Ib可以起调节电压作用。在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小b，则静态工作点沿着负载线 ，容易出现 失真；若增大Rb，工作点沿着负载线 ，容易出现 失真。如果晶体三极管放大器E增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线 移。在晶体三极放大器中
27、减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变 。对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻 些，以减轻信号源的负担，输出电阻 些，以增大带动负载的能力。变压器耦合的推挽功率放大器，当静态工作点Ie=0时，常产生 失真，为减小这个失真，通常都加 电路。共发射极电路的输出电压与输入电压有 的相位关系，所以该电路有时被称为 。由于电容具有 ，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管、e极间总电压的 部分。所谓图解分析法，就是利用 ，通过作图来分析 。为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在 。分压式电流负反馈偏置电路中，的数值一般为 。另外，因Re同样会对交
28、流信号产生 ，使交流信号减小，所以应在Re的两端 。推挽功率放大电路由两只 的晶体三极管组成，且两管的输入信号 、 。由此可知，在输入信号的一个周期内，两只晶体三极管是 工作。当推挽功率放大器两只晶体三极管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性 ，故在两管交替工作时将产生 。场效应晶体管主要有 和 两类。场效应晶体管一般采用 和 两种偏置电路。由于场效应晶体管几乎不存在 ，所以其输入直流电阻 。类1 由于负载电阻RL的接入，对交流信号来说，负载线的斜率将由 代替，新的负载线比原来要 ，其中R为 。2 由于晶体三极管参数的 较大，即使同一种型号的晶体三极管，它的 差别也相当大，而且在小信号时也
29、无法作图。另外，计算放大电路的 和 也很困难，因此要用微变等效电路来分析计算。3 为了保证功率放大器晶体三极管的使用安全，既要选用 、 足够大的晶体三极管，还应注意 。4 晶体三极管交流放大器级间耦合方式有 、 和 。5 在多级放大器中， 的输入电阻是 的负载， 的输出电阻是 的信号源内阻； 放大器输出信号是 放大器输入信号电压在为功率放大器选用晶体三极管时，应考虑 、 和 三个参数。在实际工作中，除不得大干Im，ce不得大于eo外，I与Uce的乘积不得大于 。在图所示电路中，输入电压为ui，请在图1b所示坐标中填入适当的交流信号波形图。场效应晶体管只依靠 的运动而工作，因此又称场效应晶体管为
30、 晶体管；晶体三极管的工作则与 和 的运动都有关，因此又称晶体三极管为 晶体管。9 场效应晶体管的工作特性受温度的影响比晶体三极管来得 。1实际工作中，焊接管时，三个电极的焊接次序是 、 、 。二、判断题（对的画，错的画）类为了使变压器耦合的单管功率放大器有足够大的输出功率，允许晶体三极管工作在极限状态。( )为了保证变压器耦合的单管功率放大器中的晶体三极管不被反向击穿，晶体三极管的Vceo应略大于电源电压Eco( )当输入信号为零时，输出功率也为零，电源供给电路的功率最小，因此这时单管功率放大器的效率最高。( )当单管功率放大器有交流信号输入时，输出功率为EcIc，所以效率最低。( )甲类单
31、管功率放大器的效率低，主要是静态工作点选在交流负载线的中点，使静态电流Ic很大造成的。( )推挽功率放大器输入交流信号时，总有一只晶体三极管是截止的，所以输出波形必然失真。( )7 . 只要保证推挽功率放大器的两只晶体三极管有合适的静态工作点，且都处于放大状态，就可以保证输出信号不失真。( )在推挽功率放大器中，当两只晶体三极管有合适的偏流时，就可消除交越失真。( )由于推挽功率放大器的静态电流Ic比单管功率放大器小得多，古根据PB=IcEc，可以得出推挽功率放大电路的效率必然比单管功率放大电路低。( )在晶体三极管放大电路中，晶体三极管的发射结上加正向电压，集电结加反向电压。( )在晶体三极
32、管低频电压放大电路中，输入电压波形如图a所示，那么输出波形如图2所示。（ ）在图2所示电路中，设输入信号为 msin （t0），为电压放大倍数，则输出电压为Uce=KvUmsin(t+0)( )在图中，设b为基极静态电位，若Rb2短路，则b=。( )场效应晶体管的内部噪声比晶体三极管大，它不可用于高灵敏的接收装置。( )同晶体三极管一样，场效应晶体管也是电流控制元件。( )类某晶体三极管的VeoV，m=125mA，Pcm=125m，那么Ic=130A，Uce=5V。( )为了驱动灯泡发光，可以来用图所示的电路。( )3 在图2-5所示电路中，微安表读数最大的是图5。( )图所示电路对交流正弦电
33、压信号有放大作用。( )型晶体三极管工作在放大区时，b必然大于零。( )当单级放大器的静态工作点过高时，根据bc，可选用大的晶体三极管来减小Ib。( )当单级放大器的静态工作点过高时，可减小电源电压Ec，使直流负载线向下平移。( )当单级放大器的静态工作点过高时，可减小集电极电阻Rc，使直流负载线的斜率减小。( ) 当单级放大器的静态工作点过高时，在Ec和Rc不变的情况下，可增加基极电阻Rb，使Ib减小。( )图 所示电路，利用Rb1和Rb2组成的分压器固定了基极电位，所以Ib就 固定不变，根据Ic=Ib，则Ic也就固定不变。( )图所示电路，利用发射极电阻Re，将Ie的变化以电压的形式反馈到
34、输入回路。当bbe时，就认为Ue也基本不变，所以可认为Ie是恒定的。( )图所示电路是以Ic随温度的变化来牵制Ie，从而使e近似恒定不变的。( ) 图所示电路稳定工作点的实质，是通过I的变化引起R上的电压降变化而实现的。（ ）图所示电路利用了电流负反馈，所以R愈小，e两端的电压变化引起的Ie的变化就愈大，负反馈就愈强，电路的稳定作用就越显著。（ ）有的场效应晶体管的漏极可以和源极交换使用，而不影响其工作性能。（ ）类放大器的微变等效电路，是在晶体三极管的等效电路基础上，加上相应的电路所组成，所以ri；和rbe是同一含义。（ ）在放大器的微变等效电路中，晶体三极管的输出电阻e和放大电路的输出电阻。是同一含义。（ ）用微变等效电路可以分析放入器的输入电阻和输出电阻，因此也可以用来计算放大器的放大倍数。（ ）利用微变放大电路，可以很方便地分析计算小信号输入时的静态工作点。（ ） 利用微变等效电路，不能分析直流工作状态，也不能分析功率放大器的工作情况。（ ）在测量仪器中，常用场效应晶体管的源极输出器作