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1、电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan1PN结的反向击穿特性PN结的反向击穿特性123反向电压小时：很小的反向饱和电流。加到PN结两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加：PN结的反向击穿(电击穿，Break)。发生击穿所需的反向电压UBR称为反向击穿电压。4PN结电击穿可分为“雪崩击穿”和“齐纳击穿”两种类型。电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan碰撞电离倍增效应雪崩击穿雪崩击穿的物理过程PN结的反向击穿特性1 在较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一个强电场，它能够直接破坏共价键，将束缚电子拉出来形成电子-空穴对，因而形成较大的反向电
2、流。2齐纳击穿的物理过程3电击穿的参数特点PN结反向击穿时，雪崩击穿和齐纳击穿同时存在。3电击穿的参数特点击穿电压低于5V时，主要为齐纳击穿，击穿电压值温度系数为负。3电击穿的参数特点击穿电压高于6V时，主要为雪崩击穿，击穿电压值温度系数为正。3电击穿的参数特点击穿电压介于5-6V之间，两种击穿程度相近，温度系数几乎为零。3电击穿的参数特点利用其反向击穿特性的二极管，统称齐纳(Zener)二极管，又称稳压二极管。要点01PN结的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿。02PN结反向击穿后，当电流改变时，电压几乎不变。利用PN结反向击穿后的稳压特性制成的二极管称为稳压二极管(Zener Diode)。03PN结的反向击穿特性电工电子学教学中心电工电子学教学中心UPC-zhoulanjuan休息一会