南昌大学论文格式样板论文文章设计_论文-文章设计.pdf

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1、.附件 7：南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样 一、页面设置：上 2.54cm,下 2.54cm,左 3.67cm,右 2.67cm,页眉 1.5cm,页脚 1.75cm，行间距 1.35 倍。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从 中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3 ）编排。四、摘要 1中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字

2、小四号宋体加粗，2英文摘要：标题小二号 Times NewRoman体加粗，“Abstract”四号 Times NewRoman体；“Abstract”内容小四号 Times NewRoman体，“Keyword”小四号 Times New Roman 体加粗。五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。六、图表：图表内容五号宋体。七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英 文用小四号 Times New Roman 体。八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下：.密级：宋体，四号，居右 页面设置：上 2.54cm,下 2.54cm,左

3、 3.67cm,右 2.67cm，校名标识（cm）页眉 1.5cm,页脚 1.75cm,1.35 倍行距，应用于整篇文档 1.88 6.59，居中 校名外文（大写）Times New Roman，四号，居中 NANCHANG UNIVERSITY 学士学位论文 宋体，30 磅，居中 Times New Roman，四号，居中 THESIS OF BACHELOR （20 20 年）中文：宋体；数字：Times NewRoman 四号，居中 校徽标识（cm）3.33 3.33，居中 宋体，三号，居中 题 目 宋体，四号，居中 注意线条长度一致 学 院：系 专业班级：学生姓名：学号：指导教师：职称

4、：.粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文原创

5、性申明本人.起讫日期：.粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌

6、大学学士学位论文原创性申明本人.此页可直接下 南昌大学 学士学位论文原创性申明 本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。本人完全意识到本申明的法律后果由本人承担。作者签名：日期：学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借 阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以

7、采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密，在 年解密后适用本授权书。本学位论文属于 不保密。（请在以上相应方框内打“”）作者签名：日期：导师签名：日期：.粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中

8、四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人页眉：中文宋体，五号，居中.III-族氮化物及其高亮度蓝光 宋体，小二号，居中 LED 外延片的 MOCVD 生长和性质研究 专业：学号：宋体，五号，对齐居中 学生姓名：指导教师：摘要 标题：宋体，四号，两端对齐，1.35 倍行距 内容：中文宋体，外文字符 Times NewRoman，小四，宽禁带 III 族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光 两端对齐，1.35 倍行距 器、光探测器以及高频和大功率电子

9、器件等方面有着广关泛键的词应：“用关前键词景”。三自字加粗，关键1994词用“；”分隔年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了 GaN 基蓝光 LED 外延材料生长技术 以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产 GaN 基 LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究 GaN 基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度 GaN 基 LED 外延材料提供科学依据。本文在自制常压 MOCVD 和英国进口 MOCVD

10、 系统上对 III 族氮化物的生长 机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光 LED 外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如 下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单 晶膜的思想，并在 GaN 外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了 GaN 外延膜的结晶性能，使 GaN 基蓝光 LED 器件整体性能大幅度提高，大大降低了 GaN基蓝光 LED 的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家 863 计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工 程研究中心

11、项目的资助。关键词：氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 .粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题

12、目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人页眉：外文 Times New Roman，五号，居中.Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafers Times New Roman，小二号，居中 Abstract GaN based-nitrides have potential applications on high brightness LEDs,short wavelength lasers,ultraviol

13、et detectors,high temperature and high power electronic devices.Study on physics issues 标题：Times New Roman，四号，两端对齐，and technologies of nitrides open a 内容：Times New Roman，小四，两端对齐，new area of 3th generation 关键词：“Keyword”三字加粗，关键词用“；semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to

14、have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)and ThomasSwan6 2”MOCVDsystems.

15、High bright blue LEDwafers were obtai ned by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure.Some encouraging results are following as:1.We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates.This idea was r

16、ealized in nitrides growth in this thesis.The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaNlow and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry.The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just

17、only 1.5%.The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1 A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword:Nitrides MOCVDLED Photoluminescence RBS/channeling Optical absorption 1.35 倍行距 1.35 倍行

18、距 ”分隔 .粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学

19、位论文原创性申明本人.宋体，小三号，居中 目录 摘要 Abstract 第一章 GaN 基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）1 1.1 III 族氮化物材料及其器件的进展与应用 1 1.2 III族氮化物的基本结构和性质 4 1.3 掺杂和杂质特性 12 1.4 氮化物材料的制备 13 1.5 氮化物器件 19 1.6 GaN 基材料与其它材料的比较 22 1.7 本论文工作的内容与安排 24 第二章 氮化物 MOCVD 生长系统和生长工艺 31 2.1 MOCVD 材料生长机理 31 2.2 本论文氮化物生长所用的 MOCVD 设备 32 结论 目录内容：中文宋体，英文和数字Time

20、sNewRoman，136 粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下

21、南昌大学学士学位论文原创性申明本人 小四 参考文献（References）138 页码编号：摘要,Abstract 使用页码“I,II,”；正 文开始使用页码“1,2,3,”；小节标题左侧缩进 1 致谢 150 字符；页码数字居中对齐.粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致

22、谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人.章标题：中文宋体，英文 Times New Roman，四号居中 第一章 GaN 基半导体材料及器件进展 节标题：中文宋体，英文 Times New Roman，四号居左 1.1 III 族氮化物材料及其器件的进展与应用 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息 息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以 Si 为代表的

23、第一代半 导体诞生于 20 世纪 40 年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以 GaAs 为代表的第二代半导体诞生于 20 世纪 60 年代，它们成为制作光电子器 正文文字：中文宋体，英文 Times New Roman，小四，件的基础。III 族氮化物半导体材料及器件研究历时 30 余年，前 20 年进展 两端对齐，段落首行左缩进 2 个汉字符，行距 1.35 倍 缓慢，后 10 年发展迅猛。由于 III 族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的 质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应 行距），段前 0

24、 行，段后 0 行。用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III 族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。12 III 族氮化物的基本结构和性质 表标题置于表的上方，中文宋体，英文 Times New Roman，五号加粗居中，表序与表名文字 之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英 文 Times New Roman，五号，行距 1.35。表 1-1 用不同技术得到的带隙温度系数、E、c 和 T 的值 g0 0 带隙温度系数 样品类型 实验方法 dE/dT(eV/K)E(eV)c T(K)参考文献 g g0(eV/K)0 T=300K 2 3 光致发光

25、-5.32-4 3.503 5.08-4-996 61 GaN/Al O 10 10 GaN/Al 2O3 光致发光 3.489 7.32-4 700 59 10 GaN/Al 2O3 光致发光-4.0-4 -7.2 -4 600 62 10 10 GaN/Al 2O3 光吸收-4.5 10-4 3.471-9.3 10-4 772 63 粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四

26、号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人.粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文

27、内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人.图标题置于图的下方，中文宋体，英文 Times New Roman ，五号加粗居中，图序与图名文字 之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英 文 Times New Roman，五号，行距 1.35。加热电阻 气流 测温元件 测温元件 图 1

28、-1 热风速计原理 .粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大

29、学学士学位论文原创性申明本人.第二章 氮化物 MOCVD生长系统和生长工艺 2.1 MOCVD 材料生长机理 转换控制 频 率 信 频 率 控 地 址 发 波 形 存 滤波器 号 源 制 器 生 器 储 器 转换器 频率设置 波形数据设置 图 2-1 DDS 方式 AWG 的工作流程 .粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号

30、宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人.标题：中文宋体，四号，居中 参考文献 1 Well Multiple-modulator fraction-n dividerP US Patent，5038117 1986-02-02 2 Brian Miller A multiple modulator fractionl dividerJ IEE

31、E Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-583 参考文献内容：中文宋体，英文 Times New 3 万心平，张厥盛集成锁相环路原理、特性、应用M 北京：人民邮 Roman，四号，1.35 倍行距，参考文献应在文 电出版社，1990 302-307 中相应地方按出现顺序标引。4 Miler Frequency synthesizersP USPatent，4609881 1991-08-06 5 Candy J C A use of double-integretion in sigma-delta mod

32、ulationJ IEEE Trans Commun，1985，33(COM)：249-258 6 丁孝永调制式小数分频锁相研究 D 北京：航天部第二研究院，1997 常见参考文献格式：科技书籍和专著：编著者译者书名 M（文集用 C）版本出版地：出版者，出版年页码 科技论文：作者篇名 J 刊名，出版年，卷号（期号）：页码 作者篇名单位博（硕）论文，年 参考文献必须标明文献类型标志：普通图书 M；会议录 C；汇编 G；报纸 N；期刊 J；学位论文 D；报告 R；标准 S；专利 P；数据库 DB；计算机程序 CP；电子公告 EB。电子文献载体类型标志：磁带 MT；磁盘 DK；光盘 CD；联机网络

33、OL。.粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文

34、原创性申明本人.标题：宋体，四号，居中。致谢 内容：宋体，小四，1.35 倍行距，两边对齐。图为几种算子的检测结果：.粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中

35、宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人.粗目录内容小四号宋体页码数字对齐三页眉和页码页眉和页码从中文摘要开始页眉为相应内容的标题页码从中文摘要目录用罗马数字编排从正文第一章开始按照阿拉伯数字编排四摘要中文摘要标题小二号宋体加粗专业学号姓名指导体内容小四号体小四号体加粗五正文标题四号宋体正文内容小四号宋体六图表图表内容五号宋体七参考文献参考文献四字四号宋体参考文献内容小四号宋体其中英文用小四号体八致谢致谢两字四号宋体致谢内容小四号宋体具体书写外文大写四号居中宋体磅居中四号居中中文宋体数字四号居中校徽标识居中宋体三号居中宋体四号居中注意线条长度一致题目学院系专业班级学生姓名指导教师学号职称起讫日期此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人