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1、电工电子综合模拟试题1流水理工中专电气专业专用班级：姓名：分数：一、是 非 题（每 题 1 分 共 1 0 分）1、电路的状态有通路和断路两种（）2、导体中电流的方向与电子流的方向一致（）3、电阻率越大，表示导电性能越好（）4、电源电动势的大小由电源本身的性质决定，与外电路无关（）5、导体的长度和截面积都增大一倍，其电阻值也增大一倍（）6、电阻两端的电压为9V时，电阻值为1 0 0 Q；当电压升至1 8 V 时，电阻值将为2 0 0 Q（）7、“2 2 0 V、6 0 W”的荧光灯能在1 1 0 V 的电源上正常工作（）8、由公式R=U/I 可知，电阻的大小与两端的电压和通过它的电流有关（）9
2、、由公式P=U*I 可知，电阻的电功率与其两端的电压和电路的电流成正比（）1 0、闭合电路内的电流，与电源的电动势成正比，与整个电路的电阻成反比（）二、选 择 题（每题2分共2 0 分）1、若将一段电阻为R的导线均匀拉长至原来的4 倍，则电阻变为（）A.4R B.1 6 R C.1/4R D.1/1 6 R2、一个电阻两端加1 5 V 电压时，通过3 A的电流，若在两端加1 0 V 电压时，通过它的电流为（）A.1 A B.2 A C.3 A D.1 5 A3.两根同种材料的电阻丝，长度之比为1：2,横截面积之比为3：2,则它们的电阻之比为（）A.3:4 B,l:3 C,3:l D.4:34、
3、一个额定功率为8 0 0 W,电阻值为2 0 0 Q的电阻，允许通过的最大电流为（）A.1 A B,2 A C o 1 0 A D。2 0 A5、2 2 0 V 4 0 W 的白炽灯正常发光（）小时，消耗的电能为1 K W。h.A.2 0 h B.40 h C.45 h D.2 5 h6、以下叙述下正确的是（）A.闭合电路内的电流与电源的电动势无关。B、闭合电路内的电流与整个电路的电阻成反比C、电源端电压随负载电流变化的规律称为电源的内特性D、电动势的方向是电源内部正极到负极的方向。7、三个阻值分别为R l =1 0 Q,R 2=2 0 Q,R 3=3 0 Q的电阻串联，如果流过R 2 电阻的
4、电流是1 A,那么该串联电路的总电压以及R3电阻两端的电压分别是多少（）A.2 0 V,6 0 V B.6 0 V,3 0 V C.2 0 V,3 0 V D .6 0 V,6 0 V8、有三个阻值分别为R l=1 0 Q,R 2=2 0 C,R 3=2 0 Q 的电阻并联。其总电阻为（）A.5 0 Q B.3 0 Q C.1 0 Q D.5 Q9、若给上题中并联电阻两端加2 0 V 电压，则电阻R 1 上消耗的功率为（）A.40 W B.2 0 W C.1 0 W D.5 W1 0、将 R K R 2 V R 3 的三只电阻串联，然后接入到电源中，获得功率最大的电阻是（）A.R I B.R
5、2 C.R 3 D.不确定三、问答与计算题1、一根铜导线长L为 2 0 0 0 m,截面积A=1.5 m n?,问这根导线的电阻有多大？（已知铜的电阻率 p =1.7 5 X 1 0-8。.m）（1 0 分）2、一 个“2 0 0 V I k W”的电炉，正常工作时电流多大？如果不考虑温度对电阻的影响,把它接到1 0 0 V 的电压上，它的功率是多少？（1 5 分）3、小明家有一台空调，制冷时的电功率为L 2 5 k W,小明家夏天平均每天使用8 h,一个暑假（6 0 天）需要用多少度电？若每度电按0.6 0 元计算，需要多少电费？（2 0 分）晶体二极管及整流电路练习题一、选择题（每小题2
6、分共3 0 分）：1、P N 结外加正向电压时，其空间电荷区（）。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定2、P N结外反正向电压时，其空间电荷区（）A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定3、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管4、稳压二极管稳压时，其工作在（），A.正向导通区 B.反向截止区 C.反 向 击 穿 区 D.不确定5、发光二极管发光时，工作在（）。A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 D.不确定6、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）A.增大 B.减小 C.不变 D,等于零7、稳压二极管是利用P
7、N结 的（）。A.单向导电性 B.反向击穿性 C.电容特性 D.正向特性8、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态9、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍 D,正、反向电阻都等于无 穷大1 0、电路如下图所示，设二极管D,D 2，D3的正向压降忽略不计，则 输出电压“0=（）o9+12VA,-2 V B.O V C.6 V D.1 2 V 0 工1 1、（1-1,中）P型 半 导 体
8、是 指 在 本 征 半 导 体 中 掺 入 微 量 的。:丁可:A、硅元素 B、硼元素 C、磷元素 D、锂元 /A-2V素1 2、（1-1,中）N型 半 导 体 是 指 在 本 征 半 导 体 中 掺 入 微 量 的。A、硅元素 B、硼元素 C、磷元素 D、锂元素1 3、（1-1,中）晶体二极管内阻是A、常数 B、不是常数 C、不一定 D、没有电阻1 4、（1-1,中）用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到A、R x l O O Q 或R x l K Q B、R x l Q C、R x J O Q D、R x J O O Q1 5、（1-1,中）将交流电压U i 经单相半
9、波整流电路转换为直流电压U。的关系是。A、U o=U i B、U o=0.4 5 U i C、U o=0.5 U i D、U o=V 2 U i二、判 断 题（每小题1 分 共 1 0 分）：1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）2、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（）3、P 型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P 型半导体带正电。（）4、本征半导体不带电，P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）5、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）6、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）7、一般来说，硅晶体二极管的死区电压
10、（门坎电压）小于错晶体二极管的死区电（）8、二极管击穿后立即烧毁。（）9、小功率晶体二极管2 c p i 2的正向电流在2 0 m A 的基础上增加1 倍，它的两端压降也增加1 倍。（）1 0、（1-1,低）硅二极管的热稳定性比错二极管好。（）三、填 空 题（每空一分共2 3 分）:1、根据是否掺入杂质，半导体可分为 半导体和 半导体两大类。2、P N 结是靠多数载流子的 运动和少数载流子的 运动形成的。3、P N 结中内电场阻止 的扩散，推动 的漂移运动。4、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。5、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为8,则 此 二极管；若 两 次
11、读 数 都 接 近 零，则 此 二极管;若 读 数 一 次 很 大，一 次 读 数 小，则此二极管6、设如右图电路中,D 为硅二极管,D 2 为错二极管，则 D i 处于.状态,D,处于 状态，输出电压U。为 伏。7、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数、8、整流二极管的整流作用是利用P N结的 特性，稳压管的稳压作用是利用P N 结的 特性。9、错 二 极 管 工 作 在 导 通 区 时 正 向 压 降 大 约 是,死区电压是。硅 二 极 管 的 工 作 电 压 为,错 二 极 管 的 工 作 电 压 为。1 0、整 流 二 极 管 的 正 向 电 阻 越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。四、写出图T 1.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。（1 2 分）O+例DOD不v r2VL_