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1、晶体三极管的特性曲线和主要参数晶体三极管基本知识晶体管及其特性晶体管及其特性晶体管的共射特性曲线晶体管的共射特性曲线UCE 1VIB/AUBE/V204060800.40.8工作压降，工作压降，硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管锗管UBE 0.20.3V。UCE=0VUCE=0.5V1.输入特性曲线输入特性曲线输入特性的表达式 它是一簇曲线一簇曲线 2.输出特性输出特性IC/mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB=0O 5 10 154321划分三个区：划分三个区：截止区、放大区和饱和区。截止区、放大区和饱和区。截止区截止区放放大大区区饱饱和和区区放放大大区区截止区截止
2、区截止区截止区条件条件：当当 UCE=UBE，即即 UCB=0 时时，称称临临界界饱饱和和，UCE UBE时时称称为为过饱和过饱和。IC/mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB=0O 5 10 154321饱饱和和区区(1)饱和饱和区：区：（2）放大区：）放大区：特特点点：各各条条输输出出特特性性曲曲线线比比较较平平坦坦，近近似似为为水水平平线线，且且等间隔。等间隔。IC/mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB=0O 5 10 154321当当IB一一定定时时，IC的的值值基基本本上上不不随随UCE而而变变化化。当当基基极极电电流流有有一一个个微微小
3、小的的变变化化量量 ，对对应应的的集集电电极极电电流流产产生生较较大大的的变化量变化量 。放放大大区区条件：条件：IC/mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB=0O 5 10 154321IB 0 的区域的区域IB=0 时时，IC=ICEO（穿穿透透电电流流）。硅硅管管约约等等于于 1 A，锗锗管管约约为为几几十十 几几百百微安。微安。（3）截止区：）截止区：条件：条件：截止区截止区晶体管的共射特性曲线发射结和集电结皆发射结和集电结皆反偏反偏为为截止截止状态状态 发射结和集电结皆发射结和集电结皆正偏正偏为为饱和饱和状态状态 发射结发射结正偏正偏、集电结、集电结反偏反偏为为
4、放大放大状态状态判断工作状态：判断工作状态：晶体管的共射特性曲线电极电位居中的电极为基极；与基极电位相差0.7V或 0.2V左右的电极为发射极，且相差0.7V的为硅管，NPN管满足 PNP管满足 差0.2V的为锗管，剩下的电极为集电极判断电极与材料：判断电极与材料：判断晶体管类型：判断晶体管类型：晶体管的共射特性曲线相差0.7V 为硅管相差0.2V 为锗管满足 ，为NPN管满足 ，为NPN管集电极c发射极e极基b极基b发射极e集电极c晶体管的主要参数1.电流放大系数电流放大系数共射电流放大系数 与 含义不同。对于理想输出特性曲线，可认为 。同理，也可得 。以后不再严格区分 与 ，与 。2.极间
5、反向电流极间反向电流包括 和 ，并且 。、受温度影响较大，其值越小越好。安全工作区安全工作区晶体管的主要参数3.极限参数极限参数 晶体管的安全工作区是由 ，和 共同确定的。温度对晶体管特性及参数的影响1.温度对温度对ICBO的影响的影响温度每升高温度每升高100C，ICBO增加约一倍。增加约一倍。反之，当温度降低时反之，当温度降低时ICBO减少。减少。硅管的硅管的ICBO比锗管的小得多。比锗管的小得多。1.温度对温度对ICBO的影响的影响温度每升高温度每升高100C，ICBO增加约一倍。增加约一倍。反之，当温度降低时反之，当温度降低时ICBO减少。减少。硅管的硅管的ICBO比锗管的小得多。比锗管的小得多。2.温度对输入特性的影响温度对输入特性的影响温度升高时正向特性左移，温度升高时正向特性左移，反之右移反之右移60402000.40.8I/mAU/V温度对输入特性的影响温度对输入特性的影响200600温度对晶体管特性及参数的影响3.温度对输出特性的影响温度对输出特性的影响温度升高将导致温度升高将导致 IC 增大增大iCuCEOiB200600温度对输出特性的影响温度对输出特性的影响温度对晶体管特性及参数的影响谢谢！