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1、如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流第四章 晶体二极管与晶体三极管【精品文档】第 15 页第四章 晶体二极管与晶体三极管本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在电子产品中应用十分广泛。本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。第一节 晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法一、 中华人民共和国国家标准（GB249-74）国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。表4-1 国标半导体器件型号命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件电极数目用汉语拼音字母表示器件的材
2、料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用数字表示器件的序号汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义符号意义2AN型锗材料P普通管D低频大功率管BP型锗材料V微波管A高频大功率管CN型硅材料W稳压管T半导体闸流管DP型硅材料C参量管X低频小功率管Z整流管G高频小功率管3APNP型锗材料L整流堆J阶跃恢复管BNPN型锗材料S隧道管CS场效应管CPNP型硅材料N阻尼管BT特殊器件DNPN型硅材料U光电器件FH复合管E化合物材料K开关管PINPIN管B雪崩管JG激光器件Y体效应管备注低频小功率管指截止频率3MHZ、耗散功率1W，高频小功率管指截止频率3MHZ、耗散功率1W，低频大功率管指截止频率3
3、MHZ、耗散功率1W，高频大功率管指截止频率3MHZ、耗散功率1W。例如：锗PNP高频小功率管为3AG11C，即（三极管）（PNP型锗材料）（高频小功率管）（序号）（规格号）二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示用途的类别用数字表示PN结的数目美国电子半导体协会（EIA）注册标志美国电子半导体协会（EIA）登记顺序号用音字母表示器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN或J军用品1N该器件已在美国电子半导体协会登记顺序号多位数字该器件已在美国电子半导体协会登记顺序号ABCD同一型号
4、不同档别2无非军用品33个PN结器件4N个PN结器件三、日本半导体器件型号命名方法表4-3 日本半导体器件型号命名方法第一部分：器件类型或有效电极数第二部分：日本电子工业协会注册产品第三部分：类别第四部分：登记序号第五部分：产品改进序号数字含义字母含义字母含义用两位以上的整数表示在日本电子工业协会注册登记的、顺序号用字母A、B、C、D表示 对原来型号的改进0光敏二极管、晶体管或其组合管S表示已在日本电子工业协会（JEIA）注册登记的半导体分立器件APNP型高频管BPNP型低频管CNPN型高频管DNPN型低频管1FP门极晶闸管2三极管或具有两个pn结的其他器件GN门极晶闸管3具有四个有效电极或具
5、有三个PN结的晶体管HN基极单结晶体管JP沟道场效应管KN沟道场效应管M双向晶闸管第二节 半导体器件的外形识别一、晶体二极管的外形识别1.晶体二极管的结构与特性定义：晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。所以，二极管实际就是一个PN结。电路图中文字表示符号为用V表示。基本结构：PN结加上管壳和引线，就成为了半导体二极管。图4-1 二极管的结构和电路符号二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图4-2所示。1）正向特性当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍
6、微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。2）反向特性二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。3）击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达
7、数千伏。图4-2 晶体二极管伏安特性曲线2.晶体二极管的分类与图集 按材料分为两种：一是硅二极管，二是锗二极管。按制作工艺分为面接触二极管和点接角二极管。按用途分类有整流二极管、检波二极管、发光二极管、稳压二极管、光敏（光电）二极管、开关二极管和快恢复二极管。（1）检波用二极管就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检
8、波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。1.检波二极管 2.老检波二极管 3.检波二极管1n6 4.贴片检波二极管5.玻璃管封装的检波二极管 6.检波二极管LL1N60P 7.检波二极管8.AP系列检波二极管 9.2AP9检波二极管 10.高频检波二极管11.贴片检波二极管LL60P 12.检波二极管13.检波二极管 14.高频检波二极管2AP30D (锗) 15.小信号检波二极管图4-3 检波用二极管图集（2）整流用二极管就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。分类如下：硅半导体整流二极管2CZ型、硅桥式整流器
9、QL型、用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。1.整流二极管 2.整流二极管（1N4007）3.整流二极管6A10 4.肖特基势垒整流二极管 5.整流二极管6.发电机整流二极管 7.整流二极管 8.贴片整流二极管 9.整流二极管（SMA）10.整流二极管 11. 贴片整流二极管 12.整流二极管 13.整流二极14.整流二极管图4-4整流用二极管（3）限幅用二极管大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。1.限幅元件二极管 2.智针
10、限幅二极管 4.二极管(开关,限幅)图4-5限幅用二极管（4）调制用二极管通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。1.调制二极管 2.点接触型调制二极管 3.点接触型调制二极管图4-6调制用二极管（5）混频用二极管使用二极管混频方式时，在50010,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。1.点接触混频二极管 2.微波混频二极管图4-7 混频用二极管（6）开关用二极管有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小开关二极管的特长是开关速度快。而肖
11、特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。1.开关二极管 2.贴片开关二极管 3. 开关二极管4.开关二极管 5.玻璃开关二极管 6.开关二极管 7.高速开关二极管图4-8 开关用二极管（7）变容二极管 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。通过施加反向电压，结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。图4-10 变容二
12、极管电路符号及常见外形1.变容二极管BB910 2.变容二极管 3.变容二极管BB182 4.贴片变容二极管图4-11 变容二极管变容二极管变容二极管BB910变容二极管BB910变容二极管BB910变容二极管BB910 （8）稳压二极管是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。 稳压二极管(LLZ22V0LLZ56V1.稳压二极管 2.稳压二极管 3.直插式稳压二极管TCLLZ22V0TCLLZ56V 系列（1N4728-1N4764）稳压二极管
13、稳压二极管 4.稳压二极管 5.稳压二极管 6.贴片稳压二极管图4-12 稳压二极管（9）雪崩二极管 (Avalanche Diode)它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。它常被应用于微波领域的振荡电路中。也叫齐纳二极管。1.雪崩二极管 2.雪崩二极管 3.雪崩二极管apd4.雪崩光电二极管 5.增强型半穿透雪崩二极管 6.硅雪崩二极管1.5KE1007.tvs雪崩二极管 8.雪崩光电二极管 9.雪崩硅光电二极管 10.雪崩二极管图4-13 雪崩二极管(10) 快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode)它也是一种具有PN结的二极管。利用这些谐波分量可设计出
14、梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。1.SF56超快恢复二极管 2. 贴片快恢复二极管图4-14 快速关断（阶跃恢复）二极管（11）肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性金属半导体的二极管。其正向起始电压较低。它是高频和快速开关的理想器件。并且，MIS（金属绝缘体半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。1.肖特基二极管 2.肖特基二极管 3.肖特基二极管 MBR10100 1N60和1N60P 10SQ0504.肖特基二极管 5.贴片肖特基二极管SS14 6.肖特基二极管MBRS240LT3G MBRF
15、10100CT7.肖特基二极管 8.肖特基二极管 9.肖特基二极管600MA DC-DC升压IC TC2V4C-TC20VC C83-004图4-14 肖特基二极管(12) 阻尼二极管具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。1.原装阻尼二极管 2.海尔宽屏高清彩电阻尼二极管 3.阻尼二极管 F60B150DS4.阻尼二极管,飞利浦 5.阻尼二极管 6.RH2F 高校快恢复阻尼二极管BY228，3A1400V图4-15 阻尼二极管(13)双基极二极管（单结晶体管）两个基极，一个发射极的三端负阻器件，定时电压读出电路中，它具有频率易
16、调、温度稳定性好等优点。1.单结晶体管BT33 2.单结晶体管图4-15双基极二极管（单结晶体管）(14)发光二极管用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。1.发光二极管 2.发光二极管 3.四脚三色七彩LED发光二极管 4.高亮白光LED 5.发光二极管 6.光二极管（LED） 7.直插LED发光二极管发光二极管 8.发光二极管 9.发光二极管 10.发光二极管 11.发光二极管12.发光二极管 13.LED发光二极管 14.发光二极管 15.发光二极管图4-16 发光二极管(15) Z310半导体发光器件：LED数码
17、管常用的LED数码管如图T310(a)所示。它是利用发光二极管的制造工艺，由7个条状管芯 和一个点状管芯的发光二极管制成。LED数码管有两种不同的结构形式，其等效电路分别如图T311所示。各段发光二极管的阳极连在一起作为公共端，因此称为共阳极数码管。工作时应当将阳极连电源正极，各驱动输入端通过限流电阻接相应的译码驱动器的输出。当译码驱动器的输出为低电平时，数码管相应的段变亮。图4-17 LED数码管二、晶体三极管的外形识别1. 晶体三极管的分类(1).符号： “Q、VT”图4-18三极管符号三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）。三极
18、管实物图： 贴片三极管功率三极管 普通三极管金属壳三极管 图4-19 三极管实物图二、三级管的分类：半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.作用：把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.三极管的分类：的种类很多，分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等进行分类。 1)按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管.锗材料的NPN与PNP三极管。 2)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、管、高反压管、带阻尼的三极管等。3)按功率分有、中、。4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。5)按制作工艺分有平
19、面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。6)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。2. 晶体三极管图集1.3du5c光敏三极管 2.3dd15d三极管 3.光敏三极管 . 4.SPS13003三极管5.贴片三极管 6.红外光敏三极管 7.TIP41C三极管 8. IRFP250N三极管9.3DD21B大功率晶体 10.10BU102三极管 11. 达林顿三极管 12.13007 大功率三極管13.插件三极管 14. 光敏三极管 15.光敏三极管 16.塑封直插三极管17.0.83芯片三极管 18.中高频放大三极管19.2SC系列大功率三极管20
20、.13003开关三极管21.C945晶体三极管 22.贴片三极管 23.3CA1B高频晶体 24.C2230A晶体三极管25.3DG12B晶体三极管26. 2SC3858大功率 27.C5905 28.CD55129.三极管C39 30.C2335晶体三极管31.3AX81A-C锗三极32.B817大功率晶体三极33.3DG182C晶体三极 34.3DD102B三极 35.开关三极管 36. 贴片三极管图4-20 三极管实物图第三节 半导体器件的参数一、晶体二极管的参数描述特性的物理量称为二极管的参数，它是反映二极管电性能的质量指标，是合理选择和使用二极管的主要依据。在半导体器件手册或生产厂家
21、的产品目录中，对各种型号的二极管均用表格列出其参数。二极管的主要参数有以下几种：1最大平均整流IF（AV） IF（AV）是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。它与PN结的面积、材料及散热条件有关。实际应用时，工作应小于IF（AV），否则，可能导致结温过高而烧毁PN结。2最高反向工作电压VRM VRM是指二极管反向运用时，所允许加的最大反向电压。实际应用时，当反向电压增加到击穿电压VBR时，二极管可能被击穿损坏，因而，VRM通常取为（1/2 2/3）VBR。3反向IR IR是指二极管未被反向击穿时的反向。理论上IR= IR（sat），但考虑表面漏电等因素，实际上IR稍大一些。IR愈小
22、，表明二极管的单向导电性能愈好。另外，IR与温度密切相关，使用时应注意。4最高工作频率fM fM是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。实际应用时，不要超过此值，否则二极管的单向导电性将显著退化。fM的大小主要由二极管的电容效应来决定。5二极管的 就二极管在电路中与电压的关系而言，可以把它看成一个等效电阻，且有直流电阻与交流电阻之别。（1）直流等效电阻RD 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID之比，即 （41） RD的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二
23、极管工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。（2）交流等效电阻rdrd亦随工作点而变化，是非线性电阻。通常，二极管的交流正向电阻在几几十欧姆之间。 需要指出的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型号的二极管，其参数的分散性很大。通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的，使用时应注意条件。二、晶体三极管的参数1、共射电流放大系数和在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和基极电流IB的比就是 ， 称为共射直流电流
24、放大系数。当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数，即 （42）上述两个电流放大系数和的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的值差异较大。常用的小功率三极管，值一般为20100。过小，管子的电流放大作用小，过大，管子工作的稳定性差，一般选用在4080之间的管子较为合适。2、极间反向饱和电流ICBO和ICEO （1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集
25、电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常可忽略。（2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。3、极限参数（1）集电极最大允许电流ICM晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内值基本保持不变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数值将下降。使明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能正常工作，IC不应超过ICM。图4-21 三极管输出伏安特性（2）集电极最大允许功耗PCM晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗
26、的功率就是集电极的功耗PCM，即PCM=ICUCE功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。（3）反向击穿电压UBR（CEO）反向击穿电压UBR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压UCEUBR（CEO），集电极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有可能会出现，当管子截止时，UCEUBR（CEO）导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况
27、下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。4、温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。（1）对的影响：三极管的随温度的升高将增大，温度每上升l，值约增大0.51，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。（2）对反向饱和电流ICEO的影响：ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。（3）对发射结电压ube的影响：和二极管的正向特性一样，温度上升1，ube将下降
28、22.5mV。综上所述，随着温度的上升，值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。第四节 半导体器件的检测一、晶体二极管的检测1检测小功率晶体二极管A判别正、负电极(a)观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。印有色环的一端为负。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。(c)以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。 (d)数字
29、万用表的二极管挡也可测量，好的二极管其正向导通压降，硅管一般在0.7V左右，锗二极管一般在0.3V左右，在显示该电压情况下，红表笔为二极管的正极。B检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R1k挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。C检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向
30、工作电压高得多(约高一倍)。2检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K10K，反向电阻值为无穷大。3检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45K左右，反向电阻为无穷大。4检测双向触发二极管A将万用表置于R1K挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供
31、。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。5瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测A用万用表R1K挡测量管子的好坏对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4K左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。6高频变阻二极管的检测A识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管
32、的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。B测量正、反向电阻来判断其好坏具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5K55K，反向电阻为无穷大。7变容二极管的检测将万用表置于R10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用
33、替换法进行检查判断。8单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节15V干电池，将万用表置R10或R100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了15V电压，使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。9红外发光二极管的检测A判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。B将万用表置于R1K挡，测量红外发光二极管的
34、正、反向电阻，通常，正向电阻应在30K左右，反向电阻要在500K以上，这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。10红外接收二极管的检测A识别管脚极性(a)从外观上识别。常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正极和负极。另外，在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面，通常带有此斜切平面一端的引脚为负极，另一端为正极。(b)将万用表置于R1K挡，用来判别普通二极管正、负电极的方法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一大一小。以阻值较小的一次为准，红表笔所接的管脚为负极，黑表笔所接的管脚为正极。B检测性能好坏。用
35、万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的大小，即可初步判定红外接收二极管的好坏。11激光二极管的检测A将万用表置于R1K挡，按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以检测正向电阻时，万用表指针仅略微向右偏转而已，而反向电阻则为无穷大。二、晶体三极管的检测1.中、小功率三极管的检测a.已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏：(a)测量极间电阻。将万用表置于r100或r1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接
36、法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。(b)三极管的穿透电流iceo的数值近似等于管子的倍数和集电结的反向电流icbo的乘积。icbo随着环境温度的升高而增长很快，icbo的增加必然造成iceo的增大。而iceo的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用iceo小的管子。通过用万用表电阻直接测量三极管ec极之间的电阻方法，可间接估计iceo的大小，具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用r100或r1k挡，对于pnp管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于npn型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求
37、测得的电阻越大越好。ec间的阻值越大，说明管子的iceo越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的iceo越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明iceo很大，管子的性能不稳定。(c)测量放大能力()。目前有些型号的万用表具有测量三极管hfe的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。将量程开关拨到hfe位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hfe刻度线上读出管子的放大倍数。另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数
38、值，其颜色和值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。b检测判别电极(a)判定基极。用万用表r100或r1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为pnp型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为npn型管。(b)判定集电极c和发射极e。(以pnp为例)将万用表置于r100或r1k挡，红表笔基
39、极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。c判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。d在路电压检测判断法 在实际应用中、小功率三极管多直接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。2.大功率晶体三极管的检测利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检
40、测大功率三极管来说基本上适用。但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其pn结的面积也较大。pn结较大，其反向饱和电流也必然增大。所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的r1k挡测量，必然测得的电阻值很小，好像极间短路一样，所以通常使用r10或r1挡检测大功率三极管。3.普通达林顿管的检测用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分pnp和npn类型、估测放大能力等项内容。因为达林顿管的eb极之间包含多个发射结，所以应该使用万用表能提供较高电压的r10k挡进行测量。 4.大功率达林顿管的检测检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了
41、v3、r1、r2等保护和泄放漏元件，所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行：a用万用表r10k挡测量b、c之间pn结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。b在大功率达林顿管be之间有两个pn结，并且接有电阻r1和r2。用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是be结正向电阻与r1、r2阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(r1r2)电阻之和，大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是，有些大功率达林顿管在r1、r2、上还并有，此时所测得的则不是(r1r2)之和，而是(r1r
42、2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。 5.带阻尼行输出三极管的检测将万用表置于r1挡，通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常。具体测试原理，方法及步骤如下：a将红表笔接e，黑表笔接b，此时相当于测量大功率管be结的等效二极管与保护电阻r并联后的阻值，由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻r的阻值一般也仅有2050，所以，二者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调，即红表笔接b，黑表笔接e，则测得的是大功率管be结等效二极管的反向电阻值与保护电阻r的并联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得的阻值即是保护电阻r的值，此值仍然较小。b将红表笔接c，黑表笔接b，此时相当于测量管内大功率管bc结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，即将红表笔接b，黑表笔接c，则相当于测量管内大功率管bc结等效二极管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大。c将红表笔接e，黑表笔接c，相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值一般都较大，约300；将红、黑表笔对调，即红表笔接c，黑表