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1、精选学习资料 - - - - - - - - - “微纳电子技术 ”2022 年第三期 专家论坛 125- 纳 M磁多层结构中电流驱动自旋波发射 纳 M 器件与技术 131- 基于 Pspice 的 RTD 等效模型及其应用电路研 究 136- 双色量子阱红外探测器中的耦合光栅 140- 基于 SWB 环境下的 nm 级 NMOS 虚拟优化 纳 M 材料与结构 145- 纳 MTiO 2 光催化剂的改性及应用争论进展 153- GaN 基材料及其外延生长技术争论MEMS 器件与技术 158- 高场非对称波形离子迁移谱仪的初步争论 162- 仿壁虎微 M 阵列的加工及其粘附作用分析 166- 直
2、流电渗流在微通道内的掌握与仿真争论 显微、测量、微细加工技术与设备 170- SU 8 胶微结构的显影技术争论 174- 三维金属 MEMS 器件电化学制造技术 微电子器件与技术 179- Cu 金属化系统双扩散阻挡层的争论 1 / 7 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 7 页精选学习资料 - - - - - - - - - 专家论坛125- 纳 M磁多层结构中电流驱动自旋波发射陈培毅,胡九宁,任 敏,张 磊,邓 宁清华高校 微电子学争论所,北京 100084）摘要： 回忆了纳 M 磁多层结构中电流感应自旋矩传输和电流驱动磁 化矢量进动引起的自旋波发射等新量子效应的争论现
3、状及进展；基 于该效应的纳 M 磁多层微波振荡器件具有结构简洁、无须外加磁 场、简洁集成等特点,在现代通信领域具有宽阔的应用前景,备受 国内外争论者的关注；介绍了自旋波发射效应的理论处理方法和实 验争论进展,争论了自旋波发射器件的工作原理和铁磁膜的磁化方 向、外磁场方向、大小及驱动电流对器件性能的影响；目前研制的 器件的效率较低、振荡功率小,采纳新的垂直磁化结构有助于解决 上述问题；关键词： 自旋波发射；自旋矩传输；巨磁阻；电流驱动；纳 M 磁多 层结构纳 M 器件与技术131- 基于 Pspice 的 RTD 等效模型及其应用电路研 究杨 倩,任勇峰,沈三民中北高校 电子测试技术国家重点试验
4、室,太原 030051）摘要： 简要介绍了RTD 摘要： 在量子阱红外探测器QWIP ）上制备光栅的目的是对垂直入射的红外辐射进行有效耦合；从试验、测试和有关文献动身,探讨 了影响其耦合效率的参数及参数的优化值；重点分析了双色 QWIP 的光栅设计问题,并从提高双色量子阱红外探测器光栅耦合效率和 响应匀称性动身,介绍了一种新型交叉组合二维双周期结构光栅的设计方法；以一种详细AlGaAs/GaAs 双色量子阱红外探测器为例,模拟了对应的交叉组合二维双周期结构光栅的几何参数和耦合强 度,并与传统的二维双周期光栅结果对比,显示了新型双周期结构 光栅在提高光耦合强度方面的优越性；关键词： 量子阱红外探
5、测器；耦合效率；光栅设计；双色；双周期140- 基于 SWB 环境下的 nm 级 NMOS 虚拟优化 吴胜龙,刘 岩,赵守磊,李惠军,于英霞,张宪敏山东高校 孟堯微电子研发中心,济南 250100）摘要： 介绍了 Synopsys Inc.推出的新一代 第五代） nm 级 TCAD 仿真平台 -Sentaurus Work benchSWB ）的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB 的 DOE 及 RSM 优化机制；基于SWB 环境实现了 nm 级 NMOS 集成化管芯的可制造性设计及优化；在对 NMOS 集成化管芯的设计过程中,环绕 V t 进行了可制造性设计,利用 DOE 试验
6、方法和 RSM 对 Vt 进行了优化,得到了阈值电压 Vt）和调阈值注入剂量Vt_Dose ）、能量 Vt_Energy ）及抑制穿通注入剂量 PNCH_Dose ）、能量 PNCH_Energy ）之间的RSM 响应表面关系；在此基础上,分析了 Vt 各影响因素与 Vt 之间的关系,从而指导了在 Vt 的设计过程中各个主要影响参数的选取；关键词： 纳 M 层次；可制造性设计；虚拟工厂；工艺优化；集成电路纳 M 材料与结构3 / 7 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 7 页精选学习资料 - - - - - - - - - 145- 纳 MTiO 2光催化剂的改性及应用争论
7、进展曹沛森1,许璞2,王玉宝2,乔青安2,毛伟鹏2,唐荣2,高善民21. 潍坊职业学院化学工程系,山东潍坊261031；2.鲁东高校 化学与材料科学学院,山东烟台264025）摘要： 对纳 MTiO2 的光催化反应机理及制备方法做了简要阐述,重 点介绍了目前在纳 MTiO 2 掺杂改性方面,特别是非金属掺杂和共掺 杂改性方面的争论进展；氮掺杂的 TiO2 是新发觉的具有可见光催化 活性的复合光催化剂,非金属掺杂可以使复合物的禁带宽度小于纯TiO2的禁带宽度,从而使TiO2 的吸取边向可见光方向移动；对TiO2的 N、C、S、P、卤素掺杂以及共掺杂的国内外争论现状进行了评述,分析了提高TiO2
8、可见光催化活性的缘由；对纳MTiO 2 光催化应用领域进行简洁介绍,最终提出了在 的问题及今后的进展方向；TiO2 光催化剂争论中期望解决关键词： 二氧化钛；纳 M；光催化剂；掺杂；改性153- GaN 基材料及其外延生长技术争论刘一兵 1,2,黄新民 1,2,刘国华 1,21. 湖南高校 电气与信息工程学院,长沙 410082；2. 邵阳职业技术学院 机电工程系,湖南 邵阳 422000）摘要： 介绍了 GaN 基材料的基本特性、三种主要外延生长技术MOCVD 、MBE 、HVPE ）、衬底材料的挑选及缓冲层技术；分析得出目前存在的 GaN 体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺陷及接触电阻大
9、等主要问题制约了争论的进一步进展；指出今后的争论重点是完善GaN 体单晶材料的生长工艺,以利于深化争论GaN 的物理特性及有效地解决衬底问题,争论缓冲层的材料、厚度、组分等以提高 GaN 薄膜质量；关键词： 氮化镓；金属有机物化学气相淀积；分子束外延；氢化物气相外延；缓冲层MEMS 器件与技术158- 高场非对称波形离子迁移谱仪的初步争论王志刚,熊继军,张文栋4 / 7 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 7 页精选学习资料 - - - - - - - - - 中北高校 电子测试技术国家重点试验室,太原 030051）摘要： 介绍了一种基于高场非对称波形离子迁移谱技术的生化
10、检测 方法,它依据各种离子在高电场中迁移率变化不同的特性实现对各 种生化物质进行检测；经过理论运算,分析了高场非对称波形离子 迁移谱仪的基本原理,推导出补偿电压与非对称波形射频电压之间 的关系式；但是,迁移率有效系数是一个与离子自身的性质、电场 强度、温度、浓度、气压等有关的量,从理论上无法直接运算它的 值；通过试验争论,发觉补偿电压与非对称波形电压成线性关系；这有助于进一步熟悉离子在高场非对称波形离子迁移谱仪中的运动 特性,同时也为提高它的性能供应了依据；关键词： 高场非对称波形离子迁移谱；微电子机械系统；补偿电 压；辨论率；灵敏度162- 仿壁虎微 M 阵列的加工及其粘附作用分析 王辉静
11、摘要： 双电层是电渗流形成的关键因素,通过分析双电层的产生过程,说明了电渗流的形成机制,探讨了与直流电渗流形成相关的Poisson-Boltzmann方程、 Laplace 方程及 Navier-Stokes 三个基本 5 / 7 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页,共 7 页精选学习资料 - - - - - - - - - 掌握方程,并建立了与之相关的数学模型；通过对各掌握方程边界条件的分析及合理简化,分别对zeta 电势、外加垂直电场电势进行了求解和仿真,并且对 zeta 电势、外加垂直电场电势进行耦合求 解,得到了直流电渗流在微通道内的流速表达式,并分析了微流体 的特性参
12、数、 zeta 电势、外加垂直电场电势对电渗流流速的影响,结果显示通过增加 zeta 电势可以有效降低微通道两端施加的垂直电 场电压；关键词： 双电层； zeta 电势；微流控；电渗流；仿真争论显微、测量、微细加工技术与设备170- SU 8 胶微结构的显影技术争论郑晓虎 1, 21淮阴工学院 机械工程系,江苏 淮安 223003；2南京航空航天高校 机电学院,南京 210016 摘要： 突破了传统深宽比概念,提出金属基底上基于图形特点的光刻胶显影技术,对采纳SU8 胶加工高辨论率和高深宽比微结构的显影工艺进行了争论,分析了 120340 m厚具有不同图形特点的SU8 胶显影规律,认为在同样条
13、件下,凸型图形显影成效优于凹型非连通性图形；曲线型显影成效优于直线型图形与点状图形；圆弧连接的图形显影成效优于尖角型图形；显影时帮助适当功率的超声搅拌显著改善图形质量,凸型结构正确超声功率小于 10 W ；凹型结构超声功率为 15 W 左右；深宽比为 57 的凸型胶膜结构相宜显影时间为 10 min 以内,凹型结构显影时间达 25 min ；关键词： SU8 胶；紫外；显影；微结构；图形特点174- 三维金属 MEMS 器件电化学制造技术王晓霞成都航空职业技术学院,成都 610021 摘要： EFAB 技术是微加工领域一项重大的突破,开创了 MEMS 金属器件加工的新天地,与其他微加工技术相比
14、,EFAB 技术的主要优点是：可实现 MEMS 中复杂三维金属微结构器件快速、自动化、批量制造；基于快速原型思想,EFAB 利用实时掩模技术将金属材料层层叠加起来,可以加工任意外形的金属三维微结构；介绍了6 / 7 名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页,共 7 页精选学习资料 - - - - - - - - - EFAB 技术原理,并对其加工设备、分层技术、实时掩模、过程监控等关键技术进行了剖析,最终给出了应用实例；关键词： 电化学制造技术；微机电系统；实时掩模；三维微结构；分层技术微电子器件与技术179- Cu 金属化系统双扩散阻挡层的争论王晓冬 1,吉 元 2a,钟涛兴 2a
15、 ,李志国 2b,夏 洋3,刘丹敏 2a,肖卫强 2a 1. 中国人民武装警察部队学院 基础部,河北 廊坊 065000；2. 北京工业高校 a.固体微结构与性能争论所；b.电子信息与掌握工程学院,北京100022；3. 中国科学院微电子中心,北京100029 摘要： 采纳二次离子质谱仪 SIMS 测试了 SiON 和 Ta 双层扩散阻挡层及 Ta 扩散阻挡层的阻挡性能；采纳X 射线衍射仪 XRD 测量了沉积态有 Ta 阻挡层和无阻挡层 Cu 膜的晶体学取向结构；利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu 膜的应力分布状况；测试结果说明,双阻挡层中 Ta 黏附层有效地将 Cu 附着于 Si 基片上,并对 Cu 具有肯定的阻挡成效,而 SiON 层就有效地阻挡了 Cu向 SiO 2 中的扩散；与 Ta 阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能；有 Ta 阻挡层的 Cu 膜的 111织构明显强于无阻挡层的 Cu 膜；离子注氮后,薄膜样品应力平均值为 样品应力平均值为 -661.7 MPa ；206 MPa；而电镀 Cu 膜后,关键词： Cu 互连；氮氧化硅；钽；扩散阻挡层；二次离子质谱仪；X 射线衍射仪7 / 7 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页,共 7 页