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1、精品名师归纳总结开关电源设计细节详解1、电源设计工程前期各个参数留意细节可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结借鉴下 NXP的这个 TEA1832图纸做个说明。分析里面的电路参数设计与优化并做到认证至量产。 在全部的元器件中尽量挑选公司仓库里面的元件，和量大的元件，便利后续降成本拿价格。贴片电阻采纳 0603 的 5， 0805 的 5， 1，贴片电容容值越大价格越高，设计时需考虑。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结1、输入端， FUSE挑选需要考虑到 I 2T 参数。保险丝的分类，快断，慢断，电流，电压值，保险丝的认证是否齐全。保险丝前的安规距离 2 5mm以上。设计
2、时尽量放到 3mm以上。需考虑打雷击时， 保险丝 I2T 是否有余量，会不会打挂掉。2、这个图中可以增加个压敏电阻，一般采纳14D471，也有采纳 561 的，直径越大抗浪涌电流越大，也有增强版的10S471，14S471 等， 一般 14D471 打 1KV，2KV 雷击够用了，增加雷击电压就要换成MOVGDT了。有必要时，压敏电阻外面包个热缩套管。3、NTC，这个图中可以增加个NTC，有的客户有限制冷启动浪涌电流不超过60A， 30A， NTC 的另一个目的仍可以在雷击时扛部分电压，减下 MOSFE的T 压力。选型时留意 NTC的电压，电流，温度等参数。4、共模电感，传导与辐射很重要的一个
3、滤波元件，共模电感有环形 的高导材料 5K， 7K， 0K， 12K， 15K，常用绕法有分槽绕，并绕，蝶形绕法等，仍有 UU型，分 4 个槽的 ET 型。这个假如能共用老机种的最好，成本考虑，传导辐射测试完成后才能定型。5、X 电容的挑选，这个需要与共模电感协作测试传导与辐射才能定可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结容值，一般情形为功率越大 X 电容越大。6、假如做认证时有输入 L，N 的放电时间要求，需要在 X 电容下放2 并 2 串的电阻给电容放电。7、桥堆的挑选一般需要考虑桥堆能过得浪涌电流，耐压和散热，防止雷击时挂掉。8、VCC的启动电阻，留意启动电阻的功耗，主要是耐压值
4、，1206 的一般耐压 200V，0805 一般耐压 150V，能多留余量比较好。9、输入滤波电解电容，一般看成本的考虑，输出保持时间的10mS，依据电解电容容值的最小情形80容值设计，不同厂家和不同的设计体会有点出入，有一点要留意一般的电解电容和扛雷击的 电解电容，电解电容的纹波电流关系到电容寿命，这个看品牌和具 体的系列了。10、输入电解电容上有并联一个小瓷片电容，这个平常表达不出来用处，在做传导抗扰度时有成效。11、RCD吸取部分， R 的取值对应 MOSFET上的尖峰电压值，假如采纳贴片电阻需留意电压降额与功耗。 C 一般取 102103 1KV 的高压可编辑资料 - - - 欢迎下载
5、精品名师归纳总结瓷片，整改辐射时也有可能会改为薄膜电容成效好。D 一般用FR107， FR207，整改辐射时也有改为1N4007 的情形或者其他的慢管，或者在 D 上套磁珠（ K5A，K5C等材质）。小功率电源， RC可以采纳 TVS管替代，如 P6KE160等。12、MOSFET的挑选，起机和短路情形需要留意 SOA。高温时的电流降额，低温时的电压降额。一般 600V 212A 足够用与 100W以内的反激，依据成原来权衡选型。整改辐射时很多方法没有成效的时候，换个 MOSFE就T 过了的情形常常有。13、MOSFET的驱动电阻一般采纳10R 20R，阻值大小对应开关速度，效率，温升。这个参
6、数需要整改辐射时调整。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结14、MOSFE的TGATE到 SOURC端E需要增加一个 10K 100K 的电阻放可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结电。15、MOSFET的 SOURCE到 GND之间有个 Isense电阻，功率尽量选大，尽量采纳绕线无感电阻。功率小，或者有感电阻短路时有遇到过炸机现象。16、Isense 电阻到 IC 的 Isense 增加 1 个 RC，取值 1K， 331，调试时可能有作用，假如采纳这个TEA1832电路为参考，增加一个 C 并可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结联到 GND。17、不同的
7、 IC 外围引脚参考设计手册即可，依据自己的体会在IC引脚处放滤波电容。18、更换前：变压器的设计，反激变压器设计论坛里面争论很多， 不多说。仍是考虑成本，尽量不在变压器里面加屏蔽层，顶多在变压器外面加个十字屏蔽。变压器肯定要验算delta B值， delta B L Ipk （ NAe）， L（uH）， Ipk （ A）， N 为初级砸数（ T）， Ae（ mm）2 有爱好验证这个公式可以在最低电压输入，输出负载不断增加，看到变压器饱和波形，饱和时运算结果应当是500mT左右。变压器的 VCC帮助绕组尽量用 2 根以上的线并绕，之前很大批量时有遇到过有几个帮助绕组轻载电压不够或者重载时VCC
8、过压的情形， 2 跟以上的 VCC帮助绕线能尽量耦合更好解决电压差异大这个问题。18、更换后：变压器的设计，反激变压器设计论坛里面争论很多， 不多说。仍是考虑成本，尽量不在变压器里面加屏蔽层，顶多在变压器外面加个十字屏蔽。变压器肯定要验算delta B值，防止高温时磁芯饱和。 delta B L Ipk （ NAe）， L（uH）， Ipk （ A），N 为初级砸数（T）， Ae（ mm2）。（参考TDG 公司的磁芯特性（100）饱和磁通密度390mT，剩磁 55mT，所以 B 值一般取330mT 以内，显现反常情形不饱和，一般取值小于300mT以内。我可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师
9、归纳总结之前做反激变压器取值都是小于03 的）附，学习 zhangyiping的体会（所以一般的磁通密度挑选1500 高斯，变压器小的可以选大一些，变压器大的要选小一些，频彔高的减小频彔低的可以大一些吧。）变压器的 VCC帮助绕组尽量用 2 根以上的线并绕，之前很大批量时有遇到过有几个帮助绕组轻载电压不够或者重载时VCC过压的情形， 2 跟以上的 VCC帮助绕线能尽量耦合更好解决电压差异大这个问题。附注：有爱好验证这个公式的话，可以在最低电压输入，输出负载不断增加，看到变压器饱和波形，饱和时运算结果应当是500mT 左右（ 25时，饱和磁通密度 510mT）。借鉴 TDG的磁芯基本特点图。19
10、、输出二极管效率要求高时，可以采纳超低压降的肖特基二极管，成本要求高时可以用超快复原二极管。20、输出二极管并联的RC 用于抑制电压尖峰，同时也对辐射有抑制。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结21、光耦与 431 的协作，光耦的二极管两端可以增加一个 1K3K 左右的电阻， Vout 串联到光耦的电阻取值一般在 100 欧姆 1K 之间。431 上的 C与 RC用于调整环路稳固，动态响应等。22、Vout 的检测电阻需要有1mA左右的电流，电流太小输出误差大，电流太大，影响待机功耗。23、输出电容挑选，输出电容的纹波电流大约等于输出电流，在选择电容时纹波电流放大1 2 倍以上考虑
11、。 24 、2 个输出电容之间可以增加一个小电感，有助于抑制辐射干扰，有了小电感后，第一个输出电容的纹波电流就会比其次个输出电容的纹波电流大很多，所以很多电路里面第一个电容容量大，其次个电容容量较小。25、输出 Vout 端可以增加一个共模电感与 104 电容并联，有助于传导与辐射，仍能降低纹波峰峰值。26、需要做恒流的情形可以采纳专业芯片，AP4310 或者 TSM103等类似芯片做，用 431358 都行，留意 VCC的电压范畴，环路调剂也差不多。27、有多路输出负载情形的话，电源的主反馈电路肯定要有固定输 出，或者假负载，否就会由于耦合，burst模式等问题导致其他路可编辑资料 - -
12、- 欢迎下载精品名师归纳总结输出电压不稳固。 28、初级次级的大的之间有接个 Y 电容，一般容量小于或等于 222，就漏电流小于 0 25mA，不同的产品认证对漏电流是有要求的，需留意。算下来这么多，电子元器件基本能定型了，整个初略的BOM可以评审并参考报价了。 BOM中元器件可以多放几个品牌便利核成本。如客户有特殊要求，可以在电路里面增加功能电路实现。如不能实现，查找新的IC 来完成，相等功率和频率下， IC 的更换对外围器件影响不大。如客户温度范畴的要求比较高，对应元器件的选项需要参考元器件使用温度和降额使用。2、电源 PCB设计阶段应留意的细节1、PCB 对应的 SCH网络要对应，便利后
13、续更新，花不了多少时间的。2、PCB的元器件封装，标准库里面的按实际情形需要更换，贴片元 件焊盘加大。插件元件的孔径比元件管脚大0 3mm，焊盘直径大于孔 0 8mm以上，焊盘大些便利焊接，元器件过波峰焊也简洁上锡， PCB厂家做出来也不简洁破孔。仍有很多细节的东西多明白些对生产是很大的功劳啊。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结3、安规的要求在 PCB上的表达，保险丝的安规输入到输出距离3mm 以上，保险丝带型号需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安规 要求，对应需要做的认证与供应商沟通能否满意要求。相应的认证编号需印到 PCB上。初级到次级的距离 8mm以上， Y 电容留意
14、挑选Y1 仍是 Y2 的，跨距也要求8mm以上，变压器的初级与次级，用挡墙或者次级用三层绝缘线飞线等方法做爬电距离。4、桥堆前L， N 走线距离 2 5mm以上，桥堆后高压，距离2 5mm以上。走线为大电流回路先走，面积越小越好。信号线远离大电流走线，防止干扰， IC 信号检测部分的滤波电容靠近IC，信号的与功率的分开走，星形接的，或者单点接的，最终汇总到大电容的“”引脚，防止调试时信号受干扰，或者抗扰度出状况。5、IC 方向，贴片元器件的方向，尽量放到整排整列，便利过波峰焊上锡，提高产线效率，防止阴影效应，连锡，虚焊等问题显现。6、打 AI 的元器件需要依据相应的规章放置元器件，之前看过一个
15、日本的 PCB，焊盘做成水滴状， AI 元件的引脚刚好在水滴状的焊盘上，美丽。7、PCB上的走线对辐射影响比较大，可以参考相关书籍。仍有1 种可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结情形， PCB 当单面板布线，弄完后，在顶层敷整块铜皮接大电容的，抑制传导和辐射很有成效。8、布线时，仍需要考虑雷击， ESD时或其他干扰的电流路径，会不会影响 IC。3、电源调试阶段应留意的细节1、万用表先测试主电流回路上的二极管，MOSFE，T有没有短路，有没有装反，变压器的感量与漏感是否都有测试，变压器同名端有没有绕错。2、开头上电，我的习惯是先上100V 的低压， PWM没有输出。用示波器看 VCC
16、，PWM脚， VCC上升到启动电压， PWM没有输出。检查各引脚的爱护功能是否被触发，或者参数不对。找不到问题，查看IC 的上电时序图，或者 IC 的 datasheet里面 IC 启动的条件。示波器使用时需留意， 3 芯插头的的线要拔掉，不拔掉的话最好采纳隔离探头挂波形，要不怎么炸机的都不知道。用2 个以上的探头时， 2根探头的 COM端接同 1 个点，防止影响电路，或者夹错位置烧东西。3、IC 启动问题解决了， PWM有输出，发觉启动时变压器啸叫。挂可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结MOSFET的电流波形，或者看 Isense脚底波形是否是三角波，有可 能是饱和波形，有可能是
17、方波。需重新核算B，仍有种情形， VCC 绕组与主绕组绕错位置。也有输出短路的情形，仍有RCD吸取部分的问题，甚至仍遇到过TVS坏了短路的情形。4、输出有了，但是输出电压不对，或者高了，或者低了。这个需要判定是初级到问题，仍是次级的问题。挂输出二极管电压电流波 形，是否是正常的反激波形，波形不对，估量就是同名端反了。检查光耦是否损坏，光耦正常，采纳稳压管1K 电阻替换 431 的位置，即可判定输出反馈431 部分，或者恒流，或者过载爱护等爱护的动作。常见问题，光耦脚位画错，导致反馈到不了前级。431 封装弄错，一般 431 的封装有 2 种，脚位有镜像了的。同名端的问题会导致输出电压不对。5、
18、输出电压正常了，但是不是精确的12V 或者 24V，这个时候一般采纳 2 个电阻并联的方式来调剂到精确电压。采样电阻必需是1 或者 0 5。6、输出能带载了，带满载变压器有响声，输出电压纹波大。挂PWM波形，是否有大小波或者开几十个周期，停几十个周期，这样的情况调剂环路。 431 上的 C与 RC，现在的很多 IC 内部都已经集成了补偿，环路都比较好调整。环路调剂没有成效，可以运算下电感感量可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结太大或者太小，也可以重新核算Isense电阻，是否 IC 已经认为Isense 电阻电压较小， IC 工作在 brust mode 。可以更换 Isense
19、电阻阻值测试。7、高低压都能带满载了，波形也正常了。测试电源效率，输入90V与 264V 时效率尽量做到一样（改占空比，匝比），便利后续安规测试温升。电源效率一般参考老机种效率，或者查能效等级里面的标准参考。8、输出纹波测试，一般都有要求用47uF 104，或者 10uF104 电容测试。这个电解电容的容值影响纹波电压，电容的高频低阻特性（不同品牌和系列）也会影响纹波电压。示波器测试纹波时探头上用弹簧测摸索头测试可以防止干扰尖峰。输出纹波搞不定的情形 下，可以改容量，改电容的系列，甚至考虑采纳固态电容。9、输出过流爱护，客户要求精度高的，要在次级放电流爱护电路， 要求精度不高的，一般初级做过流
20、爱护，大部分IC 都有集成过流或者过功率爱护。过流爱护一般放大1 11 5 倍输出电流。最大输出电流时，元器件的应力都需要测试，并留有余量。电流爱护如增加反馈环路可以做成恒流模式，无反馈环路一般为打嗝爱护模式。做好过流爱护仍需要测试满载电解电容的测试，客户端有时提出的要求并未给出是否是容性负载，能带多大的电容起机测试了后心可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结里比较有底。10、输出过压爱护，稳固性要求高的客户会要求放2 个光耦， 1 个正常工作的，一个是做过压爱护的。无要求的，在VCC的帮助绕组处增加过压爱护电路，或者 IC 里面已经有集成的过压爱护，外围器件很少。11、过温爱护一般
21、要看详细情形添加的，安规做高温测试时对温度都有要求，能满意安规要求温度都仍可以，除非环境复杂或者反常情形，需要增加过温爱护电路。12、启动时间，一般要求为2S，或者 3S 内起机，都比较好做，待机功耗做到很低功率的方案，一般IC 都考虑好了。没有什么问题。13、上升时间和过冲，这个通过调剂软启动和环路响应实现。14、负载调整率和线性调整率都是通过调剂环路响应来实现。15、保持时间，更换输入大电容容量即可。16、输出短路爱护，现在 IC 的短路爱护越做越好，一般短路时， IC的 VCC帮助绕组电压低， IC 靠启动电阻供电， IC 启动后， Isense可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归
22、纳总结脚检测过流会做短路爱护，停止PWM输出。一般在 264V输入时短路功率最大，短路功率掌握住2W 以内比较安全。短路时需要测试MOSFET的电流与电压，并通过查看MOSFET的 SOA图（安全工作区）对应短路是否超出设计范畴。17、空载起机后，输出电压跳。有可能是轻载时VCC的帮助绕组感应电压低导致，增加 VCC绕组匝数，仍有可能是输出反馈环路不稳固，需要更新环路参数。18、带载起机或者空载切重载时电压起不来。重载时，VCC帮助绕组电压高，需查看是否过压，或者是过流爱护动作。仍有变压器设计时依据正常输出带载设计，导致重载或者过流爱护前变压器饱和。19、元器件的应力都应测试，满载、过载、反常
23、测试时元器件应力都应有余量，余量大小看公司规定和成本考虑。性能测试与调试基本完成。调试时把自己想成是设计这颗IC 的人，就能好好懂得 IC 的工作情形并快速解决问题。这些全都按记忆写的，有点乱，有些 没有记录到，后续想到了再补上。4、EMC等测试之前的留意细节可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结1、温升测试， 45烤箱环境，输入 90， 264 时变压器磁芯，线包不超过 110， PCB在 130以内。其他的元器件详细值参考下安规要求，温度最难整的一般都是变压器。2、绝缘耐压测试 DC500V，阻值大于 100M，初次级打 AC3000V时间 60S，小于 10mA，产线量产可以打
24、 AC3600V， 6S。建议采纳直流电压 DC4242 打耐压。耐压电流设置10mA，测试过程中测试仪器报警，要检查初次级距离，初级到外壳，次级到外壳距离，能把测试室拉上窗帘更好，能快速找到放电的位置的电火花。3、对的阻抗，一般要小于 01，测试条件电流 40A。4、ESD一般要求接触 4K，空气 8K，有个电阻电容模型问题。一般会把等级提高了打，打到最高的接触8K，空气 15K。打 ESD时，共模电感底下有放电针的话，放电针会放电。电源的ESD仍会在散热器与不同元器件之间打火，一般是距离问题和PCB的 layout问题。打 ESD打到 15K 把电源打坏就知道自己做的电源能抗多大的电压，
25、做安规认证时，心里有底。假如客户有要求更高的电压也知道怎么处理。参考 EN610004 2。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结5、EFT这个没有显现过问题 2KV。参考 EN61000 4 4。6、雷击，差模 1K，共模 2K，采纳压敏 14D471，有输入大电解，走线没有大问题基本 PASS。遇到过雷击不过的情形，小功率5W，10W的打挂了，采纳能抗雷击的电解电容。单极PFC 做反激打挂了MOSFE，T 在输入桥堆后加入二极管与电解电容串联，电容吸取能量。LED电源打 2K 与 4K 的情形， 4KV就要采纳压敏电阻 GDT的形式。参考 EN61000 4 5。EFT，ESD，
26、 SURGE有 A， B，C 等级。一般要 A 等级：干扰对电源无影响。7、低温起机。一般廉价的电源，温度范畴是045，贵的，工业类，或者 LED什么的有要求 40 60，甚至到 85。 40的时候输入 NTC 增大了 N 倍，输入电解电容明显不够用了，ESR 很大，仍有 PFC 假如用 500V 的 MOSFET也是有点危急的（低温时MOSFET的耐压值变低）。之前遇到过90V 输入的时候输出电压跳，或者是 LED 闪几次才正常起来。增加输入电容容量，改小NTC，增加 VCC电容，软启动时间加长，初级限流（输入容量不够，导致电压很低，电流很大，触发爱护）从12 倍放大到 15 倍， IC 的
27、VCC绕组增加 2T 帮助电压抬高。查找爱护线路是否太极限，低温被触发（如 PFC过压易被触发）。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结5、传导整改留意细节基本性能和安规基本问题解决掉，剩下个传导和辐射问题。这个时候可以跟客户谈后续价格，自己优化下线路。 跟安规工程师确认安规问题，跟产线的工程师确认后续 PCB上元器件是否需要做位置的更换，产线是否便利操作等问题。或者有打 AI ，过回流焊波峰焊的问题，准时对元器件调整。1、传导和辐射测试大家看得比较多，论坛里面也讲的多，实际上这 个是个砸钱的事情。砸钱砸多了，自然就会了，整改也就快了。能 改的的方就那么几个。 1、这个里面看不见的，
28、特殊重要的就算是PCB了，有厉害的可以找到PCB上的线，割断，换个走线方式就可以搞掉 3 个 dB，余量就有了。2、一般看到笔记本电源适配器，接电脑的部分就有个很丑的砣，这个就是个 EMI 滤波器，从适配器出线的部分到笔记本电脑这么长的距离，可以看成是 1 条天线，增加一个滤波器，就可以滤除损耗。所以一般开关电源的输出端有一个滤波电感，成效也是一样的。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结3、输入滤波电感，功率小的， UU 型很好用，功率大的基本用环型和 ET 型。公司有传导试验室或者传导仪器的倒是可以有想法了就去折腾下。要是要去第三方试验室的就比较痛楚了，光整改材料都要 带一堆。滤
29、波电感用高导的10K 材料比较好，对传导辐射抑制成效都不错，假如传导差的话，可以改12K， 15K 的，辐射差的话可以改5K，7K 的材质。4、输入 X 电容，能用小就用小，主要是占的方。这个要协作滤波电感调整的。5、Y 电容，初次级没有装 Y 电容，或者 Y 电容很小的话一般从150K 30M都是飘的，或者飞出限值了的，装个471 222 就差不多了。Y 电容的接法直接影响传导与辐射的测试数据，一般为初级的接次级的的，也有初级高压，接次级的，或者放2 个 Y 电容初级高压和可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结初级的都接次级的的，没有调好之前谁也说不准的。Y 电容上串磁珠，对 10
30、MHz以上有成效，但也不全是。每个人调试传导辐射的方法和方式都有差异机种也不同，问题也不同，所以或许我的方法只适合我自己用。无 Y 方案大部分是靠转变变压器来做的，而且功率不好做大。6、MOSFET吸取， DS 直接顶多能接个 221，要不温度就太高了，一般 47pF， 100pF。RCD吸取，可以在 C 上串个 1047 电阻吸取尖峰。仍可以在 D 上串 10100 的电阻， MOSFET的驱动电阻也可以改为 100 以内。7、输出二极管的吸取，一般采纳RC吸取足够了。8、变压器，变压器有铜箔屏蔽和线屏蔽，铜箔屏蔽对传导成效好， 线屏蔽对辐射成效好。至于初包次，次包初，仍有些其他的绕法都是为
31、了好过传导辐射。9、对于 PFC做反激电源的，输入部分仍需要增加差模电感。一般用棒形电感，或者铁粉芯的黄白环做。10、整改传导的时候在 10 30MHz部分尽量压低到有 1520dB 余量，那样辐射比较好整改。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结开关频率一般在 65KHz，看传导的时候可以看到 65K 的倍频位置， 一般都有很高的值。总之：传导的现象可以看成是功率器件的开关引起的振荡在输入线上被放大了显示出来，防止振荡信号出去就要防止高频振荡，或者把高频振荡吸取掉，损耗掉，以至于显示出来的时候不超标。6、辐射整改留意细节1、PCB的走线依据布线规章来做即可。当PCB有空间的时候可以
32、放2 个 Y 电容的位置：初级大电容的到次级的。初级大电容到次级的，整改辐射的时候可以调整。2、对于 2 芯输入的， Y 电容除了上述接法仍可以在 L，N 输入端， 保险丝之后接成 Y 型，再接次级的的， 3 芯输入时， Y 电容可以从输入输出的接到输入大的来测试。3、磁珠在辐射中间很重要，以前用过的材料是K5A，K5C，磁珠的阻抗曲线与磁芯大小和尺寸有关。如下列图，不同的磁珠对不同的频率阻抗曲线不同。但是都是把高频杂波损耗掉，成了热量（30MHz 500MH）z 。一般 MOSFE，T输出二极管， RCD吸取的 D，桥堆， Y 电可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结容都可以套磁珠
33、来做测试。4、输入共模电感：假如是 2 级滤波，第一级的滤波电感可以考虑用0 5 5mH左右的感量，蝶形绕法， 5K 10K 材质绕制，第一级对辐射压制成效好。假如是3 芯输入，可以在输入端进线处用三层绝缘线在 K5A等同材质绕 3 10 圈，成效巨好。5、输出共模电感，一般采纳高导磁芯5K10K 的材料，特殊情形辐射搞不定也可以改为 K5A等同材质。6、MOSFE，T漏极上串入磁珠，输入电阻加大，DS 直接并联 22220pF 高压瓷片电容可以改善辐射能量，也可以换不同电流值的MOS，或者不同品牌的 MOSFE测T 试。7、输出二极管，二极管上套磁珠可以改善辐射能量。二极管上的RC 吸取也对
34、辐射有影响。也可以换不同电流值来测试，或者更换品牌8、RCD吸取， C 更换容量， R 改阻值， D 可以用 FR107， FR207 改为慢管，但是需要留意慢管的温度。RCD里面的 C 可以串小阻值电阻。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结9、VCC的绕组上也有二极管，这个二极管也对辐射影响大，一般实行套磁珠，或者将二极管改为 1N4007或者其他的慢管。10、最关键的变压器。能少加屏蔽就少加屏蔽，没方法的情形也只能转变压器了。变压器里面的铜箔屏蔽对辐射影响大，线屏蔽是最有成效的。一般改不动的时候才去转变压器。11、辐射整改时的效率。套满磁珠的电源先做测试，PASS的情形， 再逐
35、个剪掉磁珠。fail 的情形，在输入输出端来套磁环，判定辐射信号是从输入仍是输动身射出来的。套了磁环仍是 fail的话，证明辐射能量是从板子上出来的。这个时候要找试验室的兄弟搞个探头来测试，看看是哪个元器件辐射的能 量最大，哪个原件在超出限值的频率点能量最高，再对对应的元件 整改。辐射的现象可以看成是功率器件在高速开关情形下，寄生参数引起的振荡在不同的天线上发射出去，被天线接收放大了显示出来，防止振荡信号出去就要防止高频振荡，转变振荡频率或者把高频振荡吸取掉，损耗掉，以至于显示出来值的时候不超标。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结磁珠的运用有个需要留意的的方，套住MOSFET的时
36、候， MOSFET最好是要打 K 脚，套入磁珠后点胶固定，假如磁珠松动，可能导电引起 MOSFE短T 路。有空间的情形下尽量采纳带线磁珠。7、PCB定型改版试生产留意细节传导辐射整改完成后，PCB可以定型了，最好依据生产的工艺要求来做改善，更新一版 PCB，防止生产时遇到问题。1、验证电源的时刻到了，客户要求，规格书。电源样品拿给测试验证组做测试验证了。之前问题都解决了的话，验证组是没问题的， 到时间拿报告就可以了。2、预备小批量试产，走流程，预备物料，整理BOM与供应样机给生产部同事。3、预备做认证的材料（保险丝，MOSFET等元器件）与样机以及做认证的关键元器件清单等文档性材料。关键元器件
37、清单里面的元件 一般写 3 个以上的供应商。认证号肯定要对准，错了的话，后续审厂会有不必要的麻烦。剩下的都是一些基本的沟通问题了。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结做认证时遇到过做认证的时候温升超标了的，只能加导热胶导出 去。或者提高效率，把传导与辐射的余量放小。这种问题一般是自己做测试时余量留得太少，很难遇到的。4、一般认证 2 个月左右能拿到的。 2 个月的时间足够把试产做好了。5、试产问题：基本上都是要改大焊盘，插件的孔大小更换，丝印位置的更换等。6、试产的测试按 IPS 和产线测试的规章制度完成。遇到过裸板耐压打不过的，缘由竟然是把裸板放在绿色的静电皮上操作。也有是麦拉片
38、折痕处贴的胶带磨损了。7、输入有大电容的电源，需要要求测试的工序里面增加一条，测试完毕给大电容放电的一个操作流程。8、试产完成后开个试产总结会，试产PASS， PCB可以开模了。量产基本上是不会找到研发工程师了，顶多就是替代料的事宜。9、做完一个产品，给自己写点总结什么的，其中的体会教训，或者可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结是有点失败的的方，或者是不同IC 的特点。工程做多了，自然就会了。整个开发过程中都是一个团队的协作，所以很厉害的工程师，沟通才能也是很强的，研发一个产品要跟很多部门打交道，技术类的书要看，技术问题也要探讨，同时沟通与礼仪方面的学问也要学习， 有这些前提条件，
39、开发起来也就简洁多了。8、20 年体会资深工程师的感叹我顺便提一下，上面原理图中18 的此饱和是 500MT，即 5000 高斯， 0， 5 特斯拉，一般铁氧体到不了5000 吧，顶多 4000，似乎才3500 吧，所以一般的磁通密度挑选1500 高斯，变压器小的可以选大一些，变压器大的要选小一些，频彔高的减小频彔低的可以大一些吧。从我干开关电源近二十年，算是老手了，我特别深有体会的是，开关电源最难的是环路参数，特别不好确定，普遍不大稳固就是环路没有调好，这个是一个大问题了，太多搞不定的就是这个问题了， 仍有变压器参数的挑选也是一个难点，有人说变压器的重量特别 大，确定多少匝比，规格，假如铁损
40、线损一样最好，绞在一起了，可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结无法确定哪个多哪个少了，仍有，如何确定磁通密度多少为最合 适，也是特别难了，这个多年的体会特别重要，很多人变压器不懂设计，仍有，风铃可以磁通大一些，自冷要小一些，都不是一件简洁的事情。现在是很多人学问匮乏，没有无线电技术的学问，那一些新手根本 不懂，把 PCB布成整齐的特别随便的任意走线了，很像精细，那根本胡闹，不能用的版了，新一代的学问多元化，诱惑太大了，什么 人都可以上高校了，比如一些职高的普高没毕业的人也上高校了， 应试训练也是大问题，人才质量不行了，什么也不懂的人多了，他 们照样搞开发，能做成什么好产品，最重要的
41、是学问和学问，却又 是最不在乎是又是学问，浮躁社会浮躁的人，满脑子就是短平快， 要知道欲速就不达，只会抄袭仿照拿来主义山寨之风，仿照制造低 劣产品，由于所谓的开发人员就是搬运工，而且所谓人才流淌，半 拉子一下就飞了，成了政治资本，干过了什么工程，仍有不少其实 是调试工，技术人员，冒充什么开发人员，老板急于求成，用的其 实是伪人才，伪人才只能制造伪劣产品了，就是只会克隆产品复制 了，仍做不好，大功率的其实不少老外的产品哪个做成了，小功率 的相对简洁简洁一些不少仍是做成了，但做不好的多多了，我谈这个是特别普遍存在的社会现实，比如一位做12 伏 100 安，抄袭仿照八九个月没有做成，最终失败打水漂了
42、，其实可以做成的，可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结我见过那个产品，同开发人员一沟通，发觉学问不行，我对那位陈 老板说凶多吉少九成以上要失败的，他不信，就是我完全仿照一个 的方也不能漏下，莫非做不成，结果了，真的做不成了，相当多人 都以为一抄就成一步到位，总是这么说，结果岂不，哪个胜利了， 一败涂的了。其实，那个12 伏 100 安真的不难，就是要有一些学问，失败的缘由就在这里了。原谅我谈了别的方面的了，不过，的确千真万确，特别普遍而且常态化的我们这个社会的现实了，普遍的从业人员就是学问匮乏，技术和才能不行，就是生搬硬套，克隆主义至上，似乎我们这个社会就是假大空的社会，多数的产品
43、都是这么去干的。成了不少其实有不少老外特别不错的产品，我都见过不少了，怎么都没有见到我们做的实际产品了，其实大帮小帮都在抄袭，怎么见不到东西吖， 由于都失败了打水漂了，我在这里说了大实话的，特别真实的不要误会了。假如有何不妥，多多见谅吧。有一个特别真实的事例，比如 01 年我国一公司就做成了 LLC多谐振的产品，由于效率高一时特别轰动，仿照者也登门而至，我是在 03年初开头特别费劲，与同事大半年了，说来古怪，原机占空比大仿做的就小了，当时的土方法就是把环流加大，但效率降低了，另一家深圳的某一家公司始终做不成，耗了不少财力，老板火了起来把那位总工炒掉了。我 03 年底离开了，改用 SG3525，
44、主结构有了，可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结依据规律， 3525 的死区时间仍可以调整了，占空比大了，就这样做胜利了，我是不会生搬硬套，比较敏捷的，人家做不成做不好我就 可以做到了，这种情形很多，所以不要完全克隆死板做，必需要会 搞电路设计，假如是这样，好多产品是可以做成的，可以仿照参考，结合自主设计，我的这一事例不也充分说明白吗，学问和敏捷最重要了，就是这么一回事。真正仿照胜利仍做的不错的技术功夫也特别不错了，很多人不懂这个道理，就是莫非不成，不信任，真的如此，失败多多了，即使一些做成了，也是不三不四的，产品性能和质量是一个大问题，仍是一句话，伪人才制造伪劣产品，现实上伪人才多得去了，产品冒牌货多同样的人才冒牌货一样多了，其实，大家信任的倒是谎言的多，一抄就成一步到位就是成了最大的谎言了。满口子多么省事节约成本，甚至更有甚