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1、先进半导体材料和器件中的辐射效应 Cor Claeys, Eddy Simoen,IMEC Leuven/Belgium, Kapeldreef 75,3001 Leuven, Belgium Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices 2002, 401pp. Hardcover EUR 79.95 ISBN 3-540-43393-7 Springer-Verlag 本书为施普林格材料科学丛书的第57卷。这套丛书包含了材料物理学的全面内容，如材料的基本原理、物理性质、材料理论和设计等。在现代半导体工业中
2、，日益须要了解和解决辐射损伤问题，例如空间应用和器件及电路制造过程中都可能产生辐射损伤。因而了解半导体的辐射损伤便成为当前半导体材料和器件中一个重要的科技问题。 全书共9章，含331幅插图。书前有符号表和希腊语符号表，书末附有各章参考文献800多种(篇)。第1章辐射环境和策略的选择，空间环境，高能物理试验，核环境，自然环境，处理产生的辐射；第2章半导体材料和器件中的基本辐射损伤机理，辐射损伤对器件演绩的冲击，微观辐射损伤的光谱学探讨；第3章第4族半导体的位移损伤，硅(Si)中、锗(Ge)中和硅锗(SiGe)中的位移损伤；第4章GaAs中的位移损伤，辐射损伤在GaAs中产生的点缺陷，损伤因子，辐
3、射损伤对GaAs器件的影响；第5章硅(Si)双极技术学的空间辐射态势，器件结构和基本辐射效应，横向晶体管的劣化，垂直(n-p-n)双结晶体管的劣化等；第6章硅MOS(金属-氧化物-绝缘体)器件中的辐射损伤，处理过程中产生的辐射损伤效应，交变门介电质，超薄氧化物，器件隔离等；第7章硬辐射用的GaAs基场效应晶体管，材料、器件结构和操作，辐射损伤和GaAs场效应晶体管的硬化等；第8章空间用的光电子元件，光放射二极管和激光二极管，光探测器，光耦合器，基本辐射效应，光电子元件中的辐射效应；第9章先进半导体材料和器件前景，非易失性存储器，高k门电介质，SiC中的辐照效应。 本书内容丰富，取材新奇，是半导
4、体材料和器件的辐照损伤方面的新著作，可供高等学校材料科学工程系、物理系、应用物理系及相关系科的老师、探讨生和高年级学生参阅，更可供半导体材料和器件、原子核工程、空间工程的科技和工程人员参考。 李国栋，探讨员(中国科学院物理学探讨所) Li Guodong, Professor (Institute of Physics, the Chinese Academy of Sciences) 第3页 共3页第 3 页 共 3 页第 3 页 共 3 页第 3 页 共 3 页第 3 页 共 3 页第 3 页 共 3 页第 3 页 共 3 页第 3 页 共 3 页第 3 页 共 3 页第 3 页 共 3 页第 3 页 共 3 页