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1、1、在真空中波长为2的单色光，在折射率为的透明介质中从A 沿某路径传播到8,若 A、B 两点相位差为3兀，则此路径4 8 的光程为(A)1.5 2.(B)1.5 2/n.(C)1.5 n A.(D)3 A.A 2、在相同的时间内，一束波长为/l的单色光在空气中和在玻璃中(A)传播的路程相等，走过的光程相等.(B)传播的路程相等，走过的光程不相等.(C)传播的路程不相等，走过的光程相等.(D)传播的路程不相等，走过的光程不相等.C 3、如图，*、S 2是两个相干光源，它 们 到 P 点的距离分别 为n和r2.路 径5 1 P垂直穿过一块厚度为小 折射率为 i的介质板，路径S 2 P垂直穿过厚度为
2、。折射率为2的另一介质板，其余部分可看作真空，这两条路径的光程差等于(A)+2,2)一 位|+/|)(B)厂2+(建2 1)，2 一八 +(1 -1)，2(C)(一 2 f2)一(八一叩1)(D)n2t2-nttt4、真空中波长为2 的单色光，在折射率为的均匀透明媒质中，从4 点沿某一路径传播到8 点，路径的长度为/.A、B 两点光振动相位差记为A 0,则(A)1=3 2/2,4。=3兀.(B)/=3 义/(2),八。=3 兀.(C)/=3 几/(2)，兀.(D)/=32/2,A0=3 兀.C 5、如图所示，波长为/I的平行单色光垂直入射在折射率为2的薄膜上，经 上 下 两 个 表 面 反 射
3、 的 两 束 光 发 生 干 涉.若 薄 膜 厚 度 为|pe,而且|拉2 3，则两束反射光在相遇点的相位差为 6(A)4112e lk.(B)2TC W2e/A.改(C)(4兀2 e/2)+TC.(D)(2兀2 e/2)-兀.A -6、如图所示，折射率为“2、厚度为e 的透明介质薄膜的 上方和下方的透明介质的折射率分别为m和“3，已 知m ),单色光波长为4,屏幕上相邻明条纹之间的距离为(A)A D/d.(C)入D/(2d).(B)Ad/D.(D)/W/(2D).9、在双缝干涉实验中，为使屏上的干涉条纹间距变大，可以采取的办法是(A)使屏靠近双缝.(B)使两缝的间距变小.(C)把两个缝的宽度
4、稍微调窄.(D)改用波长较小的单色光源.10、在双缝干涉实验中，光的波长为600 nm(1 nm=10 9 m),双缝间距为2 mm.双缝与屏的间距为300 c m.在屏上形成的干涉图样的明条纹间距为(A)0.45 mm.(C)1.2 mm(B)0.9 mm.(D)3.1 mm.11、在双缝干涉实验中，若单色光源S 到两缝Si、S2距离相等，则观察屏上中央明条纹位于图中。处.现将光源S 向下移动到示意图中的S位置，则(A)中央明条纹也向下移动，且条纹间距不变.$.-(B)中央明条纹向上移动，且条纹间距不变.S&(C)中央明条纹向下移动，且条纹间距增大.(D)中 央 明 条 纹 向 上 移 动，
5、且 条 纹 间 距 增大.B 12、在双缝干涉实验中，设缝是水平的.若双缝所在的平板稍微向上平移，其它条件不变，则屏上的干涉条纹(A)向下平移，且 间 距 不 变.(B)向上平移，且间距不变.(C)不移动，但间距改变.(D)向上平移，且间距改变.B 13、在双缝干涉实验中，两缝间距离为“，双缝与屏幕之间的距离为。(O d).波长为彳的平行单色光垂直照射到双缝上.屏幕上干涉条纹中相邻暗纹之间的距离是(A)2AD/d.(B)Z J/D.(0 0/2.(D)2.D Id.L D 14把双缝干涉实验装置放在折射率为”的水中，两缝间距离为d,双缝到屏的距离为。(D d),所用单色光在真空中的波长为4则屏
6、上干涉条纹中相邻的明纹之间的距离是(A)AD/(nd)(B)nAD/d.(C)Ad/(nD).(D)AD/(2nd).A 15、一束波长为/l的单色光由空气垂直入射到折射率为的透明薄膜上，透明薄膜放在空气中，要使反射光得到干涉加强，则薄膜最小的厚度为(A)2/4.(B)2/(4n).(C)2/2.(D)Z/(2).B 1 6、在牛顿环实验装置中，曲率半径为R的平凸透镜与平玻璃扳在中心恰好接触，它们之间充满折射率为n的透明介质，垂直入射到牛顿环装置上的平行单色光在真空中的波长为 九则反射光形成的干涉条纹中暗环彗巴的表达式为(A)r*=J kAR .(B)以=V kAR /n.(C)rk=y/kn
7、AR .(D)rk=J k 4/(n R).B 1 7、在迈克耳孙干涉仪的一条光路中，放入一折射率为“，厚度为d的透明薄片，放入后，这条光路的光程改变了(A)2 (n-l )d.(B)2nd.(C)2(，?T )d+/l/2.(D)nd.(E)(T)d.E A 1 8、在迈克耳孙干涉仪的一支光路中，放入一片折射率为 的透明介质薄膜后，测出两束光的光程差的改变量为一个波长2,则薄膜的厚度是(A)A/2.(C)2/n.(B)2/(2 n).上D 1 9、在单缝夫琅禾费衍射实验中，波长为2 的单色光垂直入射在宽度为。=4 2 的单缝上,对应于衍射角为3 0 的方向，单缝处波阵面可分成的半波带数目为(
8、A)2 个.(B)4 个.(C)6 个.(D)8 个.B 2 0、一束波长为2 的平行单色光垂直入射到一单缝 A8上，装置如图.在屏幕。上形成衍射图样，如 果 P是中央亮纹一侧第一个暗纹所在的位置，则前的长度为(A)2/2.(B)A.(C)3 A /2 .(D)2 A .B 2 1、根据惠更斯菲涅耳原理，若已知光在某时刻的波阵面为5,则 S 的前方某点尸的光强度决定于波阵面S 上所有面积元发出的子波各自传到户点的(A)振动振幅之和.(B)光强之和.(C)振动振幅之和的平方.(D)振动的相干叠加.D 2 2、波长为4 的单色平行光垂直入射到一狭缝上，若第一级暗纹的位置对应的衍射角为兀/6,则缝宽
9、的大小为(A)2/2.(B)2.(C)2 2.(D)3 2 .C 2 3、在夫琅禾费单缝衍射实验中,纹的中心位置不变外，各级衍射条纹(A)(C)对应的衍射角变小.(B)对 应 的 衍 射 角 也 不 变.(D)对于给定的入射单色光，当缝宽度变小时，除中央亮对应的衍射角变大.光强也不变.B 2 4、如果单缝夫琅禾费衍射的第一级暗纹发生在衍射角为9=3 0。的方位上.所用单色光波长为4=500 n m,则单缝宽度为(A)2.5X 10 5 m.(B)1.0X 105 m.(C)1.0X106 m.(D)2.5X107.C 25、一单色平行光束垂直照射在宽度为1.0 mm的单缝上，在缝后放一焦距为2
10、.0 m 的会聚透镜.已知位于透镜焦平面处的屏幕上的中央明条纹宽度为2.0 m m,则入射光波长约为(lnm=l(T-1)(A)100 nm(B)400 nm(C)500 nm(D)600 nm C 26、在单缝夫琅禾费衍射实验中，若增大缝宽，其他条件不变，则中央明条纹(A)宽度变小.(B)宽度变大.(C)宽度不变，且中心强度也不变.(D)宽度不变，但中心强度增大.A 27、在单缝夫琅禾费衍射实验中，若减小缝宽，其他条件不变，则中央明条纹(A)宽度变小；(B)宽度变大；(C)宽度不变，且中心强度也不变；(D)宽度不变，但中心强度变小.B 28、在单缝夫琅禾费衍射实验中波长为2的单色光垂直入射到
11、单缝上.对应于衍射角为3 0 的方向上，若单缝处波面可分成3 个半波带，则缝宽度。等于(A)2.(B)1.5 2.(C)2 A.(D)3 Z.D 29、在如图所示的单缝夫琅禾费衍射装置中，设中央明纹的衍射角范围很小.若使单缝宽度a 变为原来的巳，同时使入射的单色光的波长2变为原来的3/24,则屏幕C 上单缝衍射条纹中央明纹的宽度Ax将变为原来的(A)3/4 倍.(B)2/3 倍.(C)9/8 倍.(D)1/2 倍.(E)2 倍.L D 30、测量单色光的波长时，下列方法中哪一种方法最为准确？(A)双缝干涉.(B)牛 顿 环.(C)单缝衍射.(D)光栅衍射.B 31、一束平行单色光垂直入射在光栅
12、上，当光栅常数(a+b)为下列哪种情况时代表每条缝的宽度)，4=3、6、9 等级次的主极大均不出现？(A)ab=2 a.(B)a-b=3 a,(C)+b=4.(A)ab=6 a.B 32、一束白光垂直照射在一光栅上，在形成的同一级光栅光谱中，偏离中央明纹最远的是(A)紫光.(B)绿光.(C)黄光.(D)红光.D 33、对某一定波长的垂直入射光，衍射光栅的屏幕上只能出现零级和一级主极大，欲使屏幕上出现更高级次的主极大，应该(A)换一个光栅常数较小的光栅.(B)换一个光栅常数较大的光栅.(C)将光栅向靠近屏幕的方向移动.(D)将光栅向远离屏幕的方向移动.B 34、若用衍射光栅准确测定一单色可见光的
13、波长，在下列各种光栅常数的光栅中选用哪一种最好？(A)5.0X10 1 mm.(B)1.0X 10 1 mm.(C)1.0X 102 mm.(D)1.0X103 mm.D 35、在光栅光谱中，假如所有偶数级次的主极大都恰好在单缝衍射的暗纹方向上，因而实际上不出现，那么此光栅每个透光缝宽度。和相邻两缝间不透光部分宽度b 的关系为1 ,(A)a=b.(B)a=h,2(C)a=2b.(D)a=3 b.L B 36、在双缝干涉实验中，用单色自然光，在屏上形成干涉条纹.若在两缝后放一个偏振片，则(A)干涉条纹的间距不变，但明纹的亮度加强.(B)干涉条纹的间距不变，但明纹的亮度减弱.(C)干涉条纹的间距变
14、窄，且明纹的亮度减弱.(D)无干涉条纹.B 37、如果两个偏振片堆叠在一起，且偏振化方向之间夹角为60。，光强为/)的自然光垂直入射在偏振片上，则出射光强为(A)/o/8.(B)/0/4.(C)3/o/8.(D)3/0/4.A 38、一束光强为的自然光垂直穿过两个偏振片，且此两偏振片的偏振化方向成45角，则穿过两个偏振片后的光强/为(A)/0/4 V2.(B)/o/4.(C)/0/2.(D)V 2/o/2.E B 39、如果两个偏振片堆叠在一起，且偏振化方向之间夹角为60,光强为/o的自然光垂直入射在偏振片上，则出射光强为(A)/o/8.(B)Z0/4.(C)3/o/8.(D)3/0/4.E
15、A 40、自然光以布儒斯特角由空气入射到一玻璃表面上，反射光是(A)在入射面内振动的完全线偏振光.(B)平行于入射面的振动占优势的部分偏振光.(C)垂直于入射面振动的完全线偏振光.(D)垂直于入射面的振动占优势的部分偏振光.C 1、均匀磁场的磁感强度与垂直于半径为，的圆面.今以该圆周为边线，作一半球面S,则通过S 面的磁通量的大小为(A)2 兀(B)Ttr2B.(C)0.(D)无法确定的量.B 2、在磁感强度为月的均匀磁场中作一半径为r 的半球面S,S 边线所在平面的法线方向单位矢量万与月的夹角为a,则通过半球面S 的磁通量(取弯面向外为正)为(A)nr2B.(B)2 兀/民(C)-7tr2B
16、sina.(D)-7tr2Bcos BQ B().(B)BQ Bp B(),(C)BQ BQ Bp.(D)Bo BQ Bp.r D i6、边长为/的正方形线圈，分别用图示两种方式通以电流/(其中。氏 cd 与正方形共面),在这两种情况下，线圈在其中心产生的磁感强度的大小分别为(A)=0,B2=0.D _ n D _ 2/2/0/(H)/)U B 7tl(C)B1=2每。1,&=0nl(D).=2行 。/,以=2 。/兀/Til c 7、在真空中有一根半径为R的半圆形细导线，流过的电流为/,则圆心处的磁感强度为(C)0.(D)D 4 R8、一个电流元/d 7位于直角坐标系原点，电流沿z轴 方 向
17、，点P(x,y,z)的磁感强度沿x轴的分量是：(A)0.(B)一 (为/4 兀)/yd/(x 2+V+名2)3/2.(C)-(/z0/4 n)/x d/(x2+y2+z2)3/2.(D)一(0/4兀)。(1/(/+/+4 2).B 9、W /由长直导线1沿垂直儿边方向经。点流入由电阻均匀的导线构成的正三角形线框，再由b点沿垂直ac边方向流出，经长直导线2返回电源(如图).若我流直导线1、2和三角形框中的电流在框中心。点产生的磁感强度分别用瓦、瓦和瓦 表示，则。点的磁感强度大小(A)8 =0,因为 8 1 =8 2 =8 3 =0.2/(B)8 =0,因为虽然8仔0、0，但5+瓦=0，(C)B
18、W 0,因为虽然8 3=0,但 瓦+瓦 工0 .(D)B W 0,因为虽然凡+月2 =。，但&W 0.A1 0、电流由长直导线1沿半径方向经a点流入一电阻均匀的圆环，再由b点沿切向从圆环流出，经长导线2返回电源(如图).已知直导线上电流强度为/，圆环的半径为/?,且。、b与圆心。三点在同一直线上.设直电 流1、2及圆环电流分别在O点产生的磁感强度为耳、瓦 及 瓦，则。点的磁感强度的大小(B)8 =0,因为 8 1 =8 2 =8 3 =0.(B)8 =0,因为瓦+月2=0,8 3 =0.(C)B W 0,因为虽然 8|=&=0，但 0.(D)B#0,因为虽然8|=历=0,但B 3 W 0.(E
19、)8 W 0,因为虽然&=&=(),但 0.L C 1 1、电流/由长直导线1沿垂直从 边方向经a点流入由电阻均匀的导线构成的正三角形线框，再由人点流出，经长直导线2沿c b延长线方向返回电源(如图).若载流直导线1、2和三角形框中的电流在框中心。点产生的磁感强度分别用瓦、瓦 和 瓦表示，则。点的磁感强度大小(C)B=0,因为 8 1 =8 2 =8 3 =0.2(A)正比于8,反比于小.(B)反比于8,正比于1?.-.(C)正比于8,反比于a (D)反比于8,反比于IAB 34、图为四个带电粒子在。点沿相同方向垂直于磁感线射入均匀磁场后的偏转轨迹的照片.磁场方向垂直纸面向外，轨迹所对应的四个
20、粒子的质量相等，电荷大小也相等，则其中动能最大的带负电的粒子的轨迹是(A)Oa.(B)Ob.(C)Oc.(D)Od.C 35、如图所示，在磁感强度为月的均匀磁场中，有一圆形载流导,一 需 焦 仔线，。、从 c 是其上三个长度相等的电流元，则它们所受安培力大小的关系为海(A)Fa Fb Fc.(B)Fa Fb Fc Fa.(D)F(l Fc Fb.C 36、如图，长载流导线和cd相互垂直，它们相距/,固定不动，c d 能绕中点。转动，并 能 靠 近 或 离 开 当 电流方向如图所示时，导线 b 2c_ _ dcd将 二(A)顺时针转动同时离开a 广(B)顺时针转动同时靠近(C)逆时针转动同时离开
21、岫.(D)逆时针转动同时靠近D 37、两个同心圆线圈，大圆半径为/?,通有电流/i；小圆半径为r,通有电流b 方 向 如 图.若(大 线 圈 在 小 线 圈 处 产 生 的 磁 场 近 似 为 均 匀 /磁场)，当它们处在同一平面内时小线圈所受磁力矩的大小为 八!(A)(B)兀/|，2 2r0.38、两根平行的金属线载有沿同一方向流动的电流.这两根导线将：(A)互相吸引.(B)互相排斥.(C)先排斥后吸引.(D)先吸引后排斥.A 2R7(D)D 139、有一 N 匝细导线绕成的平面正三角形线圈，边长为,通有电流/,置于均匀外磁场月中，当线圈平面的法向与外磁场同向时，该 线 圈 所 受 的 磁
22、力 矩 值 为(A)43N a2IB/2.(B)43N a2IB/4.(C)V3Aa2/B sin60o.(D)0.L D 40、有一矩形线圈AOCD,通以如图示方向的电流/,将它置于均匀磁场与中，方的方向与x 轴正方向一致，线圈平面与x 轴之间的夹角为a,a(),抗磁质r 1.(B)顺 磁 质 抗 磁 质,=1,铁磁质型 1.(C)顺磁质 1,抗 磁 质 铁 磁 质 r l.(D)顺磁质 r 0.C 5 3、顺磁物质的磁导率：(A)比真空的磁导率略小.(B)比真空的磁导率略大.(C)远小于真空的磁导率.(D)远大于真空的磁导率.B 5 4、用细导线均匀密绕成长为/、半径为。(/&)、总匝数为
23、N的螺线管，管内充满相对磁导率为例的均匀磁介质.若线圈中载有稳恒电流/,则管中任意一点的(A)磁感强度大小为B =(B)磁感强度大小为8 =小 7/.(C)磁场强度大小为”=(D)磁场强度大小为 =D 5 5、一闭合正方形线圈放在均匀磁场中，绕通过其中心且与一边 平 行 的 转 轴 转 动，转轴与磁场方向垂直，转动角速度为。,如图所示.用下述哪一种办法可以使线圈中感应电流的幅值增加到原来的两倍(导线的电阻不能忽略)？(A)把线圈的匝数增加到原来的两倍.(B)把线圈的面积增加到原来的两倍，而形状不变.(C)把线圈切割磁力线的两条边增长到原来的两倍.(D)把 线 圈 的 角 速 度。增 大 到 原
24、 来 的 两倍.D 056、一导体圆线圈在均匀磁场中运动，能使其中产生感应电流的一种情况是(A)线圈绕自身直径轴转动，轴与磁场方向平行.(B)线圈绕自身直径轴转动，轴与磁场方向垂直.(C)线圈平面垂直于磁场并沿垂直磁场方向平移.(D)线圈平面平行于磁场并沿垂直磁场方向平移.B 57、如图所示，一矩形金属线框，以速度力从无场空间进入一均匀磁场中，然后又从磁场中出来，到无场空间中.不计线圈的自感，下面哪一条图线正确地表示了线圈中的感应电流对时间的函数关系？(从线圈刚进入磁场时刻开始计时，I以顺时针方向为正)C 58、两根无限长平行直导线载有大小相等方向相反的电流/,并各以d/d/的变化率增长，一矩
25、形线圈位于导线平面内(如图)，则：(A)线圈中无感应电流.(B)线圈中感应电流为顺时针方向.(C)线圈中感应电流为逆时针方向.(D)线圈中感应电流方向不确定.B 59、将形状完全相同的铜环和木环静止放置，并使通过两环面的磁通量随时间的变化率相等,则不计自感时(A)铜环中有感应电动势，木环中无感应电动势.(B)铜环中感应电动势大，木环中感应电动势小.(C)铜环中感应电动势小，木环中感应电动势大.(D)两环中感应电动势相等.D 60、在无限长的载流直导线附近放置一矩形闭合线圈，开始时线圈与导线在同一平面内，且线圈中两条边与导线平行，当线圈以相同的速率作如图所示的三种不同方向的平动时，线圈中的感应电
26、流(A)以情况1 中为最大.(B)以情况H 中为最大.(C)以情况川中为最大.(D)在情况I 和 II中相同.B 61、一个圆形线环，它的一半放在一分布在方形区域的匀强磁场月中，另一半位于磁场之外，如图所示.磁场后的方向垂直指向纸内.欲使圆线环中产生逆时针方向的感应电流，应使(A)线环向右平移.(B)线环向上平移.(C)线 环 向 左 平 移.(D)磁 场 强 度 减弱.C 62、如图所示，一载流螺线管的旁边有一圆形线圈，欲使线圈产生图示方向的感应电流i,下列哪一种情况可以做到？(A)载流螺线管向线圈靠近.(B)教流螺线管离开线圈.(C)载流螺线管中电流增大.(D)载流螺线管中插入铁芯.B 6
27、3、如图所示，闭合电路由带铁芯的螺线管，电源，滑线变阻器组成.问在下列哪一种情况下可使线圈中产生的感应电动势与原电流I 的方向相反.(A)滑线变阻器的触点4 向左滑动.(B)滑线变阻器的触点A 向右滑动.(C)螺线管上接点B 向左移动(忽略长螺线管的电阻).(D)把 铁 芯 从 螺 线 管 中 抽出.A 66、一根长度为L 的铜棒，在均匀磁场片中以匀角速度。绕通过其一端。的定轴旋转着，月的方向垂直铜棒转动的平面，如图所 示.设 1=0时，铜棒与Ob成。角(6 为铜棒转动的平面上的一个固定点)，则在任一时刻f 这根铜棒两端之间的感应电动势是：,1 ,(A)L Bcos(t+6).(B)CDL B
28、 coscot.x x x x(C)2a)LrBcos(c()t-3).(D)c o lB.(E)1 r22E 67、如图，长度为/的直导线油在均匀磁场月中以速度D移动，直 导 线 中 的 电 动 势 为(A)Blv.(C)Blvcosa.(B)Blvsina.(D)0.D 68、如图所示，导体棒AB在均匀磁场B 中绕通过C 点的垂直于棒长且沿磁场方向的轴。转动(角速度而与月同方向)，BC的0,BA 小卡1 J:IO，B长度为棒长的一，则3(A)4点比B点 电 势 高.(B)A点与B点电势相等.(B)A点比B点 电 势 低.(D)有稳恒电流从A点流向8 点.A 69、如图所示，矩形区域为均匀稳
29、恒磁场,半圆形闭合导线回路在纸面内绕轴。作逆时针方向匀角速转动，。点是圆心且恰好落在磁场的边缘上，半圆形闭合导线完全在磁场外时开始计时.图(A)T D)的-r函数图象中哪一条属于半圆形导线回路中产生的感应电动势？A 70、如图所示，M、N 为水平面内两根平行金属导轨,ab与cd为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直裸导线.外磁场垂直水平面向上.当外力使岫向右平移时，cd(A)不动.(B)转动.(C)向 左 移 动.(D)向右移动.D 71、有两个线圈，线 圈 1 对线圈2的 互 感 系 数 为 而 线 圈 2对线圈1 的互感系数为M，.若它们分别流过八和i2 的变化电流且幺 空，并设由打变化在
30、线圈1 中产生的d z dt互感电动势为12，由八变化在线圈2中产生的互感电动势为2 1判断下述哪个论断正确.(A)M|2=2 1 =1 2.(B)M 12 2 1，2 1 W 1 2(C)M|2 =A f2 1，2 1 1 2-(D)M12=M 2 1，2 1 0(C)血|=0(D)02 1=4 1 2.74、如图所示的电路中，A、B是两个完全相同的小灯泡，其内阻r R,乙是一个自感系数相当大的线圈，其电阻与R 相 等 当开 关 K 接通和断开时，关于灯泡4 和B的情况下面哪一种说法正确？(A)K 接通时，IA IB.(B)K 接通时，IA=IB.(C)K 断开时，两灯同时熄灭.(D)断 开
31、=/.时，IAA 75、用线圈的自感系数乙来表示载流线圈磁场能量的公式叱.(A)只适用于无限长密绕螺线管.(B)只适用于单匝圆线圈.(C)只适用于一个匝数很多，且密绕的螺绕环.(D)适用于自感系数L 一定的任意线圈.D 76、两根很长的平行直导线，其间距离d、与电源组成回路如图.已知导线上的电流为/,两根导线的横截面的半径均为m设用L 表示两导线回路单位长度的自感系数，则沿导线单位长度的空间内的总磁能W,“为(A)-L 12.2(B)l L/2+/2 f -皿 一 2物 也2;2n r 2兀 +r)(C)8.(D)-L I2 1 r r 2/()/.In d22T C r0A 77、真空中一根
32、无限长直细导线上通电流/,则距导线垂直距离为。的空间某点处的磁能密度为(A)(嘿-(B)J争产2 2兀。2 o 2na(C)华)2(D)孚)2 B 2 W 2()2a78、电位移矢量的时间变化率d方/山的单位是(A)库仑/米2(B)库仑/秒(C)安 培/米2(D)安培米2 C 79、对位移电流，有下述四种说法，请指出哪一种说法正确.(A)位移电流是指变化电场.(B)位移电流是由线性变化磁场产生的.(C)位移电流的热效应服从焦耳一楞次定律.(D)位移电流的磁效应不服从安培环路定理.A 80、在感应电场中电磁感应定律可写成f 巨*d=L度.此式表明：,式中后K为感应电场的电场强dt K(A)闭合曲
33、线L上后K处处相等.(B)感应电场是保守力场.(C)感应电场的电场强度线不是闭合曲线.(D)在感应电场中不能像对静电场那样引入电势的概念.D 1、有下列几种说法：(1)所有惯性系对物理基本规律都是等价的.(2)在真空中，光的速度与光的频率、光源的运动状态无关.(3)在任何惯性系中，光在真空中沿任何方向的传播速率都相同.若问其中哪些说法是正确的，答案是(A)只有(1)、(2)是正确的.(B)只有(1)、(3)是正确的.(C)只有(2)、(3)是正确的.(D)三种说法都是正确的.D 2、宇宙飞船相对于地面以速度 作匀速直线飞行，某一时刻飞船头部的宇航员向飞船尾部发出一个光讯号，经过加(飞船上的钟)
34、时间后，被尾部的接收器收到，则由此可知飞船的固 有 长 度 为(c 表示真空中光速)(A)c /(B)u 垃(C)L C 7 _(D)c-M-J l-(l 2/c)2 A J l-(/c)23、一火箭的固有长度为L 相对于地面作匀速直线运动的速度为外，火箭上有一个人从火箭的后端向火箭前端上的一个靶子发射一颗相对于火箭的速度为力的子弹.在火箭上测得子弹从射出到击中靶的时间间隔是：(c表示真空中光速)L L(A)-.(B).%+v2 v2(C)-L-.(D)-L.r B v2 v4,(1)对某观察者来说，发生在某惯性系中同一地点、同一时刻的两个事件，对于相对该惯性系作匀速直线运动的其它惯性系中的观
35、察者来说，它们是否同时发生？(2)在某惯性系中发生于同一时刻、不同地点的两个事件，它们在其它惯性系中是否同时发生？关于上述两个问题的正确答案是：(A)(1)同时，(2)不同时.(B)(1)不同时，同时.(C)(1)同 时,同时.(D)(1)不同时，(2)不同时.A 5、有一直尺固定在K系中，它与轴的夹 角 夕=4 5 ,如果K系以匀速度沿O x方向相对于K系运动，K系中观察者测得该尺与O x 轴的夹角(A)大于 4 5 .(B)小于 4 5 .(C)等于 4 5 .(D)当K 系 沿 Ox正方向运动时大于4 5 ,而 当K 系 沿O x负方向运动时小于4 5 .A 6、边长为a的正方形薄板静止
36、于惯性系K的。孙平面内，且两边分别与x,y 轴平行.今有惯性系K以 0.8c (c 为真空中光速)的速度相对于K系沿x轴作匀速直线运动，则从K 系测得薄板的面积为(A)0.6 a2.(B)0.8 a2.(C)a2.(D)a2/0.6 .A 7、一匀质矩形薄板，在它静止时测得其长为a,宽 为b,质量为m0.由此可算出其面积密 度 为 假 定 该 薄 板 沿 长 度 方 向 以 接 近 光 速 的 速 度 u 作匀速直线运动，此时再测算该矩形薄板的面积密度则为(A)一 一-(B)一/。就 a l (v/c)2(C).-.(D)-.C ab-(v/c)2 则 1-(H e)?产8、两个惯性系S和 S
37、 ,沿 x (x )轴方向作匀速相对运动.设在S 系中某点先后发生两个事件，用静止于该系的钟测出两事件的时间间隔为力，而用固定在S系的钟测出这两个事件的时间间隔为r.又 在 S系 x 轴上放置一静止于是该系.长度为的细杆，从 S系测得此杆的长度为/,则(A)r z()；l l().(B)T /0.(C)r r0；I l o-(D)r r0；I l.也)轴上0*1.(C)x 轴上x 0.(E)y 轴上)，-a O+a x(B)八Olln(C)1+aa0-al2saC/2 fo r(D)；-a 0!-x-(r/2f05、设有一“无限大”均匀带正电荷的平面.取x轴垂直带电平面，坐标原点在带电平面上，
38、则其周围空间各点的电场强度后随距离平面的位置坐标 x变化的关系曲线为(规定场强方向沿x轴正向为正、反之为负)：C 6、设有一“无限大”均匀带负电荷的平面.取x轴垂直带电平面，坐标原点位于带电平面上，则其周围空间各点的电场强度E 随距离平面的位置坐标x 变化的关系曲线为(规定场强方向沿x 轴正向为正、反之为负)：B 7、关于电场强度定义式后=户/，下列说法中哪个是正确的？(A)场强后的大小与试探电荷的的大小成反比.(B)对场中某点，试探电荷受力户与的的比值不因久而变.(C)试探电荷受力户的方向就是场强后的方向.(D)若场中某点不放试探电荷伙),则户=0,从而后=0.B 8、将一个试验电荷的(正电
39、荷)放在带有负电荷的大导体附近P 点处(如图)，测得它所受的力为F.若考虑到电荷qo不是足够小，则(A)F/q0比尸点处原先的场强数值大.p(B)F/4。比尸点处原先的场强数值小./-I/(C)F/go等于P 点处原先场强的数值.+4。(D)F/w与P点 处 原 先 场 强 的 数 值 哪 个 大 无 法 确定.A 9、下面列出的真空中静电场的场强公式，其中哪个是正确的？(A)点电荷q 的电场：L.(为点电荷到场点的距离)4兀4广一 2(B)“无限长”均匀带电直线(电荷线密度的电场：E=2兀4广(r 为带电直线到场点的垂直于直线的矢量)(C)“无限大”均匀带电平面(电荷面密度m 的电场：E=2
40、/)_ 冰2(D)半径为R 的均匀带电球面(电荷面密度0 外的电场：E =r(产为球心到场点的矢量)D 10、下列几个说法中哪一个是正确的？(A)电场中某点场强的方向，就是将点电荷放在该点所受电场力的方向.(B)在以点电荷为中心的球面上，由该点电荷所产生的场强处处相同.(C)场强可由后=R/q 定出，其中q 为试验电荷，g 可正、可负，声为试验电荷所受的电场力.(D)以上说法都不正确.C 11、一电场强度为后的均匀电场，立的方向与沿x 轴正向,如图所 示.则通过图中一半径为R 的半球面的电场强度通量为(A)TIR2E.(B)兀*E/2.(C)2nR2E.(D)0.D 12、已知一高斯面所包围的
41、体积内电荷代数和Z 4=0,则可肯定:(A)(B)(C)(D)高斯面上各点场强均为零.穿过高斯面上每一面元的电场强度通量均为零.穿过整个高斯面的电场强度通量为零.以上说法都不对.E C 1 3、一点电荷，放在球形高斯面的中心处.下列哪一种情况，通过高斯面的电场强度通量发生变化：(A)将另一点电荷放在高斯面外.(B)将另一点电荷放进高斯面内.(C)将球心处的点电荷移开，但仍在高斯面内.(D)将高斯面半径缩小.B 1 4、点电荷Q被曲面5所 包 围，从无穷远处引入另一点电荷q至曲面外一点，如图所示，则引入前后：(A)曲面S的电场强度通量不变，曲面上各点场强不变.(B)曲面S的电场强度通量变化，曲面
42、上各点场强不变.(C)曲面S的电场强度通量变化，曲面上各点场强变化.(D)曲 面 5 的 电 场 强 度 通 量 不 变，曲面上各点场强变化.D 1 5、半径为R的均匀带电球面的静电场中各点的电场强度的大小E与距球心的距离r 之间的关系曲线为：B 1 6、半径为R的均匀带电球体的静电场中各点的电场强度的大小E与距球心的距离，的关系曲线为：B 1 7、半径为R的“无限长”均匀带电圆柱体的静电场中各点的电场强度的大小E与距轴线的距离r 的关系曲线为：B 1 8、半径为R的均匀带电球面，若其电荷面密度为6 则在距离球面R处的电场强度大小为:(B).2%E c 1 9、高斯定理 E-d 5 =pdV/
43、f0(A)适用于任何静电场.(B)只适用于真空中的静电场.(C)只适用于具有球对称性、轴对称性和平面对称性的静电场.(D)只适用于虽然不具有(C)中所述的对称性、但可以找到合适的高斯面的静电场.A 2 0、根据高斯定理的数学表达式 左(1 5 =工”0 可知下述各种说法中，正确的是:(A)闭合面内的电荷代数和为零时，闭合面上各点场强一定为零.(B)闭合面内的电荷代数和不为零时，闭合面上各点场强一定处处不为零.(C)闭合面内的电荷代数和为零时，闭合面上各点场强不一定处处为零.(D)闭合面上各点场强均为零时，闭合面内一定处处无电荷.C 2 1、关于高斯定理的理磐有下面几种说法，其中正确的是：(A)
44、如果高斯面上后处处为零，则该面内必无电荷.(B)如果高斯面内无电荷，则高斯面上后处处为零.(C)如果高斯面上后处处不为零，则高斯面内必有电荷.(D)如果高斯面内有净电荷，则通过高斯面的电场强度通量必不为零.D 2 2、如图所示，两个同心均匀带电球面，内球面半径为力、带有电荷a，外球面半径为R?、带有电荷。2,则在外球面外面、距离球心为厂 处的P点的场强大小E为：4兀 _ _ _ _Q i_ p _Q i_ _ _ _4兀%(r-&4兀 4 (r-R2)2(c)a+24无 。低-Q.C A 23、如图所示，两 个“无限长”的、半径分别为和R,的共轴圆柱面，均匀带电，沿轴线方向单位长度上的所带电荷
45、分别为小和电，则在外圆柱面外面、距离轴线为r 处的尸点的电场强度大小E 为：4+4(A)T2兀2兀 分(r-/?)2兀4 (r-/?2)(C).2jisnr-R2)4%r 1(D)!+=.E A 27t (内 2lt0R224、4 和 B 为两个均匀带电球体，A 带电荷+q,B带电荷一“，作一与A 同心的球面S 为高斯面，如图所示.则(A)通过S 面的电场强度通量为零，S 面上各点的场强为零.(B)通过5 面的电场强度通量为q/a，S 面上场强的大小为E=4兀 or(C)通过S 面的电场强度通量为(-g)/的，S 面上场强的大小为E=4兀 sar(D)通过S 面的电场强度通量为q/a，但 S
46、面上各点的场强不能直接由高斯定理求出.D 25、在空间有一非均匀电场，其电场线分布如图所示.在电场中作一半径为R 的闭合球面S,己知通过球面上某一面元的电场强度通量为则通过该球面其余部分的电场强度通量为(A)-(B)4nR2AS叱.4兀/?2-J5AS(D)0.E A AS26、半径为R 的“无限长”均匀带电圆柱面的静电场中各点的电场强度的大小E与距轴线的距离r 的关系曲线为：B 27、静电场中某点电势的数值等于(A)试验电荷仅置于该点时具有的电势能.(B)单位试验电荷置于该点时具有的电势能.(C)单位正电荷置于该点时具有的电势能.(D)把单位正电荷从该点移到电势零点外力所作的功.C 28、如
47、图所示，边长为/的正方形，在其四个顶点上各放有等量的点电荷.若正方形中心。处的场强值和电势值都等于零，贝(A)顶点a、b、c、d 处都是正电荷.(B)顶点外 6 处是正电荷，c、d 处是负电荷.(C)顶点a、c 处是正电荷，b、d 处是负电荷.(D)顶点a、b、c、d 处都是负电荷.C 29、如图所示，边 长 为 0.3 m 的正三角形,在顶点。处有一电荷为10 8 c 的正点电荷，顶点6 处有一电荷为TO 8 c 的负点电荷，则顶点c 处的电场强度的大小E 和电势。为：(一!一=9X1()9 N m4 兀 ()/C2)(A)E=O,U=0.(B)E=1000 V/m,(C)E=1000V/m
48、,(D)E=2000V/m,U=0.U=600V.U=600V.B 30、如图所示，半径为R的均匀带电球面，总电荷为Q,设无穷远处的电势为零，则球内距离球心为r 的P点处的电场强度的大小和电势为：(A)E=0,U=.4n0r(B)E=0,U=-.(C)E=。,U=-4 兀 。厂 4716,0(D)E=0,U=47ror 4 冗%RB 31、关于静电场中某点电势值的正负，下列说法中正确的是:(A)电势值的正负取决于置于该点的试验电荷的正负.(B)电势值的正负取决于电场力对试验电荷作功的正负.(C)电势值的正负取决于电势零点的选取.(D)电势值的正负取决于产生电场的电荷的正负.C 32、在边长为。
49、的正方体中心处放置一点电荷Q,设无穷远处为电势零点，则在正方体顶角处的电势为：Q(A).4V3 兀 4。(C)Q.6 7te()aQ(B)7=.2J3 兀 4。(D)2 .B 12 兀 4。33、图中所示为一球对称性静电场的电势分布曲线，厂表示离对称中心的距离.请指出该电场是由下列哪一种带电体产生的.(A)半径为R 的均匀带正电球面.(B)半径为R 的均匀带正电球体.(C)正点电荷.(D)负 点 电荷.C 卬34、图中所示为一球对称性静电场的电势分布曲线，r 表示离对称中心的距离.请指出该电场是由下列哪一种带电体产生的.(A)半径为R 的均匀带负电球面.(B)半径为R 的均匀带负电球体.(C)
50、正点电荷.(D)负 点 电荷.D U x /r35、一半径为R 的均匀带电球面，带有电荷Q.若规定该球面上的电势值为零，则无限远处的电势将等于(A)Q-.(B)0.4JI(C)Q.(D)8.C 4兀 s0R36、真空中有一点电荷Q,在与它相距为r 的 a 点处有一试验电荷q.现使试验电荷q 从。点沿半圆弧轨道运动到。点，如图所示.则电场力对4 作功为Qq nr1 Qq 八.(B)以，2r.4icsar 2 4兀0厂/Qb r O a(C)4n0rnr.(D)0.D 37、点电荷-q 位于圆心。处，4、B、C、。为同一圆周上的四点，如图所示.现将一试验电荷从A 点分别移动到8、C、D各点，则(A