第4章 光源及光发射机.ppt

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1、第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 第第4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.1 半导体中光的发射和激射原理半导体中光的发射和激射原理 4.2 半导体发光二极管半导体发光二极管 4.3 半导体激光二极管半导体激光二极管 4.4 数字光发射机数字光发射机 4.5 密集波分复用通信中的光源技术密集波分复用通信中的光源技术 第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.1 半导体中光的发射和激射原理半导体中光的发射和激射原理 4.1.1激光产生的物理基础1.原子的能级激光的产生与光源内部原子的结构和运动状态密切相关。原子由原子核和绕原子核旋转的核外电子组成。近代物理实验证明，原子中

2、的电子只能以一定的量子状态存在，也即只能在特定的轨道上运动，电子的能量不能为任意值，只能具有一系列的不连续的分立值。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 我们把这种电子、原子、分子等微观粒子的能量不连续的分立的内能称为粒子的能级。粒子处于最低能级时称为基态，处于比基态高的能级时，称为激发态。通常情况下，大多数粒子处于基态，少数粒子被激发至高能级，且能级越高，处于该能级的粒子数越少。在热平衡条件下，各能级上的粒子数分布满足玻尔兹曼统计分布(4.1)第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 其中，N1、N2为处于能级E1、E2上的粒子数，k0=1.38110-23J/K为玻尔兹曼常数，

3、T为绝对温度，如图4.1为玻尔兹曼分布曲线。2.光与物质的相互作用研究指出，光与物质间存在以下三种相互作用关系：（1）自发辐射。在没有外界激发的情况下，处于高能级E2上的粒子由于不稳定，将自发的向低能级E1跃迁，发射出能量为hf的光子，f为光子的频率，有(4.2)第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.1玻尔兹曼分布曲线第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 式中，h=6.62510-34Js为普朗克常数。这种发光过程称为自发辐射，如图4.2(a)所示。对于处在高能级E2上的粒子来说，它们各自独立地、随机地分别跃迁到低能级E1上，发射出一个一个的光子，这些光子的能量相同，但彼

4、此无关，且具有不同的相位及偏振方向，因此自发辐射发出的光是非相干光。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 （2）受激吸收。在外来光子的作用下，处在低能级上的粒子，吸收光子的能量跃迁到较高能级上的过程，称为受激吸收，如图4.2(b)所示。处在低能级E1上的粒子在一个频率为f=(E2-E1)/h的外来光子的作用下，吸收光子能量跃迁到能级E2上去。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.2自发辐射、受激吸收和受激辐射示意图(a)自发辐射；(b)受激吸收；(c)受激辐射第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 （3）受激辐射。处在高能级E2上的粒子，在受到频率为f=(E2-E1

5、)/h的光子作用下，受激跃迁到低能级E1上并发出频率为f的光子的过程，称为受激辐射，如图4.2(c)所示。受激辐射的过程不是自发的，是受到外来入射光子激发引起的，而且受激辐射所发射的光子具有与入射光子相同的能量、频率以及相同的相位、偏振方向、传播方向等，这种光子称为全同光子。因此受激辐射的发光是相干光。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 3.粒子数的反转分布及光放大通常情况下(即热平衡条件下)，处于低能级的粒子数较高能级的粒子数要多，称为粒子数正常分布。粒子在各能级之间分布符合费米统计规律(4.3)第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 其中,f(E)是能量为E的能级被粒子占据

6、的几率，称为费米分布函数;Ef为费米能级，与物质特性有关，不一定是一个为粒子占据的实际能级，只是一个表明粒子占据能级状况的标志。当能级E0.5时，说明这种能级被粒子占据的几率大于50%；当能级EEf，f(E)0.5时，说明这种能级被粒子占据的几率小于50%。也就是说，低于费米能级的能级被粒子占据的几率大，高于费米能级的能级被粒子占据的几率小。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 在外界能量作用下，处于低能级的粒子将不断地被激发到高能级上去，从而使高能级上的粒子数大于低能级上的粒子数，这种分布状态称为粒子数的反转分布。在外界入射光的激发下，高能级上的粒子产生大量的全同光子，以实现对入射光

7、的放大作用。我们把处于粒子数反转分布的物质称为激活物质或增益物质。这种物质可以是固体、液体或气体，也可以是半导体材料。把利用光激励、放电激励或化学激励等方法达到粒子数反转分布的方法称为泵浦或抽运。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.激光器的一般工作原理（Laser,LightAmplificationbySimulatedEmissionofRadiation）是具有极好单色性、方向性和光强的一种光源。世界上第一台激光器是1960年美国人梅曼发明的红宝石激光器。实现一个激光器必须满足的三个基本条件是：（1）需要有合适的工作物质（发光介质），具有合适的能级分布，可以产生合适波长的光

8、辐射；（2）需要可以实现工作物质粒子数反转分布的激励能源泵浦源；（3）需要可以进行方向和频率选择的光学谐振腔。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 如图4.3激光器构成原理示意图所示，反射率为100%的全反射镜与反射率为90%95%的部分反射镜平行放置在工作物质两端以构成谐振腔。谐振腔中的工作物质在泵浦源的作用下，处在粒子数反转分布状态，自发辐射产生的光子由于受激辐射不断放大，产生的光子在谐振腔中经过反射镜多次反射，在谐振腔中沿非轴线方向的光子很快逸出了腔外，而沿轴线方向的光子往复传输，不断被放大，且方向性、增益不断改善，最后从反射镜输出即为激光。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光

9、发射机 图4.3激光器构成原理示意图第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 除了上述三个基本条件，要产生激光还必须满足阈值条件及相位条件。在激光器工作过程中，光在谐振腔内传播，除了增益介质的光放大作用外，还存在工作物质的吸收、介质不均匀引起的散射、反射镜的非理想性引起的透射及散射等损耗情况，所以也就只有光波在谐振腔内往复一次的放大增益大于各种损耗引起的衰减，激光器才能建立起稳定的激光输出，其阈值条件（临界条件）为(4.4)第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 其中，th为实现稳定激光输出所必须的最小增益，称为阈值增益系数;为谐振腔内工作物质的损耗系数；L为谐振腔腔长；r1、r2为

10、两个反射镜的反射率。由于在谐振腔中，光波是在两块反射镜之间往复传输的，这时只有在满足特定相位关系的光波才能得到彼此加强，因此这种条件称为相位条件，即(4.5)第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 式中，fq为光波的频率;n为工作介质的折射率;c为光速;q=1，2，。由上式可以看出，激光器中振荡光频率只能取某些分立值，不同q的一系列取值对应于沿谐振腔轴向一系列不同的电磁场分布状态，一种分布就是一个激光器的纵模。相邻两纵模之间的频率之差(4.6)称为纵模间隔，它与谐振腔长及工作物质有关。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 激光振荡也可以出现在垂直于腔轴线的方向，这是平面波偏离轴向

11、传输时产生的横向电磁场分布，称为横模。上面介绍了激光产生的一般原理。自从1960年激光器问世以来，人们已经研制出了各种固体、气体以及半导体激光器等。由于半导体激光器具有体积小、重量轻、寿命长、调制方便、调制速度高等优点，在光纤通信等方面得到了广泛应用。下面就来介绍半导体光源的发光基本原理。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.1.2半导体中光的发射原理1.半导体材料的能带结构半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体，其原子最外层电子轨道互相重叠，从而使其分立的能级形成了能级连续分布的能带。根据能带能量的高低，有导带、禁带和价带之分。能量低的能带是价带，相对应于原子最外层电子（

12、价电子）所填充的能带，处在价带的电子被原子束缚，不能参与导电。价带中电子在外界能量作用下，可以克服原子的束缚，被激发到能量更高的导带之中去，成为自由电子，可以参与导电。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 处在导带底Ec与价带顶Ev之间的能带不能为电子所占据，称为禁带，其能带宽度称为带隙Eg(Eg=Ec-Ev)。半导体光源的核心是PN结。将P型半导体与N型半导体相接触就形成PN结。本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，过剩的电子占据本征半导体中空的导带，处在高能级的电子增多，其费米能级就较本征半导体的要高。当杂质浓度增大时，费米能级向导带移动，在重掺杂情况下，费米能级可以进入导带，称

13、为兼并型N型半导体。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 本征半导体中掺入受主杂质形成P型半导体，其费米能级就较本征半导体的要低，当杂质浓度增大时，费米能级向价带移动，在重掺杂情况下，费米能级可以进入价带，称为兼并型P型半导体，如图4.4所示。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.4半导体能带图(a)本征半导体；(b)N型半导体；(c)P型半导体第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 2.半导体PN结光源在形成PN结之前，重掺杂的N型半导体和P型半导体的能带分布如图4.5(a)所示，费米能级分别进入导带和价带。由于选用同种材料，N型半导体和P型半导体的禁带宽度大致相

14、同。当P型半导体与N型半导体相接触形成PN结时，由于存在电子与空穴的浓度差，电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散，因此使N区的费米能级降低，P区的费米能级升高。当P区的空穴扩散到N区后，在P区留下带负电的离子，形成一个带负电荷区域；第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 当N区的电子扩散到P区后，在N区留下带正电的离子，形成一个带正电荷区域。由于这两个正负电荷区域的存在，出现了一个由N区指向P区的电场，称为内建电场，如图4.5(b)所示。在内建电场作用下，出现了电子从P区向N区移动、空穴从N区向P区移动的与扩散相反的漂移运动。同时，内建电场使P区与N区出现势垒，阻止电子从N区向P区

15、的扩散。开始时，扩散运动占优势，但随着内建电场的加强，势垒的增高，漂移运动也不断加强，最后漂移运动完全抵消了扩散运动，达到了动态平衡，宏观上没有电流流过PN结。这时N区与P区的费米能级达到相等，从而使PN结的能带发生弯曲，如图4.5(c)所示。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 PN结外加一个足够大的正向偏压（即P接正、N接负），P区内的空穴大量注入N区，N区的电子大量注入P区，这样，在P区与N区靠近界面的地方就产生了复合发光。PN结在正向偏置时，N区的电子及P区的空穴会克服内建电场的阻挡作用，穿过结区(扩散运动超过漂移运动)，从P区到N区产生净电流。电子与空穴在扩散运动中产生复合作

16、用，释放出光能，实现发光。这种发光是一种自发辐射，所以发出的是荧光。由于这种发光是正向偏置把电子注入到结区的，又称为电致发光。这就是发光二极管的工作原理。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 当PN结外加一个正向偏压时，产生了一个与内建电场方向相反的电场，这个电场减弱了内建电场的影响，削弱了漂移运动，使扩散运动加强，整个PN结的平衡状态被打破，原来统一的费米能级发生分离，出现了P区和N区的两个准费米能级EPf、ENf，如图4.5(d)所示。这时，在PN结区，导带主要由电子占据，价带主要由空穴占据，即实现了粒子数反转分布的区域，称为有源区，这个有源区可以实现光的放大作用。由自发辐射产生的

17、光子，在有源区由于受激辐射将不断得到放大。同时，如果利用半导体材料晶体的天然解理面构造光学谐振腔，那么，在有源区的放大补偿了各种损耗后，就会有稳定的激光输出。这就是半导体激光器的的基本原理。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.5重掺杂下PN结能带图第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 由于半导体内光子与电子之间的相互作用所导致的电子的跃迁除需要满足能量守恒条件之外，还必须满足动量守恒条件。自由电子运动的动量状态p，由电子的量子力学波矢量k决定，即p=hk(4.7)其中,h为约化普朗克常数。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 光子的动量与电子的动量相比可以忽略，

18、因此，电子的跃迁前后应具有相同的动量，也即有相同的波矢量。根据能带结构的能量与波矢量关系(如图4.6所示)，半导体材料可以分为光电性质完全不同的两类，即直接带隙材料和间接带隙材料。在直接带隙材料中，导带中的最低能量状态与价带中的最高能量状态具有相同的波矢量，即位于动量空间中的同一点上。而在间接带隙材料中，导带中的最低能量状态与价带中的最高能量状态处在不同的波矢量位置上，即具有不同的动量。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 能带结构的这种差别使得这两类半导体材料的光电性质具有非常大的差异。在直接带隙材料中，电子在价带和导带之间跃迁符合动量守恒条件，因此具有较大的跃迁几率，而在间接带隙材

19、料中，电子在价带和导带之间跃迁不符合动量守恒条件，光子与电子的相互作用需要在声子的作用下才能完成，因此跃迁几率非常低。所以间接带隙材料发光效率比较低，不适合于制作光源。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.6直接带隙和间接带隙材料能带、波矢量关系示意图(a)直接带隙材料；(b)间接带隙材料第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 目前广泛应用的半导体材料主要有：（1）硅（Si）、锗（Ge）等族半导体材料，属于间接带隙材料，不能用来制作半导体激光器，主要用于集成电路和光电检测器的制作。（2）碲化镉（GdTe）、碲化锌（ZnTe）等族化合物半导体材料均为直接带隙材料，主要用于可见

20、光和红外光电子器件的制作。（3）砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、砷磷化铟镓（InGaAsP）等绝大多数的族化合物半导体材料均为直接带隙材料，主要用于集成电路和光纤通信用半导体发光二极管、激光器、光电检测器的制作。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 半导体光源发射的光子的能量、波长取决于半导体材料的带隙Eg，以电子伏特（eV）表示的发射波长为(4.8)例如，对于GaAs，Eg=1.42eV，用它制作的LED的发射波长就为=0.87m。不同的半导体材料、不同的材料成分有不同的禁带宽度，可以发射不同波长的光。表4.1为不同半导体材料的带隙及发光波长。第第4 4章章 光源及光发射机光源

21、及光发射机 表4.1不同半导体材料的带隙及发光波长第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 3.异质结上述发光原理的PN结是由同一种半导体材料构成的，P区、N区具有相同的带隙、接近相同的折射率（掺杂后折射率稍有变化，但很小），这种PN结称为同质结。同质结导波作用很弱，光波在PN结两侧渗透较深，从而致使损耗增大，发光区域较宽。因此，同质结构成的光源有很大的缺点：发光不集中，强度低，需要较大的注入电流。器件工作时发热非常严重，必须在低温环境下工作，不可能在室温下连续工作。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 为了克服同质结的缺点，需要加强结区的光波导作用及对载流子的限定作用，这时可以采

22、用异质结结构。所谓异质结，就是由带隙及折射率都不同的两种半导体材料构成的PN结。异质结可分为单异质结（SH）和双异质结（DH）。异质结半导体激光器与同质结半导体激光器不同。它是利用不同折射率的材料来对光波进行限制，利用不同带隙的材料对载流子进行限制。图4.7给出了同质结、单异质结、双异质结半导体激光器加正向偏压时，能带的结构以及折射率、光强的分布。可以看出，双异质结激活区两侧存在势垒，对载流子有限制作用；材料折射率差异较大，光波导效应显著，损耗大大减少。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.7同质结、单异质结和双异质结半导体激光器加正向偏压时的情况第第4 4章章 光源及光发射机光

23、源及光发射机 4.2 半导体发光二极管半导体发光二极管 4.2.1发光二极管的结构发光二极管根据其发光面与PN结的结平面平行或垂直可分为面发光二极管和边发光二极管两种结构，如图4.8所示。这两种结构都可以用同质结制造，也可以用异质结制造，只不过在实际中多采用异质结结构。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图 4.8(a)即 为 面 发 光 二 极 管 的 典 型 结 构，由NPP双异质结构成。这种LED发射面积限定在一个小区域内，该区域的横向尺寸与光纤尺寸相近。利用腐蚀的方法在衬底材料正对有源区的地方腐蚀出一个凹陷的区域，使光纤可以与发射面靠近，同时，在凹陷的区域注入环氧树脂，并在光

24、纤末端放置透镜或形成球透镜，以提高光纤的接收效率。面发光二极管输出的功率较大，一般注入100mA电流时，就可达几个毫瓦，但光发散角大，水平和垂直发散角都可达到120，与光纤的耦合效率低。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.8(b)为边发光二极管，也采用双异质结结构。利用SiO2掩模技术，在P面形成垂直于端面的条形接触电极（约4050m），从而限定了有源区的宽度；同时，增加光波导层，进一步提高光的限定能力，把有源区产生的光辐射导向发光面，以提高与光纤的耦合效率。其有源区一端镀高反射膜，另一端镀增透膜，以实现单向出光。在垂直于结平面方向，发散角约为30，具有比面发光二极管高的输出耦

25、合效率。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.8发光二极管的结构(a)发光二极管的结构；(b)边发光二极管的结构第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.8发光二极管的结构(a)发光二极管的结构；(b)边发光二极管的结构第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.2.2发光二极管的工作特性作为光纤通信系统中所用的光源，我们所关注的发光二极管的特性包括发光效率、光谱特性、PI特性、调制特性等。1.光谱特性由于发光二极管是自发辐射发光，并且没有谐振腔实现对波长的选择，因此发光谱线较宽，半最大值处的全宽度（FWHM）=1.8kT(2/ch)nm，随辐射波长的增加按2增加

26、。一般短波长GaAlAsGaAs发光二极管的谱线宽度约为1050nm，长波长InGaAsPInP发光二极管的谱线宽度约为50120nm。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 如图4.9(a)为一典型1.3mLED的输出谱线。发光二极管的谱线宽度反映了有源区材料的导带与价带内的载流子分布。线宽随有源区掺杂浓度的增加而增加。面发光二极管一般是重掺杂，而边发光二极管为轻掺杂，因此面发光二极管的线宽就较宽。而且，重掺杂时，发射波长还向长波长方向移动。同时，温度的变化会使线宽加宽，载流子的能量分布变化也会引起线宽的变化，如图4.9(b)、(c)所示。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机

27、图4.9发光二极管的输出谱线特性第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 2.PI特性发光二极管的PI特性是指输出的光功率随注入电流的变化关系，其PI曲线如图4.10(a)所示。当注入电流较小时，线性度非常好；但当注入电流比较大时，由于PN结的发热，发光效率降低，出现了饱和现象。在同样的注入电流下，面发光二极管的输出功率要比边发光二极管大2.53倍，这是由于边发光二极管受到更多的吸收和界面复合的影响。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 在通常应用条件下，发光二极管的工作电流为50150mA，输出功率为几个毫瓦，但因其与光纤的耦合效率很低，入纤功率要小得多。温度对发光二极管的PI特

28、性也有影响，当温度升高时，同一电流下的发射功率要降低，如图4.10(b)所示。发光二极管的温度特性相对较好，在实际应用中，一般可以不加温度控制。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.10发光二极管的PI特性及温度特性第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 3.发光效率发光效率是描述发光二极管电光能量转换的重要参量，分为内量子效率和外量子效率。发光二极管的发光是靠注入有源区的电子与空穴的复合辐射发光的，但是并非所有的注入电子与空穴都能够产生辐射复合。发射光子也存在非辐射复合，每种复合的概率取决于材料及结构。内量子效率代表有源区内产生光子数与注入的电子空穴对数之比，即I=单位时

29、间内产生的光子数单位时间内注入的电子空穴对数(4.9)第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 发光二极管的内量子效率可以做得很高，有的甚至可以接近100%，但实际的发光二极管输出的光子数远低于有源区中产生的光子数，这一方面是由于发光区产生的光子被其它部分材料吸收，另一方面由于PN结的波导效应，光子能逸出界面的数目大大减少，所以发光二极管的外量子效率即总效率为T=输出的光子数注入的总电子数(4.10)第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.调制特性根据PI特性可以看出，改变发光二极管的注入电流就可以改变其输出光功率，如图4.11所示为发光二极管的调制原理图。把这种直接改变光源注入

30、电流实现调制的方式称为直接调制或内调制，相对应于第3章中的外调制。需要注意的是，在图示的模拟调制中，首先要给发光二极管直流偏置，以防止当信号为负时，可能会因反偏而造成的损坏。显然，对于模拟调制PI关系的非线性会使调制信号产生失真，在需要的情况下，可以利用线性补偿电路来进行改善。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.11发光二极管的调制原理图(a)数字调制；(b)模拟调制第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 由于PN结的结电容以及杂散电容的存在，发光二极管的调制特性随着调制的频率提高而变化。发光二极管的频率响应可表示为(4.11)第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机

31、 式中，f为调制频率;P(f)为对应于调制频率f的输出光功率;为载流子的寿命。如图4.12所示，随着调制频率的提高，光功率输出要下降。定义发光二极管的截止频率fc=1/(2)，。载流子寿命与掺杂浓度、注入电流密度及有源区厚度有关。显然，要提高截止频率以增加调制带宽，要尽可能缩短载流子的寿命，可以通过有源区重掺杂以及高注入等方法来改进。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.12发光二极管的调制响应第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.3 半导体激光二极管半导体激光二极管 4.3.1激光二极管的结构半导体激光器同发光二极管一样，也采用双异质结结构。不同的是，半导体激光器纵

32、向的两个端面是晶体的解理面，相互平行且垂直于结平面，一个端面镀反射膜，另一个端面输出，构成了激光器的FP谐振腔。同时，采用条形结构，使有源区光场不仅在垂直于结平面方向受到限制，并且在平行于结平面的水平方向也有波导效应，第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 使光子及载流子局限在一个较窄及较薄的条形区域内，以提高光子及载流子浓度。我们把这种条形有源区的激光器称为条形激光器，它与光纤耦合效率较高。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 条形激光器主要有两种结构：增益导引条形和折射率导引条形。如图4.13(a)所示为增益导引条形半导体激光器的结构。利用Zn扩散、氧化物隔离等技术，在条形有

33、源区两边形成高阻层，只有在条形有源区内有电流流过且具有光增益特性，条形区以外损耗较大，光信号被限制在条形区域内。这种利用增益分布限制光子的激光器称为增益导引条形半导体激光器。如图4.13(b)所示为折射率导引条形半导体激光器的结构。其条形有源区两侧为具有较低折射率的材料，形成光波导效应，实现对光子的约束。这种激光器具有输出功率稳定、线性好、调制速率高等优点，但制作工艺较为复杂。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.13半导体激光器的横截面结构(a)增益导引条形；(b)折射率导引条形第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.3.2激光二极管的工作特性1.PI特性典型的半导体

34、激光器如图4.14所示。从图上可以看出，半导体激光器存在阈值电流Ith。当注入电流小于阈值电流时，器件发出微弱的自发辐射光，类似于发光二极管的发光情况。当注入电流超过阈值，器件进入受激辐射状态时，光功率输出迅速增加，输出功率与注入电流基本保持线性关系。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 半导体激光器的PI特性对温度很敏感，图4.15给出了不同温度下PI特性的变化情况。由图可见，随着温度的升高，阈值电流增大，发光功率降低。阈值电流与温度的关系可以表示为(4.12)其中,T为器件的绝对温度；T0为激光器的特征温度；I0为常数。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.14半导体

35、激光器PI曲线第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.15半导体激光器PI曲线随温度的变化第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 为解决半导体激光器温度敏感的问题，可以在驱动电路中进行温度补偿，或是采用制冷器来保持器件的温度稳定。通常将半导体激光器与热敏电阻、半导体制冷器等封装在一起，构成组件。热敏电阻用来检测器件温度，控制制冷器，实现闭环负反馈自动恒温。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 2.光谱特性半导体激光器的光谱特性主要由其纵模决定。图4.16为多纵模半导体激光器的典型谱线，其中p为具有最大辐射功率的纵模的峰值所对应的波长，称为峰值波长。为光谱辐射带宽，包括

36、发射功率等于大于峰值波长功率50%的所有波长，也称半高全宽光谱宽度。L是一个纵模中光谱辐射功率为其最大值一半的谱线两点间的波长间隔。定义边模抑制比MSR为主模功率P主与最强边模功率P边之比，它是半导体激光器频谱纯度的一种度量。主边(4.13)第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.16半导体激光器的光谱第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 与发光二极管的谱线特性相比，半导体激光器的发光谱线较为复杂，会随着工作条件的变化而发生变化，当注入电流低于阈值电流时，激光器发出的是荧光，光谱较宽；当电流增大到阈值电流时，光谱突然变窄，强度增强，出现激光；当注入电流进一步增大，主模的增益

37、增加，而边模的增益减小，振荡模式减少，最后会出现单纵模，如图4.17所示。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.17半导体激光器输出谱线注入电流的变化第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 3.调制特性如果4.18为半导体激光器的直接调制的原理图。与发光二极管的调制不同的是，由于存在阈值电流，在实际的调制电路中，为提高响应速度及不失真，需要进行直流偏置处理。在高速调制情况下，半导体激光器会出现许多复杂动态性质，如出现电光延迟、张弛振荡和自脉动等现象。这些特性会对系统传输速率和通信质量带来影响。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.18激光二极管的调制原理图(a

38、)数字调制；(b)模拟调制第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 （1）电光延迟和张弛振荡现象。半导体激光器在高速脉冲调制下，输出光脉冲瞬态响应波形如图4.19所示。输出光脉冲和注入电流脉冲之间存在一个时间延迟，称为电光延迟时间，一般为纳秒量级。当电流脉冲注入激光器后，输出光脉冲表现出衰减式的振荡，称为张弛振荡。张弛振荡的频率一般为几百兆赫兹到2GHz的量级。这些特性与激光器有源区的电子自发复合寿命和谐振腔内光子寿命以及注入电流初始偏置量有关。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 当信号的调制频率接近张弛振荡频率时，将会使输出光信号的波形严重失真，势必会增加接收机的误码率，所以，

39、半导体激光器的张弛振荡和电光延迟的存在限制了信号的调制速率应低于张弛振荡频率，这样才能保证信息传输的可靠。可以通过在半导体激光器脉冲调制时加直流预偏置的方法来使脉冲到来之前将有源区内的电子密度提高到一定程度，从而使脉冲到来时，电光延迟时间大大减小，而且张驰振荡现象可以得到一定程度的抑制。随着直流预偏置电流的增大，电光延迟时间逐渐减小。增加直流预偏置电流也有利于抑制张驰振荡。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.19光脉冲的电光延迟和张弛振荡第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 （2）码型效应。电光延迟还会产生码型效应。当电光延迟时间与数字调制的码元持续时间为相同数量级时，

40、会使后一个光脉冲幅度受到前一个脉冲的影响，这种影响现象称为“码型效应”，如图4.20(a)、(b)所示。考虑在两个接连出现的“1”码脉冲调制时，第一个脉冲过后，存储在有源区的电子以指数形式衰减，如果调制速率很高，脉冲间隔小于其衰减周期，就会使第二个脉冲到来之时，第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 前一个电流脉冲注入的电子并没有完全复合消失，此时有源区电子密度较高，因此电光延迟时间短，输出光脉冲幅度和宽度就会增大。“码型效应”的特点是，在脉冲序列中较长的连“0”码后出现的“1”码，其脉冲明显变小，而且连“0”码数目越多，调制速率越高，这种效应越明显。第第4 4章章 光源及光发射机光源及

41、光发射机 图4.20码型效应第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 消除码型效应最简单的方法就是增加直流偏置电流。当激光器偏置在阈值附近时，脉冲持续时间和脉冲过后有源区内电子密度变化不大，电子存储的时间大大减小，码型效应就可得到抑制。还可以采用在每一个正脉冲后跟一个负脉冲的双脉冲信号进行调制的方法，如图4.20(c)所示，正脉冲产生光脉冲，负脉冲来消除有源区内的存储电子。但负脉冲的幅度不能过大，以免激光器PN结被反向击穿。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 （3）自脉动。某些激光器在脉冲调制甚至直流驱动下，输出的光脉冲出现持续等幅的振荡，振荡的频率在几百兆赫兹到2GHz，如图4

42、.21所示，我们把这种脉冲波形的畸变称为自脉动现象。和张驰振荡一样，它对激光器的高速脉冲调制性能也能带来影响。自脉动现象的出现是激光器在某些注入电流情况下发生的，它的出现及振荡频率与外加调制速率无关，仅与注入的总电流有关。自脉动现象产生的机理很复杂，主要是由于激光器内部存在非线性增益而造成的，往往和激光器的PI非线性有关。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.21输出光脉冲的自脉动第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.3.3动态单纵模激光器在光纤通信中，为降低光纤色散，希望光源的线宽尽可能的窄，因此要求激光器工作在单纵模状态。从前面半导体激光器的输出谱线随注入电流变化

43、的特性可以看出，当注入工作电流高于阈值时，随着输出光功率的增加，就能够进入单纵模工作状态。这只是在直流情况下，而在实际中，因为进行直接调制使激光器的注入电流不断发生变化，有源区载流子浓度也随之发生变化，导致折射率变化，谐振条件发生变化，第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 随着调制频率的提高和调制深度的加大，会使主模的强度下降，邻近边模的强度增强，单纵模分裂为多纵模，而且线宽也增大，调制速率越高，调制深度越大，谱线展宽越多。图4.22所示为激光器在不同调制速率和调制深度时的输出光谱。这种类型的器件就不适合在高速通信系统中单纵模工作时的要求。在高速调制下仍然可以工作在单纵模的半导体激光器

44、称为动态单纵模激光器。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.22高速调制时激光器的输出谱线第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 实现单纵模的方法很多，应用最为广泛的是分布反馈式激光器。分布反馈式激光器的结构与普通FP激光器不同，它不是靠解理面形成的谐振腔工作，而是依赖沿纵向等间隔分布反射的光栅工作。分布反射式半导体激光器分为分布反馈激光器（DFBLD）和分布布拉格反射激光器（DBRLD），结构分别如图4.23和图4.24所示。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.23DFB激光器的结构第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.24DBR激光器的结构

45、第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 分布反馈式激光器具有以下优点：（1）单纵模振荡。利用光栅实现选频，可以很容易实现单纵模。（2）谱线窄，波长稳定性好。由于光栅的作用，使分布反馈式激光器的谱线宽度窄到几个吉赫兹，并且改善了稳定性。（3）动态谱线好。在高速调制时分布反馈式激光器谱线也有所展宽，但比FP激光器的动态谱线展宽小一个数量级，同时仍然保持单模特性。（4）线性度好。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.4 数字光发射机数字光发射机 光发射机的基本功能是将携带信息的电信号转换成光信号，并将光信号送入光纤中。光发射机除了前面介绍的半导体光源及其驱动电路之外还包括使系统正常

46、、可靠工作的一些辅助控制电路部分。根据LED、LD的调制特性可以知道，传输不同的数字、模拟信号对光源采取的驱动方式不同以及对信号的处理方式不同，造成了模拟系统与数字系统的差异。关于模拟传输系统将在第6章作具体介绍。本节主要介绍数字光发射机的组成及特性。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 数字光发射机的基本组成包括光源、输入电信号的接口电路、光源的驱动电路以及光源的控制、保护电路等四部分，如图4.25所示。要传输的电信号首先通过光发射机的接口部分进入光发射机，实现信号的幅度、阻抗的匹配，并进行适当的码型变换，以适应光发射机的要求。例如PDH的一、二、三次群PCM复接设备输出码型为HDB

47、3码，进入光发射机时需要变换为NRZ码，以便于光纤中光信号的传输，关于码型变换将在第6章具体介绍。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.25数字光发射机结构图第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 光源的驱动电路是光发射机的主要部分，对于目前的通信系统，它将输入的电脉冲信号通过电流强度的调制方式来调制半导体光源发射光脉冲信号。为保证光发射机的正常、可靠地工作，需要对半导体光源的功率、温度等工作状态进行控制，而且要防止在各种异常情况下对器件的损坏，还需要相应的保护控制。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 4.4.1光源的驱动光源的驱动就是根据输入的电信号产生相应的光

48、信号的过程。根据器件不同、调制方式的不同、输入信号类型的不同，都会有不同的驱动方式。前面已经介绍过半导体光源有内调制、外调制两种调制方式。实际光纤通信系统中主要采用直接改变光源注入电流的内调制方式，使发出光信号的强度随输入电信号的变化而变化。这种内调制的驱动就是使光源的注入电流随着输入信号的变化而变化，第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 从而使光源发出的光携带有输入电信号的特性。当然，对于LED与LD由于PI特性存在差异，它们的驱动电路也就不同。1.LED的驱动LED作为数字系统光源时，驱动电路要求提供几十到几百毫安的“开”、“关”电流。由于发光二极管的特性曲线比较平直，温度对光功率

49、的影响也不严重，因此它的驱动电路一般比较简单，不需要复杂的温度控制和功率控制。如图4.26为LED的几种典型的数字调制驱动电路，适用于不同的应用场合。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.26LED数字调制电路第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 2.LD的驱动与LED相比，LD的驱动要复杂得多。尤其在高速调制系统中，驱动条件的选择、调制电路的形式和工艺、激光器的控制等都对调制性能至关重要。偏置电流的选择直接影响LD的高速调制特性。选择直流预偏置电流时应考虑：（1）增大直流预偏置电流使其逼近阈值，可以减小电光延迟时间，抑制张驰振荡；（2）当激光器偏置在阈值附近时，较小的调

50、制脉冲电流就能得到足够的输出光脉冲，这样可以大大减小码型效应；第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 （3）加大直流偏置电流，使激光器在发“0”和发“1”时的光功率之比（即消光比）增大，从而影响接收机的灵敏度。因此，偏置电流的选择要兼顾电光延迟、张驰振荡、码型效应以及消光比等各种因素。根据器件的性能，系统的具体要求，要适当选择。调制电流幅度的选择，因根据激光器的PI曲线，既要有足够的输出光脉冲幅度，又要考虑光源的负担，还要避免出现自脉动现象。图4.27为已应用在44.7Mbit/s的光发射机的LD驱动电路。第第4 4章章 光源及光发射机光源及光发射机 图4.27LD驱动电路第第4 4章章