《(1.7)--1.3.2 半导体二极管的伏安特性.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《(1.7)--1.3.2 半导体二极管的伏安特性.ppt（10页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan半导体二极管的伏安特性电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan 处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。半导体二极管的伏安特性电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可表示为：IS，反向饱和电流u，二极管两端的电压降UT=kT/q，温度的电压当量K，玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量T，热力学温度。室温时，UT=26 mV当0uUon时，正向电流为零，Uon称为死区电压或开启电压。当u0时，处于正向特性区域。正向区分为两段：正向特性正向特
2、性硅二极管的死区电压Uon=0.5 V左右，锗二极管的死区电压Uon=0.1 V左右。当uUon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan当 u0时，处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当UBRu0时，反向电流很小，且几乎不变，此时的反向电流也称反向饱和(Saturation)电流IS。反向特性电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan反向特性当uUBR时，在一定的电流范围内管压降几乎保持UBR不变，UBR称为反向击穿电压。利用其反向击穿特性的二极管称为稳压管，UBR表示为UZ。电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanui死区电压硅管0.5V锗管0.1V导通压降:硅管0.60.7V锗管0.20.3V反向击穿电压UBR要点电工电子学教学中心电工电子学教学中心UPC-zhoulanjuan休息一会