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1、 电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。A.左移，下移 B.右移，上移 C.左移，上移 D.右移，下移 2.在 PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当 PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。A.小于，大于 B.大于，小于 C.大于，大于 D.小于，小于 3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（）A.UI eS B.TUUI eS C.)1e(STUUI D.1eSTUUI 4.下列符号中表示发光二极管的为（）。ABCD 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足()。A.ID=0 B.ID I
2、ZM C.IZ ID IZM D.IZ ID IZM 6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。A.少子 B.多子 C.杂质离子 D.空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A.0 B.死区电压 C.反向击穿电压 D.正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶体缺陷 9.PN 结形成后，空间电荷区由（）构成。A.电子和空穴 B.施主离子和受主离子 C.施主离子和电子 D.受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。A B C D 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测
3、电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。A.直流，相同，相同 B.交流，相同，相同 C.直流，不同，不同 D.交流，不同，不同 12.在 25C 时，某二极管的死区电压 Uth，反向饱和电流 IS，则在 35C 时，下列哪组数据可能正 确：（）。A Uth，IS B Uth，IS C Uth，IS D Uth，IS 二、判断题 1.PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF时会损坏。（）3.二极管在工作频率大于最高工作频率 fM时会损坏。（）4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压 URM时会损坏。（）5.在
4、 N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P型半导体。（）6.因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（）三、填空题 1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电流 ，二极管反向伏安特性曲线 移。2.半导体稳压管的稳压功能是利用 PN结的 特性来实现的。3.二极管 P 区接电位 端，N区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。4.在本征半导体中掺入 价元素得 N型半导体，掺入 价元素则得 P型半导体。5.PN 结在 时导通，时截止，这种特性称为 。6.
5、光电二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。7.发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。8.二极管按 PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。10.半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。12.PN 结正偏是指 P区电位 N区电位。13.温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。14.普通二极管工作时通常要避免工
6、作于 ，而稳压管通常工作于 。15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的 方能实现稳压。16.纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。17.在 PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。18.PN 结的内电场对载流子的扩散运动起 作用，对漂移运动起 作用。19.发光二极管通以 就会发光。光电二极管的 随光照强度的增加而上升。20.硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管的 。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极
7、管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 四、计算分析题 1.电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ4V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2
8、的波形。V(a)uI+uO1+RV(b)RuI+uO2+uI/V60t(c)2.已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmin3mA，最大值IZM20mA，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，UO1和UO2各为多少伏。(a)(b)VZRUO1+10V+500RL2kVZR10V+2kRL2kUO2+3.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压 Uo。设二极管的导通压降为。12V9VV1V2R+Uo(c)9V12VV1V2R(d)+Uo 4.已知稳压管的稳定电压UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA，最大功耗PZM=150mW。试求稳压管正常工
9、作时电阻R的取值范围。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断
10、题结在无光照无外加电压时结电 V+UI=12VRUO 5.如图所示电路中，发光二极管导通电压UD1V，正常工作时要求正向电流为 515mA。试问：（1）开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光（2）R的取值范围是多少+VDD(+5V)RVS 6.二极管双向限幅电路如图所示，设tVuisin10，二极管为理想器件，试画出输出 ui和uo的波形。V1V2R+4V6V+uiuo 7.电路如图所示，二极管导通电压UD，常温下UT26mV，电容 C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为 10mV，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少 CR1kVDD4ViD+uiV 移上移左移上移右移下移在结外加
11、正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 8.二极管电路如图所示
12、，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压 Uo。设二极管的导通压降为。6VVR10V+Uo(a)V(b)6V10VR+Uo 9.电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，设二极管导通电压可忽略。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。V1V2RuouI1uI2+5V（a）uI1/VuI2/V50.350.3tt00（b）10.下图所示电路中，稳压管的稳定电压 Uz=12V，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：（1）当开关 S 闭合时，电压表 V和电流表 A1、A2的读数分别为多少（2）当开关 S 断开时，电压表 V和电流表 A1、A2的读数分别为多少 A1A
13、2VUi=30V+R1R25 k2kVS 11.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和 A点的电位。设二极管的正向压降为。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交
14、流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 R1500R22kIDV+10V+6VA 12.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和 A点的电位。设二极管的正向压降为。R1R2IDV+10V3k10kR32k 第二章 半导体三极管 一、单选题 1.（）具有不同的低频小信号电路模型。A.NPN 管和 PNP管 B.增强型场效应管和耗尽型场效应管 C.N 沟道场效应管和 P沟道场效应管 D.三极管和二极管 2.放大电路如图所示，已知三极管的05，则该电路中三极管的工作状态为（）。A.截止 B.饱和 C.放大 D.无
15、法确定 3.已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的
16、死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 A.增强型 PMOS B.增强型 NMOS C.耗尽型 PMOS D.耗尽型 NMOS 4.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压 UCE=，则此时三极管工作于（）状态。A.饱和 B.截止 C.放大 D.无法确定 5.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中三极管的工作状态为（）。A.截止 B.饱和 C.放大 D.无法确定 6.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（）状态。A.放大 B.截止 C.饱和 D.无法确定 7.某三极管的V15,mA20,mW100(BR)CEOCMCMUIP，则下列
17、状态下三极管能正常工作的是（）。A.mA10,V3CCEIU B.mA40,V2CCEIU C.mA20,V6CCEIU D.mA2,V20CCEIU 8.下面的电路符号代表（）管。A.耗尽型 PMOS B.耗尽型 NMOS C.增强型 PMOS D.增强型 NMOS 9.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。A.EBOBRCBOBRCEOBRUUU)()()(B.EBOBRCEOBRCBOBRUUU)()()(C.CEOBREBOBRCBOBRUUU)()()(D.CBOBRCEOBREBOBRUUU)()()(移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电
18、压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 10.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。A.CBEI
19、II B.BCII C.CEOCBOII)1(D.11.（）情况下，可以用 H参数小信号模型分析放大电路。A.正弦小信号 B.低频大信号 C.低频小信号 D.高频小信号 12.场效应管本质上是一个（）。A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件 二、判断题 1.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。2.IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在 uGS=0时的漏极电流。3.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的 PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。4.三极管工作在放大区时，若 iB为常数，则 uCE增大时，iC
20、几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。5.对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用 H参数小信号模型替代。6.三极管的 C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的 C、E两个电极互换使用。7.开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。8.双极型三极管由两个 PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。9.双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。10.分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。11.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交
21、流分析时可视为开路。12.场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。三、填空题 1.双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_和 2.反映 态时集电极电流与基极电流之比；反映 态时的电流放大特性。3.当温度升高时，三极管的参数会 ，CBOI会 ，导通电压会 4.某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得 IA=2mA，IB=，IC=，则电极 为基极，为集电极，为发射极；为 型管；。5.硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大
22、于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 6.场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。7.某三极管的极限参数mA20CMI、mW10
23、0CMP、V20(BR)CEOU。当工作电压V10CEU时，工作电流IC不得超过 mA；当工作电压V1CEU时，IC不得超过_ mA；当工作电流mA2CI时，UCE不得超过 V。8.三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。9.对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。10.工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从 10 微安变化到 22 微安时，集电极电流从 1 毫安变为毫安，则该三极管的约为 ；约为 。11._ 通路常用以确定静态工作点；通路提供了信号传输的途径。12.场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。13.用于构成放大电路时，双极型三极管工作于
24、区；场效应管工作于 区。14.当 ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应管。15.某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为 U1=-9V，U2=-6V，U3=，则电极 为基极，为集电极，为发射极，为 型管。16.三极管电流放大系数反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。17.场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。四、计算分析题 1.三极管电路如图所示，已知三极管的80，UBE（on）=，rbb=200，输入信号)mV(sin20stu,电容 C 对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工作点参数 IBQ、ICQ、UC
25、EQ；（2）画出电路的微变等效电路，求 uBE、iB、iC和 uCE。2.场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出 UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出 UGS（th）。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空
26、穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 3.三极管电路如图所示，已知=100，UBE（on）=，试求电路中 IC、UCE的值。4.图中三极管为硅管，=100，试求电路中 IB、IC、UCE的值，判断三极管工作在什么状态。5.场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出 UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出 UGS（th）。6.图中三极管为硅管，=100，试
27、求电路中 IB、IC、UCE的值，判断三极管工作在什么状态。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱
28、和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 7.场效应管电路如图所示，已知)mV(sin20itu，场效应管的mS58.0mg 试求该电路的交流输出电压uo的大小。8.图中三极管均为硅管，试求各电路中的IC、UCE及集电极对地电压UO。9.图中三极管为硅管，=100，试求电路中 IB、IC、UCE的值，判断三极管工作在什么状态。10.场效应管的输出特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出 UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出 UGS（th）。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流
29、小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 摸拟电子技术(第 2版)第三章选择 A 第三章 放大电路基础 一、单选题 1.图示
30、电路（）A等效为 PNP管 B等效为 NPN管 C为复合管，其等效类型不能确定 D三极管连接错误，不能构成复合管 图号 3401 2.关于 BJT放大电路中的静态工作点（简称 Q点），下列说法中不正确的是（）。A Q 点过高会产生饱和失真 BQ点过低会产生截止失真 C 导致 Q点不稳定的主要原因是温度变化 DQ点可采用微变等效电路法求得 3.把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A增大差模输入电阻 B提高共模增益 C提高差模增益 D提高共模抑制比 4.对恒流源而言，下列说法不正确的为（）。A可以用作偏置电路 B可以用作有源负载 C交流电阻很大 D直流电阻很大 5.图示电路中，为共发
31、射极放大电路的是（）。A.B.C.RC 100 移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时
32、下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 6.差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（）。A不变 B提高一倍 C提高两倍 D减小为原来的一半 7.图示电路（）A等效为 PNP管，电流放大倍数约为 1 B等效为 NPN管，电流放大倍数约为 2 C连接错误，不能构成复合管 D等效为 PNP管，电流放大倍数约为 12 图号 3402 1V2V12 8.乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是（）A输入电压信号过大 B三极管电流放大倍数太大 C晶体管输入特性的非线性 D三极管电流放大倍数太小 9.直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（）。A.晶体管的非线性 B.电阻
33、阻值有误差 C.晶体管参数受温度影响 D.静态工作点设计不当 10.关于复合管，下述正确的是（）A复合管的管型取决于第一只三极管 B复合管的输入电阻比单管的输入电阻大 C只要将任意两个三极管相连，就可构成复合管 D复合管的管型取决于最后一只三极管 11.图示电路中，出现下列哪种故障必使三极管截止（）。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流
34、子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 A.RB1开路 B.RB2开路 C.RC短路 D.CE短路 图号 3201 12.选用差分放大电路的主要原因是（）。A减小温漂 B提高输入电阻 C稳定放大倍数 D减小失真 13.放大电路 A、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开
35、路条件下测得 A的输出电压小，这说明 A的（）。A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小 14.交越失真是（）A饱和失真 B频率失真 C线性失真 D非线性失真 15.复合管的优点之一是（）A电流放大倍数大 B电压放大倍数大 C输出电阻增大 D输入电阻减小 16.已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为 A1u和 A2u，若将它们接成两级放大电路，则其放大倍数绝对值（）。A.A1uA2u B.A1u+A2u C.大于 A1uA2u D.小于 A1uA2u 17.设图示电路工作于放大状态，当温度降低时，（）。A三极管的增大 B三极管的 ICBO增大 C ICQ增大
36、DUCQ增大 18.某放大器的中频电压增益为 40dB，则在上限频率fH处的电压放大倍数约为（）倍。A.43 B.100 C.37 D.70 +VCC ui C1 C2+-uo RB 图号 3238 RC 移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离
37、子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 19.某放大器输入电压为 10mv时,输出电压为 7V；输入电压为 15mv时,输出电压为，则该放大器的电压放大倍数为（）。A.100 B.700 C.-100 D.433 20.某共射极放大电路空载时输出电压有截止失真，在输入信号不变的情况下，经耦合电容接上负载电阻时，失真消失，这时由于（）。A.Q 点上移 B.Q点下移 C.三极管交流负载电阻减小 D.三极管输出电阻减小 二、判断
38、题 1.放大电路只要静态工作点合理，就可以放大电压信号。（）2.乙类放大电路中若出现失真现象一定是交越失真。（）3.放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作（）4.只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。（）5.功率放大电路中，输出功率越大，三极管的管耗也越大。（）6.图示电路中beLCbeBQLCBQiourRRrIRRIuuA)/()/(。（）图号 3201 7.单端输出的电流源差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。（）8.多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻，输出电阻等于
39、末级的输出电阻。（）9.频率失真是由于线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，因此是一种线性失真。（）10.结构完全对称的差分放大电路，空载时单端输出电压放大倍数为双端输出时的一半。（）11.差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。（）12.将乙类双电源互补对称功率放大电路去掉一个电源，就构成乙类单电源互补对称功率放大电路。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区
40、电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 （）13.负载电阻所获得的能量取自于直流电源，而不是信号源或有源器件。（）14.放大电路的输出电阻等于负载电阻RL。（）15.直接耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互影响；电容耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互独立。（）16.恒
41、流源电路具有输出电流稳定，交流内阻非常大的特点，因此常用作偏置电路和有源负载。（）17.输入电阻反映了放大电路带负载的能力。（）18.三极管放大电路中，设 ub、ue分别表示基极和发射极的信号电位，则 ub=UBEQ+ue。（）19.差分放大电路中单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降。（）20.乙类双电源互补对称功率放大电路中，正负电源轮流供电。（）21.双极型三极管的小信号模型中，受控电流源流向不能任意假定，它由基极电流ib的流向确定。（）22.产生交越失真的原因是因为输入正弦波信号的有效值太小。（）23.直接耦合放大电路存在零点漂移主要是由于晶体管参数
42、受温度影响。（）24.乙类互补对称功率放大电路中，输入信号越大，交越失真也越大。（）25.集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。（）26.与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（）27.单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。（）28.场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（）三、填空题 1.放大器的静态工作点过高可能引起_失真，过低则可能引起_ _失真。分压式偏置电路具有自动稳定_ _的优点。2.当差分放大电路输入端加入大小相等、极性相反的信号时，称为 输入；当加入大小和极性都相
43、同的信号时，称为 输入。3.放大电路中采用有源负载可以 电压放大倍数。4.场效应管放大电路中，共 极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共 极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。5.三种基本组态双极型三极管放大电路中，若希望源电压放大倍数大，宜选用共 _ 极电路，若希望带负载能力强，宜选用共 极电路，若希望从信号源索取的电流小，宜选用共 极电路，若希望用作高频电压放大器，宜选用共 极电路。6.若信号带宽大于放大电路的通频带，则会产生 失真 7.电阻反映了放大电路对信号源或前级电路的影响；电阻反映了放大电路带负载的能力。8.单级双极型三极管放大电路中，输出电压与输入电压反相的为共
44、 极电路，输出电压与输入电压同相的有共 极电路、共 极电路。9.某乙类双电源互补对称功率放大电路中，电源电压为24V，负载为 8，则选择管子时，要求U（BR）CEO大于 ，ICM大于 ，PCM大于 。10.已知某放大电路的Au=100，Ai=100，则电压增益为 dB，电流增益为 dB，功率增益为 dB。11.测量三级晶体管放大电路，得其第一级电路放大倍数为30，第二级电路放大倍数为 30，第三级电路放大倍数为，输出电阻为 60，则可判断三级电路的组态分别是 、。移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的
45、端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值直流相同相同交流相同相同直流不同不同交流不同不同在时某二极管的死区电压反向饱和电流则在时下列哪组数据可能正确二判断题结在无光照无外加电压时结电 12.在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压ui1=ui2，则输出电压uO=。若ui1=+50mV，ui2
46、=+10mV，则可知该差动放大电路的共模输入信号uic=;差模输入电压uid=，因此分在两输入端的一对差模输入信号为uid1=，uid2=。13.某两级三极管放大电路，测得输入电压有效值为 2mV，第一级和第二级的输出电压有效值均为，输出电压和输入电压反相，输出电阻为 30，则可判断第一级和第二级放大电路的组态分别是 和 。14.理想集成运放中存在虚断是因为差模输入电阻为 ，流进集成运放的电流近似为 ；集成运放工作在线性区时存在有虚短，是指 和 电位几乎相等。15.理想集成运放差模输入电阻为 ，开环差模电压放大倍数为 ，输出电阻为 。16.单级双极型三极管放大电路中，既能放大电压又能放大电流的
47、是共 极电路，只能放大电压不能放大电流的是共 极电路，只能放大电流不能放大电压的是共_极电路。17.NPN 管和 PNP管构成放大电路时，所需的工作电压极性相 ，但这两种管子的微变等效电路 。18.乙类互补对称功率放大电路的效率比甲类功率放大电路的 ，理想情况下其数值可达 。19.当输入信号为零时，输出信号不为零且产生缓慢波动变化的现象称为 。差分放大电路对之具有很强的 作用。20.差分电路的两个输入端电压分别为ui1=，ui2=，则该电路的差模输入电压uid为 V，共模输入电压uic为 V。21.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 、输入电阻 、输出电阻 。22.一个两级三极管放大电路，测
48、得输入电压有效值为 2mV，第一级和第二级的输出电压有效值均为，则该电路的放大倍数为 。其中，第一级电路的放大倍数为 ，第二级电路的放大倍数为 。23.放大电路中，当放大倍数下降到中频放大倍数的倍时所对应的低端频率和高端频率，分别称为放大电路的 频率和 频率，这两个频率之间的频率范围称为放大电路的 。24.差分放大电路抑制零漂是靠电路结构 和两管公共发射极电阻的很强的 作用。25.差分放大电路中，若ui1=+40mV，ui2=+20mV，Aud=-100，Auc=，则可知该差动放大电路的共模输入信号uic=;差模输入电压uid=，输出电压为uo=。26.乙类互补对称功率放大电路中，由于三极管存
49、在死区电压而导致输出信号在过零点附近出现失真，称之为 。27.差动放大电路具有电路结构_ _ 的特点，因此具有很强的_ 零点漂移的能力。它能放大_ _模信号，而抑制_ _ 模信号。28.功率放大电路采用甲乙类工作状态是为了克服 ，并有较高的 。29.当放大电路要求恒压输入时，其输入电阻应远 于信号源内阻；要求恒流输入时，输入电阻应远 于信号源内阻 30.三种基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是共 极电路，输入电阻最小的是共 极电路，输出电阻最小的是共 极电路。三、计算分析题 1.放大电路如图所示，已知电容量足够大，Vcc=12V，RB1=15k，RB2=5k，RE=，RC=，RL=
50、，三极管的=100，200bbr，UBEQ=。试：（1）计算静态工作点（IBQ、ICQ、UCEQ）；（2）画出放大电路的小信号等效电路；移上移左移上移右移下移在结外加正向电压时扩散电流漂移电流当结外加反向电压时扩散电流漂移电流小于大于大于小于大于大于小于小于设二极管的端电压为则二极管的电流方程为下列符号中表示发光二极管的为稳压二极管工作曲线可以看出二极管两端压降大于时处于正偏导通状态死区电压反向击穿电压正向压降杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于温度掺杂工艺掺杂浓度晶体缺陷结形成后空间电荷区由构成电子和空穴施主离子和受主离子施主离子二极管的电阻由于不同量程时通过二极管的电流所测得正向电阻阻值