《GD32F3开发进阶教程—— 习题及答案 电子 【ch04】读写SRAM实验.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《GD32F3开发进阶教程—— 习题及答案 电子 【ch04】读写SRAM实验.docx（2页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、第四章读写SRAM实验一、简述存储器的分类存储器的主要分类：1 .根据存储介质，可分为半导体存储器、磁表面存储器和光存储器。2 .根据存储器的读写功能，可以分为只读存储器（ROM）和随机读写存储器（RAM）。3 .根据信息的可保存性，可以分为非永久记忆和永久记忆。4、按在计算机系统中的作用可分为主存储器（内存）、辅助存储器（外部存储器）、缓冲 存储器。5 .按功能/容量/速度/位置可分为寄存器、缓存、内存和外存。6.工作性质/存取方式可分为随机存取存储器、顺序存取存储器、直接存取存储器和联 想存储器。二、简述微控制器读写内部SRAM的过程SRAM的基本存储单元有3种状态：standby （空闲
2、）、reading （读）和writing （写）。1 .读操作假设该基本存储单元中存储的数据为1,即Q=“1，/Q二“0”。在读周期开始之前， 通过预充电电路，将两根位线的电平充电到逻辑“1”，预充电的电路结构如下（由三个PMOS 管组成）。2 .写操作在写周期之前，需要把要写入的状态加载到位线。如需要写入数据0,则设置BL二“0”， /BL=“1 o随后将字线WL置为高电平，M5和M6晶体管导通，位线的状态被写入带基本存 储单元中。三、简述微控制器读写外部SRAM的过程，与读写内部SRAM的区别首先要定义SRAM的基地址，其次定义指针，操作单字节数据u8 *p;p =（u8 *） SRAM_BASE_ADDR; 把数据 SRAM_BASE_ADDR 强制转换成指针*p = OxAB; 向 0x68000000 地址写入 OxABo在STM32的SRAM不足时，我们第一时间会想到使用外部SRAM扩展SRAM。外部的SRAM 读取速度显然会比内部SRAM低。