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1、精选优质文档-倾情为你奉上关于印发多晶硅生产企业安全技术指导书的通知豫安监管201135号各省辖市安全生产监督管理局、各相关企业：现将多晶硅生产企业安全技术指导书印发给你们，请遵照执行。附件：多晶硅生产企业安全技术指导书河南省安全生产监督管理局二一一年四月二十五日附件:多晶硅生产企业安全技术指导书1、范围本指导书规定了多晶硅生产过程产生的各类危害因素应采取的基本安全技术要求和措施，包括总图平面布局与通道、防火防爆、防雷防静电、电气安全、生产装置安全、防尘防毒、防噪声、防护用品、多晶硅作业安全和安全管理等方面内容。适用于河南省境内用氯硅烷法生产多晶硅的生产企业。2、基本安全要求2.1基本规定2.
2、1.1新建、扩建、改建多晶硅生产企业（装置）应符合本指导书的规定。暂不符合本指导书规定的现有多晶硅生产企业，应采取综合预防、治理措施，达到本指导书要求。2.1.2新建、扩建、改建多晶硅生产企业的安全、卫生状况，安全、卫生技术措施与管理措施应符合GB 12801-2008生产过程安全卫生要求总则的规定；其安全设施设计专篇应符合危险化学品建设项目安全设施设计专篇编制导则（试行）；爆炸危险场所应当符合爆炸危险场所安全规定 劳部发199556号。多晶硅生产企业的新建、改建、扩建工程，必须进行安全、环保和职业卫生评价，其安全、卫生、消防、环保设施，应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入生产和使用。 用
3、于生产、储存危险化学品的多晶硅生产企业应进行安全条件论证和委托有资质的机构进行安全评价；其建设项目应委托具有化工设计乙级以上资质的设计单位设计；应委托具有化工建设（安装）资格的单位负责施工。2.2总图功能分区与通道2.2.1多晶硅生产企业总图布置应符合建筑设计防火规范（GB50016-2006）和石油化工企业设计防火规范（GB50160-2008）、化工企业总图运输设计规范（GB50489-2009）的有关规定。2.2.2建筑物的耐火等级和防火间距符合建筑设计防火规范（GB50016-2006）和石油化工企业设计防火规范（GB50160-2008）的有关规定。2.2.3厂区消防系统设计应符合建
4、筑设计防火规范（GB50016-2006）的有关规定。2.3.防火防爆分区与间距2.3.1同一防火分区内有不同性质生产时，其火灾分类，应按火灾危险性较大的部分确定。多晶硅生产企业火灾危险性分类和举例见附录A。2.3.2氯化氢与三氯氢硅合成装置、多晶硅还原装置、还原尾气回收分离装置、四氯化硅氢化装置、电解水制氢装置、氢气罐区、氯硅烷罐区等有爆炸危险厂房的泄爆面积应符合GB50016-2006建筑设计防火规范（GB50016-2006）第3.6节要求。2.3.3易燃易爆厂房内不应设置办公室、休息室。如必须贴邻本厂房设置时，应采用一、二级耐火等级建筑，并应采用耐火极限不低于3h的非燃烧体防护墙隔开或
5、设置直通室外或疏散楼梯的安全出口。2.3.4若专用控制室、中控化验室必须与设有氯化氢与三氯氢硅合成反应、四氯化硅氢化反应、多晶硅还原反应、电解水反应等生产设备的房间布置在同一建筑物内时，应用非燃烧体防火墙隔开和设置独立的安全出口，朝向爆炸危险区域的应采用防爆墙。防火墙的耐火等级应为一级。2.4贮存场所2.4.1构成重大危险源的氢气罐区和氯硅烷储罐区应严格按照重大危险源的有关规定执行。2.4.2所有氯硅烷罐区都应按照该罐区单个最大容积储罐配备备用储罐。2.4.3所有甲、乙类液体的轻便容器（如桶、瓶）存放在室外时，应设置防晒棚或水喷淋（雾）设施。氯硅烷贮罐区应设防日晒设施或其他降温设施，甲、乙类液
6、体贮罐阀门冬季应有防冻措施。储存氯硅烷液体，应选用压力储罐。2.4.4厂区消防设施应按照建筑设计防火规范（GB50016-2006）、建筑灭火器配备设计规范（GB50140-2005）的相关要求配置。2.5消防、防雷、防静电2.5.1扑救四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅、一氯三氢硅、硅烷、等甲、乙、丙类液体应选用干粉灭火器。生产作业场所应按GB50140-2005建筑灭火器配置设计规范的规定根据火源及着火物质性质，配备适当种类、足够数量的消防器材，并定期检查，保持有效状态。2.5.2生产作业场所的各类建、构筑物、露天装置、贮罐应设置防雷设施。防雷措施及防雷装置应符合GB 50057-1994（2
7、002年版）建筑物防雷设计规范的要求。防雷设施应由有资质的单位进行设计、安装和监测。2.5.3生产作业场所内可能产生静电危害的物体应采取工业防静电接地措施，应符合GB 12158-2006防止静电事故通用导则的要求。 使用、贮存、输送、装卸、运输易燃易爆物品（各类溶剂、氯硅烷、导热油、产生可燃性粉料等）的生产装置（反应器、提纯塔、换热容器、贮罐、输送泵、装卸设施和过滤器、易燃液体、气体管道阀门等）、装卸场所以及产生静电积累易燃易爆的生产设施岗位都应有防静电接地措施。各专设的防静电接地电阻值不应大于100。2.5.4在输送和灌装过程时，应防止液体的飞散和飞溅，以减少静电产生。从底部或上部入灌的注
8、入管末端应设计成不易使液体飞散的倒T形状或另加导流板；或在上部灌装时，使液体沿侧壁缓慢下流。2.5.5易燃易爆液体应从槽车等大型容器底部注入，若不得已在上部灌装时，应将注入管伸入容器内离其底部不大于200mm处，在注入管未浸入液面前，其流速应限制在1m/s以内。2.5.6装运危险化学品的汽车槽车装卸作业时应配带阻火帽、静电接地链等设施，在装卸区应安装静电接地报警器，装卸作业按照先接地再作业的原则进行。装卸工作完毕后，应静置2min以上时间，才能拆除接地线。2.5.7氢气储罐区、氢气压缩机房等重点防火防爆作业区的入口处，应设置人体静电消除装置（接地裸露金属体如栏杆、金属支架等）。2.6电气安全2
9、.6.1电解水制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、氯硅烷分离提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化装置、氢气和氯硅烷罐区等爆炸性气体环境电气装置应符合GB 50058-1992爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范第2章的要求, 硅粉仓库等爆炸性粉尘环境电气装置应符合GB 50058-1992爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范第3章的要求。2.6.2电解水制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、氯硅烷分离提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化等生产装置中的DCS过程控制系统应有ups备用电源，多晶硅还原炉冷却系统循环动力泵应有其它备用电源或冷
10、却水备用水箱。四氯化硅氢化、活性炭吸附和多晶硅还原或其他工艺采用直接电加热方式，应采取电气防爆措施，并符合GB 50058-1992爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范要求。2.6.3电解水制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、氯硅烷分离提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化装置生产装置、氢气和氯硅烷罐区等易燃易爆环境的电气设备和线路的安装和敷设应符合GB50058-1992爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范、GB50257-1996爆炸和火灾危险环境电力装置竣工及验收规范。2.6.4各种场所的电气设施防爆等级见附录。2.7生产装置安全2.7.1生产设备应具备基本安全
11、功能，符合GB5083-1999生产设备安全卫生设计总则的通用安全要求。锅炉、压力容器、及其压力管道、电梯、电动葫芦、供垂直运输物品的升降机、叉车等特种设备应当符合特种设备安全监察条例要求。2.7.2建构筑物防腐应满足GB50046-95工业建筑防腐蚀设计规范的要求。2.7.3生产工艺过程中接触氯硅烷介质的生产装置不宜采用304不锈钢材料。2.7.4工业金属管道的材料、组成件的选用、布置应符合GB 50316-2000工业金属管道设计规范的要求。2.7.5工业管道的识别色、识别符号、安全标识应符合GB 7231-2003工业管道的基本识别色、识别符号和安全标识要求。2.8相关安全装置2.8.1
12、凡工艺上有放空的设备均应设放空装置，并定期检查其有效性。用于易燃、易爆气体放空的安全阀及放空管，应至少将其导出管高出建筑物屋脊1.0m以上，不应将导出管置于下水道等限制性空间，以免引起爆炸。放空管应选用金属材料，不应使用塑料管或橡皮管。其中释放压力大于等于0.1MPa的放空管线应采用不锈钢材料。放空管上应设有阻火器，应静电接地。管口上应有挡雨、阻雪的伞盖。2.8.2易燃易爆液体严禁使用玻璃管液位计。2.8.3四氯化硅氢化反应器和导热油电加热器温度控制装置应有冗余设计，宜使用两套控制仪器，并定期校验。氢化反应器及系统中的安全附件、安全保护装置、测量调控装置及有关附属仪器应完整、齐全、有效。2.9
13、安全标志2.9.1多晶硅企业生产作业场所应按GB 2894-1996（安全标志 ）的规定设置安全标志，或在建（构）筑物及设备上按GB 2893-2001安全色规定涂安全色。2.9.2生产作业场所的紧急通道和出入口，应设置明显醒目的标志。生产作业区入口及其他禁止明火和产生火花的场所应有禁止烟火的安全标志。2.10职业危害控制2.10.1生产过程应严格控制粉尘、毒物的产生。存在严重职业危害的作业岗位应按GBZ 158-2003工作场所职业病危害警示标识的规定设置醒目的警示标识和中文警示标志。2.10.2根据生产工艺和粉尘、毒物特性，采取防尘、防毒通风措施控制其扩散，使作业场所有害物质及粉尘的浓度符
14、合GBZ 2-2002（工作场所有害因素职业接触限值）规定。多晶硅生产场所空气中主要有毒物质及粉尘容许浓度见附件B。2.10.3产生粉尘、可燃性气体烟雾的作业场所，应设排毒或除尘净化的通风设施。通风设施应有防爆措施，风机与电机应要求防爆隔爆等级。通风空气不应循环使用。2.10.4对于毒性危害严重的生产过程和设备，应设计可靠的事故处理装置及应急防护措施。在有毒性危害的作业环境中，应设置必要的洗眼器、淋洗器等卫生防护设施，其服务半径应小于15m。并根据作业特点和防护要求，确定配置事故柜、急救箱或个人防护用品。2.10.5应从声源上控制生产过程和设备噪声，以低噪声的工艺和设备代替高噪声的工艺和设备。
15、2.10.6生产过程和设备的噪声应采取隔声、消声、隔振及管理等综合措施，使操作人员每天连续8h接触的噪声不大于85dB（A）。作业场所噪声声级的卫生限值，应符合国家标准GBZ 1-2002（工业企业设计卫生标准）要求。 2.10.7当室内作业地点气温等于或大于37时应采取局部降温和防暑措施，并应减少接触时间。在炎热季节对高温作业的工人应供应含盐清凉饮料（含盐量为0.1%0.2%）。2.10.8当室内作业地点温度近十年最冷月平均温度等于或小于8的月份连续三个月以上的，应设置采暖设施，设置采暖设施应符合GB50016-2006（建筑设计防火规范）第10.2节的要求。甲、乙类厂房和甲、乙类仓库内不应
16、采用明火和电热散热器采暖。2.11防护用品管理2.11.1对作业人员应采取个人防护措施，配备专用的劳动防护用品。不同岗位作业人员配用劳动防护用品及劳动防护用品质量性能应符合GB/T 11651-2008个体防护装备选用规范的要求。易燃易爆场所作业人员应配用阻燃、防静电、防酸碱的工作服、防毒口罩、工作手套等。2.11.2生产作业场所应配备呼吸防护器以及其他应急防护用品。呼吸防护器配备应符合GB/T 18664-2002呼吸防护用品的选择、使用与维护的要求。2.12过程自动控制设计安全要求2.12.1系统DCS的操作站、控制器、通讯总线、I/O卡件等应当考虑冗余要求。2.12.2提纯塔、三氯氢硅气
17、化装置、还原尾气压缩机、氢化反应器等重要设备应根据其内部物料的火灾危险性和操作条件设置相应的仪表报警讯号，自动联锁保护系统或紧急停车系统。2.12.3多晶硅生产装置中，采用DCS、PLC等执行监控的生产装置仪表电源应采用ups备用电源，其后备电池供电时间：15min-30min2.12.4氢气压缩机房、还原炉室、氯硅烷储罐区等区域内，应设置可燃气体检测报警仪。氯硅烷罐区的区域内，还应设置有毒气体检测报警仪。2.12.5易燃易爆装置内的保护管与仪表、检测元件、电气设备、接线箱、拉线盒等的连接作业，应当符合GB50257-1996爆炸和火灾危险环境电力装置竣工及验收规范的有关要求。3、多晶硅生产作
18、业安全3.1工艺控制及一般规定3.1.1企业应按照不同的多晶硅生产具体工艺及特点，根据本指导书制定岗位操作规程。3.1.2多晶硅生产的工艺技术指标和中间控制指标应仔细核对、严格控制，重要的控制指标应设管理控制点。更改指标应有相应的安全保障，并经技术负责人批准。3.1.3加热设备、提纯设备、还原设备、氢化反应设备、HCL与TCS合成设备、制氢设备、干法回收设备、辅助设备（过滤机、离心机、各类泵、空气压缩机、通风机、电动葫芦）等生产设备的操作应按照安全操作规程进行。3.1.4系统开停车基本指导书3.1.4.1系统开车前应先检查并确认水、电、汽(气)必须符合开车要求，设备及其安全附件完好，各种原料、
19、材料、辅助材料的供应必须齐备，合格，投料前必须进行分析验证。3.1.4.2检查阀门开闭状态及盲板抽加情况,保证装置流程畅通,各种机电设备及电气仪表等均应处在完好状态。3.1.4.3保温、保压及洗净的设备要符合开车要求,必要时应重新置换,清洗和分析,使之合格。3.1.4.4必要时停止一切检修作业,无关人员不准进入现场。3.1.4.5各种条件具备后开车,开车过程中要加强有关岗位之间的联络,严格按开车方案中的步骤进行,严格遵守升降温,升降压和加减负荷的幅度(速率)要求。3.1.4.6开车过程中要严密注意工艺的变化和设备运行的情况,加强与有关岗位和部门的联系,发现异常现象应及时处理,情况紧急时应中止开
20、车,严禁强行开车。3.1.4.7必须编制停车方案,正常停车必须按停车方案中的步骤进行。用于紧急处理的自动停车联锁装置,不应用于正常停车,加强与有关岗位和部门的联系。3.1.4.8系统降压,降温必须按要求的幅度(速率)并按先高压后低压的顺序进行。凡需保压、保温的设备容器等,停车后要按时记录压力,温度的变化。3.1.4.9大型传动设备的停车,必须先停主机,后停辅机.3.1.4.10设备(容器)卸压时,要注意易燃,易爆,易中毒等化学危险物品的排放和散发都应进入尾气处理系统,防止造成事故。3.1.4.11冬季停车后,要采取防冻防凝措施。3.1.5紧急处理。3.1.5.1工艺及机电设备等发生异常情况时,
21、应迅速采取措施,并通知有关岗位协调处理。如仍不可控，或发生爆炸、着火、大量泄漏等事故时，立即启动应急救救援预案。3.2三氯氢硅提纯3.2.1提纯塔开车。3.2.1.1应按照所开提纯塔的工艺操作规程（或作业本指导书）的要求操作。3.2.1.2提纯塔进料前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常投用。3.2.1.3该提纯塔以及相关所有设备管道用高纯氮气置换合格（经检测后氮中氧小于5000PPm，露点小于-45）。3.2.1.4应按照工艺技术操作规程的要求逐步开车，注意进料流量，升温升压速度，防止因为升压过快引起塔失去控制，发生事故。在开塔过程中注意，冷热
22、源的投入必须遵循“先冷后热”的原则，先通冷却介质，再通加热介质，在通入热源之间要先进料，应避免加热设备“干烧”的状况。3.2.2提纯塔运行控制3.2.2.1提纯塔运行中要严格按照工艺操作参数控制，不应超过所有参数的控制范围。3.2.2.2提纯塔运行中如果出现泄漏时应立即采取停塔处理措施，停止加热，停止进出料，打开尾气阀门泄压，通入高纯氮气，防止因为泄漏出现着火爆炸等次生事故。如果条件允许，可使用带压堵漏工具对泄漏部位进行封堵，否则待压力降低后将塔内物料倒出，高纯氮气置换，分析合格后再对泄漏部位进行处理。3.2.2.3提纯塔运行中要精心观察各参数运行是否异常，定期对循环水ph值及系统压力进行检测
23、，以确保在换热器泄漏时能够及时发现处理。3.2.3提纯塔停车3.2.3.1提纯塔停车时应遵循“先热后冷”的原则，当提纯塔所有进出料停止，与其他系统断开后，先停止热源，保持冷却水继续运转，待塔内温度降下来、塔压维持稳定后方可关闭冷却循环水。停塔过程中应随时监视塔内压力和温度情况。3.2.3.2提纯塔停塔后依据实际情况进行后续处理。如停塔后不需检修且物料没有倒出，则要继续监视塔内各个参数，保证塔内各参数正常，且保持微正压；如需要检修，则应把塔内所有物料倒出，高纯氮气置换合格后进行检修。3.3还原尾气干法回收3.3.1还原尾气干法回收系统开车。3.3.1.1应按照还原尾气干法回收系统的工艺操作规程（
24、或作业本指导书）的要求操作。干法回收系统进料前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常投用。3.3.1.2所有相关设备管道先使用高纯氮气置换（经检测后氮中氧小于5000PPm，露点小于-45），合格后再使用高纯氢气置换，氢气置换合格（氢中氮小于5000PPm，氢中氧小于10PPm）后才可以进料。3.3.1.3干法回收系统进料后，循环降温的过程中要加强现场巡检，防止因为系统温度降低造成的泄漏。降温过程中严格控制降温速度，防止低于设备承受温度而发生的设备损坏。3.3.2还原尾气干法回收系统运行控制。3.3.2.1应按照还原尾气干法回收系统的工艺操作规程（
25、或作业本指导书）的要求操作。在干法回收系统运行期间，操作者要精心调整，确保各个参数都保持在正常范围内。3.3.2.2正常运行时突然停水，停电，泵、压缩机、冷冻系统会立刻跳停，鼓泡淋洗系统压力会迅速升高，应立即开启鼓泡淋洗系统尾气阀门泄压，停止向还原系统供料，操作人员严密监控各个参数，一旦出现超压现象应及时泄压。3.3.2.3氢气或物料泄露，应立即将泄漏部位与其它部分断开，利用尾气管道泄压，当系统压力低于氮气系统压力时，向系统内通入高纯氮气，降低泄漏物中可燃物质含量，避免发生着火爆炸等次生事故。3.3.2.4运行中要定时对各个部分气体以及物料进行检测(成分、杂质)，通过检测结果对控制参数进行适当
26、的调整，以优化系统的运行效果。3.3.3还原尾气干法回收系统停车3.3.3.1应按照还原尾气干法回收系统的工艺操作规程（或作业本指导书）的要求操作。3.3.3.2干法回收系统停车过程中，要注意各参数是否异常，特别是鼓泡淋洗系统和脱吸塔压力是否异常（不能超过系统设定压力），随时做好泄压的准备。3.4四氯化硅氢化3.4.1硅粉与触媒加料。3.4.1.1应按照氢化系统和混料机的工艺操作规程（或作业本指导书）的要求操作。3.4.1.2硅粉与触媒下料时应打开除尘装置，控制加料速度，防止固体粉尘飞扬。操作者应佩戴相关劳动防护用品。3.4.1.3加料完成后关闭活化干燥器加料阀门，并加上盲板（按AQ3027-
27、2008要求），升压检漏合格后方可进行下一道工序。3.4.2硅粉与触媒的活化干燥。3.4.2.1应按照氢化系统和氢气加压净化系统的操作规程（或作业本指导书）的要求操作。3.4.2.2进氢气前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常投用。3.4.2.3系统运行前要确保高纯氮气置换合格，（经检测后氮中氧小于5000PPm，露点小于-45）。氢气置换合格（氢中氮小于5000PPm，氢中氧小于10PPm）。3.4.2.4活化干燥过程中要严格按照触媒的升温曲线进行升温，升温过程要严格监控系统各参数的变化情况，升温速度不能过快，防止设备管道因为短时间内形变过大而
28、造成的损坏。所有电加热设备运行时必须确保有足量的气体流动，避免因为局部过热造成设备、管道发生泄漏。3.4.2.5活化干燥过程中发生氢气泄漏着火时，要立即停止所有运行设备，切断氢气来源，及时通入氮气，利用各个尾气点泄压。同时利用干粉灭火器、二氧化碳灭火器或氮气及时扑救。3.4.3氢化反应过程运行控制。3.4.3.1应按照氢化系统的操作规程（或作业指导书）的要求操作。3.4.3.2进氢气前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常投用。3.4.3.3运行前应确保氮气置换合格（经检测后氮中氧小于5000PPm，露点小于-45），氢气置换合格（氢中氮小于500
29、0PPm，氢中氧小于10PPm）。3.4.3.4混合气预热炉附近等氢化系统关键部位，应按照氢气使用安全技术规程（GB4962-2008）安装氢气报警装置，按照石油化工可燃气体和有毒气体监测报警设计规范（GB50493-2009）安装氯化氢报警装置。3.4.4停车氧化抽渣。3.4.4.1应按照氢化系统的操作规程（或作业指导书）的要求操作。停车时要遵循“先热后冷”的原则，先停止所有的加热设备，压缩机继续运转，当系统温度降至规定值之下，再停止降温设备和压缩机。3.4.4.2停车后将系统内剩余物料倒出，压力卸为微正压，开始氮气置换。氮气置换合格后（氮中氢小于5000PPm），将氢化系统与其他系统加盲板
30、断开。3.5三氯氢硅还原。3.5.1三氯氢硅还原系统开车。3.5.1.1开车应按照三氯氢硅还原系统的工艺规程（或作业指导书）要求进行操作。3.5.1.2开车前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格；氮气置换合格（检验以氮中氧5000ppm视为合格）；氢气置换合格（检验以氢中氮1000ppm，氢中氧10ppm视为合格），氢气置换合格后系统具备开炉条件。3.5.1.3还原炉装置区间、混合气体工艺管路室内输送区间的屋顶必须装置可燃性气体实时监测装置，经校验能监测出低浓度氢气（如氢气爆炸下限的1/10以下）等可燃性气体。3.5.1.4应按照工艺技术操作规程的要求逐步开车，硅芯高压击穿时人员
31、禁止触摸还原炉及与其相连的任何管路设施；启炉成功后注意进料流量，升温升压速度的平稳控制，防止因为升压过快出现泄漏事故。3.5.1.5开车过程中，现场巡检监护人员应携带移动式可燃性气体报警仪、防毒面具、防爆对讲机等，一旦检测到有泄漏状况，在采取自我防护措施的前提下，及时与中控室取得联系，并服从指挥，按照应急预案进行处理。3.5.2三氯氢硅还原系统运行控制3.5.2.1运行应按照三氯氢硅还原系统的工艺规程（或作业指导书）要求进行操作。3.5.2.2建立巡检监测制度：及时巡检炉内情况，并监测炉内压力，进出气温度压力变化；适时检查还原炉连接电缆、接头等运行状况，防止过热烧红现象发生。发现异常，按应急预
32、案进行处理。3.5.2.3定时进行巡检，记录工艺运行参数，并比照前后运行参数，防止系统出现异常。3.5.3三氯氢硅还原系统停车。3.5.3.1按照三氯氢硅还原系统的工艺规程（或作业指导书）要求进行操作。3.5.3.2还原炉停混合气后，应先通氢气进行置换，硅棒断电后，应待还原炉出气温度降低至100以下再通入氮气进行置换，使氮中氢在氢气爆炸下限1/10以下。3.6危险化学品运输、装卸作业3.6.1危险化学品运输3.6.1.1危险化学品运输应具有运输危险化学品货物经营资质，应专车专用，应设有车辆消防安全设施，并有明显标志。3. 6.1.2汽车运输、装卸危险货物作业应符合JT 617-2004（汽车运
33、输危险货物规则）、JT 618-2004（汽车运输、装卸危险货物作业规程）规定。汽车运输危险货物车辆标志应符合GB 13392-2005（道路运输危险货物车辆标志）要求。3.6.2危险化学品装卸3.6.2.1应按照危险化学品装卸车的操作规程（或作业指导书）的要求操作。3.6.2.2运输氯硅烷的槽车设计压力不得低于0.6Mpa。3.6.2.3车辆进入装卸位置后，应先接好防静电导线，隔离装卸车区域，禁止其他车辆进入装卸车区域。3.6.2.4氯硅烷装卸作业应使用承压能力不低于0.6Mpa的耐压软管，连接形式必须采用法兰连接；3.6.2.5雷雨天不得进行氯硅烷装卸车作业，当物料装卸区有动火作业时应停止
34、装卸作业。3.6.2.6氯硅烷装卸车过程发生泄漏时应立即将泄漏部位与其它系统断开，操作人员穿戴防护用品将物料压入事故罐内，然后根据泄漏部位的具体情况确定处置方法。3.7公用工程3.7.1氢气站的生产应严格遵守GB50177-2005氢气站设计规范和GB4962-2008氢气使用安全技术规程的有关规定。3.7.2热能转换系统应按照设计要求向工艺系统提供加热或冷却介质，生产操作时按照工艺技术规程、安全操作规程（或作业指导书）执行。3.7.3循环冷却水的水质符合GB 50050-2007的规定，水质稳定剂须经化验并确认符合要求才能投入生产使用；水质稳定剂的存放地点符合安全要求。3.7.4生产装置各1
35、0kV配电站应为双回路供电，母联具有备自投功能。当一路电源事故跳闸时，可自动切换至另一电源供电。其设计容量应满足单电源带全部负荷运行。3.7.5所有变配电站均为两台及以上配变变压器运行，互为备用，其低压具有手动合环运行功能，变压器容量应满足单台变压器同时带低压全部负荷运行。4、安全管理体系企业应以保证多晶硅生产过程安全、卫生为目标，建立全员安全生产责任制和相应的安全标准化管理体系。附录A：多晶硅生产企业火灾危险性分类A.1火灾危险性分类多晶硅生产中危险化学品的火灾危险性按照GB50016-2008建筑设计防火规范的规定。A.1.1可燃危险化学品的火灾危险性分类表序号危险化学品名称危险类别闪点自
36、燃点爆炸极限（V/V）火灾危险类别下限上限1超细硅粉第4.1类易燃固体775160mg/m3乙类2氢气第2.1类易燃气体4004.174.1甲类3三氯氢硅第4.3类遇湿易燃物品-13.91756.970.0甲类4二氯二氢硅第2.3有毒气体85*4.199.0甲类*在潮湿空气中，会发生局部放热反应，实际发生闪爆的环境温度往往大大低于该自燃点，这是造成目前发生最多的多晶硅企业爆炸事故的原因。A.2防爆等级划分A.2.1爆炸性气体环境危险区域按照GB 50058-1992第2章第2节的规定划分。A.2.2粉尘环境危险区域按照GB 50058-1992第3章第2节的规定划分。A.3多晶硅生产装置火灾危
37、险性分类A.3.1氢氧站生产装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、氯硅烷分离与提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气回收与分离装置、氢气罐区、氯硅烷罐区的火灾类别为甲类易燃易爆作业场所，属爆炸性气体环境；A.3.2硅粉库生产装置火灾类别为乙类，属爆炸性粉尘环境。附录B ：多晶硅生产场所空气中主要有毒物质及粉尘容许浓度B.1多晶硅生产场所空气中有毒物质及粉尘容许浓度序号危险化学品名称危险类别健康危害特性毒性危害级别工作场接触限值mg/m3MACTWASTEL1硅粉第4.1类易燃固体矽肺1.532氢氟酸第8.1类酸性腐蚀品中毒、灼伤23硝酸第8.1类酸性腐蚀品中毒、灼伤4氢氧化钾第8.2类碱性腐蚀品
38、灼伤IV25氢氧化钠第8.2类碱性腐蚀品灼伤IV0.5226压缩氩气第2.2 类不燃气体窒息7压缩氮气第2.2 类不燃气体窒息8氯气第2.3类有毒气体中毒、窒息19氢气第2.1类易燃气体窒息10三氯氢硅第4.3 类遇湿易燃物品中毒、灼伤311二氯二氢硅第2.3有毒气体中毒、灼伤12四氯化硅第8.1类酸性腐蚀品中毒、灼伤13氯化氢第2.2类不燃气体中毒、灼伤7.514盐酸第8.1类酸性腐蚀品中毒、灼伤7.5附录C ：多晶硅生产过程中的危险、有害因素（资料性）C.1危险因素 C.1.1火灾 火灾发生必须具备空气（氧气）、可燃物质、引燃（爆）能量三个条件。当氢气或氢气与氯硅烷混合气或三氯氢硅（二氯二
39、氢硅、一氯三氢硅）泄漏时，遇明火或静电等其他能量引燃容易引起火灾；氢气或氢气与氯硅烷混合气或三氯氢硅（二氯二氢硅、一氯三氢硅）容器管道破裂时遇明火或静电等其他能量引燃容易发生火灾。C.1.1.1可燃物质a) 氢气、三氯氢硅、二氯二氢硅、一氯三氢硅、导热油。 b) 生产过程中在某些生产装置内形成的未彻底水解的浅黄色干燥团状或块状物质，这些物质具有较强的燃烧性，往往在脚踩的情况下即可发生燃烧。c) 活性炭等、超细硅粉（包括还原过程中产生的超细无定型硅）。D.1.1.2引燃能量a)明火或高温物体表面：氢气电加热器、还原炉运行状态、作业场所内部或外部带入的烟火、照明灯具灼热表面，设备、管道、电器表面的
40、过高温度、气焊割明火、机动车排气管喷火、烟囱飞火花等；b)摩擦冲击：机械轴承发热，钢铁工具、铁桶和容器与地面相互碰撞或与地坪撞击，带钉鞋与地坪撞击等；c)电器火花：电路开启与切断、短路、过载，线路电位差引起的熔融金属，保险丝熔断、外露的灼热丝等，击穿产生的拉弧等；d)静电放电：氯硅烷设备、容器、管道静电积累或容器、管道破裂，等；e)雷电；f)化学能：自燃（二氯二氢硅、一氯三氢硅），物质混合剧烈放热反应（三氯氢硅、二氯二氢硅），一氯三氢硅水解放热自燃等；g)日光聚焦。C.1.1.3增加燃烧危险的因素 a)密闭空间富氧状态；b)火灾时继续通风；c)盛装易燃易爆液体的压力容器、管道破裂与容器倾复后的
41、流淌和扩散；d)比空气重的氯硅烷蒸气积聚e)室内气温高。C.1.2 爆炸 a) 密闭空间及通风不良处所，易燃气体及粉尘积聚达到爆炸极限，遇到火源瞬间燃烧爆炸。b) 氢气、氯硅烷或二者混合气大量泄漏，遇到火源瞬间燃烧爆炸。c）二氯二氢硅泄漏后，遇空气中的水分，即会发生局部放热反应而发生爆炸。d) 还原炉开炉误操作，导致在有氢气或氢气与氯硅烷化合物与空气共存时，通电形成爆炸。e)氯化氢合成点火误操作，形成氢气与氯气混合后光照反应，导致爆炸等。f)容器或管道因超压或超温发生的爆炸。 C.1.3中毒生产性物质：氯气、氯化氢、氯硅烷、氢氟酸等生产性有毒物质，通过呼吸道、消化道及皮肤侵入人体或眼睛。有的可
42、刺激粘膜（上呼吸道）或视网膜，有的可引起过敏反应或皮炎，有的造成急、慢性中毒C.1.4灼伤三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅等介质遇水反应，均放出有毒的腐蚀性气体氯化氢。盐酸、氢氟酸、硝酸、氢氧化钠、氢氧化钾等更是直接腐蚀介质，人体在生产活动中因物料迸溅、泄漏、意外接触等原因，有被这些腐蚀性介质灼伤的可能。C.1.5窒息多晶硅生产过程中涉及惰性气体（氮气、氩气）的地方较多。因此，多晶硅生产过程生产过程中，窒息事故也经常发生。在使用、生产上述物质的水电解制氢、多晶硅还原、还原尾气干法回收、四氯化硅氢化、活性炭吸附、四氯化硅综合利用，以及配套建设的动力中心、氯硅烷罐区等场所，均存在中毒窒息的危险。生产过程或装置中引入氮气作为保护气、置换时使用氮气、硅芯拉制过程中用氩气作为保护气等，一旦保护措施不到位均可造成窒息事故。专心-专注-专业