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1、1.高温氧化工艺高温氧化工艺1.1 硅的热氧化硅的热氧化 硅的热氧化是指在高温下，硅片表面同氧硅的热氧化是指在高温下，硅片表面同氧气或水进行反应，生成气或水进行反应，生成SiO2。硅的热氧化有：干氧、湿氧、水汽氧化三硅的热氧化有：干氧、湿氧、水汽氧化三种。种。如果氧化前已存在厚度为如果氧化前已存在厚度为 t0 的氧化层，则（的氧化层，则（3-11）微分方程的解为：（）微分方程的解为：（tOX：是总的氧化层厚度）：是总的氧化层厚度）（4-12）式中式中在各种工艺条件下，参数在各种工艺条件下，参数A和和B都是已知的，都是已知的，t 是氧化是氧化时间。时间。是一个时间参数，单位是小时（是一个时间参数
2、，单位是小时（h）。）。（3-13）1.2 硅热氧化的厚度计算硅热氧化的厚度计算3.2 热氧化原理和方法热氧化原理和方法O2 扩散扩散反应反应SiO2SiSi+O2=SiO2 硅的热氧化分干氧和湿氧两种。干氧硅的热氧化分干氧和湿氧两种。干氧是在高温下氧分子与硅表面的原子反应生是在高温下氧分子与硅表面的原子反应生成成SiO2。1.3 不同的热氧化方式生长的不同的热氧化方式生长的 SiO2 膜性质比较膜性质比较 干氧氧化的干氧氧化的 SiO2 膜结构致密，干燥、均匀膜结构致密，干燥、均匀 性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好，性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好，与光刻胶的接触良好，光刻时不易浮胶
3、。与光刻胶的接触良好，光刻时不易浮胶。水汽氧化的水汽氧化的 SiO2 膜结构疏松，表面有斑点膜结构疏松，表面有斑点 和缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差，和缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差，所以在工艺中很少单独采用。所以在工艺中很少单独采用。湿氧氧化生长的膜致密性略差于干氧生湿氧氧化生长的膜致密性略差于干氧生长的长的 SiO2 膜，但它具有生长速率快的优点，膜，但它具有生长速率快的优点，其掩蔽能力和钝化效果都能满足一般器件其掩蔽能力和钝化效果都能满足一般器件的要求。其缺点是表面有硅烷醇存在，使的要求。其缺点是表面有硅烷醇存在，使 SiO2 膜与光刻胶接触不良，光刻时容易浮膜与光刻胶接触不良，
4、光刻时容易浮胶。同时，湿氧氧化后的胶。同时，湿氧氧化后的 Si 片表面存在较片表面存在较多的位错和腐蚀坑。多的位错和腐蚀坑。在实际工艺应用中，生长高质量的几在实际工艺应用中，生长高质量的几百百 的的SiO2薄膜一般采用干氧的方式。薄膜一般采用干氧的方式。SiO2薄膜厚度需要几千薄膜厚度需要几千以上时，一般采以上时，一般采用干氧用干氧湿氧湿氧干氧的方式，既保证了所干氧的方式，既保证了所需的厚度，缩短了氧化时间，又改善了表需的厚度，缩短了氧化时间，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。热氧化生长的热氧化生长的SiO2薄膜质量好，但是反薄膜质量好，但是反应
5、温度比较高。衬底只能用于单晶硅表面。应温度比较高。衬底只能用于单晶硅表面。离子注入可以通过分别调节注入离子的离子注入可以通过分别调节注入离子的能量、数量，精确地控制掺杂的深度和浓能量、数量，精确地控制掺杂的深度和浓度，所以可以制备理想的杂质分布。度，所以可以制备理想的杂质分布。离子注入的优点离子注入的优点2.离子注入离子注入 扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系数及扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系数及 固溶度等方面的限制，而离子注入是一个物固溶度等方面的限制，而离子注入是一个物 理过程，所以它可以注入各种元素。理过程，所以它可以注入各种元素。扩散法是在高温下掺杂，离子注入法掺杂一扩散法是在高温
6、下掺杂，离子注入法掺杂一 般在室温下进行（也可以在加温或低温下进般在室温下进行（也可以在加温或低温下进 行）。行）。离子注入法可以做到高纯度的掺杂，避免有离子注入法可以做到高纯度的掺杂，避免有 害物质进入硅片。害物质进入硅片。热扩散时只能采用热扩散时只能采用SiO2 等少数耐高温的介质等少数耐高温的介质 进行局部掺杂，但是离子注入法可以采用光进行局部掺杂，但是离子注入法可以采用光 刻胶作为掩蔽膜，进行局部注入掺杂。刻胶作为掩蔽膜，进行局部注入掺杂。热扩散时，杂质在纵向扩散的同时进行横向热扩散时，杂质在纵向扩散的同时进行横向 扩散，两者几乎一样，而离子注入的横向扩扩散，两者几乎一样，而离子注入的
7、横向扩 散很小。散很小。在离子注入机中，利用电流积分仪测量在离子注入机中，利用电流积分仪测量注入的离子总数注入的离子总数N：式中：式中：NS 单位面积的注入剂量（个单位面积的注入剂量（个/cm2），），S 是扫描是扫描面积（面积（cm2），），q 是一个离子的电荷（是一个离子的电荷（1.610-19库仑），库仑），Q 是注入到靶中的总电荷量（库仑），是注入到靶中的总电荷量（库仑），i是注入的束流是注入的束流（安培），（安培），t 是注入时间（秒）。是注入时间（秒）。（6-8）如果束流是稳定的电流如果束流是稳定的电流I，则：，则：（6-9）（6-10）其中：其中：NS 单位面积的注入剂量（个单位
8、面积的注入剂量（个/cm2），），S 是扫描是扫描面积（面积（cm2），），q 是一个离子的电荷（是一个离子的电荷（1.610-19库仑），库仑），I 是注入的束流（安培），是注入的束流（安培），t 是注入时间（秒）。是注入时间（秒）。例题：如果注入剂量是例题：如果注入剂量是51015，束流，束流1mA，求注入一片，求注入一片6英寸硅片的时间英寸硅片的时间 t=（1.610-1951015 3.147.52）/1 10-3 =141秒秒根据公式根据公式（4-6）注入剂量、标准偏差和峰值浓注入剂量、标准偏差和峰值浓度之间的近似关系：度之间的近似关系：（6-14）对于原来原子排列有序的晶体，由于离
9、子对于原来原子排列有序的晶体，由于离子注入，在晶体中将大量产生缺陷，如空位等。注入，在晶体中将大量产生缺陷，如空位等。对于高能、大剂量的重离子注入到硅单晶中，对于高能、大剂量的重离子注入到硅单晶中，如如As+，将使局部晶体变成非晶体。，将使局部晶体变成非晶体。离子注入的损伤和退火效应离子注入的损伤和退火效应 注入的离子在硅单晶中往往处于间注入的离子在硅单晶中往往处于间隙位置，一般不能提供导电性能，因此，隙位置，一般不能提供导电性能，因此，必须要使注入的杂质原子转入替位位置必须要使注入的杂质原子转入替位位置以实现电激活。以实现电激活。注入离子的激活注入离子的激活离子注入后的热退火离子注入后的热退
10、火 高能粒子撞击硅片表面，造成晶格损高能粒子撞击硅片表面，造成晶格损伤，因此为了消除离子注入造成的损伤和伤，因此为了消除离子注入造成的损伤和激活注入的杂质离子，离子注入后必须要激活注入的杂质离子，离子注入后必须要进行热退火。最常用的是在进行热退火。最常用的是在950高温炉高温炉中在氮气保护下，退火中在氮气保护下，退火15 30分钟。热退分钟。热退火后对杂质分布将产生影响，火后对杂质分布将产生影响，LSS理论的理论的射程射程RP和标准偏差和标准偏差Rp 要作修正。要作修正。光刻胶应该具有以下基本性能：光刻胶应该具有以下基本性能：灵敏度高；分辨率高；同衬底有很好的粘附性，灵敏度高；分辨率高；同衬底
11、有很好的粘附性，胶膜表面沾性小；胶膜致密性好，无针孔；图形胶膜表面沾性小；胶膜致密性好，无针孔；图形边缘陡直，无锯齿状；显影后留膜率高，不留底边缘陡直，无锯齿状；显影后留膜率高，不留底膜或其它颗粒物质；在显影液和其它腐蚀剂里抗膜或其它颗粒物质；在显影液和其它腐蚀剂里抗蚀性强、抗溶涨性好；去胶容易，不留残渣；蚀性强、抗溶涨性好；去胶容易，不留残渣；光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶两种：光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶两种：正胶是感光部分显影时溶解掉，负胶则相反。正胶是感光部分显影时溶解掉，负胶则相反。3.光刻工艺光刻工艺 底膜是指显影后还有一层薄薄的胶。底膜是指显影后还有一层薄薄的胶。图形转移工
12、艺图形转移工艺衬底衬底淀淀 积积 薄薄 膜膜匀胶、前烘匀胶、前烘曝曝 光光掩模版掩模版紫外光紫外光显影、坚膜显影、坚膜腐腐 蚀蚀去去 胶胶正胶正胶负胶负胶匀胶匀胶正胶和负胶正胶和负胶曝光曝光掩膜版掩膜版紫外光紫外光显影显影正胶感光区域正胶感光区域溶于显影液溶于显影液负胶未感光区负胶未感光区域溶于显影液域溶于显影液光学曝光的三种曝光方式光学曝光的三种曝光方式接触式曝光接触式曝光接近式曝光接近式曝光投影式曝光投影式曝光接触式曝光接触式曝光 接触式曝光是掩膜板直接同光刻胶接触，它接触式曝光是掩膜板直接同光刻胶接触，它具有设备简单、分辨率高的优点。它分成真空接具有设备简单、分辨率高的优点。它分成真空接
13、触、硬接触和软接触三种方式，其中真空接触具触、硬接触和软接触三种方式，其中真空接触具有接触力均匀、掩膜变形小和可以消除氧气对光有接触力均匀、掩膜变形小和可以消除氧气对光刻胶的影响等优点。由于接触式曝光时掩膜版同刻胶的影响等优点。由于接触式曝光时掩膜版同光刻胶直接接触，所以掩膜版容易损伤，图形缺光刻胶直接接触，所以掩膜版容易损伤，图形缺陷多、管芯成品率低、不适合陷多、管芯成品率低、不适合VLSI生产。生产。接近式曝光接近式曝光 接近式曝光是掩膜版同光刻胶离开接近式曝光是掩膜版同光刻胶离开10 50 m，所以掩膜版不容易被损伤，所以掩膜版不容易被损伤，掩膜版的使用寿命长，图形的缺陷少，掩膜版的使用
14、寿命长，图形的缺陷少，管芯的成品率高，但是缺点是分辨率低，管芯的成品率高，但是缺点是分辨率低，同时机器操作比接触式曝光机复杂、价同时机器操作比接触式曝光机复杂、价格也稍贵。格也稍贵。投影式曝光投影式曝光 光刻工艺中的投影式曝光分光刻工艺中的投影式曝光分1:1、4:1、5:1几种。几种。投影式曝光的掩模版同硅片不接触，对投影式曝光的掩模版同硅片不接触，对于于4:1、5:1缩小的投影曝光，可以得到更小缩小的投影曝光，可以得到更小的图形尺寸，可以减少掩模版上缺陷（如灰的图形尺寸，可以减少掩模版上缺陷（如灰尘等颗粒）对成品率的影响。尘等颗粒）对成品率的影响。stepper是是IC制造工艺中最重要的设备
15、，制造工艺中最重要的设备，也是最昂贵的设备，也是最昂贵的设备，特殊的光刻工艺特殊的光刻工艺LIGA技术技术剥离技术（剥离技术（Lift Off）膜的工艺要求膜的工艺要求 好的台阶覆盖（好的台阶覆盖（step coverage）能力。）能力。填充高的深宽比间隙的能力。填充高的深宽比间隙的能力。好的厚度均匀性。好的厚度均匀性。高纯度和高密度。高纯度和高密度。受控制的化学剂量。受控制的化学剂量。高度的结构完整性和低的膜应力。高度的结构完整性和低的膜应力。好的电学性能。好的电学性能。对衬底材料或下层膜好的粘附性。对衬底材料或下层膜好的粘附性。4.薄膜工艺薄膜工艺4.1 CVD法制作法制作SiO2薄膜薄
16、膜 APCVD、LPCVD、PECVD或溅射或溅射等方式都可以得到等方式都可以得到SiO2薄膜。这种制作二薄膜。这种制作二氧化硅薄膜的方法同硅的热氧化制作二氧氧化硅薄膜的方法同硅的热氧化制作二氧化硅有着本质上的区别：前者是同衬底材化硅有着本质上的区别：前者是同衬底材质没有关系，二氧化硅是淀积到衬底上去质没有关系，二氧化硅是淀积到衬底上去的；后者是硅衬底直接同氧或水在高温下的；后者是硅衬底直接同氧或水在高温下进行化学反应生成二氧化硅。进行化学反应生成二氧化硅。采用采用LPCVD、PECVD或溅射等方式制作薄或溅射等方式制作薄膜的最大优点是工作温度比较低，其中膜的最大优点是工作温度比较低，其中LT
17、O 的的工作温度是工作温度是620左右，左右，PECVD方式淀积方式淀积SiO2的温度可以在的温度可以在200 以下。不同的淀积方式、用以下。不同的淀积方式、用不同的源淀积的不同的源淀积的SiO2在密度、折射率、应力、介在密度、折射率、应力、介电强度、台阶覆盖和腐蚀速率等各方面性能上都电强度、台阶覆盖和腐蚀速率等各方面性能上都有很大差别。溅射方式制作有很大差别。溅射方式制作SiO2薄膜薄膜 的温度低、的温度低、质量好，但是效率低、成本高。质量好，但是效率低、成本高。Si3N4在器件制造中可以用作钝化膜、在器件制造中可以用作钝化膜、局部氧化扩散掩膜、硅湿法腐蚀的掩蔽膜、局部氧化扩散掩膜、硅湿法腐
18、蚀的掩蔽膜、绝缘介质膜以及杂质或缺陷的萃取膜。它绝缘介质膜以及杂质或缺陷的萃取膜。它最重要的性质是对最重要的性质是对H2O、O2、Na、Al、Ga、In等都具有极强的扩散阻挡能力。特等都具有极强的扩散阻挡能力。特别是对别是对H2O和和Na 的强力阻挡作用，使它成的强力阻挡作用，使它成为一种较理想的钝化材料。为一种较理想的钝化材料。4.2 Si3N4薄膜的性质薄膜的性质匀胶、曝光、显影、匀胶、曝光、显影、坚膜、刻蚀坚膜、刻蚀Si3N4 去胶、清洗、去胶、清洗、场区氧化场区氧化1m Si3N4作为硅片高温局部氧化的掩蔽层作为硅片高温局部氧化的掩蔽层Si3N4 膜膜 100/111的腐蚀比达的腐蚀比
19、达400：1 Si3N4 Si3N4作为硅片湿法腐蚀的掩蔽膜作为硅片湿法腐蚀的掩蔽膜Si3N4作为硅芯片的保护膜作为硅芯片的保护膜铝焊盘铝焊盘钝化层钝化层钝化结构钝化结构SiO2/Si PSG/SiO2/SiSi3N4/SiSi3N4/SiO2/Si可动离子可动离子密度密度(/cm2)1013 4.31012 6.510106.61010不同材料的阻钠能力不同材料的阻钠能力 虽然虽然Si3N4/Si结构具有最好的阻钠能力，实结构具有最好的阻钠能力，实际上由于界面存在极大的应力与极高的界面态密际上由于界面存在极大的应力与极高的界面态密度，所以都采用度，所以都采用Si3N4/SiO2/Si 结构。
20、结构。4.3 铝布线的优缺点铝布线的优缺点能长期工作能长期工作优点优点 同硅或多晶硅能形成欧姆接触同硅或多晶硅能形成欧姆接触 电阻率能满足微米和亚微米电路的要求电阻率能满足微米和亚微米电路的要求 与与 SiO2 有良好的附着性有良好的附着性 台阶的覆盖性好台阶的覆盖性好 易于淀积和刻蚀易于淀积和刻蚀易于键合易于键合缺点缺点 在大电流密度下容易产生金属离子在大电流密度下容易产生金属离子 电迁移现象，导致电极短路。电迁移现象，导致电极短路。铝硅之间容易产生铝硅之间容易产生“铝钉铝钉”，深度可，深度可 达达1m，所以对于浅结工艺很容易造，所以对于浅结工艺很容易造 成成PN结短路。结短路。5.1 溅射
21、溅射 根据采用的电源种类，等离子体溅射根据采用的电源种类，等离子体溅射有两种方式：直流阴极溅射和射频溅射。有两种方式：直流阴极溅射和射频溅射。直流阴极溅射是荷能粒子（一般采用直流阴极溅射是荷能粒子（一般采用正离子）轰击处在阴极的靶材，把靶材上正离子）轰击处在阴极的靶材，把靶材上的原子溅射到阳极的硅片上。的原子溅射到阳极的硅片上。5.等离子体加工技术小结等离子体加工技术小结 如果靶材是绝缘介质或导电靶上受绝如果靶材是绝缘介质或导电靶上受绝缘介质污染时，相当于在等离子体与阴极缘介质污染时，相当于在等离子体与阴极之间有一个电容器，采用直流电源实现溅之间有一个电容器，采用直流电源实现溅射存在困难，所以
22、对于绝缘靶的溅射一般射存在困难，所以对于绝缘靶的溅射一般采用射频（采用射频（RF）电源，但是它必须要在硅）电源，但是它必须要在硅片与靶之间加一个直流偏压。片与靶之间加一个直流偏压。射频溅射射频溅射直流溅射直流溅射+E C 靶靶载片台载片台5.2 PECVD PECVD是让两种反应气体在衬底是让两种反应气体在衬底表面发生化学反应，如：表面发生化学反应，如：PECVD淀积淀积Si3N4。3SiH4 4NH3 Si3N4 12H2 它的化学反应同它的化学反应同LPCVD完全一样，完全一样，差别就是反应的温度不同。差别就是反应的温度不同。射频溅射射频溅射E C 溅射同溅射同PECVD的差别的差别RF电
23、源电源真空泵真空泵反应气体反应气体靶靶载片台载片台PECVD 溅射通常使用溅射通常使用Ar气，荷能正离子把靶气，荷能正离子把靶材上的原子溅射到硅片上，而材上的原子溅射到硅片上，而PECVD是是两种反应气体在等离子体中分解为具有高两种反应气体在等离子体中分解为具有高活性的反应粒子，这些活性反应粒子在衬活性的反应粒子，这些活性反应粒子在衬底表面发生化学反应生成薄膜。底表面发生化学反应生成薄膜。5.3 等离子体刻蚀等离子体刻蚀 物理方法干法刻蚀是利用辉光放电物理方法干法刻蚀是利用辉光放电将惰性气体，例如氩气（将惰性气体，例如氩气（Ar），解离成），解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，带正电的离
24、子，再利用偏压将离子加速，轰击被刻蚀物的表面，并将被刻蚀物材轰击被刻蚀物的表面，并将被刻蚀物材料的原子击出。整个过程完全是物理上料的原子击出。整个过程完全是物理上的能量转移，所以称为物理性刻蚀。的能量转移，所以称为物理性刻蚀。物理干法刻蚀物理干法刻蚀直流溅射直流溅射+靶靶载片台载片台物理方法干法刻蚀同溅射的差别物理方法干法刻蚀同溅射的差别RF阴极阴极阳极（或离子源）阳极（或离子源）Ar抽真空抽真空 RIE是反应离子刻蚀，它依靠低压刻蚀气体是反应离子刻蚀，它依靠低压刻蚀气体在电场加速作用下辉光放电而生成带电离子、分在电场加速作用下辉光放电而生成带电离子、分子、电子以及化学活性很强的原子团，这些原
25、子子、电子以及化学活性很强的原子团，这些原子团扩散到被刻蚀材料表面，与被刻蚀材料表面原团扩散到被刻蚀材料表面，与被刻蚀材料表面原子发生化学反应，形成挥发性的反应产物并随气子发生化学反应，形成挥发性的反应产物并随气流被真空泵抽走，从而实现刻蚀。而流被真空泵抽走，从而实现刻蚀。而PECVD是是两种反应气体在等离子体中分解为具有高活性的两种反应气体在等离子体中分解为具有高活性的反应粒子，这些活性反应粒子在衬底表面发生化反应粒子，这些活性反应粒子在衬底表面发生化学反应生成薄膜。衬底需要加热。学反应生成薄膜。衬底需要加热。RIE同同PECVD的差别的差别生长生长SiO2腐蚀腐蚀SiO2淀积多晶硅淀积多晶
26、硅光刻光刻SiO2光刻多晶硅光刻多晶硅Poly-Si6.MEMS器件制造器件制造要选择好合适的牺牲层！要选择好合适的牺牲层！管芯管芯（Chip）外壳外壳（package）器件器件（device）packaging封装工艺封装工艺 封装就是给管芯（封装就是给管芯（chip）与线路板）与线路板（PCB）之间提供信号互连、电源分配、）之间提供信号互连、电源分配、机械支撑、环境保护和导热通道。机械支撑、环境保护和导热通道。7.封装工艺封装工艺关于考试关于考试1.闭卷考试；闭卷考试；2.考试时间考试时间（等通知）等通知）3.考试地点（等通知）考试地点（等通知）4.需要携带计算器，画图时可用直尺也可不用。
27、需要携带计算器，画图时可用直尺也可不用。9、静夜四无邻，荒居旧业贫。5月-235月-23Saturday,May 20,202310、雨中黄叶树，灯下白头人。19:23:3619:23:3619:235/20/2023 7:23:36 PM11、以我独沈久，愧君相见频。5月-2319:23:3619:23May-2320-May-2312、故人江海别，几度隔山川。19:23:3619:23:3619:23Saturday,May 20,202313、乍见翻疑梦，相悲各问年。5月-235月-2319:23:3619:23:36May 20,202314、他乡生白发，旧国见青山。20 五月 202
28、37:23:36 下午19:23:365月-2315、比不了得就不比，得不到的就不要。五月 237:23 下午5月-2319:23May 20,202316、行动出成果，工作出财富。2023/5/20 19:23:3619:23:3620 May 202317、做前，能够环视四周；做时，你只能或者最好沿着以脚为起点的射线向前。7:23:36 下午7:23 下午19:23:365月-239、没有失败，只有暂时停止成功！。5月-235月-23Saturday,May 20,202310、很多事情努力了未必有结果，但是不努力却什么改变也没有。19:23:3619:23:3619:235/20/202
29、3 7:23:36 PM11、成功就是日复一日那一点点小小努力的积累。5月-2319:23:3619:23May-2320-May-2312、世间成事，不求其绝对圆满，留一份不足，可得无限完美。19:23:3619:23:3619:23Saturday,May 20,202313、不知香积寺，数里入云峰。5月-235月-2319:23:3619:23:36May 20,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。20 五月 20237:23:36 下午19:23:365月-2315、楚塞三湘接，荆门九派通。五月 237:23 下午5月-2319:23May 20,202316
30、、少年十五二十时，步行夺得胡马骑。2023/5/20 19:23:3619:23:3620 May 202317、空山新雨后，天气晚来秋。7:23:36 下午7:23 下午19:23:365月-239、杨柳散和风，青山澹吾虑。5月-235月-23Saturday,May 20,202310、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。19:23:3619:23:3619:235/20/2023 7:23:36 PM11、越是没有本领的就越加自命不凡。5月-2319:23:3619:23May-2320-May-2312、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。19:23:3619:23:3619:23S
31、aturday,May 20,202313、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。5月-235月-2319:23:3619:23:36May 20,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。20 五月 20237:23:36 下午19:23:365月-2315、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。五月 237:23 下午5月-2319:23May 20,202316、业余生活要有意义，不要越轨。2023/5/20 19:23:3619:23:3620 May 202317、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。7:23:36 下午7:23 下午19:23:365月-23MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet,consectetur adipiscing elit.Fusce id urna blandit,eleifend nulla ac,fringilla purus.Nulla iaculis tempor felis ut cursus.感感 谢谢 您您 的的 下下 载载 观观 看看专家告诉