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1、集成运算放大器的内部结构框图MOSFET工作在放大区要满足两个条件：1、要大于VT2、要求导电沟道被夹断TVs2)(TGSnDVKi=vID1=ID2MOSFET镜像电流源工作原理图MOSFET 镜像电流源镜像电流源IrDDSSGSOD2D1REFVVVIIIIR+=2)(TGSnDVKi=v当器件具有不同的宽长比时REF1122O/ILWLWI=（=0）=LWCLWKK22oxnnn2)(TGSnDVKi=vMOSFET 镜像电流源，T1T3特性相同常用的镜像电流源T1、T3便可工作在饱和区TNGSGS1GS3SSDD22VVVVVV=+=+2TNGSnD2)(VVKI=2TNGSnREFD
2、3D1D2)(VVKIIII=输出电流为用T3代替RREF1122D2/ILWLWI=REF1133D3/ILWLWI=REF1144D4/ILWLWI=2T0GS0n0D1D0REF)(VVKIII=22)()()/(TGSnTGSnD VVKVVKLWI=结型场效应管电路图输出特性曲线图VGS=0BE1BE2=VVT1、T2的参数全同即 12VCB1=0VT1、T2的参数全同即 12BE1BE2=VV0.7VVCB1=0VBE1BE2=VVE1E2=IIC1C2=II当BJT的 较大时，基极电流 IB可以忽略IoIC2IC1 IRIREFRVVRVVVEECCEEBECC)(+代表符号CC
3、B21B1CR2IIIIII+=+=在电流源电路中充分利用晶体管性能的一致性。IB2=IB1一般 ro在几百千欧以上动态电阻2B12CE2Co)(Ivir=ce r=微电流源微电流源e2BE2BE1RVV=E2C2OIII=e2BERV=由于由于很小，很小，BEV 所以所以 IC2也很小也很小。rorce2（1）e2be2e2RrR+（参考射极偏置共射放大电路的输出电阻）oR几十几十mVT1、R1 和T4支路产生基准电流 IREF1EB4BE1EECCREFRVVVVI+=+=T1和T2、T4和T5构成镜像电流源T1和T3，T4和T6构成了微电流源2、有什么电流源？3、基准电流是多少？1、基准电流？