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1、附件 2：国标项目任务落实情况 序 号 计划编号 项目名称 被代替标准号 完成 年限 起草单位 1.20065620-T-469 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-1997 2007 峨眉半导体材料厂 2.20065621-T-469 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄 层电阻测定 非接触涡流法 GB/T 6616-1995 2007 万向硅峰电子股份 有限公司 3.20065622-T-469 电子材料晶片参考面长度测量 方法 GB/T 13387-1992 2007 有研半导体材料股 份有限公司 4.20065623-T-469 高纯镓 GB/T 10118-1988 2007 北京有色
2、金属研究 总院、南京金美镓 业有限公司、信息 产业部专用材料质 量监督检验中心 5.20065624-T-469 硅外延层、扩散层和离子注入层 薄层电阻的测定 直排四探针法 GB/T 14141-1993 2007 宁波立立电子股份 有限公司、南京国 盛电子有限公司、信息产业部专用材 料质量监督检验中 心 6.20065625-T-469 硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T 6621-1995 2007 上海合晶硅材料有 限公司 7.20065626-T-469 硅抛光片表面质量目测检验方 法 GB/T 6624-1995 2007 上海合晶硅材料有 限公司 8.20065627-T-469
3、 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验 方法 GB/T 4058-1995 2007 峨眉半导体材料 厂、万向硅峰电子 股份有限公司、有 研半导体材料股份 有限公司、上海合 晶硅材料有限公 司、宁波立立电子 股份有限公司 9.20065628-T-469 硅片参考面结晶学取向射线 测量方法 GB/T 13388-1992 2007 北京有色金属研究 总院 10.20065629-T-469 硅片电阻率测定 扩展电阻探针 法 GB/T 6617-1995 2007 南京国盛电子有限 公司、宁波立立电 子股份有限公司 11.20065630-T-469 硅片厚度和总厚度变化测试方 法 GB/T 6618-1
4、995 2007 有研半导体材料股 份有限公司 序 号 计划编号 项目名称 被代替标准号 完成 年限 起草单位 12.20065631-T-469 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6620-1995 2007 洛阳单晶硅有限责 任公司 13.20065632-T-469 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6619-1995 2007 洛阳单晶硅有限责 任公司 14.20065633-T-469 硅外延层载流子浓度测定 汞探 针电容-电压法 GB/T 14146-1993 2007 南京国盛电子有限 公司、宁波立立电 子股份有限公司、信息产业部专用材 料质量监督检验中 心 15.2006563
5、4-T-469 硅中代位碳原子含量红外吸收 测量方法 GB/T 1558-1997 2007 信息产业部专用材 料质量监督检验中 心、峨眉半导体材 料厂 16.20065636-T-469 锑化铟多晶、单晶及切割片 GB/T11072-89 2007 峨眉半导体材料厂 2007 年新上项目 序号 国/行标 项目名称 被代替标 准号 完成 年限 起草单位 1.国标 太阳能电池用单晶硅 制定 2008 上海九晶硅材料厂 2.国标 太阳能电池用多晶硅 制定 2008 洛阳中硅高科技有限公司 3.国标 使用全反射 X 光荧光光谱测量硅片表 面金属玷污的测试方法 制定 2008 有 研半 导体材 料股份
6、 有限 公 司、峨眉半导体材料厂、洛阳 单晶硅材料厂、上海合晶硅材 料厂 4.国标 半导体衬垫材料的亚表面损伤偏振反 射差分谱（RDS）测试方法 制定 2008 中科院半导体所 5.国标 硅片平整度、厚度及厚度变化测试 自 动非接触扫描法 制定 2008 上海合晶硅材料有限公司 6.国标 关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测 量指南 制定 2008 有研半导体材料股份有色公司 7.国标 300mm硅单晶 制定 2008 有研半导体材料股份有限公司 8.国标 300mm硅单晶抛光片（测试片）制定 2008 有研半导体材料股份有限公司 9.国标 300mm硅单晶切割片和研磨片 制定 2008 有研半导
7、体材料股份有限公司 10.国标 硅材料原生缺陷图谱 制定 2008 有研半导体材料股份有限公司 子股份有限公司有研半导体材料股份有限公司北京有色金属研究总院南京金美镓业有限公司信息产业部专用材料质量监督检验中心宁波立立电子股份有限公司南京国盛电子有限公司信息产业部专用材料质量监督检验中心海合晶硅材合晶硅材料有限公司宁波立立电子股份有限公司北京有色金属研究总院南京国盛电子有限公司宁波立立电子股份有限公司有研半导体材料股份有限公司半导体单晶晶向测定方法半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法面平整度测试方法硅抛光片表面质量目测检验方法硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法硅片参考面结晶学取向射线测
8、量方法硅片电阻率测定扩展电阻探针法硅片厚度和总厚度变化测试方法序号计划编号项目名称被代替标准号起草单位序号 国/行标 项目名称 被代替标 准号 完成 年限 起草单位 11.国标 电子级三氯氢硅 制定 2008 南京锗厂有限责任公司、峨眉 半导体材料厂 12.行标 高纯砷化学分析方法 孔雀绿分光光 度法测定锑量 YS/T 34.1-1992 2008 峨眉半导体材料厂 13.行标 高纯砷化学分析方法 化学光谱法测 钴、锌、银、铜、钙、铝、镍、铬、铅、镁、铁量 YS/T 34.2-1992 2008 峨眉半导体材料厂 14.行标 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硒 量 YS/T 34.3-1992
9、2008 峨眉半导体材料厂 15.行标 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硫 量 YS/T 34.4-1992 2008 峨眉半导体材料厂 16.行标 高纯砷 YS/T 43-1992 2008 峨眉半导体材料厂 17.行标 高纯镓化学分析方法 钼蓝分光光度 法测定硅量 YS/T 38.1-1992 2008 北京有色金属研究总院 18.行标 高纯镓化学分析方法 化学光谱法测 定锰、镁、铬和锌量 YS/T 38.2-1992 2008 北京有色金属研究总院 19.行标 高纯镓化学分析方法 化学光谱法测 定铅、镍、锡和铜量 YS/T 38.3-1992 2008 北京有色金属研究总院 20.行标 硅
10、粉 制定 2008 洛阳中硅高科技有限公司 子股份有限公司有研半导体材料股份有限公司北京有色金属研究总院南京金美镓业有限公司信息产业部专用材料质量监督检验中心宁波立立电子股份有限公司南京国盛电子有限公司信息产业部专用材料质量监督检验中心海合晶硅材合晶硅材料有限公司宁波立立电子股份有限公司北京有色金属研究总院南京国盛电子有限公司宁波立立电子股份有限公司有研半导体材料股份有限公司半导体单晶晶向测定方法半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法面平整度测试方法硅抛光片表面质量目测检验方法硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法硅片参考面结晶学取向射线测量方法硅片电阻率测定扩展电阻探针法硅片厚度和总厚度变化测试方法序号计划编号项目名称被代替标准号起草单位