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1、有用标准文档其次篇 半导体工艺及器件仿真软件Silvaco 操作指南主要介绍了半导体器件及工艺仿真软件 Silvaco 的根本使用。书中通过例程引导学习工艺仿真模块 Athena 和器件仿真模块 Atlas ， 通过这两局部的学习可以使学习人员深入了解半导体物理的根本学问， 半导体工艺的流程， 以及晶体管原理的根本原理， 设计过程， 器件的特性。对于学习集成电路的制备及后道工序有肯定的帮助。第一章 SILVACO 软件介绍31.1 程序启动 .31.2 选择一个应用程序例子.41.3 工艺模拟 .61.3.1 运行一次模拟 .61.3.2 渐进学习模拟 .61.3.3 绘制构造 .61.3.4
2、 使用 Tonyplot 进展绘图 .71.3.5 修正绘图的外观.71.3.6 缩放及在图上进展平移.81.3.7 打印图形 .91.4 使用 HISTORY 功能 .91.5 明确存贮状态 .101.6 创立用于比较的两个构造文件.101.6.1 存贮文件创立 .101.6.2文件交叠 .111.7 运行 MOS 工艺程序的其次局部.131.7.1 Stop At”功能 .131.7.2 使用 Tonyplot 用于 2-D 构造 .141.7.4 产生交互式图例.161.8 工艺参数的抽取 .171.8.1 源漏结深 .181.8.2 器件阈值电压 .181.8.3 电导及偏压曲线.18
3、1.8.4 一些薄层电阻 .201.8.5 沟道外表掺杂浓度.201.7.3 使用 Tonyplot 来制备一轮廓图 .151.9 器件模拟 .221.9.1 器件模拟界面工艺.221.9.2建立器件模拟.221.9.3执行器件模拟.231.9.4抽取器件参数.23其次章 电阻仿真及阻值抽取24第三章 集中二极管仿真342.1 硼集中 .342.2 进展 MESH 的试验 .392.3 绘制杂质掺杂轮廓曲 线 .402.4 查看抽取结果 .41第四章 NMOS 电学特性仿真433.1 NMOS 例子加载 .433.2 TONYPLOT 操作 .443.3 查看电学仿真结果.48第五章 工艺流程
4、的横断面观看514.1 初始化衬底 .514.2 氧化层屏蔽 .514.3 NWELL 注入 .524.4 PWELL 注入 .524.5 场氧化层生长 .534.6 阱推动53有用标准文档第一章 Silvaco 软件介绍本章将介绍下面两个 VWF虚拟 wafer 制备交互工具的根本使用： Deckbuild：VWF 运行时掌握应用程序。这是唯一一个从系统命令行由用户启动的程序。 Tonyplot：VWF 可视化应用程序。VWF 交互工具还包括幅员到工艺的界面程序MaskViews, 器件原型及编辑程序 DevEdit, 局部优化程序 Optimizer 以及统计分析的 SPAYN 工具。但本
5、章不介绍这局部内容。VWF 核心工具是以下两个仿真器： Athena, Silvaco 的高级一维和二维工艺仿真器。 Atlas, Silvaco 的通用及标准组件的一，二，三级器件仿真器。VWF 核心工具还包括器件特性的 UTMOS 应用及 SmartSpice 电路仿真。 本章将学习：1. 使用 Athena 进展一个简洁 LDD MOS 器件仿真和相关参数的抽取(如栅氧化层厚)。2. 使用 Atlas 进展 LDD MOS 器件仿真，产生一个 Id/Vgs 曲线并从这条曲线中进展器件参数 Vt,Beta 和 Theta 的抽取。1.1 程序启动要启动 Deckbuild 程序，在系统命令
6、行中输入deckbuild &几秒钟后 Deckbuild 窗口显示出来。在 Deckbuild 启动后，你会看到如下的窗口(版本及名目名可能不一样):Deckbuild 程序窗口组成如下：1. 上面的文本窗口区用来保持仿真器的输入。2. 下面的 tty 区显示仿真器的输出。 Athena 仿真是缺省启动的。你会看到，在这个区中有一短的 Athena 文件头输出,指出你可用的许可产品。之后跟随 Athena 提示符。ATHENA3. 在窗口上部是软件掌握菜单的集合。4. 在文本区及 tty 区之前是仿真器掌握按钮的集合。下一步是创立一个设计，可以从草图创立，或者选择一个应用例子进展修改。输入的
7、程序显示在上面的文本区中，而且执行时使用仿真掌握按钮就会它传到下面的 tty 区。1.2 选择一个应用程序例子Deckbuild 包括大量的仿真例子可以用于仿真。这个练习使用其中之一。当 Deckbuild启动后，examples menu 会被激活。在 Deckbuild 的Main Control”菜单有一个选择项称为Examples .” 如下显示:可移动鼠标到Main Control”上，按下鼠标右键。在按下鼠标右键时，main control 菜单显示出来。当鼠标右键按下后，移动光标选择Examples .”菜单项选择项。然后，放开鼠标。几秒钟内例子名目的窗口就会显示出来，如以下图。
8、这个练习使用例子中的 MOS1 名目。假设你正在运行 Deckbuild，你可以双击选择 MOS1 名目或从Section” 菜单中选择它。例子是 MOS2，称为mos1ex02.in”.你可以通过鼠标或使用 Sub Section”菜单项选择择它。描述这个例子的文本会显示出来，应当花几分钟来阅读例子文档。点击Load Example”按钮来加载输入文件到 Deckbuild 的文本编辑区，同时也把这个例子拷贝到你的当前工作名目。1.3 工艺模拟这个练习主要进展一个 LDD MOS 晶体管的仿真。主要有以下练习：1. 运行一次模拟2. 创立两个构造文件用于比较3. 运行 MOS 工艺模拟的前半
9、局部4. 产生交互式图例5. 抽取一些工艺参数1.3.1 运行一次模拟可以通过使用在 Deckbuild 文本区及 tty 区的实时掌握按钮来交互式运行模拟。掌握按钮如下所示：通过使用这个掌握面板，可以使用以下方法来运行模拟:1. next: Step at a time”, 交互式模拟掌握2. stop: 运行到一个 stop 点, (参考以后的练习。3. run: 使用掌握面板中的 Run 来运行整个输入的设计(deck).1.3.2 渐进学习模拟开头时，LDD MOS 器件将一步一步地仿真。这样允许在进展时可以有交互式检查。可以使用 history 机构，向后跟踪改正设计中的错误。在最初
10、的仿真输入设计时，这种交互式一次一步的执行方法可以得到仿真更为精细的掌握，且在设计中会更早地检测到错误，也是输入设计程序所推举的。要一步一次地执行，从 Deckbuild 掌握面板中选择next”按钮。这个按钮每一次会从文本区发送一个单独的输入设计行到当前运行的模拟器。在下面的tyy 的 Deckbuild 区的模拟器提示符上显示了输入的设计行。在文本编辑区的光标从上一行向下移动，而且在掌握面板上显示的当前行数会更(标志是Line”)。使用 next” 按钮, 很可能要移动到模拟器前，而这些步骤会花费一些时间去执行。模拟器会试图catchup” 行数，之后等待下一个模拟命令被发送。模拟器正在执
11、行的行总是反色的显示。这一阶段模拟将会连到栅氧化层步gate oxidationstep (line 47)。gate oxidationstep已经简化为一个单独的扩闲逛，之后紧跟一个参数抽取行来抽取氧化层厚度: extract name=“gateox“ thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.05抽取命令是 Deckbuild 的一个强力工具，允许在仿真进确定器件的各种特性。extract 语句确定了栅氧化层厚度。本练习中后面会有高级的抽取工具的例子，其特征会具体解释。进展仿真直到 gate oxide thickness 抽取行通过(line 50).1
12、.3.3 绘制构造当工艺模拟完成了栅氧化层厚度抽取后，点击文本区的某一处(Deckbuild 上部)。这会取消报告输入行及光标位置的选定。光标符号显示为一个单独的三角形。Note:不选择文本是很重要的,由于在 Tonyplot 启动时，它会试图解释任何选定文本作为一个文件名，并在读它时产生错误信息。为了运行 Tonyplot, 使用 Deckbuild 中的 Tools” 下拉菜单下的 Plot” 项中的Plot Structure”。这将导致 Deckbuild 启动 Tonyplot,加载当前模拟的构造并绘制它。Deckbuild 也将显示它正在启动 Tonyplot 的状况，如信息为 P
13、lotting .”显示在 tty 区的右下角。一旦 Tonyplot 启动，它会显示一个 Welcome”窗口，可通过选择 OK 来确认，且模型构造会显示出来。1.3.4 使用 Tonyplot 进展绘图Tonyplot 显示一掺杂的剖面材料构造。尽管这只是二维的工艺模拟，到目前为止构造仍旧是完全平面的。Athena 模型器以一维模式自动运行来节约 CPU 时间,并直到构造是非平面的。Tonyplot 绘图如以下图:1.3.5 修正绘图的外观为开头修正绘图的外观，需要选择Plot”下的Display”:Display 窗口的显示:这个窗口包含各项掌握图的外观的选项。包括 在滚动栏中有按名字排
14、列的掺杂种类或所列的绘图功能。为绘制一个种类/功能,简洁地从列表中选择，Phosphorus”族在最上面。 格点是否在图上显示. 是否在不同区域及材料之间的界面使用线和/或不同的颜色用于不同的区域 图形在数据点和/或有连接的数据点是否有符号显示.当点击Apply” 按钮后，在显示窗中做的变化就反映在绘图中。Reset” 按钮将对状态进展重设定掌握。完成时可以使用Dismiss”按钮来去除窗口。1.3.6 缩放及在图上进展平移图上细小的区域可以通过缩放来进展检察。使用 Tonyplot 可选择一个矩形来进展。比方下面的图形就放大显示了氧化层中的掺杂浓度：在缩放了图上的一个区域后，在窗口上的左上角
15、显示一个 zoom/pan box。八个方向箭头的任何一个都可以平移图形。假设要返回原来样子，选择钻石样的在方框中间的标志即可。1.3.7 打印图形点击Print”按钮送一个硬拷贝直接到你的缺省打印机。你的 VWF 系统治理器可以告知你在哪里打印。1.4 使用 History 功能Deckbuild 的 history功能强有力，允许在交互模拟进展中改正进展中的变化而不必再次从草图到模拟。这个工具允许输入设计向后移动，可通过前面的一个模拟命令行及initializing” 模拟器回到那一点。在完成模拟后，状态文件自动存到当前工作名目。有意义的模拟步骤是一些器件的构造或掺杂浓度，比方,注入，刻蚀
16、等的仿真。无意义的步骤是一些简洁地询问模型器的信息，比方写构造文件或抽取参数。history 文件命名为.historynn.str”，此处 nn 是一个序号，并存贮为一个标准构造文件。在 Athena 执行时，你可能看到在 ATHENA命令行上的 save 命令， 如：struct outfile=.history09.str只要自创立历史文件后命令行没有添加，Deckbuild 将记住哪个文件与每一输入设计行协作。再次初始化模拟器到前面模拟的Well Drive”步,双击或三次点击 diffusion 行的Well Drive”. 使其如下亮显：当这行文本亮显后，在左击 Deckbuild
17、 掌握面板下的init” 按钮。这将重置模拟行位置为这一 Well Drive 扩闲逛的完毕，允许你作一修改或变化下面及再模拟。转变 Well Drive 时间从 220 到 200，的一行将如下：diffus time=200 temp=1200 nitro press=1next”按钮应当可以使用来模拟的工艺流程。连续这个练习，将再次连续仿真直到 gate oxidation 阶段.1.5 明确存贮状态init”按钮允许直接移到设计中的前面某一行。要使用这个 re-initialization 特征, 必需保存一个标准构造文件在有兴趣的行上，或者作为一个 history file 或作为一
18、个用户定义标准构造文件保存，在模拟过程中可以使用下面的命令：struct outfile=bpsg_dep.str (标准构造文件应使用.str” 作为文件扩展名。)比方在一个集中或 Monte Carlo 模拟步骤，推举使用 struct 命令。当history files 在模拟中保存时，允许自动再初始化后到一个特别的步骤，它们是瞬态的，且会失去或变的无效。依靠于 re-initialize 使用的机构:1. 使用标准构造文件。2. 使用历史文件。init” 按钮是不一样的。初始化一保存的标准构造文件，保存构造文件名应当在文本编辑窗中选定 。比方，下面的图形显示文件vtadjust.str
19、” 就是在文本编辑窗中。在此处选择 init”按钮将导致模拟器被再次初始化到文件被存的此点。而且，在输入文件中的当前的执行点，将被设定到选定的文件点的后面。此行init infile=vtadjust.str可以在 tty 区中看到, 是当 init 按钮选定后的执行命令。使用历史文件的 Re-initialization 是在 History section 中.使用明确用户 Standard Structure file 保存功能，我们可以调查 Tonyplot 的允许在同一工艺流程中两个不同的点的比较。1.6 创立用于比较的两个构造文件1.6.1 存贮文件创立在这局部中将使用 Tonyp
20、lot 创立两个构造文件用于比较。对于这个例子，调整注入工艺步骤前后的 Vt 构造文件进展比较。我们将通过启动输入设计来开头。我们不必再次做设计的完全模拟到 gate oxidation 工艺步(在一个更为现实的模型中，可能花更长的一段时间),所以我们将在做修改之前，从 history 到初始化到此点，就是 gate oxidation 之前。选择下面的文本并按init”来再次初始化到牺牲的氧化层带处，如下所示：现在我们处在修改输入设计的位置是在此点之后。下面的两条语句指明在 Vt 调整来注入的前后存贮两个 Standard Structure files： struct outf=gateo
21、xide.str struct outf=vtimplant.str可以通过在正确的行上直接输入到文本编辑窗中:现在这次模拟可以连续直到在 poly 沉积前的这行。这样将模型两个附加的行，从而在牺牲的氧化带之后启动。为了这样做，选择 next 按钮几次直到下面一行：struct outf=vtimplant.str被执行。在此处，两个 Standard Structure files 被存到你当前的工作名目，名字如下： gateoxide.str vtimplant.str1.6.2 文件交叠两个 structure files 存贮后，它们可以被加载到 Tonyplot 中并被交叠以进展比较
22、 。Tonyplot 允许达 128 图加载到一个进程。这些图中的任何一个均可轻易的交叠。假设加载文件到 Tonyplot,从File”中下拉菜单中选择Load Structure .” 项。这将创立一个可能被加载的文件菜单:假设始终跟着练习，两个文件(gateoxide.str and vtimplant.str) 应当存在你的当前名目中， 且显示可能被加载进 Tonyplot 中文件中。显示在 Tonyplot 屏中的每一个图均可选择。假设一个图被选定，将会被一个的白色框围绕，如以下图所示：图的选定及取消可通过点击鼠标的中间键来掌握。在此阶段，你会试图选定及取消图，作为一个简洁的练习。现在
23、交叠两个图: 选定两个图。 然后选择 Tonyplot 的View”菜单下的Make overlay”项.在此之后，第三个交叠的图会消灭。1.7 运行MOS 工艺程序的其次局部在观看完栅氧化步骤后,就可以仿真到输入文件的最终一局部。工艺模拟的后半局部将花费更多的 CPU 时间，在多晶硅刻蚀后构造变为非平面时。在工艺流程中 Athena 会自动的转换到 2-D 模拟方式。这一次不再用 next” 按钮，我们用 stop 功能来使模拟到兴趣点。1.7.1 Stop At” 功能stop 定义了命令流中的一个位置，此处模拟器会停顿。假设run 按钮或 cont 按钮被选定，模拟器将执行下去到 sto
24、p 点并等待。在 Deckbuild 文本编辑区，选定/亮显几个你想中断的行的字符，在此处的输入行中 aluminum 选定了。从模拟器面板中选择stop”按钮会在这行设定一个停顿。stop:” 行将在面板上显示也会更来说明相应的行号。一个停顿点可通过clear”按钮去除。既然一个 stop 点已经设定了，选择cont”按钮。当模拟器运行时你应查看一下 Athena执行的命令及产生的信息。这将使得Deckbuild 发送给Athena 命令行来预设stop 点,之后在此步骤前暂停模拟。按 next 按钮几次以确保模拟器在定义了 stop 点后会直接包括金属刻蚀步骤。在 poly 刻蚀点,构造为
25、非平面。留意模拟现在要做更多的工作，工艺显著地变慢。这里的命令对工艺工程师而言更直接和直觉，下面的几行做一些解释:depo poly thick=0.2 divi=10这个命令定义了沉积多晶硅为 0.2um 厚，且在此厚度中包括 10 个格点层。etch poly left p1.x=0.35这个命令定义多晶硅在 X 方向上的位置，从这里被向左去除。这个命令还定义了晶体管一半的长度，将反映右侧的轴来制备整个器件。method fermi compress这个命令翻开了根本物理模型，用于氧化及扩闲逛骤。全部下面的步骤会使用这些模型。(这些模型对在任何状况下对 Athena 都是缺省的，且仅在本例
26、中用于解释。请见Athena 参考手册)在 next 命令后，仿真到达所定义的点，并且 Deckbuild 窗看上去如下：1.7.2 使用 Tonyplot 用于 2-D 构造从 Deckbuild 启动 Tonyplot 使用当前构造。同一维构造时一样，如取消任何一个选定的文本，并且用 Tools 中的 Plot 项。一旦 Tonyplot 被激活，将缺省地显示 2-D 的工艺模拟材料构造。Tonyplot 在二维构造中有观看杂质浓度的方法： 杂质或溶剂的二维轮廓线。这是在Tonyplot 被激活时从一个二维构造中缺省产生的。更具体的资料可参见 contour plots. 杂质或溶剂的一维
27、的轮廓在构造中沿一条线。可见 cutline plots.这个练习中，净掺杂图将首先被定义，之后在轮廓线上的一些轮廓线会被争论。1.7.3 使用 Tonyplot 来制备一轮廓图要创立一轮廓图，从 TonyplotPlot”下拉菜单中选择Display”项。这个行为将激活 2-D显示掌握弹出窗，如下所示：在这个弹出窗中在按 Apply 前选择以下图标:确定绘图范围。为缺省使能。用以不同着色绘制材料，这是缺省的。 显示净掺杂的轮廓。绘制器件的结.再次在图标上点击鼠标左键。在Define”菜单中选择Contours”菜单，如下所示:这将激活轮廓掌握弹出窗，如下所示：如上图所示，轮廓将只显示硅材料区
28、域(在材料列表上选择)且使用着色配置Rainbow 30”来画轮廓。在轮廓定义完成后，按Apply”。1.7.4 产生交互式图例当显示了二维轮廓图，可以通过器件产生任何沿一条线的一维轮廓一个掺杂的数据。作为一个例子，我们通过 LDD 掺杂的磷看一下水平掺杂轮廓。假设如此做，可从 Tonyplot 中的Tools 下拉菜单中选择Cutline”项。这将创立图例窗口，如下显示：从弹出的窗口中选择垂直的选项，然后用鼠标画一垂直线到两维的轮廓图，如下所示：这会形成其次个绘图窗，来显示一维掺杂轮廓。在 cutline 掌握弹出窗中，选Shift position.”按钮，之后点击水平箭头。这样就形成了c
29、utline 围绕轮廓图被移动到感兴趣的准确位置。Cutline 只会沿被选择的轮廓图移动。1.8 工艺参数的抽取LDD MOS 晶体管的工艺模拟，在此阶段就完成了。在连续进展器件模拟之前，使用Deckbuild 的 extract功能把一些工艺参数抽取出来了。由于 extract是VWF 的核心局部， 在参数优化及其它先进特征中均可找到。器件参数的抽取包括在器件模拟的抽取局部。在连续进展参数抽取前，需要想一下模拟的构造，本例中参数有以下几个:1. source/drain 结深2. 器件阈值电压3. 方块电阻4. 沟道外表的掺杂浓度1.8.1 源漏结深本例中第一个抽取的参数是源漏结深。为正确
30、抽取结深，需要以下信息: 指定名字给抽取参数。本例中为nxj”. 要抽取的参数名字，本例中为结深，名字是xj”. 包含结的材料。本例中，材料是 Silicon。更简单的模拟中，可能要创立不同材料的堆层构造，每一个均包括结。 已经说明我们对硅材料的结有兴趣，我们，总之，必需说明我们对哪些堆层感兴趣。对于此种构造，只有一个硅层，且指定层发生数是可选的。. 结深 Xj 会从源/漏区体内到区边的 0 变化。为抽取正确的结党值，必需使用在源/漏区体内的一个点。本例中，使用在源/漏区内距 0.1 um 远。可以上图看到，这个值会产生源/漏区的结深。 与堆材料的位置相像，在更简单的构造中，在材料层中可能超过
31、一个结。比方，在 N 衬底上的一个 P 阱中的一个 n+ 源/漏区, 在通过源漏区处，有两个结。本构造中，仅有一个结。指定结的数量或本例中发生的是可选。结深的抽取语句如下(在一行中):extract name=“nxj“ xj silicon mat.occno=1 x.val=0.1 junc.occno=1当抽取执行这条语句时，它显示的计算结深值:nxj=0.0987025 um from top of first Silicon layer X.val=0.1这个信息也写入你当前工作名目的文件 results.final”中。在模拟完成后，你可以通过简洁的打印results.final
32、文件来回忆一下抽取值。1.8.2 器件阈值电压在不严格的计算中，一维阈值电压可以轻易地从定义的构造中抽取。对于这个抽取语句，我们需要说明： 指定抽取参数名为n1dvt”:N 类型，一维阈值电压。 参数名将被抽取。本例中阈值电压，参数为1dvt”。 器件类型，本例中为 n-type transistor. 偏压(vb”) 被设定为 0V. 捕获电压，Qss, 设定为 1e10. 对于阈值电压，我们必需指定一个位于器件沟道内的点。这里，在模拟器件的右手边处的一点被选定。(x=0.49).使用阈值电压的抽取语句是：extract name=“n1dvt“ 1dvt ntype vb=0.0 qss=
33、1e10 x.val=0.49语句产生一个结果n1dvt=0.671481 V X.val=0.49也保存在results.final”文件中.1.8.3 电导及偏压曲线下一抽取例子是电导及偏压曲线。本例更多地涉及了前面两项，它要示两条抽取语句：第一条是建立偏压条件，其次条是抽取电导曲线。当启动抽取时，要求多条抽取语句，抽取系统必需告知你没有完成，而且更多的信息需要供给。可以通过一个 start, continue 和 done机构取得：extract start .extract cont .extract cont . extract done .按要求，一些extract cont”语句
34、需要使用，本例中，为 0。多晶的电导是在一维线上通过栅经电压从 0 到 2V 进展抽取。第一个抽取语句定义了多晶上的偏压条件及抽取开头语句。我们必需在一行上选择多晶硅栅材料， (x=0.45)且使用偏压条件从 0 到 2V，阶进为 0.2V:extract start material=“Polysilicon“ mat.occno=1 bias=0.0 bias.step=0.2 bias.stop=2 x.val=0.45留意在行末使用连续字符(”)，从而允许语句超过一行。一旦偏压条件被指定，电导曲线可以被抽取。不象前面两个例子，只抽取一个单个的值，比方，结深，这里我们抽取一条值的曲线。指
35、定抽取一条曲线的语法是curve(x-axis, y-axis)这里的 x-axis 指定所加的偏压，而 y-axis 是一维 n-type 电导，指定为 1dn.电导。然而我们必需通过指定材料来限制所使用的电导，本例中为硅。在一通常构造中，可能超过一层的硅，使得我们的目的更明确。我们可以规定我们对材料硅的第一发生大事有兴趣，且器件中硅的第一区域使用mat.occno=1 and region.occno=1”. 我们期望抽取的曲线的规格是: curve(bias, 1dn.conduct material=“Silicon“ mat.occno=1 region.occno=1)留意，由于在
36、这个构造中仅有一个 Silicon 区，这可能被简化为curve(bias, 1dn.conduct material=“Silicon“)在抽取一个值时，如Vt, 抽取系统在 tty 区显示了值，并登记值到文件中results.final”, 但是,在抽取一条曲线时，用户必需指定曲线在哪里保存，并使用outfile=value” 作为抽取语句的一局部。对于电导曲线，抽取曲线保存在文件extract.dat”.最终的电导曲线抽取语句是:extract done name=“sheet cond v bias“ curve(bias,1dn.conduct material=“Silicon“
37、mat.occno=1 region.occno=1) outfile=“extract.dat“电导曲线通过选择outfile” 并激发 Tonyplot 来绘制。1.8.4 一些薄层电阻1. n+ 源/漏薄层电阻n+ source/drain 的电阻抽取与结深的抽取语句相像： 指定名字给抽取参数。在本例中，参数命名为 n+ sheet rho”. 要抽取的参数名字被指定。对于结深，我们用xj” ，而薄片电阻用sheet.res”. 包括 N+区的材料名字。此处是 Silicon. 要清楚我们有正确的材料层，我们可以指定材料的发生数及区的发生数。由于只有一个硅层在构造中，这不需在本例中给出这
38、个信息。然后，构造多时要求这个信息。 最终，我们必需告知抽取系统 n+ 区的位置，并给出位置点(这里我们取 x=0.05).薄片电阻的抽取语句是:extract name=“n+ sheet rho“ sheet.res material=“Silicon“ mat.occno=1 x.val=0.05 region.occno=1当抽取执行这条语句时，它将显示所计算的薄片电阻的值: n+ sheet rho=39.9388 ohm/square X.val=0.05这个信息也写进你当前工作名目的文件results.final”中。2. LDD 在间隔层下的薄片电阻为抽取氧化层下薄片电阻， 我
39、们简洁地移动兴趣点到间隔层下。可参考 structure simulated ，值 0.3 是合理的。我们命名抽取电阻为ldd sheet rho”:extract name=“ldd sheet rho“ sheet.res material=“Silicon“ mat.occno=1 x.val=0.3 region.occno=1抽取值在执行后显示为:ldd sheet rho=2771.32 ohm/square X.val=0.31.8.5 沟道外表掺杂浓度最终的抽取参数是沟道的净掺杂外表杂质浓度。在本例中，我们指定结深xj”作为抽取目标，而薄处电阻指定为 sheet.res”.对于外表浓度,我们必需指定surf.conc”作为抽取目标， 但它也必需增加杂质的名字: impurity=“Net Doping“”. 另外，在沟道内的一个点必需给定， 位置为x.val=0.45”.净掺杂沟道外表浓度的全抽取语句是:extract name=“chan surf conc“ surf.conc impurity=“Net Doping“ material=“Silicon“ mat.occno=1 x.val=0.45抽取沟道外表浓度在执行后显示为:chan surf conc=2.78719e+16 atoms/cm3 X.val=0.45