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1、第2 章 结型光电探测器 2.1 光生伏特效应势垒型光电探测器是对光照敏感的“结”构成，故也称结型光电探测器。光生伏特效应：两种半导体材料或金属/半导体相接触形成势垒，当外界光照射时，激发光生载流子，注入到势垒附近形成光生电压的现象。光生伏特效应属于内光电效应。利用光生伏特效应制成的光电探测器叫做势垒型光电探测器.v 根据所用结的种类的不同，可分为PN 结型、PIN 结型、异质结型和肖特基结型等。v 最常用的器件有光电池、光电二极管、PIN 光电二极管、雪崩光电二极管、光电三极管和光电场效应管等。v 势垒型光电探测器与光电导探测器相比较，主要区别:(1)产生光电变换的部位不同。(2)光电导型探
2、测器没有极性，工作时必须有外加电压，而结型探测器有确定的正负极，不需要外加电压也可把光信号变为电信号。(3)光电导探测器为均质型探测器，均质型探测器的载流子驰豫时间比较长，响应速度慢、频率响应特性差。而结型探测器响应速度快、频率响应特性好。另外，雪崩式光电二极管和光电三极管还有很大的内增益作用，不仅灵敏度高，还可以通过较大的电流。势垒型光电探测器的应用非常广泛，广泛应用于光度测量、光开关报警系统、光电检测、图象获取、光通讯、自动控制等方面。2.1.1 PN 结v 当P 型与N 型半导体相接触，电子和空穴相互扩散在接触区附近形成空间电荷区和耗尽层，结区两边形成内建电场。v 接触电势差UD取决于P
3、型和N 型半导体的费米能级EFp、EFn之差：v 加正向电压的结构与能带v 加反向电压的结构与能带 v PN 结未加电压平衡时的结构与能带v PN 结的单向导电性v 设扩散电流I1，一般都规定PN 结中的扩散电流方向为流过PN 结电流的正方向，即由P 区通过PN 结指向N 区，如图2-3。反向饱和漂移电流Is，与扩散电流方向相反，也称反向电流。v I1=Isexp(eU/kT)v 其中，k 为波尔兹曼常数，T为热力学温度。v PN 结加上外加电压，流过PN 结的电流为：v Ij=I1-Is=Isexp(eU/kT)-1)v U 为正，即P 区电压高于N 区，即常说的正向电压，此时电流由P 区流
4、到N 区，电流为正值，如图2-3。v U 为负，即N 区电压高于P 区，即通常所说的负向电压，电流由N 区流到P 区，电流为负值，如图2-4。v PN 结的电流电压特性如图2-5 中的无光照的I-U 曲线。通过P-N 结的电流公式：2.1.2 PN 结光生伏特效应外接电路开路时，光生载流子积累在PN 结两侧，光生电压最大，即光生电势Uoc，等于费米能级分开的距离，称Uoc 为开路电压。外接电路短路时，流过电路的电流为短路时的光生电流，称Isc为短路电流，短路电流在PN 结中NP（电流方向），在外回路中由PN。v PN 结在有光照的电流电压曲线，与普通的二极管的电流电压特性相区别:v 相当于在回
5、路中加了一个反向电势，所以产生了光生伏特效应的光电二极管的电流电压特性发生了移动。v 当I=0 时，U=Uoc，即光生电势。v 当U=0 时，I=Isc，即光生电流。比较图2-5 的曲线和，随着光照的增强，曲线向下移动，光生电势和电流增加。v 三种情况进行计算：v 光照平行于结的定态情况；v 光照垂直于PN 结的定态情况；v 光照垂直于NP 结的定态情况；v 都有公式:v 各种情况下的值Is，Ip 不同。2.2 光电池v 光电池是直接把光变成电的光电器件，由于它是利用各种势垒的光生伏特效应制成的，故称为光生伏特电池，简称光电池。v 按用途分：太阳能光电池、测量光电池。v 按材料分：硅光电池、锗
6、光电池、硒光电池、硫化镉光电池、砷化镓光电池。v 其中最受重视的是硅光电池、硒光电池。v 硅材料研究得最充分，硅光电池具有一系列的优点，如性能稳定、寿命长、光谱响应范围宽、频率特性好、能耐高温。v 硒光电池的光谱响应曲线与人眼的光视效率曲线相似。v 应用：应用于光能转换、光度学、辐射测量、光学计量和测试、激光参数测量等方面。2.2.1 光电池的结构v 结构有两种：一种是金属半导体接触型，硒光电池即属此类。另一种是PN 结型，硅光电池属PN 结型。v 硅光电池的结构形式有多种，按基底材料可分为2DR型和2CR型。v PN 结光电池的结构图受光表面上涂保护膜，减小反射损失，增加对入射光的吸收，同时
7、又可以防潮，防腐蚀如镀SiO2，MgF2。上电极一般多做成栅指状，其目的是便于透光和减小串联电阻。v 除典型结构型式的硅光电池以外，按不同用途，还有些特殊的结构型式 v 光电池的符号、连接电路 测量用的光电池太阳能光电池2.2.2 光电池的电流与电压v PN 结中有三种电流：扩散电流I1、漂移电流Is、光生电流Ip 光照引起电压和势垒的变化 开路电压Uoc：短路电流Isc：外电路的电流I：结电流=扩散电流-漂移电流 v IP与单色辐射的光功率Pr可写成：Ip=Ri Prv Ri光谱灵敏度。v 光谱灵敏度与光的入射方式有关，是一个复杂的关系式。v 为了计算使用简单，光生电流IP与入射单色辐射的功
8、率P 可简写为如下的关系：v 为有效量子效率。2.2.3 光电池的主要特性1 光照特性是指光电池的光生电动势，光电流与照度的关系。硅光电池 硒光电池 v 当RL=0 时，外电路短路，电流全部流过外电路Ip=Isc，光电流随着光照而变化，故I 与光照E 成正比。v 一定负载下，随着E 增加，I 出现非线性，负载越大，线性范围愈小，非线性愈严重。v 因此，作为探测器用的光电池，为保证测量呈较好的线性，应选择较小的负载电阻，如5的串联电阻。2 光谱特性光电池的光谱特性主要取决于所采用的材料与制作工艺，同时也与温度有关，1 硒光电池的光谱特性 1 硅蓝光电池的光谱特性曲线 2 硅光电池的光谱特性 2
9、硅普通光电池的光谱特性曲线3 伏安特性PN 结作光电池用时，在有光照条件下，光电流与电压的关系，实际上是指输出电流I=Ip-Ij与输出电压U 之间的函数关系 v 连续改变负载电阻值，就得到一条输出电压与电流的关系曲线，这就是伏安特性曲线。v 交点(Uoc,0)代表开路情况，RL=，Uoc称为开路电压，交点（0，Isc）代表短路情况，Isc称为短路电流。4 转换效率v 对于输出的功率P=IU，对其求极值，可以获得光电池存在一个最大输出功率Pm，此时对应的最佳负载电阻RLm，对应的电流Imp和电压为Ump。v Pm=UmpImp v 通常定义光电池的转换效率：光电池输出的最大功率与入射光功率的比值
10、。v 它们都表示了光电池把光转变为电信号的能力。v 当RL增大，输出电压增大，RL愈大，U 愈接近Uoc，当RL 时，U=Uoc。v 负载电阻RL越小，输出的电流愈大，当RL0 时,即短路时，I=Isc。填充因子（FF)定义：v 2)填充因子（FF)v FF=Ump.Imp/Uoc.Isc,v 例如FF=0.8v 大气层对地表接收到的 阳光的 影响定义 为 大气 质量（air mass)v AM0 代表地球大气层外的 太阳光谱v AMxv x=1/cosv 例如：v AM1=0;925W/m2v AM1.5=45;W/m2 v AM2=60;691W/m25 频率特性v 光电池作为探测器使用时
11、，由于载流子在PN 结区内扩散、漂移、产生、复合都要有一个时间驰豫过程，所以当光照变化很快时，光电流就有滞后于光照变化的现象。v 光电池的频率响应除了载流子运动的内在因素外，还与材料、结构、光敏面的大小及使用条件有关。v 如图2-21，负载电阻越大，时间响应越差。v 光敏面积越大，频率特性变差，v 光照越弱，频率特性越差，因为在高频交变光照下，光电池的响应时间由PN 结电容和负载电阻所决定，vPN 结阻挡层的面积越大，极间电容越大，因而频率特性变差。v 如要求有较好频率特性，需选用小面积的光电池，以使它的结电容减小或者减小负载电阻。6 温度特性v 光电池许多参数都与温度有关，一般光电池的参数都
12、是在30 条件下测得的。T 升高，Uoc 减小到3mV/，具有负温度系数，T 升高，Isc 上升到10-5 10-3mA/，具有正的温度系数，如图2-22。v 光电池受强光照射时，必须考虑光电池的工作温度。因为硒光电池的结温超过50，硅光电池超过200 时，它们的晶格就受到破坏，导致器件的破坏。7 太阳能光电源装置v 由于太阳能量的重要性，光电池要将太阳能直接转变成电能供给负载。v 单片光电池的电压很低，输出电流很小，因此不能直接用作负载的电源。一般要把很多片光电池组装成光电池组作为电源使用。v 通常在用单片光电池组装成电池组时，可以采用增加串联片数的方法来提高输出电压，用增加并联片数的方法来
13、增大输出电流。v 为了在无光照时仍能正常供电，往往把光电池组和蓄电池装在一起使用，通常，把这种组合装置称为太阳能电源。v RL是负载电阻，D 是防逆流二极管。因为辐照度减弱会造成光电池组输出电压降低，加了防逆流二极管可以阻止蓄电池对光电池放电。v 太阳能光电池材料有：单晶硅、多晶硅、非晶硅、CdS、GaAlAs/GaAs 等太阳能光电池，现在单晶硅太阳能电池的效率达10%22%，并聚光后，效率可达26%28%，已获得了广泛的应用。v v 单晶硅光伏电池的生产工艺：v 1.硅冶炼；2.硅提纯；3.硅棒切片；4.制作出多晶硅 5.制作出单晶硅；6.制作PN 结；7.给硅片印刷线路 8.制作成电磁片
14、；9.焊接栅线；10.层压出组件；11.安装接线盒；v 设备：晶硅类：1 冶炼：冶炼炉，扩散炉，提纯设备，激光切片机，线路印刷机 等等 以及相应的检测设备。2 组件生产 层压机（或高压釜），组框机，打胶机，铺设台，观察台，筛选机，划片机等等 以及相应的检测设备。最终制作成发电系统.v 非晶硅薄膜类的光伏电池的 生产工艺：v 1.制作导电玻璃;2.在导电玻璃上沉积非晶硅;3.在沉积一层微晶硅;4.背极导电膜;5.背板玻璃 v 设备：大型的镀膜机，化学清洗设备，硅烷、氢气、氮气等气体储存装置，气体监测监控设备，排风管道等。太阳能电池的附加资料v 1.利用太阳能的重要性v 2.太阳能的利用方式：v
15、光伏电池，v 光热发电。v 光热发电：将太阳辐射能收集起来，将光能转换成热能加以利用；v 目前主要应用在太阳能热水器和光热发电两大领域。2.3 光电二极管v 光电二极管是一种重要的光电探测器，广泛用于可见光和红外辐射的探测，本质是二极管，根据光生伏特效应工作，属于结型器件。主要区别v 它与光电池的光电转换有许多相似之处，而与光电池的主要区别：v(1)结面积大小不同，光电二极管的结面积远比光电池小。v(2)PN 结工作状态不同,光电池PN 结工作在零偏置状态下，而光电二极管工作于反偏工作状态下，需外加电压。v 因此光电二极管的内建电场强，结区较宽，结电容很小，所以频率特性比较好。由于势垒宽，光电
16、流比光电池小，一般在A 量级。v 根据所用的半导体材料有：锗、硅、III-V 族化合物及其它化合物半导体。v 按工作基础分：有耗尽型及雪崩型。v 按特性分：有PN 结、PIN 结、异质结、肖特基势垒及点结触型等。v 按对光的响应分：紫外、可见光、红外光电二极管。v 按制造工艺：平面型、生长型、合金型、台面型。v 按用途分：聚光透镜式、平板玻璃式。v 目前，光电二极管绝大部分用硅和锗材料，采用平面型结构来制成，由于硅管比锗管有较小的暗电流和较小的温度系数，而且硅工艺较成熟，结构工艺易于控制，v 因此，以硅为材料的光电二极管发展超过了同类锗管。国内定型生产的硅光电二极管主要有PN 结型、PIN 型
17、及雪崩型。2.3.1 PN 结型光电二极管1 PN 结光电二极管的结构v 根据衬底材料不同分为2DU和2CU型两种。2DU 光电二极管的结构及符号 v 由于SiO2层中不可避免地沾污一些少量杂质正离子（如Na+，K+，H+），来源于:所使用的化学试剂、玻璃器皿、高温器材及人体沾污等，其中最主要而对器件稳定性影响最大的是:Na+。这些正离子对其下面的半导体将产生静电感应，在SiO2膜下面将感应出一些负电荷，就如同电容器一般，在P 型Si 衬底表面产生一个电子层，它与原来半导体衬底导电类型相反，因此叫做反型层。这些电子与N+的电子相沟通，在外加反向偏压的作用下，由于势垒电场很强，电子形成电流，流到
18、前极，成为表面漏电流，这些表面漏电流可达几个微安数量级，成为暗电流的大部分，使通过负载的电流的散粒噪声增大，会影响光电二极管的测量极限。v 为了降低这部分噪声，就不能让SiO2中少量正离子静电感应所产生的表面漏电流经过外电路的负载。v 目前，一般采用在P-Si 扩散磷形成N+层时，同时扩散环形N+层，把原来的N+层环绕起来，单独引出一个电极，称为环极，如图2-25。v 由于环极电位高于前极，大部分表面漏电流将通过环极直接流向后极，而不经过负载电阻了。这样就减少了流过前极的暗电流和噪声，若环极不接电时，除前级暗电流大，噪声大一些以外，对其它性能均无影响。2CU 型光电二极管和电路 由于N-Si中
19、为衬底，电子是N 型Si 中的多数载流子，表面有大浓度的电子。SiO2中少数正离子的静电感应不会在N-Si表面产生电子层。因此，也没有少数漏电流的问题，故2CU 光电二极管只有两个引出线，2 光照特性硅光电二极管的光照特性曲线在加了反偏压情况下，一般情况下，只要U 的值大于kT/e（300K 时为0.026eV）时，扩散电流被抑制，输出的电流：而反向饱和电流一般远小于光电流，将其忽略。可得：硅光电二极管光照特性曲线，其线性比较好，用于检测方面。3 光谱特性v 主要决定于所采用的材料的禁带宽度，同时也与结构工艺也有密切的关系。v Si：4001150nm，峰值响应波长在800900nm，Ge：4
20、001800nm，峰值响应波长在14001500nm。vSi、Ge 光电二极管的光谱响应4 伏安特性在零偏压下，光电二极管仍有光电流，这是光生伏特效应所产生的短路电流，在低反向偏压下，光电流随电压的变化比较敏感，随电压增大，加大了耗尽层的宽度及电场强度，提高了光吸收效率及对载流子的收集，光电流增大;但反向偏压再进一步增大，光生载流子全部到达电极，光生电流趋向饱和，饱和光生电流与所加电压无关，它仅取决于光照度。5 温度特性v 2CU 光电二极管在偏压50V 和照度不变的情况下，光电流随温度的变化。v T 升高，光电流I 增加，暗电流Id 增加，当环境温度改变2530 时，光电流的变化量为10%左
21、右，而暗电流增加了约10 倍，光电二极管受温度影响最大的是暗电流。6 入射特性v 由于光电二极管入射窗口的不同封装而造成的灵敏度随入射角而变化。入射窗由玻璃或塑料制作，一般有聚光透镜和平面玻璃。v 聚光透镜入射窗的优点：能够把入射光会聚于面积很小的光敏面上，以提高灵敏度。由于聚光位置与入射光位置有关，减小了背景杂散光的干扰，仅当入射光与透镜光轴重合时（=0）灵敏度最大。v 如果入射光偏离于光轴，灵敏度就要下降，这给使用带来了麻烦，在做检测控制时，发光源要放在合适的位置，否则就会使灵敏度下降，甚至检测不到，如图2-25。v 平板玻璃入射窗使用比较简单，但易受到杂散光的干扰，聚光作用差，光易受到反
22、射，极值灵敏度下降。7 频率特性v 主要由光生载流子的渡越时间和RLCj的乘积决定。v 对耗尽层型光电二极管的渡越时间:v 主要由光生载流子在耗尽层中的漂移时间来决定，对于可见光，渡越时间为10-9s，由渡越时间决定的频率上限可以高达2000MHz。v 决定光电二极管的频率响应上限的因素:v 是它的电容Cj和负载电阻RL所构成的时间常数RLCj。v 其中Ip 为光电流，D 为理想二极管，Cj为结电容，Rd为PN 结电阻，由于是反向偏压，一般很大，约为108，Rs 为体电阻（邻近结P 区和n 区的体电阻），Rs 一般很小，为几十，RL为外加负载电阻，几千。v 由于Rd很大，Rs 很小，D 内阻无
23、穷大，不消耗电流，可把图简化。则通过负载的电压 如=RLCj，=2 f，则通过RL的电流值|Il|=|Ip0|/称为上限截止频率，或称带宽。P 值对应的光电流 一般2DU 型硅光电二极管的结电容3pF，响应时间0.1s，带宽为2MHz。8 噪声与噪声等效功率v 光电二极管等结型光电器件的噪声主要是电流散粒噪声和电阻的热噪声。犹如射出的散粒无规则地落在靶上所呈现的起伏，每一瞬间到达值有多少，每一点有多少，这些散粒是完全独立的、随机的。由粒子随机起伏所形成的噪声称为散粒噪声，如光辐射中光子到达的起伏、阴极发射的电子数、半导体中载流子数等 散粒噪声均方值：I包括暗电流id、信号光电流is、和背景光电
24、流ib；e电子电量；f测试系统带宽。v 电阻的热噪声是由电阻中电子的热运动引起的，根源在于载流子的无规则热运动，因为任何导体或半导体的载流子在一定温度下都作无规则热运动，所以它存在于任何导体或半导体中。热噪声电流均方值：k 为波尔兹曼常数，T 为绝对温度，R 为阻值，f测试系统的带宽。v 器件在实际使用中，后面总是接负载和放大器，式中R 应为PN 结的漏电阻和负载电阻的并联值，因为PN 结的漏电阻远大于负载电阻，所以R 值实际是PN结的负载电阻值。光电二极管回路输出总的信号噪声比SNR：S 为光电二极管的灵敏度，入射的光通量。v 在一般情况下，电流的散粒噪声都比电阻的热噪声大，如果只考虑电流的
25、散粒噪声时，则：噪声等效功率（NEP）为：2.3.2 PIN型光电二极管1 PIN 硅光电二极管v PIN（p-i-n）硅光电二极管是一种常用的耗尽层光电二极管，通过适当选择耗尽层的厚度，可获得较大的输出电流，较高的灵敏度和较好的频率响应特性，频率带宽可达10GHz，适用于快速探测的场合。v 图2-32 PIN 硅光电二极管结构与所加电压PIN 光电二极管结构示意图（a）和反偏能带图（b）PrPIN型光电二极管光电流：光谱电流响应率：有效光谱量子效率：v 1.输出的光生电流较大，灵敏度有所提高。时间响应特性主要取决于结电容、载流子渡越耗尽层所需要的时间,扩散运动的速度 PIN 光电二极管，由于
26、结电容小v 2.时间响应快,频率特性好!扩散运动被抑制.时间特性好，频带宽度可达10GHz。载流子渡越耗尽层时间短;一般来说，扩散运动的速度比漂移运动的速度低得多，它将影响探测器的响应速度。例如，在PN 结区强电场的作用下作漂移运动，载流子通过10m 的距离，其渡越时间小于0.1ns;但在PN 结外作扩散运动时，同样经过10m 的距离，需要的时间则长达40ns。为了提高探测器的响应速度，故尽量希望光的吸收或光生载流子对的产生发生在PN 结的耗尽层内。PIN 管的光吸收主要在耗尽层区，所以频率特性好!v 3.硅材料制成的PIN 管，长波段响应到1.1m的短波段包括1.06m 的激光，可用于激光测
27、距、激光制导等许多方面。2 长波长光电二极管v 为探测1.3m 及更长波段的光通讯的激光，通常将1.21.7m 的光波探测器叫长波长探测器。目前主要用III-V 族化合物半导体材料来制作长波长光电探测器。如用InPInGaAsInP 材料制成的响应在1.3m 的光电探测器。v InP 的禁带宽度为1.35eV，InxGa1-xAs 的禁带宽度0.7eV，InP 对波长大于0.9m 的光透明，光吸收作用主要在InGaAs 层，形成PIN，光谱响应可达1.7m，v 这样该器件的光谱响应范围为0.9-1.7m，广泛应用于光通讯的光探测。v 长波长PIN 管的优点是：v(1)工作电压比较低，一般为5V
28、；v(2)探测灵敏度比较高，为0.8mA/mW，使用InGaAs-PIN 管可用于1Gb/s 的光纤通信系统中，其接收灵敏度可达-90dBm；v(3)内量子效率较高，内量子效率90%以上；v(4)响应速度快，1Gb/s 以上；v(5)可靠性高，上万小时后没有发现明显退化现象；v(6)PIN 管能低噪声工作。v 还有四元系InGaAsP、AlGaAsP 等材料分别与InP（0.9-1.7m）、GaSb（0.75-1.9m）晶格匹配形成长波长的光电探测器，其探测光谱范围更宽，用于光通讯中光的探测。2.3.3 雪崩型光电二极管(APD)v 一般光电二极管的灵敏度都不够高，大约在每1000lx 的照射
29、下，1000Lx 只输出几A 光电流。v 雪崩光电二极管(APD)，利用了高反压下二极管耗尽层产生载流子的雪崩倍增效应来获得很高的光电流增益，其增益可达102104，电流达mA 量级。v 因此其灵敏度高，且响应速度快，可达102GHz，适用于探测弱光信号和快速变化的信号，非常有发展前途。1.迁移率与电场之间的关系 由 第 一 章 的 电 子 流 密 度 公 式 可 见，电 流 密 度J 与 电 子 浓 度n 和 漂 移 速 度 v 成 正 比。实 验 指 出，电 场 增 强 到 接 近105V/cm 时，载 流 子 浓 度n 也 开 始 改 变。所 以，电 场 在 范 围内，平 均 漂 移 速
30、 度 与 电 场 强 度 不 再 成 正 比，迁 移 率 随 电 场改变,电流偏离欧姆定律。2.强电场下载流子的迁移率 在没有外加电场情况下，载流子和晶格散射时，将吸收声子或发射声子，与晶格交换动量和能量，交换的净能量为零，载流子的平均能量与晶格的相同，两者处于热平衡状态。在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子和晶格系统不再处于热平衡状态。载流子温度Te比晶格温度T 高，载流子的平均能量比晶格的大。热载流子与晶格散射时，由于热载流子能量高，速度大于热平衡状态下的速度，由平均自由时间t=l/v，在平均自由程l 保持不变的情况下，平均自由时间减
31、小，因而迁移率降低。当电场继续增加时，对硅材料，电场增强到接近105V/cm 时，载流子浓度n 也开始改变，这就是所谓的击穿现象。3.光电二极管的击穿机制 半导体中所有的击穿机制共有三种类型，热电击穿，齐纳击穿和雪崩击穿。热电击穿是由于价带中的电子受到热激发进入导带，从而使得电流增大，并且在电流增大的瞬间烧坏器件。齐纳击穿与雪崩击穿都是在反向偏压的情况下且都与势垒中的强电场相关，但分别在不同的击穿电压范围内起作用。齐纳击穿：在掺杂浓度较高的非简并半导体的突变结中产生。当电场的数值大于一定的临界值时，价带上的A 点处的电子在电场的作用下便会越过价带进入导带。且其击穿电压与浓度呈反比的关系。如图2
32、-35（a）所示。雪崩击穿：在缓变结中产生。少量载流子在强电场的作用下，具有超过阈值能量。在运动的过程中，碰撞价带上的电子，使其进入导带，由此产生电子-空穴对。产生的电子-空穴对在强电场的作用下也具有了足够的能量，并且重复上述的过程，产生新的电子-空穴对，引起PN 结或PIN结中电流的增大。对于雪崩光电二极管而言，其工作在反向偏压的缓变结中，其中以雪崩击穿占主导。如图2-35（b）所示。4.倍增系数M 电子电离率 定义为单个电子在单位长度上碰撞增加的电子数，与结区中的电场E(x)分布密切相关。进行推导，需要在进行以下三个假设。电离率仅仅是由电场E(x)决定的函数，且忽略电离率所产生的电子-空穴
33、对对电场分布的影响。对于窄结型，此条假设不成立。忽略载流子间的复合作用。由于倍增时间远小于复合时间，此条假设通常成立。忽略导电电子间的相互作用影响。在导电电子数不是太多时，此假设也是成立的。在一般情况下，电子电离率 与空穴电离率 相差很小，电子电离率与空穴电离率之间的偏差存在，在部分理论计算时仍需考虑在内，故而仍然需要讨论的情况。图2-36 所示PN结中一维电流密度的分布图。设电子在一次碰撞的速度为vn，时间为t，电子数密度为n，根据电子电离率的定义：电子碰撞引起电子空穴对的产生，空穴碰撞也引起电子-空穴对，设空穴密度为p，碰撞的速度为vp，空穴电离率为：电流由电子和空穴组成,在电场作用下，得
34、到电子电流密度jn和空穴电流密度jp：）设参数在b=1 的情况下5.电离率与击穿电压 经过实验和理论得到，电离率与电场E 和温度T有关。电离率的表达式：EI为高场有效电离阈值能量，分别为载流子克服热散射、光学声子散射、电离散射等减速效应的阈值能量。v 原理:雪崩反应,光电子加速晶格电子晶格电子v 噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。v 在正常情况下，雪崩光电二极管的反向工作偏压，一般略低于反向击穿电压。v 光电倍增系数Mph：倍增光电流iph与不发生倍增效应时光电流ipho之比.UB反向击穿电压；U外加电压；n调整参数，它取决于半导体材料、器件结构和入射辐射的波长，对Si，n=1.5-4,对G
35、e，n=2.5-3。光电倍增系数与电压电流的关系 v APD 的倍增系数受温度影响严重。温度升高时，APD 击穿电压随着上升，工作电压不变，倍增系数将减小。v 为使APD 保持在最佳增益值状态下工作，获得最大信噪比，需控制APD 偏压，通常采用自动增益控制电路。v 渡越时间短，一般为10-10s 数量级。结电容cj为几pF，所以管子响应时间一般很小，如国外APD5-3R硅雪崩光电二极管结电容3pF，响应时间小于0.5ns，频率响应可达105MHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。APD 二极管结构示意图雪崩型光电二极管需要加保护环，如图2-32，保护环作用有二：一是由于保护环为深扩散，在保
36、护环处结区拉得较宽，且其在光照较弱，在反向电压作用下，相当于PN 结加反向电压，呈现高阻抗，阻止表面感应电子层流到电极上，可以减小表面漏电，并耐一定的击穿电压。二是避免了由于结边缘材料的不均匀及缺陷，使结边缘过早击穿，所以也可称为保护环雪崩光电二极管(GAPD)。v Si-APD 耗尽层达3050m，要产生雪崩效应，电压太高，偏压高达300V。为降低偏压，研制出RAPD(拉通型APD)，结构：它使雪崩效应仅发生在在很薄的区域内。P+和N+为高掺杂低阻区，I 为本征区；电场：PN 结附近为倍增高场区，随偏压增高，耗尽区从P 区扩大直至“拉通”整个I 区，I 区电场比PN+结区电场低，但也能保证载
37、流子有很高的漂移速度。原理：入射光子在I 区吸收后形成电子空穴对，一次电子向PN+区漂移，并在PN+区内产生倍增。可见只有一次电子参加初始碰撞电离，倍增噪声非常低。特性：其工作电压约200V。Si-RAPD 具有低倍增噪声、高量子效率、高响应速度等优点，是用于0.80.9m 波段光纤通信最适合的结构。2.4 光电三极管2.4.1 光电三极管结构和工作原理光电三极管的结构及简化原理图及符号 光电三极管是在光电二极管基础上发展起来的。目前用得较多的两种是PNP 和NPN 型平面硅光电三极管，称PNP 型为3CU，NPN 型为3DU 型光电三极管。I c=I e=(1+)I p 电流放大倍数，Ip所
38、对应的光电二极管的电流。原理：2.4.2 光电三极管的主要性能参数 1 光照特性光电三极管的光照特性 光电达林顿管的结构2 伏安特性图2-51 光电三极管的光照特性有两个特点：在照度低时比较均匀，而随照度增加曲线变密，这是因为电流放大倍数 与光照强度有关，随光 照度E 增加，下降，导致电流I 下降，在强光照射下，光电流与照度不呈线性。工作电压低时，光电三极管的集电极电流与照度呈非线性，为了避免电压对线性的影响，光电三极管工作电压尽可能高些。3 温度特性光电三极管的温度特性（a）光电流(b)暗电流4 频率特性光电三极管的频率特性 光电三极管的频率特性与结的结构，负载及结电容有关。一般的光电三极管为了得到较大的信号电流，增大吸收光敏面积，集电结做得较大，因此电容Cbc较大，使它的频率特性比光电二极管的要差。在Uce=10V，f=1kHz 时，它的结电容Cj约几pF。响应时间与负载有关系，在Uce=10V 时，RL=100，响应时间=10s，频带宽度 约105Hz，随负载电阻增加，频率特性变差，光电耦合器的控制电路南京理工大学 汪贵华 2020.10