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1、精品名师归纳总结“微纳电子技术 ”2021 年第三期专家论坛125- 纳 M磁多层结构中电流驱动自旋波发射纳 M 器件与技术131- 基于 Pspice 的 RTD 等效模型及其应用电路争论136- 双色量子阱红外探测器中的耦合光栅140- 基于 SWB 环境下的 nm 级 NMOS 虚拟优化纳 M 材料与结构145- 纳 MTiO 2 光催化剂的改性及应用争论进展153- GaN 基材料及其外延生长技术争论MEMS 器件与技术158- 高场非对称波形离子迁移谱仪的初步争论162- 仿壁虎微 M 阵列的加工及其粘附作用分析166- 直流电渗流在微通道内的掌握与仿真争论显微、测量、微细加工技术与
2、设备170- SU 8 胶微结构的显影技术争论174- 三维金属 MEMS 器件电化学制造技术微电子器件与技术179- Cu 金属化系统双扩散阻挡层的争论可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结专家论坛125- 纳 M磁多层结构中电流驱动自旋波发射陈培毅，胡九宁，任敏，张磊，邓宁清华高校 微电子学争论所，北京100084）摘要： 回忆了纳 M 磁多层结构中电流感应自旋矩传输和电流驱动磁化矢量进动引起的自旋波发射等新量子效应的争论现状及进展。基 于该效应的纳 M 磁多层微波振荡器件具有结构简洁、无须外加磁场、简洁集成等特点，在现代通信领域具有宽阔的应用前景，备受 国内外争论者的关注。介绍
3、了自旋波发射效应的理论处理方法和实 验争论进展，争论了自旋波发射器件的工作原理和铁磁膜的磁化方 向、外磁场方向、大小及驱动电流对器件性能的影响。目前研制的 器件的效率较低、振荡功率小，采纳新的垂直磁化结构有助于解决 上述问题。关键词： 自旋波发射。自旋矩传输。巨磁阻。电流驱动。纳M 磁多层结构纳 M 器件与技术131- 基于 Pspice 的 RTD 等效模型及其应用电路研究杨倩，任勇峰，沈三民中北高校 电子测试技术国家重点试验室，太原030051 ）摘要： 简要介绍了 RTD摘要： 在量子阱红外探测器 QWIP ）上制备光栅的目的是对垂直入射的红外辐射进行有效耦合。从试验、测试和有关文献动身
4、，探讨了影响其耦合效率的参数及参数的优化值。重点分析了双色QWIP的光栅设计问题，并从提高双色量子阱红外探测器光栅耦合效率和 响应匀称性动身，介绍了一种新型交叉组合二维双周期结构光栅的 设计方法。以一种详细AlGaAs/GaAs双色量子阱红外探测器为例， 模拟了对应的交叉组合二维双周期结构光栅的几何参数和耦合强度，并与传统的二维双周期光栅结果对比，显示了新型双周期结构光栅在提高光耦合强度方面的优越性。关键词： 量子阱红外探测器。耦合效率。光栅设计。双色。双周期140- 基于 SWB 环境下的 nm 级 NMOS 虚拟优化吴胜龙，刘岩，赵守磊，李惠军，于英霞，张宪敏山东高校 孟堯微电子研发中心，
5、济南250100）摘要： 介绍了 SynopsysInc. 推出的新一代 第五代） nm 级 TCAD 仿真平台 -SentaurusWork benchSWB ）的系统结构、基本功能及其优化功能，重点介绍了 SWB 的 DOE 及 RSM 优化机制。基于SWB 环境实现了 nm 级 NMOS集成化管芯的可制造性设计及优 化。在对 NMOS集成化管芯的设计过程中，环绕Vt 进行了可制造性设计，利用 DOE 试验方法和 RSM 对 Vt 进行了优化，得到了阈值电压Vt）和调阈值注入剂量 Vt_Dose ）、能量 Vt_Energy ）及抑制穿通注入剂量 PNCH_Dose ）、能量 PNCH_E
6、nergy ）之间的RSM 响应表面关系。在此基础上，分析了Vt 各影响因素与 Vt 之间的关系，从而指导了在Vt 的设计过程中各个主要影响参数的选取。关键词： 纳 M 层次。可制造性设计。虚拟工厂。工艺优化。集成电路纳 M 材料与结构可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结145- 纳 MTiO 2 光催化剂的改性及应用争论进展曹沛森 1，许璞 2，王玉宝 2，乔青安 2，毛伟鹏 2 ，唐荣2，高善民 21. 潍坊职业学院 化学工程系，山东潍坊261031。 2.鲁东高校 化学与材料科学学院，山东烟台264025）摘要： 对纳 MTiO2 的光催化反应机理及制备方法做了简要阐述，重点
7、介绍了目前在纳 MTiO 2 掺杂改性方面，特别是非金属掺杂和共掺杂改性方面的争论进展。氮掺杂的TiO2 是新发觉的具有可见光催化活性的复合光催化剂，非金属掺杂可以使复合物的禁带宽度小于纯TiO 2 的禁带宽度，从而使 TiO2 的吸取边向可见光方向移动。对TiO2 的 N、C、S、P、卤素掺杂以及共掺杂的国内外争论现状进行了评述，分析了提高 TiO2 可见光催化活性的缘由。对纳MTiO 2 光催化应用领域进行简洁介绍，最终提出了在TiO2 光催化剂争论中期望解决的问题及今后的进展方向。关键词： 二氧化钛。纳 M。光催化剂。掺杂。改性153- GaN 基材料及其外延生长技术争论刘一兵 1，2，
8、黄新民 1，2，刘国华 1，21. 湖南高校 电气与信息工程学院，长沙410082。2. 邵阳职业技术学院机电工程系，湖南邵阳422000）摘要： 介绍了GaN 基材料的基本特性、三种主要外延生长技术MOCVD 、MBE 、HVPE ）、衬底材料的挑选及缓冲层技术。分析得出目前存在的 GaN 体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺陷及接触电阻大等主要问题制约了争论的进一步进展。指出今后的争论重点是完善 GaN 体单晶材料的生长工艺，以利于深化争论GaN 的物理特性及有效的解决衬底问题，争论缓冲层的材料、厚度、组分等以提高 GaN 薄膜质量。关键词： 氮化镓。金属有机物化学气相淀积。分子束外延。氢
9、化物气相外延。缓冲层MEMS 器件与技术158- 高场非对称波形离子迁移谱仪的初步争论王志刚，熊继军，张文栋可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结中北高校 电子测试技术国家重点试验室，太原030051 ）摘要： 介绍了一种基于高场非对称波形离子迁移谱技术的生化检测方法，它依据各种离子在高电场中迁移率变化不同的特性实现对各种生化物质进行检测。经过理论运算，分析了高场非对称波形离子迁移谱仪的基本原理，推导出补偿电压与非对称波形射频电压之间的关系式。但是，迁移率有效系数是一个与离子自身的性质、电场强度、温度、浓度、气压等有关的量，从理论上无法直接运算它的值。通过试验争论，发觉补偿电压与非对
10、称波形电压成线性关系。这有助于进一步熟悉离子在高场非对称波形离子迁移谱仪中的运动特性，同时也为提高它的性能供应了依据。关键词： 高场非对称波形离子迁移谱。微电子机械系统。补偿电压。辨论率。灵敏度162- 仿壁虎微 M 阵列的加工及其粘附作用分析王辉静摘要： 双电层是电渗流形成的关键因素，通过分析双电层的产生过程，说明了电渗流的形成机制，探讨了与直流电渗流形成相关的Poisson-Boltzmann方程、 Laplace 方程及 Navier-Stokes三个基本可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结掌握方程，并建立了与之相关的数学模型。通过对各掌握方程边界 条件的分析及合理简化，分别
11、对zeta 电势、外加垂直电场电势进行了求解和仿真，并且对zeta 电势、外加垂直电场电势进行耦合求解，得到了直流电渗流在微通道内的流速表达式，并分析了微流体 的特性参数、 zeta 电势、外加垂直电场电势对电渗流流速的影响， 结果显示通过增加 zeta 电势可以有效降低微通道两端施加的垂直电场电压。关键词： 双电层。 zeta 电势。微流控。电渗流。仿真争论显微、测量、微细加工技术与设备170- SU 8 胶微结构的显影技术争论郑晓虎 1， 21淮阴工学院 机械工程系，江苏淮安223003。 2南京航空航天高校机电学院，南京210016摘要： 突破了传统深宽比概念，提出金属基底上基于图形特点
12、的光刻胶显影技术，对采纳 SU 8 胶加工高辨论率和高深宽比微结构的显影工艺进行了争论，分析了 120 340 m厚具有不同图形特点的SU 8 胶显影规律，认为在同样条件下，凸型图形显影成效优于凹型非连通性图形。曲线型显影成效优于直线型图形与点状图形。圆弧连接的图形显影成效优于尖角型图形。显影时帮助适当功率的超声搅拌显著改善图形质量，凸型结构正确超声功率小于10 W 。凹型结构超声功率为 15 W 左右。深宽比为 57 的凸型胶膜结构相宜显影时间为 10 min 以内,凹型结构显影时间达 25 min 。关键词： SU 8 胶。紫外。显影。微结构。图形特点174- 三维金属 MEMS 器件电化
13、学制造技术王晓霞成都航空职业技术学院，成都610021摘要： EFAB 技术是微加工领域一项重大的突破，开创了MEMS 金属器件加工的新天的，与其他微加工技术相比，EFAB 技术的主要优点是：可实现 MEMS 中复杂三维金属微结构器件快速、自动化、批量制造。基于快速原型思想，EFAB 利用实时掩模技术将金属材料层层叠加起来，可以加工任意外形的金属三维微结构。介绍了可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结EFAB 技术原理，并对其加工设备、分层技术、实时掩模、过程监控等关键技术进行了剖析，最终给出了应用实例。关键词： 电化学制造技术。微机电系统。实时掩模。三维微结构。 分层技术微电子器件
14、与技术179- Cu 金属化系统双扩散阻挡层的争论王晓冬 1，吉 元 2a，钟涛兴 2a ，李志国 2b，夏 洋3，刘丹敏 2a，肖卫强 2a 1. 中国人民武装警察部队学院基础部，河北廊坊065000 。2. 北京工业高校 a.固体微结构与性能争论所。b.电子信息与掌握工程学院，北京100022。3. 中国科学院微电子中心，北京100029 摘要： 采纳二次离子质谱仪SIMS 测试了SiON 和Ta 双层扩散阻挡层及 Ta 扩散阻挡层的阻挡性能。采纳X 射线衍射仪 XRD 测量了沉积态有 Ta 阻挡层和无阻挡层 Cu 膜的晶体学取向结构。利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu 膜的应力分布状况。测试结果说明，双阻挡层中Ta 黏附层有效的将 Cu 附着于 Si 基片上，并对 Cu 具有肯定的阻挡成效，而 SiON 层就有效的阻挡了Cu 向 SiO 2 中的扩散。与 Ta 阻挡层相比，双阻挡层具有较好阻挡性能。有 Ta 阻挡层的 Cu 膜的111织构明显强于无阻挡层的 Cu 膜。离子注氮后，薄膜样品应力平均值为206 MPa 。而电镀 Cu 膜后， 样品应力平均值为 -661.7 MPa 。关键词： Cu 互连。氮氧化硅。钽。扩散阻挡层。二次离子质谱仪。X 射线衍射仪可编辑资料 - - - 欢迎下载