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1、晶体管晶体管的的混混合合型型高高频等效模型频等效模型 混合混合模型模型问题的提出问题的提出 混合混合模型模型的建立的建立 混合混合模型模型的简化的简化 混合混合模型模型的主要参数的主要参数 在低频和中频情况下在低频和中频情况下，信号频率较低，晶体管的，信号频率较低，晶体管的PN结极间结极间电容的容抗很大，而结电容很小，两者并联时，电容的容抗很大，而结电容很小，两者并联时，可以忽略可以忽略极间电容的作用极间电容的作用；PN结结电容的影响：结结电容的影响：的影响：的影响：因因 值随频率升高而降低值随频率升高而降低 结论：高频下不能采用结论：高频下不能采用 h 参数等效电路参数等效电路 一、一、混合
2、混合模型模型问题的提出问题的提出 【问题引导】【问题引导】什么是混合什么是混合模型？模型？如何建立晶体三极管的混合如何建立晶体三极管的混合模型模型 而而在高频在高频情况下，晶体管的极间电容的容抗变小，与其情况下，晶体管的极间电容的容抗变小，与其结电阻相比，影响就结电阻相比，影响就不能被忽略不能被忽略了。了。晶体管结构示意图晶体管结构示意图 Ic 二、二、混合混合 型的建立型的建立 反映了三极管反映了三极管的结构的结构 Ic 集电区体电阻 发射区体电阻 基区体电阻 集电结结电阻 发射结结电阻 集电结结电容 发射结结电容 cb Ceb Ccrerbb rcb reb rIc 简化的结构示意图简化的
3、结构示意图 rb e B e rbb b c rb c cbccbcb rrrrebeebeb rrrrCbc=C,Cbe=C 晶体管的晶体管的混合混合 模型模型 ebmUgrb e B e rbb b c rb c Cbc Cbe rce b 考虑结电容：考虑结电容：ebmcUgI gm跨导，跨导，与频率无关与频率无关 将将C单向化单向化 rce rbc 晶体管的混合晶体管的混合 模型模型 LceRr CcbXr 若若,II 则图则图(a)图图(b)左端口等效左端口等效,II 若若 则图则图(a)图图(b)右端口等效右端口等效 三、三、混合混合模型的简化模型的简化 ebceUUKCKKCCK
4、C ,1 ,)1(其中低频等效电路低频等效电路 混合混合 模型主要参数的计算依据：模型主要参数的计算依据：混合混合 模型与模型与h参数模型参数模型在低频时是等效在低频时是等效的。的。四、四、混合混合模型的主要参数模型的主要参数 混合混合 模型的主要参数：模型的主要参数：UUcccccfccrfCCUIrgIUIrIUUgIIKK IUIU)(r rrrrebceTeb0TobTEQeb0mEQT0bebbebebmb0c0BQTEQT0ebbbebbbbe ,)1(2()1(1300100 查手册）查手册）为特征频率为特征频率，计算计算由由从手册中可查到）从手册中可查到）所以所以而而低频段电流
5、放大系数）低频段电流放大系数）（UUcccccfccrfCCUIrgIUIrIUUgIIKK IUIU)(r rrrrebceTeb0TobTEQeb0mEQT0bebbebebmb0c0BQTEQT0ebbbebbbbe ,)1(2()1(1300100 查手册）查手册）为特征频率为特征频率，计算计算由由从手册中可查到）从手册中可查到）所以所以而而低频段电流放大系数）低频段电流放大系数）（UUcccccfccrfCCUIrgIUIrIUUgIIKK IUIU)(r rrrrebceTeb0TobTEQeb0mEQT0bebbebebmb0c0BQTEQT0ebbbebbbbe ,)1(2()1(1300100 查手册）查手册）为特征频率为特征频率，计算计算由由从手册中可查到）从手册中可查到）所以所以而而低频段电流放大系数）低频段电流放大系数）（