《X射线光电子能谱(XPS)课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《X射线光电子能谱(XPS)课件.ppt（65页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、X射线光电子能谱(XPS)2013-10 2013-10表面分析The Study of the Outer-Most Layers of Materials(100).The Study of the Outer-Most Layers of Materials(100).n n Electron Spectroscopies Electron Spectroscopies XPS:XPS:X-X-光电子能谱 光电子能谱 AES:AES:俄歇电子能谱 俄歇电子能谱 EELS:EELS:电子能量损失谱 电子能量损失谱福州大学测试中心XPS 仪器简介X-射线光光电子能谱(XPS)n nXPS X
2、PS 的物理的物理基础基础n n结合能与结合能与化学位移化学位移n nXPS XPS 谱的一般谱的一般特性特性n nXPSXPS在不同领域的应用在不同领域的应用n nXPSXPS光谱仪及光谱仪及新技术发展新技术发展介绍介绍1.H.Hertz,Ann.Physik 31,983(1887).2.A.Einstein,Ann.Physik 17,132(1905).1921 Nobel Prize in Physics.3.K.Siegbahn,Et.Al.,Nova Acta Regiae Soc.Sci.,Ser.IV,Vol.20(1967).1981 Nobel Prize in Phys
3、ics.n XPStechniqueisbasedonEinsteinsideaaboutthephotoelectriceffect,developedaround1905.n Theconceptofphotonswasusedtodescribetheejectionofelectronsfromasurfacewhenphotonswereimpingeduponitn Duringthemid1960sDr.SiegbahnandhisresearchgroupdevelopedtheXPStechnique.n In1981,Dr.SiegbahnwasawardedtheNobe
4、lPrizeinPhysicsforthedevelopmentoftheXPStechnique.XPSBackground什么是光电子能谱?u XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)又被称为 ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)。u 它是以X X射 射线 线为 为探 探针 针检 检测 测由 由表 表面 面出 出射 射的 的光 光电 电子 子来 来获 获取 取表 表面 面信 信息 息的 的，这些光电子主要来自表面原子的内壳层携带有表面丰富的物理和化学信息 主要来自表面原子的内壳层携带有表面丰富的
5、物理和化学信息。u XPS作为表面分析技术的普及归因于其高信息量、其对广泛样品的适应性以及其坚实的理论基础。一、X-射线光电子能谱产生过程X-ray Beam X-ray BeamX X 射线穿透深度 射线穿透深度1 1 m mm m，整个区域，整个区域的电子将被激发。的电子将被激发。X-ray excitation area 1x1 cm X-ray excitation area 1x1 cm2 2.Electrons.Electrons are emitted from this entire area are emitted from this entire areaElectrons
6、 are extracted Electrons are extracted only from a narrow solid only from a narrow solid angle.angle.1 mm 1 mm2 210 nm 10 nmConduction Band Conduction BandValence Band Valence BandL2,L3 L2,L3L1 L1K KFermi FermiLevel LevelFree Free Electron Electron Level LevelIncidentX-ray IncidentX-raye-1s 1s2s 2s2
7、p 2p光电离是一步过程A+h A+*+e(分立能量)Ek=h EBA：原子或分子H：光子能量(1)电离过程一次过程(Primary process)Conduction Band Conduction BandValence Band Valence BandL2,L3 L2,L3L1 L1K KFermi FermiLevel LevelFree Free Electron Electron Level Level1s 1s2s 2s2p 2pConduction Band Conduction BandValence Band Valence BandL2,L3 L2,L3L1 L1K
8、KFermi FermiLevel LevelFree Free Electron Electron Level Level1s 1s2s 2s2p 2pX-荧光过程(辐射弛豫)俄歇过程(非辐射弛豫)h(2)弛豫过程二次过程(secondary process)俄歇电子能量并不依赖于激发源的能量和类型。ea结合能与化学位移Vacumm LevelFermi LevelLowest state of energyEb,which is the work functionAt absolute 0 Kelvin the electrons fill from the lowest energy s
9、tates up.When the electrons occupy up to this level the neutral solid is in its“ground state.”EnergyLevels EnergyLevels二、结合能与化学位移 电子结合能 电子结合能(E Eb b)：代表了原子中电子(n,l,m,s)与核电荷(Z)之间的相互作用强度。E Eb b可用XPS直接实验测定,也可用量子化学从头计算方法进行计算。电子结合能 电子结合能是体系的初态(原子有n个电子)和终态(原子有n-1个电子(离子)和一自由光电子)间能量的简单差。Eb=Ef(n-1)-Ei(n)结合能的影
10、响因素 初 态即是光电发射之前原子的基态如果原子的初态能量发生变化，例如与其它原子化学成键则此原子中的电子结合能Eb就会改变。原子因所处化学环境不同而引起的内壳层电子结合能变化在谱图上表现为谱峰的位移这种现象即为 化学位移 化学位移。所谓 所谓 某原子所处化学环境不同有两方面的 某原子所处化学环境不同有两方面的 含义 含义：n 与它相结合的元素种类和数量不同；n 原子具有不同的化学价态。初态效应（1）.结合能与元素ElementBindingEnergy(eV)2p3/2 3pDFe 707 53 654Co 778 60 718Ni 853 67 786Cu 933 75 858Zn 102
11、2 89 933Electron-nucleus attraction helps us identify the elements.（2）.结合能与电子自旋-轨道耦合For p,d and f peaks,two peaks are observed.The values of spin orbital splitting of a core level of an element in different compounds are nearly the same.The peak area ratios of a core level of an element in different
12、 compounds are also nearly the same.Spin Spin orbital orbital splitting splitting and and peak peak area area ratios ratios assist assist in in element element identifications.identifications.（2）.结合能与电子自旋-轨道耦合（2）.结合能与电子自旋-轨道耦合（2）.结合能与电子自旋-轨道耦合（2）.结合能与电子自旋-轨道耦合（2）.结合能与电子自旋-轨道耦合（3）.结合能与电负性聚合物中碳C 1s 轨道
13、电子结合能大小顺序：CC CO C=O OC=O O(C=O)O电负性对内层电子结合能影响：Functional Group Binding Energy(eV)hydrocarbon C-H,C-C 285.0amine C-N 286.0alcohol,ether C-O-H,C-O-C 286.5ClboundtoC C-Cl 286.5FboundtoC C-F 287.8carbonyl C=O 288.0（3）.结合能与电负性l 通 常 认 为初 初态 态效 效应 应是 是造 造成 成化 化学 学位 位移 移的 的原 原因 因，所 以 随 着 元 素形式氧化态的增加从元素中出射的光
14、电子的EB 亦会增加。l 对大多数样品而言Eb仅以初态效应项表示是足够的。（44）.结合能与元素价态结合能与元素价态单质Al0 2p Al3+2p（Al2O3）结合能Eb72.7 eV 74.7eV（44）.结合能与元素价态结合能与元素价态对内层电子结合能影响的规律：u 氧化作用使内层电子结合能上升氧化中失电子愈多上升幅度愈大；u 还原作用使内层电子结合能下降还原中得电子愈多下降幅度愈大；u 对于给定价壳层结构的原子所有内层电子结合能的位移几乎相同。（5）.结合能与氧氧化化-还原还原结合能的影响因素终态效应 由电离过程中引起的各种激发产 产生 生的 的不 不同 同体 体系 系终 终态 态对 对
15、电 电子 子结 结合 合能 能的影响称为终态效应 终态效应。弛豫便是一种终态效应，事实上电离过程中除了弛豫现象外，还会出现诸如多重分裂电子的震激(Shake up)和震离(Shake off)等激发状态。这些复杂现象的出现同体系的电子结构密切相关。它们在XPS谱图上表现为除正常光电子主峰外还会出现若干伴峰使得谱图变得复杂。(1).弛豫效应 光电离过程中由于体系电子结构的重新调整，弛豫作用使得 使得XPS XPS谱线向低 谱线向低结合能 结合能方向 方向移动 移动。弛豫能越大相应引起的卫星伴峰也就应更强更多。(2).多重分裂(静电分裂)当原子或自由离子的价壳层拥 拥有 有未 未配 配对 对的 的
16、自 自旋 旋电 电子 子，即当体 体系 系的 的总 总角 角动 动量 量J J不 不为 为零 零时 时。那么光致电离所形成的内壳层空位，便将同价轨道未配对自旋电子发生耦合，使体系出现不只一个终态。相应于每个终态在XPS谱图上将有一条谱线对应这就是多重分裂。如稀土金属(4f轨道上有未成对电子存在)的4s能级表现有强的分裂。过渡金属3d轨道上有未成对电子存在的3s能级表现有强的分裂。因此利用s能级的多重分裂现象可以研究分子中未成对电子的存在情况。(2).多重分裂(静电分裂)(2).多重分裂(静电分裂)(3).多电子激发l 如果价壳层电子跃迁到更高能级的 价壳层电子跃迁到更高能级的束缚态 束缚态，则
17、称之为电子的震激(Shake up)。l 如果价 价壳 壳层 层电 电子 子跃 跃迁 迁到 到非 非束 束缚 缚的 的连 连续 续状 状态 态成 成了 了自 自由 由电 电子 子，则称此过程为电子的震离(Shake off)。l 震激和震离的特点是它们均 均属 属单 单极 极激 激发 发和电 电离 离电 电子 子激 激发 发过 过程 程只 只有 有主 主量 量子 子数 数改 改变 变，跃迁发生只可能是nsnsnpnp，电子的角量子数和自旋量子数均不变因此有J=L=S=0。3p3s2p3p3sh h h h 正常光电离震离3dh h h h 正常光电离 震激3d2p(3).多电子激发震离和震激示
18、意图l 震激还是震离均消耗能量这将使最初形成的光 光电 电子 子动 动能 能下 下降 降。对震激谱的研究可获得原子或分子内弛豫信息，同时震激谱的结构还受到原子化学环境的影响，它的表现对研究分子结构是很有价值的。Cu(II)Shake-up PeaksAfeaturefortheidentificationofCu(II)Final State Effects-Shake-up/Shake-offNiMetal NiMetal NiOxide NiOxideEb hv-Ek-结合能Eb的参考基准l l 对 对孤 孤立 立原 原子 子或 或分 分子 子，E Eb b就 就是 是把 把电 电子 子从
19、 从所 所在 在轨 轨道 道到 到真 真空 空需 需的能量，是以真空能级为能量零点的。的能量，是以真空能级为能量零点的。l 对固体样品，必须考虑晶体势场和表面势场对光电子的束缚作用，通常选取费米(Fermi)能级为E Eb b的参考点。Binding Energy ReferencingEb=hv-EK-spec-EchWhere:Eb=ElectronBindingEnergyEK=ElectronKineticEnergy spec=SpectrometerWorkFunctionEch=SurfaceChargeEnergyEch can be determined by electri
20、cally calibrating the instrument to a spectral feature.C1s at 285.0 eVAu4f7/2 at 84.0 eV三、XPS谱的一般特性（General Feature）光电发射过程的三步模型：(I).吸收和电离初态效应；(II).原子响应和光电子产生终态效应；(III).电子向表面输运并逸出外禀损失。1.XPS1.XPS谱谱图图O 1sO becauseof Mg sourceCAlAlO 2sO Auger光电子谱线(photoelectronlines)n 强度n 峰宽n 对称性。金属中的峰不对称性是由金属EF附近小能量电子-
21、空穴激发引起，即价带电子向导带未占据态跃迁不对称度正比于费米能级附近的电子态密度。n 化学位移 化学位移与原子上的总电荷有关（电荷减少结合能Eb增加）取代物的数目 取代物的电负性 形式氧化态1.XPS1.XPS谱谱图图u u XPS XPS谱 谱在 在凝 凝聚 聚态 态物 物理 理学 学、电 电子 子结 结构 构的 的基 基本 本研 研究 究、薄 薄膜 膜分 分析 析、半 半导 导体 体研 研究 究和 和技 技术 术、分 分凝 凝和 和表 表面 面迁 迁移 移研 研究 究、分 分子 子吸 吸附 附和 和脱 脱附 附研 研究 究、化 化学 学研 研究 究（化 化学 学态 态分 分析 析）、电 电
22、子 子结 结构 构和 和化 化学 学键 键分 分子 子结 结构 构研 研究 究、异 异相 相催 催化 化、腐 腐蚀 蚀和 和钝 钝化 化研 研究、分子生物学、材料科学、环境 究、分子生物学、材料科学、环境生态学等学科领域都有广泛 生态学等学科领域都有广泛应用。应用。u u 它 它可 可提 提供 供的 的信 信息 息有 有样 样品 品的 的组 组分 分、化 化学 学态 态、表 表面 面吸 吸附 附表 表面 面态 态、表 表面 面价 价电 电子 子结构、原子 结构、原子和分子的化学 和分子的化学结构、化学键 结构、化学键合情况 合情况等。等。四、定性分析1.1.元素组成鉴别元素组成鉴别:目的 目的
23、：给出表面元素组成鉴别某特定元素的存在性方 方法 法：通过测定谱中不同元素芯光电子峰的结合能直接进行。元素定性的主要依据是组成元素的光电子线和俄歇线的特征能量值具唯一性。工具 工具：XPS标准谱图手册和数据库步骤：步骤：(1).全谱扫描(Survey scan)对于一个化学成分未知的样品首先应作全谱扫描，以初步判定表面的化学成分。在作XPS分析时，全谱能量扫描范围一般取01200eV，因为几乎所有元素的最强峰都在这一范围之内。http:/白云母的白云母的XPSXPS宽谱宽谱(2).窄区扫描(Narrow scan or Detail scan)1.1.元素组成鉴别元素组成鉴别:为获取更加精确的
24、信息，如结合能的准确位置，鉴定元素的化学状态或为了获取精确的线形或者为了定量分析，获得更为精确的计数或为了扣除背景或峰的分解或退卷积等数学处理。FeFe33OO44样品的样品的XPSXPS窄谱窄谱2.2.化学态分析化学态分析:依据：依据：化学位移和各种终态效应以及价电子能带结构等。XPS主要通过测定内壳层电子能级谱的化学位移，推知 原子结合状态和电子分布状态。i.光电子谱线化学位移(Photoelectron line chemical shifts and separations).u一定元素的芯电子结合能会随原子的化学态(氧化态晶格位和分子环境等)发生变化(典型值可达几个eV)即化学位移。
25、化 化学 学位 位移 移的 的信 信息 息是 是元 元素 素状 状态 态分 分析 析与 与相 相关的结构分析的主要 关的结构分析的主要依据。依据。u通过光电子线的化学位移可进行表面物理、化学吸附、金属氧化膜、聚合物表面改性、电极过程和产物摩擦学、催化剂与催化动力学方面的各种化学状态与结构分析。l 对于大 大部 部分 分元 元素 素光 光电 电子 子线 线有 有较 较大 大的 的化 化学 学位 位移 移，用XPS作价态分析对化合物分子或晶格点阵中同种元素的非等效原子的分析，都是很有成效的，在很大程度上可以取代IR和NMR。l 对于光 光电 电子 子线 线化 化学 学位 位移 移不 不明 明显 显
26、的 的元 元素 素，如过渡元素、稀土元素等则可以借助俄歇参数、震激效应、多重分裂效应，甚至谱线的形态等对其化学状态进行分析。2.2.化学态分析化学态分析:（1）有机化合物和聚合物(polymer)分析(i)C1s结合能 对C元素来讲，与自身成键(CC)或与H成键(CH)时C1s电子的结合能约为285eV。(常作为结合能参考)卤素原子直接和间接跟C相连时碳化学位移的移动值（1）有机化合物和聚合物(polymer)分析 O1s 结合能对绝大多数功能团来讲都在533eV左右的约2eV的窄范围内。N1s常见含氮官能团中N1s电子结合能均在399 401eV的窄范围内。S2p硫对C1s结合能的初级效应是
27、非常小的(0.4eV)。（1）有机化合物和聚合物(polymer)分析（1）有机化合物和聚合物(polymer)分析N+N4+（1）有机化合物和聚合物(polymer)分析赛车 赛车 轮胎碳纤维成份 轮胎碳纤维成份 分析 分析Wovencarbon Wovencarbonfibercomposite fibercompositeXPSanalysisidentifiesthefunctional XPSanalysisidentifiesthefunctionalgroupspresentoncompositesurface.groupspresentoncompositesurface.Ch
28、emicalnatureoffiber-polymer Chemicalnatureoffiber-polymerinterfacewillinfluenceitsproperties.interfacewillinfluenceitsproperties.-C-C-C-C-C-O-C-O-C=O-C=O(2)无机材料分析金属、合金、半导体、氧化物、陶瓷、无机化合物、络合物等。金属、合金、半导体、氧化物、陶瓷、无机化合物、络合物等。(2)无机材料分析(2)无机材料分析PdO2PdOPdPd 催化剂失活再生XPS 研究XPS Analysis of Pigment from Mummy Artw
29、ork150 145 140 135 130BindingEnergy(eV)BindingEnergy(eV)PbO2Pb3O4500 400 300 200 100 0BindingEnergy(eV)BindingEnergy(eV)OPb PbPbNCaCNaClXPSanalysisshowed XPSanalysisshowedthatthepigmentused thatthepigmentusedonthemummy onthemummywrappingwasPb wrappingwasPb3 3O O4 4 ratherthanFe ratherthanFe2 2O O3 3
30、EgyptianMummy EgyptianMummy2ndCenturyAD 2ndCenturyADWorldHeritageMuseum WorldHeritageMuseumUniversityofIllinois UniversityofIllinois XPS 定量分析的关键是要把所观测到的信号强度转变成元素的含量，即将谱峰面积转变成相应元素的含量。定量方法：标样法、元素灵敏度因子法和一级原理模型。目 前，XPS 定 量 分 析 多 采 用元 元素 素灵 灵敏 敏度 度因 因子 子法 法，该 方 法 利 用 特 定 元素 谱 线 强 度 作 参 考 标 准，测 得 其 它 元 素
31、相 对 谱 线 强 度 求 得 各 元 素的相对含量，是一种半经验性的相对定量方法。五、定量分析五、定量分析六、XPS光谱仪及新技术发展介绍电子能谱仪一般由：超高真空系统、超高真空系统、X-X-射线光源、射线光源、分析器、数据系统分析器、数据系统及其它附件及其它附件构成。X-ray Photoelectron SpectrometerX-ray X-raySource SourceElectron ElectronOptics OpticsHemispherical Energy Analyzer Hemispherical Energy AnalyzerPosition Sensitive
32、Position Sensitive Detector(PSD)Detector(PSD)MagneticShield ShieldOuterSphere OuterSphereInnerSphere InnerSphereSample SampleComputer ComputerSystem SystemAnalyzerControl AnalyzerControlMulti-ChannelPlate Multi-ChannelPlateElectronMultiplier ElectronMultiplierResistiveAnode ResistiveAnodeEncoder Enc
33、oderLensesforEnergy LensesforEnergyAdjustment Adjustment(Retardation)(Retardation)LensesforAnalysis LensesforAnalysisAreaDefinition AreaDefinitionPositionComputer PositionComputerPositionAddress PositionAddressConverter ConverterX-ray Photoelectron SpectrometerAnalysis of Materials for Solar Energy
34、Collection by XPS Depth Profiling-The amorphous-SiC/SnO The amorphous-SiC/SnO2 2 Interface InterfaceTheprofileindicatesareductionoftheSnO TheprofileindicatesareductionoftheSnO2 2 occurredattheinterfaceduringdeposition.occurredattheinterfaceduringdeposition.Suchareductionwouldeffectthecollectors Such
35、areductionwouldeffectthecollectorsefficiency.efficiency.Photo-voltaicCollector Photo-voltaicCollectorConductiveOxide-SnO ConductiveOxide-SnO2 2p-typea-SiC p-typea-SiCa-Si a-SiSolarEnergy SolarEnergySnO SnO2 2Sn SnDepth500 496 492 488 484 480BindingEnergy,eVData courtesy A.Nurrudin and J.Abelson,University of IllinoisSmall area analysis and imaging Small area analysis and imaging Small area analysis and imaging