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1、开关电源原理总结（完整版）实用资料(可以直接使用，可编辑 完整版实用资料，欢迎下载）开关电源原理总结站长编著第一部分:功率电子器件第一节:功率电子器件及其应用要求功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。这些设备都是自动化系统中必不可少的,因此,我们了解它们是必要的。近年来,随着应用日益高速发展的需求,推动了功率电子器件的制造工艺的研究和发展,功率电子器件有了飞跃性的进步。器件的类型朝多元化发展,性能也越来越改善。大致来讲,功率器件的发展,体现在如下方面:1.器件能够快速恢复,以满足越来越高的速度需要。以开关电源为例,采用双极型晶体管时,速度可以到几十千赫;使用
2、MOSFET和IGBT,可以到几百千赫;而采用了谐振技术的开关电源,则可以达到兆赫以上。2.通态压降(正向压降降低。这可以减少器件损耗,有利于提高速度,减小器件体积。3.电流控制能力增大。电流能力的增大和速度的提高是一对矛盾,目前最大电流控制能力,特别是在电力设备方面,还没有器件能完全替代可控硅。4.额定电压:耐压高。耐压和电流都是体现驱动能力的重要参数,特别对电力系统,这显得非常重要。5.温度与功耗。这是一个综合性的参数,它制约了电流能力、开关速度等能力的提高。目前有两个方向解决这个问题,一是继续提高功率器件的品质,二是改进控制技术来降低器件功耗,比如谐振式开关电源。总体来讲,从耐压、电流能
3、力看,可控硅目前仍然是最高的,在某些特定场合,仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合,功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT,特别是IGBT获得了更多的使用,开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件。第二节:功率电子器件概览一.整流二极管:二极管是功率电子系统中不可或缺的器件,用于整流、续流等。目前比较多地使用如下三种选择:1.高效快速恢复二极管。压降0.8-1.2V,适合小功率,12V左右电源。2.高效超快速二极管。0.8-1.2V,适合小功率,12V左右电源。3.肖特基势垒整流二极管SBD。0.4V,适合5V等低压电源。缺点是其电阻和耐压的平方成正比,所以耐
4、压低(200V以下,反向漏电流较大,易热击穿。但速度比较快,通态压降低。目前SBD的研究前沿,已经超过1万伏。二.大功率晶体管GTR分为:单管形式。电流系数:10-30。双管形式达林顿管。电流倍数: 100-1000。饱和压降大,速度慢。下图虚线部分即是达林顿管。图1-1:达林顿管应用实际比较常用的是达林顿模块,它把GTR、续流二极管、辅助电路做到一个模块内。在较早期的功率电子设备中,比较多地使用了这种器件。图1-2是这种器件的内部典型结构。 图1-2:达林顿模块电路典型结构两个二极管左侧是加速二极管,右侧为续流二极管。加速二极管的原理是引进了电流串联正反馈,达到加速的目的。这种器件的制造水平
5、是1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz左右(参考。三.可控硅SCR可控硅在大电流、高耐压场合还是必须的,但在常规工业控制的低压、中小电流控制中,已逐步被新型器件取代。目前的研制水平在12KV/8000A左右(参考。由于可控硅换流电路复杂,逐步开发了门极关断晶闸管GTO。制造水平达到8KV/8KA,频率为1KHz左右。无论是SCR还是GTO,控制电路都过于复杂,特别是需要庞大的吸收电路。而且,速度低,因此限制了它的应用范围拓宽。集成门极换流晶闸管IGCT和MOS关断晶闸管之类的器件在控制门极前使用了MOS 栅,从而达到硬关断能力。四.功率MOSFET又叫功率场效应管或者功
6、率场控晶体管。其特点是驱动功率小,速度高,安全工作区宽。但高压时,导通电阻与电压的平方成正比,因而提高耐压和降低高压阻抗困难。适合低压100V以下,是比较理想的器件。目前的研制水平在1000V/65A左右(参考。商业化的产品达到60V/200A/2MHz、500V/50A/100KHz。是目前速度最快的功率器件。五.IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。这种器件的特点是集MOSFET与GTR的优点于一身。输入阻抗高,速度快,热稳定性好。通态电压低,耐压高,电流大。目前这种器件的两个方向:一是朝大功率,二是朝高速度发展。大功率IGBT模块达到1200-1800A/1800-3300V的水平(参考。速度
7、在中等电压区域(370-600V,可达到150-180KHz。它的电流密度比MOSFET大,芯片面积只有MOSFET的40%。但速度比MOSFET低。尽管电力电子器件发展过程远比我们现在描述的复杂,但是MOSFET和IGBT,特别是IGBT已经成为现代功率电子器件的主流。因此,我们下面的重点也是这两种器件。第三节:功率场效应管MOSFET功率场效应管又叫功率场控晶体管。一.原理:半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料,供感兴趣的同事可以查阅。实际上,功率场效应管也分结型、绝缘栅型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Eff
8、ect Transistor。它又分为N沟道、P沟道两种。器件符号如下:N沟道 P沟道图1-3:MOSFET的图形符号MOS器件的电极分别为栅极G、漏极D、源极S。和普通MOS管一样,它也有:耗尽型:栅极电压为零时,即存在导电沟道。无论VGS正负都起控制作用。增强型:需要正偏置栅极电压,才生成导电沟道。达到饱和前,VGS 正偏越大,IDS越大。一般使用的功率MOSFET多数是N沟道增强型。而且不同于一般小功率MOS管的横向导电结构,使用了垂直导电结构,从而提高了耐压、电流能力,因此又叫VMOSFET。二.特点:这种器件的特点是输入绝缘电阻大(1万兆欧以上,栅极电流基本为零。驱动功率小,速度高,
9、安全工作区宽。但高压时,导通电阻与电压的平方成正比,因而提高耐压和降低高压阻抗困难。适合低压100V以下,是比较理想的器件。目前的研制水平在1000V/65A左右(参考。其速度可以达到几百KHz,使用谐振技术可以达到兆级。三.参数与器件特性:无载流子注入,速度取决于器件的电容充放电时间,与工作温度关系不大,故热稳定性好。(1转移特性:ID 随UGS变化的曲线,成为转移特性。从下图可以看到,随着UGS的上升,跨导将越来越高。 I DU GS图1-4:MOSFET 的转移特性 (2 输出特性(漏极特性:输出特性反应了漏极电流随V DS 变化的规律。这个特性和V GS 又有关联。下图反映了这种规律。
10、图中,爬坡段是非饱和区,水平段为饱和区,靠近横轴附近为截止区,这点和GTR 图1-5:MOSFET 的输出特性V GS =0时的饱和电流称为饱和漏电流I DSS 。 (3通态电阻Ron :通态电阻是器件的一个重要参数,决定了电路输出电压幅度和损耗。 该参数随温度上升线性增加。而且V GS 增加,通态电阻减小。 (4跨导:MOSFET 的增益特性称为跨导。定义为: G fs =I D /V GS显然,这个数值越大越好,它反映了管子的栅极控制能力。 (5栅极阈值电压栅极阈值电压V GS 是指开始有规定的漏极电流(1mA 时的最低栅极电压。它具有负温度系数,结温每增加45度,阈值电压下降10%。 (
11、6电容MOSFET 的一个明显特点是三个极间存在比较明显的寄生电容,这些电容对开关速度有一定影响。偏置电压高时,电容效应也加大,因此对高压电子系统会有一定影响。有些资料给出栅极电荷特性图,可以用于估算电容的影响。以栅源极为例,其特性如下:可以看到:器件开通延迟时间内,电 荷积聚较慢。随着电压增加,电荷快速上升,对应着管子开通时间。最后,当电压增加到一定程度后,电荷增加再次变慢,此时管子已经导通。图1-6:栅极电荷特性(8正向偏置安全工作区及主要参数MOSFET 和双极型晶体管一样,也有它的安全工作区。不同的是,它的安全工作区是由四根线围成的。最大漏极电流I DM :这个参数反应了器件的电流驱动
12、能力。 最大漏源极电压V DSM :它由器件的反向击穿电压决定。 最大漏极功耗P DM :它由管子允许的温升决定。漏源通态电阻Ron :这是MOSFET 必须考虑的一个参数,通态电阻过高,会影响输出效率,增加损耗。所以,要根据使用要求加以限制。 图1-7第四节:绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。 一.原理:半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料,供感兴趣的同事可以查阅。该器件符号如下: N 沟道 P 沟道 图1-8:IGBT 的图形符号注意,它的三个电极分别为门极G 、集电极C 、发射极E 。 CE EI D V DSV DSM I DM图1-9:IGBT 的等效电路图。上面给出
13、了该器件的等效电路图。实际上,它相当于把MOS 管和达林顿晶体管做到了一起。因而同时具备了MOS 管、GTR 的优点。 二.特点:这种器件的特点是集MOSFET 与GTR 的优点于一身。输入阻抗高,速度快,热稳定性好。通态电压低,耐压高,电流大。它的电流密度比MOSFET 大,芯片面积只有MOSFET 的40%。但速度比MOSFET 略低。 大功率IGBT 模块达到1200-1800A/1800-3300V 的水平(参考。速度在中等电压区域(370-600V ,可达到150-180KHz 。 三.参数与特性:(1转移特性 图这个特性和MOSFET 极其类似,反映了管子的控制能力。(2 图它的三
14、个区分别为:靠近横轴:正向阻断区,管子处于截止状态。爬坡区:饱和区,随着负载电流Ic 变化,U CE 基本不变,即所谓饱和状态。 水平段:有源区。 (3通态电压Von : I CU GEI图1-12:IGBT 通态电压和MOSFET 比较所谓通态电压,是指IGBT 进入导通状态的管压降V DS ,这个电压随V GS 上升而下降。 由上图可以看到,IGBT 通态电压在电流比较大时,Von 要小于MOSFET 。MOSFET 的Von 为正温度系数,IGBT 小电流为负温度系数,大电流范围内为正温度系数。(4开关损耗:常温下,IGBT 和MOSFET 的关断损耗差不多。MOSFET 开关损耗与温度
15、关系不大,但IGBT 每增加100度,损耗增加2倍。开通损耗IGBT 平均比MOSFET 略小,而且二者都对温度比较敏感,且呈正温度系数。 两种器件的开关损耗和电流相关,电流越大,损耗越高。 (5安全工作区与主要参数I CM 、U CEM 、P CM :IGBT 的安全工作区是由电流I CM 、电压U CEM 、功耗P CM 包围的区域。 图1-13:IGBT最大集射极间电压UCEM :取决于反向击穿电压的大小。 最大集电极功耗P CM :取决于允许结温。最大集电极电流ICM :则受元件擎住效应限制。所谓擎住效应问题:由于IGBT 存在一个寄生的晶体管,当IC 大到一定程度,寄生晶体管导通,栅
16、极失去控制作用。此时,漏电流增大,造成功耗急剧增加,器件损坏。安全工作区随着开关速度增加将减小。 (6栅极偏置电压与电阻IGBT 特性主要受栅极偏置控制,而且受浪涌电压影响。其di/dt 明显和栅极偏置电压、电阻Rg 相关,电压越高,di/dt 越大,电阻越大,di/dt 越小。而且,栅极电压和短路损坏时间关系也很大,栅极偏置电压越高,短路损坏时间越短。第二部分:开关电源基础第一节:开关电源的基本控制原理一.开关电源的控制结构:一般地,开关电源大致由输入电路、变换器、控制电路、输出电路四个主体组成。 如果细致划分,它包括:输入滤波、输入整流、开关电路、采样、基准电源、比较放大、震荡器、V/F
17、转换、基极驱动、输出整流、输出滤波电路等。实际的开关电源还要有保护电路、功率因素校正电路、同步整流驱动电路及其它一些辅助电路等。CE安全工作区下面是一个典型的开关电源原理框图,掌握它对我们理解开关电源有重要意义。输入电路变换电路输出电路 图2-1:开关电源的基本结构框图根据控制类型不同,PM(脉冲调制电路可能有多种形式。这里是典型的PFM结构。二.开关电源的构成原理:(一输入电路:线性滤波电路、浪涌电流抑制电路、整流电路。作用:把输入电网交流电源转化为符合要求的开关电源直流输入电源。1.线性滤波电路:抑制谐波和噪声。2.浪涌滤波电路:抑制来自电网的浪涌电流。3.整流电路:把交流变为直流。有电容
18、输入型、扼流圈输入型两种,开关电源多数为前者。(二.变换电路:含开关电路、输出隔离(变压器电路等,是开关电源电源变换的主通道,完成对带有功率的电源波形进行斩波调制和输出。这一级的开关功率管是其核心器件。1.开关电路驱动方式:自激式、他激式。变换电路:隔离型、非隔离型、谐振型。功率器件:最常用的有GTR、MOSFET、IGBT。调制方式:PWM、PFM、混合型三种。PWM最常用。2.变压器输出分无抽头、带抽头。半波整流、倍流整流时,无须抽头,全波时必须有抽头。(三.控制电路:向驱动电路提供调制后的矩形脉冲,达到调节输出电压的目的。基准电路:提供电压基准。如并联型基准LM358、AD589,串联型
19、基准AD581、REF192等。采样电路:采取输出电压的全部或部分。比较放大:把采样信号和基准信号比较,产生误差信号,用于控制电源PM 电路。 V/F 变换:把误差电压信号转换为频率信号。 振荡器:产生高频振荡波。基极驱动电路:把调制后的振荡信号转换成合适的控制信号,驱动开关管的基极。 (四.输出电路:整流、滤波。把输出电压整流成脉动直流,并平滑成低纹波直流电压。输出整流技术现在又有半波、全波、恒功率、倍流、同步等整流方式。 第二节:各类拓补结构电源分析 一.非隔离型开关变换器 (一.降压变换器Buck 电路:降压斩波器,入出极性相同。由于稳态时,电感充放电伏秒积相等,因此: (Ui-Uo *
20、ton=Uo*toff , Ui*ton-Uo*ton=Uo*toff, Ui*ton=Uo(ton+toff, Uo/Ui=ton/(ton+toff= 即,输入输出电压关系为:Uo/Ui=(占空比 图2-2:Buck 电路拓补结构在开关管S 通时,输入电源通过L 平波和C 滤波后向负载端提供电流;当S 关断后,L 通过二极管续流,保持负载电流连续。输出电压因为占空比作用,不会超过输入电源电压。(二.升压变换器Boost 电路:升压斩波器,入出极性相同。利用同样的方法,根据稳态时电感L 的充放电伏秒积相等的原理,可以推导出电压关系:Uo/Ui=1/(1- UoIUo IVD L图2-3:Bo
21、ost 电路拓补结构这个电路的开关管和负载构成并联。在S 通时,电流通过L 平波,电源对L 充电。当S 断时,L 向负载及电源放电,输出电压将是输入电压Ui+U L ,因而有升压作用。(三.逆向变换器Buck-Boost 电路:升/降压斩波器,入出极性相反,电感传输。 电压关系:Uo/Ui=-/(1- 图2-4:Buck-Boost 电路拓补结构S 通时,输入电源仅对电感充电,当S 断时,再通过电感对负载放电来实现电源传输。 所以,这里的L 是用于传输能量的器件。(四.丘克变换器Cuk 电路:升/降压斩波器,入出极性相反,电容传输。 电压关系:Uo/Ui=-/(1-。 图2-5:Cuk 变换器
22、电路拓补结构当开关S 闭合时,Ui 对L1充电。当S 断开时,Ui+EL1通过VD 对C1进行充电。再当S 闭合时,VD 关断,C1通过L2、C2滤波对负载放电,L1继续充电。这里的C1用于传递能量,而且输出极性和输入相反。二.隔离型开关变换器1.推挽型变换器下面是推挽型变换器的电路。 RUo I Uo I SVD图2-6:推挽型变换电路S1和S2轮流导通,将在二次侧产生交变的脉动电流,经过全波整流转换为直流信号,再经L 、C 滤波,送给负载。由于电感L 在开关之后,所以当变比为1时,它实际上类似于降压变换器。2.半桥型变换器图2-6给出了半桥型变换器的电路图。当S1和S2轮流导通时,一次侧将
23、通过电源-S1-T-C2-电源及电源-C1-T-S2-电源产生交变电流,从而在二次侧产生交变的脉动电流,经过全波整流转换为直流信号,再经L 、C 滤波,送给负载。同样地,这个电路也相当于降压式拓补结构。 图3.全桥型变换器下图是全桥变换器电路。 图2-8:全桥式变换电路当S1、S3和S2、S4两两轮流导通时,一次侧将通过电源-S2-T-S4-电源及电源-S1-T-S3-电源产生交变电流,从而在二次侧产生交变的脉动电流,经过全波整流转换为直流信号,再经L 、C 滤波,送给负载。这个电路也相当于降压式拓补结构。4.正激型变换器下图为正激式变换器。R UoR Uo 图2-9:正激型变换器电路当S 导
24、通时,原边经过输入电源-N1-S-输入电源,产生电流。当S 断开时,N1能量转移到N3,经N3-电源-VD3向输入端释放能量,避免变压器过饱和。VD1用于整流,VD2用于S 断开期间续流。5.隔离型Cuk 变换器隔离型Cuk 变换器电路如下所示: 图2-10:隔离型Cuk 变换器当S 导通时,Ui 对L1充电。当S 断开时,Ui+E L1对C11及变压器原边放电,同时给C11充电,电流方向从上向下。附边感应出脉动直流信号,通过VD 对C12反向充电。在S 导通期间,C12的反压将使VD 关断,并通过L2、C2 滤波后,对负载放电。这里的C12明显是用于传递能量的,所以Cuk 电路是电容传输变换
25、电路。6.电流变换器能量回馈型电流变换器电路如下图所示。 图2-11:能量回馈型电流变换器电路该电路与推挽电路类似。不同的是,在主通路上串联了一个电感。其作用是在S1、S2断开期间,使得变压器能量转移到N3绕组,通过VD3回馈到输入端。(上图怀疑N3同名端反了。下面是升压型变换器的电路图: UoR UoR Uo图2-12:升压型电流变换器电路该电路也与推挽电路类似,并在主通路上串联了一个电感。在开关导通期间,L积蓄能量。当一侧开关断开时,电感电动势和Ui叠加在一起,对另一侧放电。因此,L有升压作用。三.准谐振型变换器在脉冲调制电路中,加入R、L谐振电路,使得流过开关的电流及管子两端的压降为准正
26、弦波。这种开关电源成为谐振式开关电源。利用一定的控制技术,可以实现开关管在电流或电压波形过零时切换,这样对缩小电源体积,增大电源控制能力,提高开关速度,改善纹波都有极大好处。所以谐振开关电源是当前开关电源发展的主流技术。又分为:1.ZCS零电流开关。开关管在零电流时关断。2.ZVS零电压开关。开关管在零电压时关断。具体关于这个技术的简单介绍,见后面相关内容。四.开关电源的分类总结开关电源的分类(一.按控制方式:脉冲调制变换器:驱动波形为方波。PWM、PFM、混合式。谐振式变换器:驱动波形为正弦波。又分ZCS(零电流谐振开关、ZVS(零电压谐振开关两种。(二.按电压转换形式:1.AC/DC:一次
27、电源。即整流电源。2.DC/DC:二次电源。1Buck电路:降压斩波器,入出极性相同。2Boost:升压斩波器,入出极性相同。3Buck-Boost:升/降压斩波器,入出极性相反,电感传输。4Cuk:升/降压斩波器,入出极性相反,电容传输。(三.按拓补结构:1.隔离型:有变压器。2.非隔离型:无变压器。第三节:谐振式电源与软开关技术本节讨论谐振式开关电源的有关知识。2-3-1.电路的谐振现象为了更好地理解谐振式电源,这里回忆一下电路谐振的条件及其特点。一、串联电路的谐振一个R、L、C串联电路,在正弦电压作用下,其复阻抗:Z=R+j(L-1/C一定条件下,使得XL=XC,即L=1/C ,Z=R,
28、此时的电路状态称为串联谐振。明显地,串联谐振的特点是:1.阻抗角等于零,电路呈纯电阻性,因而电路端电压U和电流I同相。2.此时的阻抗最小,电路电流有效值达到最大。3.谐振频率:o=1/LC 。4.谐振系数或品质因素:Q=oL/R=1/oCR=(L/C/R。由于串联谐振时,L、C电压彼此抵消,因此也称为电压谐振。从外部看,L、C部分类似于短路。而此时Uc、UL是输入电压U的Q倍。Q值越大,振荡越强。这里的Z0=L/C,我们称为特性阻抗,它决定了谐振的强度。5.谐振发生时,C、L中的能量不断互相转换,二者之间反复进行充放电过程,形成正弦波振荡。二、并联电路的谐振一个R、L、C并联电路,在正弦电压作
29、用下,其复导纳:Y=1/R-j(1/L-C一定条件下,使得YL =YC,即1/L=C ,Y=1/R,此时的电路状态称为并联谐振。明显地,串并谐振的特点是:1.导纳角等于零,电路呈纯电阻性,因而电路端电压U和电流I同相。2.此时的导纳最小,电路电流有效值达到最小。3.谐振频率:o=1/LC 。4.由于并联谐振时,L、C电流彼此抵消,因此也称为电流谐振。从外部看,L、C 部分类似于开路,L、C各自有效电流却达到最大。5.谐振发生时,C、L中的能量不断互相转换,二者之间反复进行充放电过程,形成正弦波振荡。2-3-2.谐振式电源的基本原理谐振式电源是新型开关电源的发展方向。它利用谐振电路产生正弦波,在
30、正弦波过零时切换开关管,从而大大提高了开关管的控制能力,并减小了电源体积。同时,也使得电源谐波成分大为降低。另外,电源频率得到大幅度提高。PWM一般只能达到几百K,但谐振开关电源可以达到1M以上。普通传统的开关电源功率因素在0.4-0.7,谐振式电源结合功率因素校正技术,功率因素可以达到0.95以上,甚至接近于1。从而大大抑制了对电网的污染。这种开关电源又分为:1.ZCS零电流开关。开关管在零电流时关断。2.ZVS零电压开关。开关管在零电压时关断。在脉冲调制电路中,加入L、C谐振电路,使得流过开关的电流及管子两端的压降为准正弦波。下面是这两种开关的简单原理图。 图2-13:电流谐振式开关电路电
31、压谐振式开关电路ZCS电流谐振开关中,Lr、Cr构成的谐振电路通过Lr的谐振电流通过S,我们可以控制开关在电流过零时进行切换。这个谐振电路的电流是正弦波,而Us为矩形波电压。ZVS电压谐振开关中,Lr、Cr构成的谐振电路的Cr端谐振电压并联到S,我们可以控制开关在电压过零时进行切换。这个谐振电路的电压是正弦波,而Is接近矩形波。以上两种电路,由于开关切换时,电流、电压重叠区很小,所以切换功率也很小。以上开关电源是半波的,当然也可以设计成全波的。所以又有半波谐振开关和全波谐振开关的区分。2-3-3.谐振开关的动态过程分析实际上,谐振开关中的所谓“谐振”并不是真正理论上的谐振,而是L、C电路在送电
32、瞬间产生的一个阻尼振荡过程。下面,我们对这个过程做一些分析,以了解谐振开关的工作原理。一、零电流开关实际的零电流开关谐振部分拓补又分L型和M型。如下面两组图形所示: 图2-14:L 图2-15:M这里的L1用于限制di/dt,C1用于传输能量,在开关导通时,构成串联谐振。用零电流开关替代PWM电路的半导体开关,可以组成谐振式变换器电路。按照Buck电路的拓补结果,可以得到如下电路:图 VD1VD1RLV 图2-17:Buck 型准谐振ZCS 变换器(M 型这里,我们分析一下L 型电路的工作过程。假定这是一个理想器件组成的电源。L2远大于L1,从L2左侧看,可以认为流过L2、C2、RL 的输出电
33、流是一个恒流源,电流I 0。谐振角频率:0=1/L 1C 1 。 特性阻抗: Z 0 =L 1/C 1。 动态过程如下:1.线性阶段(t0-t1:在S 导通前,VD2处于续流阶段。此时V VD2=V C1=0。S 导通时,L1电流由0开始上升,由于续流没有结束,此时初始V L1=Vi 。由V L1=Vi=L 1di/dt ,且L1初始电流为0,有:i 1=Vi(t-t 0/L 1-式1 到t1时刻,达到负载电流I 0,因此: 此阶段持续时间: T1=t 1-t 0=L 1I 0/Vi由式1,可以看出,此阶段i 1是时间的线性函数。 2.谐振阶段(t1-t2:在电流i 1上升期间,当i 1小于I
34、 0时,由于i 1无法供应恒流I 0,续流过程将维持。当i 1=I 0时,将以i 1-I 0对C1充电,VD2开始承受正压,VD2电流下降并截止。L1、C1开始串联谐振,i 1 因谐振继续上升。i C1=C 1dV C1/dt=i 1-I 0 V L1=L 1di 1/dt=Vi-V C1 因而:i 1=I 0+ i C1=I 0+V i /Z 0*sin 0 (t-t1-式2 其中,i C1为谐振电流。V C1=V i -V L1= V i -V i cos 0 (t-t1= V i 1-i cos 0 (t-t1-式3谐振到t a 时刻,谐振电流归零。如为半波开关,则开关自行关断;如果是全
35、波开关,开关关断后,将通过VD1进行阻尼振荡,将电容能量馈送回电源,到时刻t b 电流第二次为0。本阶段结束,这时的时刻为t2。R L V 0V C1在i 1谐振半个周期,i 1=I 0时,达最大值。i 1第一次过零(t a 时,S 断开。如为半波开关,则谐振阶段结束。如为全波开关,C1经半个周期的阻尼振荡到电流为0(t b 时,将放电到一个较小值。从式2、3,可以看出谐振阶段t a 前,i 1、V C1是时间的正弦函数;如为全波开关,还有一段时间的阻尼振荡波。3.恢复阶段(t2-t3:由于VC1滞后1/4个谐振周期,因而在t2后,因L2的作用还将继续向负载放电,直至V C1=0。这阶段,如考
36、虑电流方向性:I 0=-C 1dV C1/dt故:V C1= V C1(t2-I 0(t-t 2/C 1-式4因此,这个阶段的V C1是时间的线性函数,电压从V C1(t2逐步下降到零。如为半波开关,则开关分压也将线性上升到输入电源值。4.续流阶段(t3-t4:当电容放电到零后,VD2因反压消失而导通,对L2及负载进行续流,以保持电流I 0连续。此时,我们可以根据电路的要求,选择在适当时间再次开通S ,重新开始线性阶段。 根据以上导出的各公式,可以得到如下的波形图: 图2-18:半波ZCS 开关波形 全波ZCS 开关波形从以上分析可以看出,ZCS 谐振开关变换器的开关管总是在电流为0时进行切换
37、。 实际情况与理想分析有所不同,V C1将有所超前。 M 型电路分析方法类似,不再赘述。 二、零电压开关ZCS 在S 导通时谐振,而ZVS 则在S 截止时谐振,二者形成对偶关系。分析过程大体类似,此处从略。综合以上分析过程,我们可以看出,该拓补谐振结构只能实现PFM 调节,而无法实现PWM 。原因是脉冲宽度仅受谐振参数控制。要实现PWM ,还需要增加辅助开关管。这在本节“四、软开关技术及常见拓补简介”中将予以介绍。 2-3-4.软开关技术及常见软开关拓补简介软开关技术实际上是利用电容与电感的谐振,使开关器件中的电流或电压按正弦或准正弦规律变化。当电流过零时,使器件关断,当电压过零时,使器件开通
38、,实现开关的近似零损耗。同时,有助于提高频率,提高开关的容量,减小噪声。i L V S V C1i L V S V C1I 0相对于软开关,普通开关电源的转换器也叫硬开关。按控制方式,软开关可以分为:脉冲宽度脉冲频率调制式(PFM 、脉冲频率调制式(PWM 、脉冲移相式(PS 三种。一、PWM 变换器PWM 控制方式是指在开关管工作频率恒定的前期下,通过调节脉冲宽度的方法来实现稳定输出。这是应用最多的方式,适用于中小功率的开关电源。1.零电流开关PWM 变换器 图2-19:Buck 型ZCS-PWM 变换器上图是增加辅助开关控制的Buck 型零电流开关变换器。其工作过程与前面过程略有差异:1线
39、性阶段(S1、S2导通:开始时,在L R 作用下,S1零电流导通。随后,因Uin 作用,I LR 线性上升,并到达I LR =Io 。2正向谐振阶段(S1、S2导通-关断:当I LR =Io 时,因C R 开始产生电压,VD 在零电流下自然关断。之后,L R 与C R 开始谐振,经过半个谐振周期,I LR 再次谐振到Io ,U CR 上升到最大值,而I CR 为零,S2关断,U CR 和I LR 将被保持,无法继续谐振。3保持阶段(S1导通、S2关断:此状态保持时间由PWM电路要求而定,保持期间,Uin 正常向负载以I 0供电。4反向谐振阶段(S1导通-关断、S2导通:当需要关断S1时,可以控
40、制重新打开S2,此时在L R 作用下,S2电流为0。谐振再次开始,当I LR 反向谐振到0时, S1可在零电流零电压下完成关断。5恢复阶段(S1关断、S2导通:此后,U CR 在Io 作用下,衰减到0。6续流阶段(S1关断、S2导通-关断:UCR 衰减到0后,VD 自然导通开始续流。由于VD 的短路作用,S2可在此后至下一周期到来前以零压零电流方式完成关断。可见,S1在前四个阶段(线性、谐振、保持均导通,恢复及续流时关断。S2的作用主要是隔断谐振产生保持阶段。S1、S2的有效控制产生了PWM 的效果,并利用谐振实现了自身的软开关。该电路的开关管及二极管均在零电压或零电流条件下通断,主开关电压应
41、力低,但电流应力大(谐振作用。续流二极管电压应力大,而且谐振电感在主通路上,因而负载、输入等将影响ZCS 工作状态。2.零电压开关PWM 变换器R 0 图2-20:Boost型ZVS-PWM变换器上面是Boost型零电压谐振变换器。在每次S1导通前,首先辅助开关管S2导通,使谐振电路起振。S1两端电压谐振为0后,开通S1。S1导通后,迅速关断S2,使谐振停止。此时,电路以常规PWM方式运行。同样,我们可以利用谐振再次关断S1,CR使得主开关管可以实现零关断。S1、S2的配合控制,实现软开关下的PWM调节。该电路实现了主开关管的零压导通,且保持恒频率运行。在较宽的输入电压和负载电流范围内,可以满
42、足ZVS条件二极管零电流关断。期缺点是辅助开关管不在软件开关条件下运行,但和主开关管相比,它只处理少量的谐振能量。3.有源钳位的零电压开关PWM变换器下图为有源钳位的ZVS开关PWM变换器,这是个隔离型降压变换器。其中,LR为变压器的漏电感,LM 是变压器的激磁电感。CR为S1、S2的结电容。这个电路巧妙地利用电路的寄生LR 、CR产生谐振而达到ZVS条件。同时,CR有电压钳位作用,防止S1在关断时过压。这里的辅助开关S2同样是通过控制谐振时刻,来配合S1进行软开关。该电路具体工作过程从略。图2-21:有源钳位ZVS-PWM正激变换器(这个开关的课堂讲解略。二、PFM变换器PFM是指通过调节脉
43、冲频率(开关管的工作频率来实现稳压输出的。它控制电路相对简单,但由于它工作频率不稳定,因此一般用于负载及输入电压相对稳定的场合。1.Buck零电流开关变换器图 R 0该电路就是前面动态过程分析讲的典型ZCS 降压型拓补结构。我们可利用谐振电流过零来实现S1通断,脉宽事实上受谐振电路参数控制,但我们可以控制S1开通时刻(即频率来实现PFM 。2.Buck 零电压开关变换器 图2-23:Buck 型ZVS 准谐振变换器这个电路是一个Buck 型电路结构它利用。它直接利用输出电感作为谐振电感,和C R 产生谐振。过程是:1线性阶段(S 导通:S 导通时,输入电压Uin 将对C R 充电,并提供输出恒
44、流I 0。开始时,由于续流过程没有结束,VD 将维持一段时间向L R 提供电流。2谐振阶段1(S 导通-关断:随着C R 电压的上升,VD 逐步承受反压关断。L R 、C R 开始谐振,输入电源既要提供负载恒定电流,又要提供谐振电流。由于电源钳位作用,VD 无法恢复续流。谐振中,可以选择某一时刻关断S ,关断时两端电压为0。3谐振阶段2(S 关断:此后,L R 、C R 、C S 共同谐振。当C R 电压谐振到过零时,VD 重新导通续流。4谐振阶段3(S 关断-导通:续流期间,L R 、C S 继续谐振。当CS 电压过零时,可以重新开通 脉冲移相软开关变换器用于桥式变换器。桥式变换器必须是在对
45、角开关管同时导通时,才输出功率。我们可以通过调整对角开关管的重合角度,来达到调节电压的目的。在中、大功率电源中,经常使用这种变换器。1.移相全桥零电压零电流变换器下图是移相式PS-FB-ZVZCS-PWM (移相-全桥-零电压零电流-脉宽调制变换器电路拓补结构图。 C 1C 、C 2C 是开关管结电容或并联电容,L R 为变压器的漏电感,L S 为串联的饱和电感,C b 为阻断电容。VD 1-VD 4用做续流二极管。原理简述:这是一个全波桥软开关变换器,我们可以让S 3、S 4在移相时滞后,则我们把S 1、S 2称为超前桥臂,S 3、S 4称为滞后桥臂。S 1、S 2可以在L R 、L S 、
46、C 1C 、C 2C 、副边耦合电感等的谐振作用下,实现零电压开关。在电流过零时,由于阻断电容、饱和电感作用,使得零电流有一定保持时间,在此期间,S 3、S 4实现零开关。如果把L S 、C b 去掉,在S 3、S 4两端并联两个谐振电容,就构成了移相全桥零电压变换器。 图2-24:移相全桥零电压零电流变换器2.不对称移相全桥零电压零电流变换器下图中,超前臂外接了旁路电容和反并二极管,而滞后臂则没有。所以称为不对称移相全桥变换器。这个电路同样是通过谐振在零压时开关S1、S3,而在零电流开关S2、S4。这个电路和对称全桥的区别是,对称全桥由于滞后桥臂有续流二极管和电容,因此在电流过零后,将形成反向流通渠道,因此要有比较大的电感来维持电流过零的时间,以完成对滞后桥臂的开关。而不对称全桥则因为滞后桥臂没有了通路,因此过零后能保持在零电流,以便完成滞后臂的开关。同时,由于对称全桥电路原边串联了比较大的电感,因而电源效率会有一定损失。而不对称电路可以不串较大电感,所以损耗降低