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1、2.4 2.4 晶体三极管伏安特性曲线晶体三极管伏安特性曲线 伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。于任何工作模式。IB=f1E(VBE)VCE=常数常数IC=f2E(VCE)IB=常数常数共发射极共发射极输入特性：输入特性：输出特性：输出特性：+-TVCEIBVBEIC+-输入特性曲线输入特性曲线VCE=0IB/AVBE/VVBE(on)0.3V10V0V(BR)BEOIEBO+ICBOq VCE一定：一定：类似二极管伏安特性类似二极管伏安特性。q VCE增加：增加：正向特性曲线略右移。正向特性曲线略右移。由于由于VCE=VCB+
2、VBEWB WBEBC基区宽度调制效应基区宽度调制效应注：注：VCE0.3V后，曲线移动可忽略不计。后，曲线移动可忽略不计。因此当因此当VBE一定时：一定时：VCEVCB 复合机会复合机会 IB 曲线右移。曲线右移。输出特性曲线输出特性曲线q 饱和区饱和区（VBE 0.7V，VCE0.3V）IC/mAVCE/V0IB=40 A30 A20 A10 A0特点特点条件条件发射发射结正偏结正偏集电集电结反偏结反偏VCE曲线略上翘曲线略上翘具有正向受控作用具有正向受控作用满足满足IC=IB+ICEO说明说明IC/mAVCE/V0VA上翘程度上翘程度取决于厄尔利电压取决于厄尔利电压VA上翘原因上翘原因基
3、区宽度调制效应（基区宽度调制效应（VCE IC略略）在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的的修正方程：修正方程：基宽基宽WB越小越小调制效应对调制效应对IC影响越大影响越大则则 VA 越小。越小。与与IC的关系：的关系：IC0 在在IC一定范围内一定范围内 近似为常数。近似为常数。IC过小过小使使IB造成造成 。IC过大过大发射效率发射效率 造成造成 。考虑上述因素，考虑上述因素，IB等量增加时，等量增加时，ICVCE0输出曲线不再等间隔平行上移。输出曲线不再等间隔平行上移。q 截止区截止区（VBE 0.5V，VCE 0.3V）IC/mAVCE/V0IB
4、=40 A30 A20 A10 A0特点：特点：条件：条件：发射发射结反偏，结反偏，集电集电结反偏。结反偏。IC 0，IB 0近似为近似为IB0 0以下区域以下区域 严格说，截止区应是严格说，截止区应是IE=0即即IB=-ICBO以下的区域。以下的区域。因为因为IB 在在0 0 -ICBO时，仍满足时，仍满足q 击穿区击穿区特点：特点：VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。急剧增大。V(BR)CEO集电结反向击穿电压，随集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。的增大而减小。注意：注意：IB=0时，击穿电压为时，击穿电压为V(BR)CEOIE=0时，击穿电压为时，击穿电压为V(BR)CBOV(BR)CBO V(BR)CEOIC/mAVCE/V0IB=40 A30 A20 A10 A0IB=-ICBO(IE=0)V(BR)CBOq 三极管安全工作区三极管安全工作区ICVCE0V(BR)CEOICMPCM 最大允许集电极电流最大允许集电极电流ICM（若（若ICICM 造成造成 ）反向击穿电压反向击穿电压V(BR)CEO（若（若VCEV(BR)CEO 管子击穿）管子击穿）VCE PCM 烧管）烧管）PCPCM 要求要求IC ICM