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1、结构示意图结构示意图栅极源极漏极N沟道沟道JFET的剖面图的剖面图结构示意图结构示意图 vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGS0时时工作原理（以N沟道JFET为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压称为夹断电压VP（或或VGS(off)）对于对于N沟道的沟道的JFET，VP0PN结反偏结反偏耗尽层加厚耗尽层加厚沟道变窄沟道变窄vGS继续减小，沟道继续变窄继续减小，沟道继续变窄IGIG vDS对沟道的影响对沟道的影响当当vGS=0时，时，vDS iD vDG增加，使靠近漏极处的增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，耗尽层加宽，沟道变窄，从上至
2、下呈楔形分布从上至下呈楔形分布工作原理（以N沟道JFET为例）vDS对沟道的影响对沟道的影响当当vDS增加到使增加到使vGD=VP时，时，在紧靠漏极处出现预夹断在紧靠漏极处出现预夹断此时此时vDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 iD基本不变基本不变工作原理（以N沟道JFET为例）vGS和和vDS同时作用时同时作用时当当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断，时，导电沟道更容易夹断，对于同样的对于同样的vDS，iD的值比的值比vGS=0时的值要小。时的值要小。工作原理（以N沟道JFET为例）综上分析可知综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，沟道中只有一种类型的多数载流子参
3、与导电，所以场效应管也称为单极型管所以场效应管也称为单极型管。JFET是电压控制电流器件，是电压控制电流器件，iD受受vGS控制。控制。预夹断前预夹断前iD与与vDS呈近似线性关系；预夹断后，呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。趋于饱和。JFET栅极与沟道间的栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因结是反向偏置的，因此此iG 0，输入电阻很高。，输入电阻很高。const.DSDGS)(=vvfi转移特性转移特性const.GSDDS)(=vvfi输出特性输出特性2PGSDSSD)1(VIiv=(VP vGS 0)JFET小信号模型小信号模型静态工作点分析静态工作点分析为什么加Rg3？分压式偏置电路，即典型的Q点稳定电路DSQDDDQd()VVIRR=+2PGSQDSSDQ)1(VVII=a动态指标分析动态指标分析微变等效电路微变等效电路交流通路交流通路动态指标分析动态指标分析输入电阻输入电阻输出电阻输出电阻=ivgsvRggsmv+)1(mgsRg+=+=v=ovdgsmRg v=mvARgRgmdm1+由输入输出回路得由输入输出回路得则则)|(g2g1g3iRRRR+doRR