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1、 系统吹扫、置换方案的培训内容提纲多晶产业现状硅及其硅的氯化物的简介 目前世界上几种主要的多晶硅生产工艺简介改良西门子法介绍改良西门子法的工艺流程改良西门子法中的核心技术多晶硅下游产品简介 多晶产业现状太阳能电池市场现状 煤 煤炭 炭和石 石油 油是两大不可再生能源。上个世纪发生的两次石油危机，一方面是对世界经济的极大冲击，但同时也是一次机遇，再加上保护环境，开发绿色能源、替代能源，已被人们预测为改变我们未来10年生活的十大新科技之一。在未来10年内，风力、阳光、地热等替代能源可望供应全世界所需能源的30%。由于太阳能发电具有充分的清洁性、绝对的安全性、资源的相对广泛性和充足性、长寿命以及免维
2、护性等其它常规能源所不具备的优点，所以光伏能源被认为是二十一世纪最重要的新能源。硅及其硅的氯化物的简介一、硅的简介 硅，1823年发现，为世界上第二最丰富的元素占地壳四分之一，砂石中含有大量的SiO2，也是玻璃和水泥的主要原料，纯硅则用在电子元件上，譬如启动人造卫星一切仪器的太阳能电池，便用得上它。硅，由于它的一些良好性能和丰富的资源，自一九 硅，由于它的一些良好性能和丰富的资源，自一九五三年作为整流二极管元件问世以来，随着硅纯度的不 五三年作为整流二极管元件问世以来，随着硅纯度的不断提高，目前已发展成为电子工业及太阳能产业中应用 断提高，目前已发展成为电子工业及太阳能产业中应用最广泛的材料。
3、最广泛的材料。多晶硅的最终用途主要是用于生产集成电路、分集成电路、分立器件立器件和太阳能电池片太阳能电池片的原料。硅及其硅的氯化物的简介1.硅的物理性质 硅有晶态和无定形两种同素异形体，晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，具有半导体性质，晶态硅的熔点14164，沸点3145，密度2.33 g/cm3，莫氏硬度为7。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列为单一晶核，晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅，如果当这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。一般的半
4、导体器件要求硅的纯度六个9以上，大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。硅及其硅的氯化物的简介2.硅的化学性质硅在常温下不活泼，其主要的化学性质如下：与非金属作用 常温下Si只能与F2反应，在F2中瞬间燃烧，生成SiF4。Si+2F2=SiF4 加热时，能与其它卤素反应生成卤化硅，与氧气生成SiO2。Si+2X2=SiX4（X=Cl，Br，I）Si+O2=SiO2 在高温下，硅与碳、氮、硫等非金属单质化合，分别生成碳化硅SiC，氮化硅Si3N4，和硫化硅SiS2等。硅及其硅的氯化物的简介u 与酸作用 硅在含氧酸中被钝化，但与氢氟酸及其混合酸反应，生成SiF4或H2SiF6（偏硅酸）。
5、Si+4HF SiF4+2H2 Si+4HNO3+6HF=H2SiF6+4NO2+4H2O u 与碱作用 无定形硅能与碱猛烈反应生成可溶性硅酸盐，并放出氢气。Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2 u 与金属作用 硅还能与钙、镁、铜、铁、铂、铋等化合，生成相应的金属硅化物。硅及其硅的氯化物的简介二、硅的氯化物 硅的氯化物主要介绍SiCl4、SiHCl3等，它们和碳的卤化物CF4和CCl4相似，都是四面体的非极性分子，共价化合物，溶沸点都比较低，挥发性也比较大，易于用蒸馏的方法提纯它们。在常温下，纯净的SiCl4、SiHCl3是无色透明的易挥发液体。1.氯硅烷的物理性质 在常温下，纯净
6、的SiCl4、SiHCl3是无色透明挥发性的液体，SiHCl3比SiCl4具有更强的刺鼻气味。SiCl4:沸点为57.6，分子量170，液体密度1.47 g/cm3 SiHCl3:沸点为31.8，分子量135.45，液体密度1.32 g/cm3硅及其硅的氯化物的简介2.化学性质a.易水解、潮解，在空气中强烈发烟易水解、潮解：SiCl4+(n+2)H2O SiO2nH2O+4HCl SiHCl3+nH2O SiO2nH2O+3HClb.易挥发、易汽化、易制备、易还原。c.SiHCl3易着火，发火点28，燃烧时产生HCl和Cl2，着火点为220。d.对金属极为稳定，甚至对金属钠也不起反应。e.其蒸
7、汽具有弱毒性，与无水醋酸及二氮乙烯的毒性程度极为相同。硅及其硅的氯化物的简介SiHCl3 SiHCl3还原制备超纯硅的方法，在生产中被广泛的应用和迅速发展。因为它容易制得，解决了原料问题，容易还原呈单质硅，沉积速度快，解决了产量问题，它的沸点低，化学结构的弱极性，使得容易提纯，产品质量高，利用它对金属的稳定性，在生产中常用不锈钢作为材质。但有较大的爆炸危险，因此在操作过程中应保持设备的干燥和管道的密封性，如果发现微量漏气，而不知道在什么地方时，可用浸有氨水的棉球接近待查处，若有浓厚白色烟雾就可以断定漏气的地方。原理如下:2HCl+2NH4OH 2NH4Cl+H2O多晶硅简介 多晶硅 polyc
8、rystalline silicon 性质：灰色金属光泽。密度：2.322.34g/cm3。熔点：1410。沸点：2355。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800以上即有延性，1300时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。多晶硅简介 电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷
9、凝、精馏、还原而得。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，被称为“微电子大厦的基石”。多晶硅简介 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从
10、外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅简介 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为金属级、电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占55左右，太阳能级多晶硅占45，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，2008年太阳能多晶硅的需求量已明显超过电子级多晶硅。多晶硅是制备单晶硅和太阳能电池的原材料,是全球电子工业及光伏产业的基石。按照硅含量纯度可分为太阳能级硅(6N)和电子级硅(11N)。目前世界上主要的几种多晶硅生产工艺 目前生产多晶硅的方法主要有改良西门子法闭环式三氯氢硅氢还原法，
11、硅烷法硅烷热分解法，流化床法，冶金法，气液沉积法。改良西门子法闭环式三氯氢硅氢还原法 改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。目前世界上主要的几种多晶硅生产工艺 硅烷法硅烷热分解法 硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有
12、继续扩大生产。美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。目前世界上主要的几种多晶硅生产工艺 流化床法 以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。目前世界上主要的几种多晶硅生产工艺 除了上述改
13、良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术：目前世界上主要的几种多晶硅生产工艺 1）冶金法生产太阳能级多晶硅 主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。目前世界上主要的几种多晶硅生产工艺 2）气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅 主要工艺是：
14、将反应器中的石墨管的温度升高到1500，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。改良西门子法介绍 在1955年西门子公司成功开发了利用氢气还原三氯硅烷（SiHCl3）在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术，并于1957年开始了工业规模的生产，这就是通常所说的西门子法。改良西门子法介绍 在西门子法工艺的基础上，通过增加还原尾气干法回收系统、SiCl4氢化工艺，实现了闭路循环，于是形成了改良西门子法。具体生产工艺流程见下图改良西门子法介绍改良西门子法介绍 改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成HCl（或外购H
15、Cl），HCl和冶金硅粉在一定温度下合成SiHCl3，分离精馏提纯后的SiHCl3进入氢还原炉被氢气还原，通过化学气相沉积反应生产高纯多晶硅。改良西门子法生产多晶硅属于高能耗的产业，其中电力成本约占总成本的70%左右。SiHCl3还原时一般不生产硅粉，有利于连续操作。该法制备的多晶硅还具有价格比较低、可同时满足直拉和区熔要求的优点。因此是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺，国内外现有的多晶硅厂大多采用此法生产SOG硅与EG硅，所生产的多晶硅占当今世界总产量的7080%。改良西门子法的工艺流程 改良西门子法在多晶硅生产当中是一种非常成熟的方法，国内大部分厂家都在采用此种方法生
16、产多晶硅。改良西门子法大体可分为6个工序：即合成、提纯、还原、尾气回收、氢化和后处理。改良西门子法的工艺流程 合成工序是在流化床反应器中用纯度约99%的金属硅(工业硅)与HCI反应生成SiHC13(三氯氢硅)。提纯工序采用多级分馏塔对三氯氢硅进行精制，除去SiC14及硼、磷等有害杂质。还原工序是在化学蒸发沉积反应器(还原炉)内加氢还原三氯氢硅，先在还原炉中预先放置初始硅芯，利用特别的启动装置来对初棒进行预热，然后对初棒直接通电加热，三氯氢硅还原后在初棒上沉积出多晶硅棒。改良西门子法的工艺流程 尾气回收工序对来自还原炉、氢化炉、合成洗涤塔顶冷却器的三氯氢硅、四氯化硅、氢气和氯化氢等进行分离、净化
17、、再生和回收。氢化工序是在高压反应器内把SiCl4转化为三氯氢硅再返回还原炉循环利用。后处理工序对最终多晶硅产品进行破碎、净化、包装。改良西门子法的工艺流程 该工艺涉及的主要化学反应式如下：Si+3HCI=SiHC13+H2+Q 合成 SiHC13+H2=Si+3HC1-Q 还原 理论上，H2及HCI是可以平衡的。改良西门子法的特点是加强尾气的干法回收，对尾气进行加压多级冷凝分离处理。分离出来的三氯氢硅、氯化氢、氢气返回系统利用，分离出来的四氯化硅加氢反应转化成三氯氢硅后返回还原炉。这样可以使HCI和H2得到循环使用，HCI和H2则只需补充生产中的损耗量即可，从而大大降低物料消耗，并可将“三废
18、”量减少到最低程度。改良西门子法中的核心技术 A、大型多对棒节能型还原炉。为了达到节能降耗的目的，多晶硅还原炉必须大型化。大型节能还原炉的特点是炉内可同时加热许多根初棒，以减少炉壁辐射所造成的热损失;还原炉的内壁进行镜面处理，使辐射热能反射，以减少热损失;炉内压力和供气量得到提高，加大了硅沉积反应的速度。目前，国外大型还原炉的操作压力达0.6MPa,硅棒的总数主要是12和24对，部分已经达到48对和54对，硅棒长度在1.5米以上，棒直径达到200毫米，每炉产量可达5-6吨甚至10多吨，还原电耗则大幅度下降，低至每公斤多晶硅50kWh。改良西门子法中的核心技术 B、四氯化硅的氢化反应技术。用西门
19、子法生产多晶硅时在氯化工序和还原工序都要产生大量的副产物四氯化硅。一般每生产1公斤多晶硅产品，大约要产生18-20公斤四氯化硅。对四氯化硅必须进行处理，目前主要采用氢化技术，将四氯化硅转化成多晶硅生产的原料三氯氢硅，该方法可以充分利用资源，缺点是转化率较低使多晶硅生产成本和电耗升高。改良西门子法中的核心技术 C、还原尾气的干法回收技术。在还原生长多晶硅时，会产生还原尾气。如果将尾气放空排放，不仅浪费了能源和原材料，还会对环境造成污染。还原炉尾气的主要成分是氢、氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅，经过加压和冷却后，其中的三氯氢硅和四氯化硅被冷凝分离出来，然后再分馏出三氯氢硅直接送到还原炉，以生产多晶硅。
20、分馏出的四氯化硅则送到氢化工序，经氢化后，部分转化成三氯氢硅，氢化后的气体再经分离塔分离出三氯氢硅和四氯化硅，再分别送到还原系统和氢化工序循环使用。此外，还原炉尾气经加压和冷却后的不凝气体，主要是氢和氯化氢，它们在加压和低温条件下，通过特殊的分离工艺，使氢和氯化氢分离出来并返回流程中利用。还原尾气干法回收的整套工艺都不接触水分，只是把尾气中各种成分逐一分离，并且不受污地回收，再送回相适应的工序重复利用，实行闭路循环式工作。提纯工序介绍 提纯工序共包括：精馏、罐区、装车台、废气残液处理-1。精馏作用：分离提纯氯硅烷，得到精制的三氯氢硅、四氯化硅，除去各种杂质。罐区作用：接收、缓存外部物料，储存提
21、纯工序的各种物料。装车台作用：装二级三氯氢硅、回收三氯氢硅、工业级四氯化硅、精制四氯化硅等,卸外购三氯氢硅。废气残液处理-1作用：处理提纯工序产生的废气、残液。提 纯 本工序分为三部分，其主要功能为：a.合成精馏：用多级精馏的方法，将来自三氯氢硅合成气干法分离工序的粗三氯氢硅进行精制，得到多晶硅级的精制三氯氢硅；b.还原精馏：用多级精馏的方法，将从还原尾气干法分离工序中分离出并返回的氯硅烷冷凝液精制，得到多晶硅级的精制三氯氢硅循环使用；c.氢化精馏：用多级精馏的方法将从氢化尾气干法分离工序中分离出并返回的氯硅烷冷凝液精制，得到多晶硅级的精制三氯氢硅循环使用，同时将分离出的四氯化硅与还原精馏中分
22、离出的四氯化硅一起精馏，得到精制四氯化硅送去四氯化硅氢化工序。合成粗馏工艺流程图合成精馏工艺流程图还原精馏工艺流程图 氢化精馏工艺流程图提 纯 除了设备问题以外，精馏操作过程的影响因素主要有以下几个方面：塔的温度和压力（包括塔顶、塔釜和某些有特殊意义的塔板）；进料状态；进料量；进料组成；进料温度；塔内上升蒸汽速度和蒸发釜的加热量；回流量；塔顶冷剂量；塔顶采出量和塔底采出量。塔的操作就是按照塔顶和塔底产品的组成要求来对这几个影响因素进行调节。三氯氢硅氢还原的原理及影响因素1.三氯氢硅还原反应原理 经提纯和净化的SiHCl3和H2，按一定比例进入还原炉，在10801100温度下，SiHCl3被H2
23、还原，生成的硅沉积在发热体硅芯上。化学方程式：SiHCl3+H2 Si+3HCl(主)同时还发生SiHCl3热分解和SiCl4的还原反应：4SiHCl3 Si+3SiCl4+2H2 SiCl4+2H2 Si+4HCl 以及杂质的还原反应，例如：2BCl3+3H2 2B+6HCl2PCl3+3H2 2P+6HCl108011001080110010801100三氯氢硅氢还原的影响因素1.氢还原反应及沉积温度 SiHCl3和SiCl4氢还原是吸热反应，因此升高温度使平衡向吸热一方移动，有利于硅的沉积，会使硅的结晶性能好，而且表面具有光亮的灰色金属光泽。但实际上反应温度不能太高，因为：硅和其他半导体
24、材料一样，自气相往固态载体上沉积时，都有一个最高温度，当反应超过这个温度，随着温度的升高，沉积速度反而下降。温度太高，沉积的硅化学活性增强，受到设备材质沾污的可能性增强。对硅极为有害的B、P化合物，随着温度增高，其还原量也加大，这将使硅的沾污增加。过高的温度，会发生硅的逆腐蚀反应。三氯氢硅氢还原的影响因素2.反应混合气配比 所 所谓 谓反 反应 应混 混合 合气 气配 配比 比是 是指 指还 还原 原剂 剂氢 氢气 气和 和原 原料 料三 三氯 氯氢 氢硅 硅的 的摩尔比。摩尔比。在SiHCl3氢还原过程中，由于H2不足，发生其它副反应。因此，H2必须过量，这样有利于提高实收率，而且产品结晶质
25、量也较好。但是，H2和SiHCl3的摩尔配比也不能太大，因为：a)配比太大，H2得不到充分利用，造成浪费。同时，氢气量太大，会稀释SiHCl3的浓度，减少SiHCl3和硅棒表面碰撞的几率，降低硅的沉积速度，降低硅的产量。b)从BCl3、PCl3氢还原反应可以看出，过高的H2浓度不利于抑制B、P的析出，影响产品的质量。c)因此，选择合适的配比，使之有利于提高硅的转化率，又有利于抑制B、P析出。三氯氢硅氢还原的影响因素3.反应气体流量 在保证达到一定沉积速率的条件下，流量越大，炉产量越高。流量大小与还原炉结构和大小，特别时载体表面积大小有关。增大气体流量后，使炉内气体湍动程度随之增加。这将有效地消
26、除灼热载体表面的气体边界层，其结果将增加还原反应速度，使硅的实收率得到提高，但反应气体流量不能增的太大，否则造成反应气体在炉内停留时间太短，转化率相对降低，同时增大了干法回收岗位的工作量。4.沉积表面积与沉积速度、实收率关系 硅棒的沉积表面积决定于硅棒的长度与直径，在一定长度下表面积随硅的沉积量而增大，沉积表面积增大，则沉积速度与实收率也越高。所以采用多对棒，开大直径棒，有利于提高生产效率。三氯氢硅氢还原的影响因素5.还原反应时间 尽可能延长反应时间，也就是尽可能使硅棒长粗，对提高产品质量与产量都是有益的。随着反应周期延长，沉积硅棒越来越粗，载体表面越来越大，则沉积速率不断增加，反应气体对沉积
27、面碰撞机会也越多，因而产量就越高。而单位体积内载体扩散入硅中的杂质量相对减少，这对提高硅的质量有益。延长开炉周期，相对应地减少了载体的单位消耗量，并缩短停炉、装炉的非生产时间，有利于提高多晶硅的生产效率。6.沉积硅的载体 作为沉积硅的载体材料，要求材料的熔点高、纯度高、在硅中扩散系数小，要避免在高温时对多晶硅生产沾污，又应有利于沉积硅与载体的分离，因此，采用硅芯作为载体。原料的质量要求 三氯氢硅氢还原岗位所需的原料有：氢气、三氯氢硅、硅芯、石墨等。氢气：需要控制露点，氧含量，碳含量等。三氯氢硅：硅芯：需要控制直径、有效长度、弯曲度，型号：N型，电阻率等。石墨卡座：光谱纯、稠密质、内部结构均匀、
28、无孔洞。加工件经纯水煮洗烘干，真空高温煅烧后备用。三氯氢硅氢还原开炉过程中应注意的事项 在开炉过程中，应按供料表要求改条件，并缓慢均匀升硅棒电流，保持硅棒的温度在10801100。经常检查控制条件是否稳定，并适时调节，经常关擦炉内硅棒生长有无异常，以便及时处理。经常检查还原底盘、电极,检查冷却水是否通畅，水温、水压及操作系统压力是否正常。夹层对多晶质量的影响 硅 硅棒 棒从 从还 还原 原炉 炉取 取出 出后 后，从 从硅 硅棒 棒的 的横 横断 断面 面上 上可 可以 以看 看到 到一 一圈 圈圈 圈的 的层 层状 状结 结构 构，是 是一 一个 个同 同心 心圆 圆。多 多晶 晶硅 硅夹
29、夹层 层一 一般 般分 分为氧化夹层和温度夹层（也叫无定形硅夹层）两种。为氧化夹层和温度夹层（也叫无定形硅夹层）两种。1.氧化夹层 在还原过程中，当原料混合气中混有水汽或氧时，则会发生水解及氧化，生成一层SiO2氧化层附在硅棒上，当被氧化的硅棒又接续沉积硅时，就形成“氧化夹层”。在光线下能看到五颜六色的光泽。酸洗也不能除去这种氧化夹层，拉晶时还会产生“硅跳”。应注意保证进入还原炉内氢气的纯度，使氧含量和水分降至规定值以下，开炉前一定要对设备进行认真的检查，防止有漏水现象。夹层对多晶质量的影响2.温度夹层 在还原过程中，在比较低的温度进行时，此时沉积硅为无定形硅，此时提高反应温度继续沉积时，就形
30、成了暗褐色的温度夹层（因为这种夹层很大程度受温度的影响，因此成为“温度夹层”）。它是一种疏松、粗糙的夹层，中间常常有许多气泡和杂质。用酸腐蚀都无法处理掉，拉晶溶料时重则也会发生“硅跳”。应 注 意：启动完成进料时，要保持反应温度，缓慢通入混合气，在正常反应过程中缓慢升电流，使反应温度稳定，不能忽高忽低。突然停电或停炉时，要先停混合气。多晶硅下游产品简介 太阳能电池的原理 太阳光照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。太阳能发电方式太阳能发电有两种方式，一种是光热电转换方
31、式，另一种是光电直接转换方式。光热电转换方式通过利用太阳辐射产生的热能发电，一般是由太阳能集热器将所吸收的热能转换成工质的蒸气，再驱动汽轮机发电。光电直接转换方式该方式是利用光电效应，将太阳辐射能直接转换成电能，光电转换的基本装置就是太阳能电池。太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池还可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池，其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。太阳能电池（组件）生产工艺 组件线又叫封装线，封装是太阳能电池生产中的关键步骤，没有良好的封装工艺，多好的电池也生产不出好的组件板。电池的封装
32、不仅可以使电池的寿命得到保证，而且还增强了电池的抗击强度。产品的高质量和高寿命是赢得可客户满意的关键，所以组件板的封装质量非常重要。组件生产流程 1、电池检测2、正面焊接检验3、背面串接检验4、敷设（玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设）5、层压6、去毛边（去边、清洗）7、装边框（涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶）8、焊接接线盒9、高压测试10、组件测试外观检验11、包装入库 太阳电池组装工艺简介：工艺简介：在这里只简单的介绍一下工艺的作用，给大家一个感性的认识.1、电池测试：由于电池片制作条件的随机性，生产出来的电池性能不尽相同，所以为了有效的将性能一致或相近的电池组合在一起，所以应根据其
33、性能参数进行分类；电池测试即通过测试电池的输出参数（电流和电压）的大小对其进行分类。以提高电池的利用率，做出质量合格的电池组件。2、正面焊接：是将汇流带焊接到电池正面（负极）的主栅线上，汇流带为镀锡的铜带，我们使用的焊接机可以将焊带以多点的形式点焊在主栅线上。焊接用的热源为一个红外灯（利用红外线的热效应）。焊带的长度约为电池边长的2倍。多出的焊带在背面焊接时与后面的电池片的背面电极相连 3、背面串接：背面焊接是将36片电池串接在一起形成一个组件串，我们目前采用的工艺是手动的，电池的定位主要靠一个膜具板，上面有36个放置电池片的凹槽，槽的大小和电池的大小相对应，槽的位置已经设计好，不同规格的组件
34、使用不同的模板，操作者使用电烙铁和焊锡丝将“前面电池”的正面电极（负极）焊接到“后面电池”的背面电极（正极）上，这样依次将36片串接在一起并在组件串的正负极焊接出引线。4、层压敷设：背面串接好且经过检验合格后，将组件串、玻璃和切割好的EV A、玻璃纤维、背板按照一定的层次敷设好，准备层压。玻璃事先涂一层试剂（primer）以增加玻璃和EV A的粘接强度。敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置，调整好电池间的距离，为层压打好基础。（敷设层次：由下向上：玻璃、EV A、电池、EV A、玻璃纤维、背板）。5、组件层压：将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使EV A熔化将
35、电池、玻璃和背板粘接在一起；最后冷却取出组件。层压工艺是组件生产的关键一步，层压温度层压时间根据EV A的性质决定。我们使用快速固化EV A时，层压循环时间约为25分钟。固化温度为150。6、修边：层压时EV A熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除。7、装框：类似与给玻璃装一个镜框；给玻璃组件装铝框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使用寿命。边框和玻璃组件的缝隙用硅酮树脂填充。各边框间用角键连接。8、焊接接线盒：在组件背面引线处焊接一个盒子，以利于电池与其他设备或电池间的连接。9、高压测试：高压测试是指在组件边框和电极引线间施加一定的电压，测试组件的耐压
36、性和绝缘强度，以保证组件在恶劣的自然条件（雷击等）下不被损坏。10、组件测试：测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。谢谢！9、静夜四无邻，荒居旧业贫。5月-235月-23Monday,May 15,2023 10、雨中黄叶树，灯下白头人。16:35:2116:35:2116:355/15/2023 4:35:21 PM 11、以我独沈久，愧君相见频。5月-2316:35:2116:35May-2315-May-23 12、故人江海别，几度隔山川。16:35:2116:35:2116:35Monday,May 15,2023 13、乍见翻疑梦，相悲各问年。5月
37、-235月-2316:35:2116:35:21May 15,2023 14、他乡生白发，旧国见青山。15 五月 20234:35:21 下午16:35:215月-23 15、比不了得就不比，得不到的就不要。五月 234:35 下午5月-2316:35May 15,2023 16、行动出成果，工作出财富。2023/5/15 16:35:2116:35:2115 May 2023 17、做前，能够环视四周；做时，你只能或者最好沿着以脚为起点的射线向前。4:35:21 下午4:35 下午16:35:215月-23 9、没有失败，只有暂时停止成功！。5月-235月-23Monday,May 15,2
38、023 10、很多事情努力了未必有结果，但是不努力却什么改变也没有。16:35:2116:35:2116:355/15/2023 4:35:21 PM 11、成功就是日复一日那一点点小小努力的积累。5月-2316:35:2116:35May-2315-May-23 12、世间成事，不求其绝对圆满，留一份不足，可得无限完美。16:35:2116:35:2116:35Monday,May 15,2023 13、不知香积寺，数里入云峰。5月-235月-2316:35:2116:35:21May 15,2023 14、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。15 五月 20234:35:21
39、下午16:35:215月-23 15、楚塞三湘接，荆门九派通。五月 234:35 下午5月-2316:35May 15,2023 16、少年十五二十时，步行夺得胡马骑。2023/5/15 16:35:2116:35:2115 May 2023 17、空山新雨后，天气晚来秋。4:35:21 下午4:35 下午16:35:215月-23 9、杨柳散和风，青山澹吾虑。5月-235月-23Monday,May 15,2023 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。16:35:2116:35:2116:355/15/2023 4:35:21 PM 11、越是没有本领的就越加自命不凡。5月-2316
40、:35:2116:35May-2315-May-23 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。16:35:2116:35:2116:35Monday,May 15,2023 13、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。5月-235月-2316:35:2216:35:22May 15,2023 14、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。15 五月 20234:35:22 下午16:35:225月-23 15、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。五月 234:35 下午5月-2316:35May 15,2023 16、业余生活要有意义，不要越轨。2023/5/15 16:35:2216:35:2215 May 2023 17、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。4:35:22 下午4:35 下午16:35:225月-23MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet,consectetur adipiscing elit.Fusce id urna blandit,eleifend nulla ac,fringilla purus.Nulla iaculis tempor felis ut cursus.感 谢 您 的 下 载 观 看专家告诉