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1、TFTTFTArrayArray工艺工艺技术概要技术概要1一、一、TFT的基本构造二、ARRAY工艺介绍三、4Mask与5Mask工艺比照 四、Array现场气液平安2主要内容主要内容主要内容主要内容3一、一、一、一、TFTTFTTFTTFT的基本构造的基本构造的基本构造的基本构造偏光板偏光板TFT基板基板TFT背光源背光源偏光板偏光板液晶液晶单像素（旋转）TFT部位侧视像素TNGATEG-SiNxa-Sin+a-SiDRAINSOURCEP-SiNxITO像素电极GLASS接触孔实际结构4一、一、一、一、TFTTFTTFTTFT的基本构造的基本构造的基本构造的基本构造GATEG-SiNxa-
2、Sin+a-SiDRAINSOURCEP-SiNxITO像素电极GLASS接触孔G工程I 工程D工程C工程PI工程5PR曝光工程成膜工程刻蚀工程剥离G层Sputter AL-Nb,Mo-NdG-Mask PR曝光G层湿刻剥离工艺详细流程工艺详细流程G G工程工程6工艺详细流程工艺详细流程D/ID/I工程图解工程图解PR曝光工程曝光工程成膜工程成膜工程剥离工程剥离工程D层 Sputter CrD-Mask PR曝光D层湿刻2剥离PCVD SiNxIsland干刻D层湿刻1刻蚀工程刻蚀工程成膜工程成膜工程PCVD 3层CVD成膜工程成膜工程Channel干刻7工艺详细流程工艺详细流程C C工程工程
3、PR曝光工程曝光工程成膜工程成膜工程刻蚀工程刻蚀工程剥离剥离PCVD SiNxC-Mask PR曝光Contact Hole干刻剥离8工艺详细流程工艺详细流程PIPI工程工程PR曝光工程成膜工程刻蚀工程Sputter ITOPI-Mask PR曝光ITO湿刻剥离剥离二、二、二、二、ARRAYARRAYARRAYARRAY工艺介绍工艺介绍工艺介绍工艺介绍工艺名称 工艺目的1洗净清洁基板外表，防止成膜不良2溅射SPUTTER成Gate膜、D/S膜和Pixel膜3P-CVD成a-Si膜和SiNx膜4PR/曝光形成与MASK图案相一致的光刻胶图案5湿刻WE刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜6干刻DE刻蚀掉未
4、被光刻胶掩蔽的非金属膜7剥离去掉剩余的光刻胶8退火修复晶体损伤，改善晶体性质9检查修复监控产品不良，修复不良9101-11-11-11-1、洗净、洗净、洗净、洗净药液刷子高圧2流体排水排水纯水洗净 功能洗净对象作 用药液刷洗高 压 喷射2流体氧化分解溶解机械剥离机械剥离机械剥离有机物(浸润性改善)有机物微粒子(大径)微粒子(中径)微粒子(小径)/溶解接触压水压 加速度cavitation111-21-21-21-2、洗净方法及原理概述、洗净方法及原理概述、洗净方法及原理概述、洗净方法及原理概述洗浄対象洗浄対象目的目的1 1、洗浄洗浄有機物汚染有機物汚染密着力向上密着力向上UVUV 濡性向上濡性
5、向上2 2、洗浄洗浄無機物無機物微小傷微小傷有機物有機物除去除去微小傷除去微小傷除去超音波超音波高圧高圧純水純水 流体流体洗剤洗剤溅射 Sputter 是指利用电场加速的气体离子对靶材的轰击，使成膜材料从靶材转移到基板的物理成膜方法。Sputter在工艺流程中的位置122-12-12-12-1、SputterSputterSputterSputter洗 净Sputter成膜Inline PRWet Etching剥 离Sputter工艺在生产工艺流程中的位置2-22-22-22-2、SputterSputterSputterSputterTFT中Sputter薄膜的种类和作用类型类型名称名称作
6、用作用G配线Al传递扫描信号D配线Cr传递数据信号像素电极ITO存储数据信号13D-CrPI-ITOG1-AlG2-Mo整体图SMD-1200基板搬入加热/搬出冷却室L1、L2搬送室Tr成膜室X1、X3 142-32-32-32-3、SputterSputterSputterSputter设备设备设备设备UpperSlot-LoadUpperSlot-Load(Heating)(Heating)UnderSlot-UnloadUnderSlot-Unload(Cooling)(Cooling)SputterSputterX1TypeX1Type(1Target)(1Target)S3X11sh
7、eetS4X3Type1sheetMax3sheetcassette120sheetcassette220sheetcassette320sheetcassette420sheetVacRobVacRob2sheet2sheetAtmRobAtmRob2sheet2sheetTargetTargetL1-11sheetL1-21sheetL2-11sheetL2-21sheettargettargetSputterSputterX3TypeX3Type(13Target)(13Target)CassetteCassetteLoaderLoaderGlass Size 11001300(mm)S
8、1枚葉SputterULVAC SMD-1200膜膜 层层材材 料料作作 用用G-绝缘膜SiNx绝缘a-Si非晶硅导电沟道n+a-SiN掺杂非晶硅欧姆接触PA-SiNxSiNx保护153-13-13-13-1、PCVDPCVDPCVDPCVDG-SiNxa-Sin+a-SiP-SiNxGLASSI 工程G-SiNxa-Sin+a-SiP-SiNxGLASSI 工程163-2、PCVD除害装置除害装置（scrubber）汽缸汽缸cabinet气体气体BOX气体吹出电极气体吹出电极（阴极阴极）等离子体等离子体 控制控制电源电源下部下部电极电极（阳极阳极）压力计压力计节流阀节流阀干泵干泵气体供给气体
9、供给流量流量控制控制power压力控制压力控制真空排气真空排气特气对应特气对应工艺腔体工艺腔体（电极电极部）部）4-14-14-14-1、PR/PR/PR/PR/曝光曝光曝光曝光由洗净、涂覆、曝光、显影四大局部组成。由洗净、涂覆、曝光、显影四大局部组成。洗净：洗净：Excimer UV RBAAJet直水直水SprayA/k涂覆：涂覆：除水枯燥除水枯燥 Slit涂覆涂覆 Spin 涂覆涂覆减压枯燥减压枯燥端面清洗端面清洗前烘前烘曝光曝光显影：显影显影：显影11显影显影22循环纯水循环纯水Spray直水直水SprayA/K 后烘后烘17184-2、InlinePR涂布前洗净涂布前洗净EBR处理处
10、理预烘预烘基板端面基板端面的光刻胶的光刻胶除去除去N 洗浄液洗浄液排排气气 光刻胶光刻胶中中的溶剂除去的溶剂除去 决定光刻胶感光速度决定光刻胶感光速度加热盘加热盘非接触方式非接触方式改善改善静电静电、反反面污染面污染、热应力等方面热应力等方面非接触式栓非接触式栓刷子刷子2流体流体194-34-34-34-3、曝光、曝光、曝光、曝光横倍率台形凸面凹面非線形基板光源円弧状弓補正204-4、显影显影液回收清洗槽风刀枯燥显影液显影槽基板倾斜，显像液流下基板全面喷纯水回收显影液纯水湿刻的目的 湿刻是通过对象材料一般为金属导电膜与刻蚀液之间的化学反响，对对象材料进行刻蚀的过程。在TFT-LCD工艺中，主要
11、是对Gate层Mo/Al、Drain层Cr及像素层ITO进行刻蚀。215-15-15-15-1、湿刻、湿刻、湿刻、湿刻成膜工程工艺（涂敷,曝光,显影）工程5-25-25-25-2、湿刻设备概要、湿刻设备概要、湿刻设备概要、湿刻设备概要湿刻装置的构成部位作 用Etching槽对基板进行刻蚀处理水洗槽通过纯水将刻蚀液冲洗枯燥槽用A/K枯燥基板22水洗水洗枯燥枯燥236-16-16-16-1、干刻、干刻、干刻、干刻成膜工程工程涂布、曝光、显像刻蚀工程剥离刻蚀目的：形成TFT基板的各种pattern。DE刻蚀的主要对象为非金属膜。反响气体在高频电场作用下发生等离子体Plasma放电。等离子体与基板发生
12、作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。246-26-26-26-2、干刻原理、干刻原理、干刻原理、干刻原理ETCHING GASPLASMA256-36-36-36-3、干刻装置、干刻装置、干刻装置、干刻装置大气压大气压真空真空真空plasmaP/C Process ChamberT/C Transfer ChamberL/L Load Lock大气Robot从Cassette和L/L之间的搬送大气压和真空两种状态之间的切换L/L和P/C之间的搬送。防止不纯物进入P/C，P/C内的特气外泄真空中进行Plasma的物理、化学反响，进行刻蚀1.剥离简介：刻蚀干刻、湿刻完 成后除去光刻胶的过程。267
13、-17-17-17-1、剥离、剥离、剥离、剥离成膜工程PR工程（涂覆，曝光，显影）刻蚀工程剥离工程：刻蚀后除去光刻胶3.各局部作用277-27-27-27-2、剥离、剥离、剥离、剥离水洗槽水洗槽水洗槽水洗槽干燥槽干燥槽干燥槽干燥槽剥离槽剥离槽剥离槽剥离槽IPAIPAIPAIPA槽槽槽槽部位部位作用作用剥离槽剥离槽利用剥离液溶解并剥离光刻胶利用剥离液溶解并剥离光刻胶IPA槽槽利用利用IPA置换剥离液。防止置换剥离液。防止Al腐蚀腐蚀水洗槽水洗槽用纯水洗净处理液用纯水洗净处理液枯燥槽枯燥槽利用利用A/K枯燥基板枯燥基板2.剥离装置示意图 288 8 8 8、热退火、热退火、热退火、热退火 热退火简
14、介：经过适当时间的热处理，修 复晶体损伤，改善晶体性质。淀积，刻蚀等基本加工完成。热退火处理损伤分解，缺陷复合，再结晶，掺杂物质再分布。薄膜晶体主要是ITO和N+性质得到提高。工程Layer缺陷修复D 检 查GateGate短路激光切断Gate断路不可修复图形不良根据缺陷判断是否修复IslandSi残留根据缺陷判断是否修复DrainDrain短路激光切断Drain断路激光CVD图形不良根据缺陷判断是否修复最终检查Short画素短路激光切断G-G 短路激光切断D-D 短路激光切断others点缺陷等根据缺陷判断是否修复299、检查与修复10101010、ARRAYARRAYARRAYARRAY工
15、艺介绍工艺介绍工艺介绍工艺介绍4Mask4Mask4Mask4Mask工艺工艺工艺工艺PRPRPRPR后像素照片后像素照片后像素照片后像素照片30 GPR DPR CPR PIPR3111111111、ARRAYARRAYARRAYARRAY工艺介绍工艺介绍工艺介绍工艺介绍工艺不良工艺不良工艺不良工艺不良PRPRPRPR显影后接触孔边缘形状不规则光刻胶Pinhole D断线PR/曝光使待刻蚀膜层上的光刻胶形成掩模图形的过程32三、三、三、三、4Mask4Mask4Mask4Mask与与与与5Mask5Mask5Mask5Mask工艺比照工艺比照工艺比照工艺比照PhotoresistEtchin
16、g剥離膜基板Photolithography工程工程塗布露光現像33三、三、三、三、4Mask4Mask4Mask4Mask与与与与5Mask5Mask5Mask5Mask工艺比照工艺比照工艺比照工艺比照 成膜CVDSputter膜LithographyGlass（a)(b)(c)(d)曝光MaskArray工程显像Etching(e)剥离反复34三、三、三、三、4Mask4Mask4Mask4Mask与与与与5Mask5Mask5Mask5Mask工艺比照工艺比照工艺比照工艺比照4 Mask D/I 工程I-工艺I-DED-工艺D-WEDI-工艺D1-WEI-DEPR-DED2-WE曝光曝光
17、曝光5 Mask D工程和I 工程CH-DECH-DE35三、4Mask与5Mask工艺比照检查与修复Cell工程G工程ID工程C工程PI工程D D检查检查最終最終检查检查自自动动外外观检查观检查(全全检检)激光切断激光切断激光激光CVD特性特性检查检查ARRAY检查检查(全全检检)激光切断激光切断宏宏观观外観外観TN：4Mask 工工艺艺SFT：5Mask 工工艺艺O/S检查自动外观检查自动外观检查激光切断激光切断（激光（激光CVDCVD）G工程I工程C工程PI工程D D检查检查检查检查Cell工程D工程自动外观检查自动外观检查激光切断激光切断激光激光CVDCVD最終最終检查检查特性特性检查
18、检查宏宏观观外観外観36四、四、四、四、ArrayArrayArrayArray气液平安气液平安气液平安气液平安37四、四、四、四、ArrayArrayArrayArray气液平安气液平安气液平安气液平安 谢 谢！389、静夜四无邻，荒居旧业贫。6月-236月-23Thursday,June 1,202310、雨中黄叶树，灯下白头人。09:53:2909:53:2909:536/1/2023 9:53:29 AM11、以我独沈久，愧君相见频。6月-2309:53:2909:53Jun-2301-Jun-2312、故人江海别，几度隔山川。09:53:3009:53:3009:53Thursday
19、,June 1,202313、乍见翻疑梦，相悲各问年。6月-236月-2309:53:3009:53:30June 1,202314、他乡生白发，旧国见青山。01 六月 20239:53:30 上午09:53:306月-2315、比不了得就不比，得不到的就不要。六月 239:53 上午6月-2309:53June 1,202316、行动出成果，工作出财富。2023/6/1 9:53:3009:53:3001 June 202317、做前，能够环视四周；做时，你只能或者最好沿着以脚为起点的射线向前。9:53:30 上午9:53 上午09:53:306月-239、没有失败，只有暂时停止成功！。6月
20、-236月-23Thursday,June 1,202310、很多事情努力了未必有结果，但是不努力却什么改变也没有。09:53:3009:53:3009:536/1/2023 9:53:30 AM11、成功就是日复一日那一点点小小努力的积累。6月-2309:53:3009:53Jun-2301-Jun-2312、世间成事，不求其绝对圆满，留一份缺乏，可得无限完美。09:53:3009:53:3009:53Thursday,June 1,202313、不知香积寺，数里入云峰。6月-236月-2309:53:3009:53:30June 1,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意
21、揉捏。01 六月 20239:53:30 上午09:53:306月-2315、楚塞三湘接，荆门九派通。六月 239:53 上午6月-2309:53June 1,202316、少年十五二十时，步行夺得胡马骑。2023/6/1 9:53:3009:53:3001 June 202317、空山新雨后，天气晚来秋。9:53:30 上午9:53 上午09:53:306月-239、杨柳散和风，青山澹吾虑。6月-236月-23Thursday,June 1,202310、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。09:53:3009:53:3009:536/1/2023 9:53:30 AM11、越是没有本领的
22、就越加自命非凡。6月-2309:53:3009:53Jun-2301-Jun-2312、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。09:53:3009:53:3009:53Thursday,June 1,202313、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。6月-236月-2309:53:3009:53:30June 1,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。01 六月 20239:53:30 上午09:53:306月-2315、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。六月 239:53 上午6月-2309:53June 1,202316、业余生活要有意义，不要越轨。2023/6/1 9:53:3009:53:3001 June 202317、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。9:53:30 上午9:53 上午09:53:306月-23MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet,consectetur adipiscing elit.Fusce id urna blandit,eleifend nulla ac,fringilla purus.Nulla iaculis tempor felis ut cursus.感感 谢谢 您您 的的 下下 载载 观观 看看专家告诉