《常用半导体存储器芯片.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《常用半导体存储器芯片.docx（2页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、常用半导体存储器芯片常用的静态RAM电路有6116、6264、62256等，它们的引脚排列见图5.2。AO-Ai：地址输入线，i=10 (6116), 12 (6264), 14 (62256)；00-07：双向数据线，有时用DOD7表示；CE：选片信号输入线，低电平有效；(CS高电平有效)读选通信号输入线，低电平有效；WE：写选通信号输入线，低电平有效；Vcc：工作电源+5V；GND：线路地。2)静态RAM的工作方式静态RAM存储器有读出、写入、维持三种工作方式，工作方式的操作控制见表5.1。表5. 1 6116, 6264, 62256的操作控制信号方式0EVE00-07读VILVILVI
2、H数据输出写VILVIHVIL数据输入维持*VIH任意任意高阻抗*对CMOS的静态RAM电路，CE为高电平时电路处于降耗状态，此时Vcc电压可降至3V左右，内部 的存储数据也不会丢失。2. EPROM 电路1） EPROM的结构和特性常用的 EPROM 电路有:2716, 2732, 2764, 27128, 27256, 27512 等。A0Ai：地址输入线，i=1015；0007：三态数据总线，读或编程校验时为数据输出线，编程时为数据输入线。维 持或编程禁止时，0007呈高阻抗；CE：选片信号输入线，“0（即TTL低电平）有效；PGM：编程脉冲输入线；0E：读选通信号输入线，有效； Vpp：编程电源输入线，Vpp的值因芯片型号和制造厂商而异；Vcc：主电源输入线，Vcc一般为+5V；GND：线路地。2） EPROM的操作方式EPROM的主要操作方式有： 编程方式：把程序代码（机器指令、常数）固化到EPROM中； 编程校验方式：读出EPROM中的内容，检验编程操作的正确性； 读出方式：CPU从EPROM中读取指令或常数；维持方式：数据端呈高阻； 编程禁止方式：适用于多片EPROM并行编程不同数据。3. EPROM 编程EPROM编程就是将调试好的程序代码固化到（即写入）EPROM中。常用的编程方法有常规的慢速编程和快速智能编程两种。